JPH0564869B2 - - Google Patents
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- JPH0564869B2 JPH0564869B2 JP60214226A JP21422685A JPH0564869B2 JP H0564869 B2 JPH0564869 B2 JP H0564869B2 JP 60214226 A JP60214226 A JP 60214226A JP 21422685 A JP21422685 A JP 21422685A JP H0564869 B2 JPH0564869 B2 JP H0564869B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ソーダライムガラス基板の上に設
けられた非晶質半導体太陽電池に関する。 〔従来の技術〕 非晶質半導体太陽電池は、第３図で示されたよ
うに、ソーダライムガラス基板１の表面を、1000
Å程度の厚さのSiO2膜からなるコーテイング膜
２で覆つた後、この上に透明電極３、Ｐ型、Ｉ
型、Ｎ型の非晶質半導体層４及び背面電極５を順
次設けて作られている。例えば、上記コーテイン
グ膜２の上にSnO2膜からなる透明電極３、非晶
質シリコン層からなる非晶質半導体層４及びアル
ミニウム膜からなる背面電極５を順次設けて作ら
れた太陽電池にあつて、透明電極３の厚みが0.4μ
ｍ前後の場合、同電極３の比抵抗は６×10-4〜５
×10-3Ωcm、波長550nｍにおける光の透過率は、
80〜90％であり、初期変換効率は８％前後であ
る。 〔考案が解決しようとする問題点〕 上記非晶質半導体太陽電池において、ソーダラ
イムガラス基板１の表面にコーテイング膜２を施
さず、直に透明電極３を設けた場合、透明電極３
の抵抗値が高くなり、その光の透過率が低下す
る。また、これに伴つて太陽電池の変換効率も低
下する。 例えば、ソーダライムガラス基板１の上に、直
に透明電極３、非晶質半導体層４及び背面電極５
を設けて作られた上記と同様の太陽電池の場合、
透明電極３の比抵抗は、５×10-3Ωcm以上とな
り、光の透過率も、上記のものに比べて５〜10％
低くなる。 この発明は、従来の非晶質半導体太陽電池にお
ける上記の問題点を解決するためなされたもの
で、ソーダライムガラス基板１の表面にコーテイ
ング膜を施さず、同基板１の上に直に透明電極３
を設けて構成された非晶質半導体太陽電池につい
て、従来のものと同等の特性が得られるようにす
ることを目的とする。 〔問題を解決するための手段〕 以下、この発明の構成を第１図の符号を引用し
ながら説明すると、この発明による非晶質半導体
太陽電池は、ソーダライムガラス基板１１の表面
にSiO2膜等のコーテイング膜を施すことなく、
その上に直に透明電極１３を設け、この上に非晶
質半導体層１４及び背面電極１５を設けて構成さ
れたものである。そして上記透明電極１３は、
Snに対してＦが１〜3at.％含有されたソーダライ
ムガラス基板１１側のSnO2膜１３ａと、Snに対
してSn、Ｐの少なくとも一方が１〜3at.％含有さ
れた非晶質半導体層１４側のSnO2膜１３ｂとか
らなる。 〔実施例〕 次にこの発明の実施例について説明する。 実施例 １ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを5.29ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、SbCl3を0.32ｇ及びHClを
２c.c.溶解した原料液を作つた。ソーダライムガラ
ス基板１１をホツトプレート上で420℃に加熱し
たまゝ、この片面に前者の原料液をスプレーし、
Snに対してＦが約2at.％含まれた厚み約0.1μｍの
SnO2被膜１３ａを設けた。続いて、このSnO2被
膜１３ａの上から後者の原料液をスプレーし、
Snに対してSbが約1at.％含まれた厚み約0.3μｍの
SnO2被膜１３ｂを設けた。 こうして設けられたSnO2被膜１３ａと同１３
ｂからなる透明電極の厚みは0.4μｍであり、その
シート抵抗は、25Ω／□、波長550nｍにおける光
の平均透過率は、87.6％であつた。 なお、シート抵抗は、４端子法により、透明電
極１３の上の２点間に一定電流を有し、その間の
一定区間（距離0.5mm）での電圧降下値をもとに
求めた。また、光の平均透過率は、次の方法で求
めた。まず、透明電極１３が設けられたソーダラ
イムガラス基板１１と、透明電極１３が設けられ
ていない同じ厚みの基準となるガラス板とに光を
通過させ、光の波長を変えながら、通過光の光量
の比を求め、これから第２図のようなグラフを描
く。次に、このグラフから、点線で示されたよう
な最大透過率と最小透過率の曲線を求め、これら
の曲線から、光の波長550nｍにおける最大透過
率Tmaxと最小透過率Tminを求める。そして、
これらの中間値を平均透過率として算出した。 さらに、上記透明電極１３の上に、非晶質半導
体層１４として、それぞれ厚み120Å、5000Å、
300ÅのＰ型、Ｉ型、Ｎ型からなる非晶質シリコ
ン層を設けた。続いて、この上にアルミニウムを
真空蒸着して背面電極１５を設け、面積0.16cm2の
非晶質シリコン太陽電池を構成した。 この太陽電池の初期変換効率は8.1％であつた。 実施例 ２ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを2.64ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、SbCl3を0.64ｇ及びHClを
２c.c.溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様
にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、
Snに対してＦが約1at.％含まれた厚み約0.1μｍの
SnO2被膜１３ａと、Snに対してSbが約2at.％含
まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとからな
る厚み0.4μｍの透明電極１３を作つた。さらに、
この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４
と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽電池
を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、32Ω／□、その平均透過率は、85.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.1％
であつた。 実施例 ３ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを7.59ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、SbCl3を0.96ｇ及びHClを
２c.c.溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様
にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、
Snに対してＦが約3at.％含まれた厚み約0.1μｍの
SnO2被膜１３ａと、Snに対してSbが約3at.％含
まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとからな
る厚み0.4μｍの透明電極１３を作つた。さらに、
この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４
と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽電池
を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、20Ω／□、その平均透過率は、84.5％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.2％
であつた。 実施例 ４ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを5.29ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を1.3ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダ
ライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦが
約2at.％含まれた厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａ
と、Snに対してＰが約2.5at.％含まれた厚み約
0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとからなる厚み0.4μｍの
透明電極１３を作つた。さらに、この上に上記実
施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５
を設け、非晶質シリコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、26Ω／□、その平均透過率は、85.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.1％
であつた。 実施例 ５ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを5.29ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を0.52ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダ
ライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦが
約2at.％含まれた厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａ
と、Snに対してＰが約1at.％含まれた厚み約0.3μ
ｍのSnO2被膜１３ｂとからなる厚み0.4μｍの透
明電極１３を作つた。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を
設け、非晶質シリコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、29Ω／□、その平均透過率は、87.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.0％
であつた。 実施例 ６ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを2.64ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を0.52ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダ
ライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦが
約1at.％含まれた厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａ
と、Snに対してＰが約1at.％含まれた厚み約0.3μ
ｍのSnO2被膜１３ｂとからなる厚み0.4μｍの透
明電極１３を作つた。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を
設け、非晶質シリコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、38Ω／□、その平均透過率は、88.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.0％
であつた。 実施例 ７ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、NH4Fを2.65ｇ、SbCl3を
0.48ｇ及びHClを２c.c.溶解した原料液と、水150
c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、SnCl4・5H2O
を25ｇ、SbCl3を0.64ｇ及びHClを２c.c.溶解した
原料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソー
ダライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦ
が約1at.％、Sbが約3at.％含まれた厚み約0.1μｍ
のSnO2被膜１３ａと、Snに対してSbが約2at.％
含まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとから
なる厚み0.4μｍの透明電極１３を作つた。さら
に、この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層
１４と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽
電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、34Ω／□、その平均透過率は、84.5％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.2％
であつた。 実施例 ８ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、NH4Fを5.29ｇ及びHBrを
３c.c.溶解した原料液と、水150c.c.に、エチルアル
コールを10c.c.、SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を
0.5ｇ溶解した原料液を使用し、上記実施例と同
様にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、
Snに対してＦが約2at.％、Brが約0.6at.％含まれ
た厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａと、Snに対し
てＰが約1at.％含まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜
１３ｂとからなる厚み0.4μｍの透明電極１３を作
つた。さらに、この上に上記実施例と同様の非晶
質半導体層１４と背面電極１５を設け、非晶質シ
リコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、24Ω／□、その平均透過率は、88.5％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.1％
であつた。 以上の結果をまとめると、下表の通りである。
けられた非晶質半導体太陽電池に関する。 〔従来の技術〕 非晶質半導体太陽電池は、第３図で示されたよ
うに、ソーダライムガラス基板１の表面を、1000
Å程度の厚さのSiO2膜からなるコーテイング膜
２で覆つた後、この上に透明電極３、Ｐ型、Ｉ
型、Ｎ型の非晶質半導体層４及び背面電極５を順
次設けて作られている。例えば、上記コーテイン
グ膜２の上にSnO2膜からなる透明電極３、非晶
質シリコン層からなる非晶質半導体層４及びアル
ミニウム膜からなる背面電極５を順次設けて作ら
れた太陽電池にあつて、透明電極３の厚みが0.4μ
ｍ前後の場合、同電極３の比抵抗は６×10-4〜５
×10-3Ωcm、波長550nｍにおける光の透過率は、
80〜90％であり、初期変換効率は８％前後であ
る。 〔考案が解決しようとする問題点〕 上記非晶質半導体太陽電池において、ソーダラ
イムガラス基板１の表面にコーテイング膜２を施
さず、直に透明電極３を設けた場合、透明電極３
の抵抗値が高くなり、その光の透過率が低下す
る。また、これに伴つて太陽電池の変換効率も低
下する。 例えば、ソーダライムガラス基板１の上に、直
に透明電極３、非晶質半導体層４及び背面電極５
を設けて作られた上記と同様の太陽電池の場合、
透明電極３の比抵抗は、５×10-3Ωcm以上とな
り、光の透過率も、上記のものに比べて５〜10％
低くなる。 この発明は、従来の非晶質半導体太陽電池にお
ける上記の問題点を解決するためなされたもの
で、ソーダライムガラス基板１の表面にコーテイ
ング膜を施さず、同基板１の上に直に透明電極３
を設けて構成された非晶質半導体太陽電池につい
て、従来のものと同等の特性が得られるようにす
ることを目的とする。 〔問題を解決するための手段〕 以下、この発明の構成を第１図の符号を引用し
ながら説明すると、この発明による非晶質半導体
太陽電池は、ソーダライムガラス基板１１の表面
にSiO2膜等のコーテイング膜を施すことなく、
その上に直に透明電極１３を設け、この上に非晶
質半導体層１４及び背面電極１５を設けて構成さ
れたものである。そして上記透明電極１３は、
Snに対してＦが１〜3at.％含有されたソーダライ
ムガラス基板１１側のSnO2膜１３ａと、Snに対
してSn、Ｐの少なくとも一方が１〜3at.％含有さ
れた非晶質半導体層１４側のSnO2膜１３ｂとか
らなる。 〔実施例〕 次にこの発明の実施例について説明する。 実施例 １ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを5.29ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、SbCl3を0.32ｇ及びHClを
２c.c.溶解した原料液を作つた。ソーダライムガラ
ス基板１１をホツトプレート上で420℃に加熱し
たまゝ、この片面に前者の原料液をスプレーし、
Snに対してＦが約2at.％含まれた厚み約0.1μｍの
SnO2被膜１３ａを設けた。続いて、このSnO2被
膜１３ａの上から後者の原料液をスプレーし、
Snに対してSbが約1at.％含まれた厚み約0.3μｍの
SnO2被膜１３ｂを設けた。 こうして設けられたSnO2被膜１３ａと同１３
ｂからなる透明電極の厚みは0.4μｍであり、その
シート抵抗は、25Ω／□、波長550nｍにおける光
の平均透過率は、87.6％であつた。 なお、シート抵抗は、４端子法により、透明電
極１３の上の２点間に一定電流を有し、その間の
一定区間（距離0.5mm）での電圧降下値をもとに
求めた。また、光の平均透過率は、次の方法で求
めた。まず、透明電極１３が設けられたソーダラ
イムガラス基板１１と、透明電極１３が設けられ
ていない同じ厚みの基準となるガラス板とに光を
通過させ、光の波長を変えながら、通過光の光量
の比を求め、これから第２図のようなグラフを描
く。次に、このグラフから、点線で示されたよう
な最大透過率と最小透過率の曲線を求め、これら
の曲線から、光の波長550nｍにおける最大透過
率Tmaxと最小透過率Tminを求める。そして、
これらの中間値を平均透過率として算出した。 さらに、上記透明電極１３の上に、非晶質半導
体層１４として、それぞれ厚み120Å、5000Å、
300ÅのＰ型、Ｉ型、Ｎ型からなる非晶質シリコ
ン層を設けた。続いて、この上にアルミニウムを
真空蒸着して背面電極１５を設け、面積0.16cm2の
非晶質シリコン太陽電池を構成した。 この太陽電池の初期変換効率は8.1％であつた。 実施例 ２ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを2.64ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、SbCl3を0.64ｇ及びHClを
２c.c.溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様
にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、
Snに対してＦが約1at.％含まれた厚み約0.1μｍの
SnO2被膜１３ａと、Snに対してSbが約2at.％含
まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとからな
る厚み0.4μｍの透明電極１３を作つた。さらに、
この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４
と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽電池
を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、32Ω／□、その平均透過率は、85.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.1％
であつた。 実施例 ３ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを7.59ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、SbCl3を0.96ｇ及びHClを
２c.c.溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様
にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、
Snに対してＦが約3at.％含まれた厚み約0.1μｍの
SnO2被膜１３ａと、Snに対してSbが約3at.％含
まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとからな
る厚み0.4μｍの透明電極１３を作つた。さらに、
この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４
と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽電池
を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、20Ω／□、その平均透過率は、84.5％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.2％
であつた。 実施例 ４ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを5.29ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を1.3ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダ
ライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦが
約2at.％含まれた厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａ
と、Snに対してＰが約2.5at.％含まれた厚み約
0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとからなる厚み0.4μｍの
透明電極１３を作つた。さらに、この上に上記実
施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５
を設け、非晶質シリコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、26Ω／□、その平均透過率は、85.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.1％
であつた。 実施例 ５ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを5.29ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を0.52ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダ
ライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦが
約2at.％含まれた厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａ
と、Snに対してＰが約1at.％含まれた厚み約0.3μ
ｍのSnO2被膜１３ｂとからなる厚み0.4μｍの透
明電極１３を作つた。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を
設け、非晶質シリコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、29Ω／□、その平均透過率は、87.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.0％
であつた。 実施例 ６ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びNH4Fを2.64ｇ溶解した
原料液と、水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を0.52ｇ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダ
ライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦが
約1at.％含まれた厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａ
と、Snに対してＰが約1at.％含まれた厚み約0.3μ
ｍのSnO2被膜１３ｂとからなる厚み0.4μｍの透
明電極１３を作つた。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を
設け、非晶質シリコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、38Ω／□、その平均透過率は、88.0％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.0％
であつた。 実施例 ７ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、NH4Fを2.65ｇ、SbCl3を
0.48ｇ及びHClを２c.c.溶解した原料液と、水150
c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、SnCl4・5H2O
を25ｇ、SbCl3を0.64ｇ及びHClを２c.c.溶解した
原料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソー
ダライムガラス基板１１の上に、Snに対してＦ
が約1at.％、Sbが約3at.％含まれた厚み約0.1μｍ
のSnO2被膜１３ａと、Snに対してSbが約2at.％
含まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜１３ｂとから
なる厚み0.4μｍの透明電極１３を作つた。さら
に、この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層
１４と背面電極１５を設け、非晶質シリコン太陽
電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、34Ω／□、その平均透過率は、84.5％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.2％
であつた。 実施例 ８ 水150c.c.に、エチルアルコールを10c.c.、
SnCl4・5H2Oを25ｇ、NH4Fを5.29ｇ及びHBrを
３c.c.溶解した原料液と、水150c.c.に、エチルアル
コールを10c.c.、SnCl4・5H2Oを25ｇ及びPCl5を
0.5ｇ溶解した原料液を使用し、上記実施例と同
様にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、
Snに対してＦが約2at.％、Brが約0.6at.％含まれ
た厚み約0.1μｍのSnO2被膜１３ａと、Snに対し
てＰが約1at.％含まれた厚み約0.3μｍのSnO2被膜
１３ｂとからなる厚み0.4μｍの透明電極１３を作
つた。さらに、この上に上記実施例と同様の非晶
質半導体層１４と背面電極１５を設け、非晶質シ
リコン太陽電池を作つた。 この実施例において、透明電極１３のシート抵
抗は、24Ω／□、その平均透過率は、88.5％であ
つた。また、太陽電池の初期変換効率は、8.1％
であつた。 以上の結果をまとめると、下表の通りである。
以上説明した通り、この発明によれば、ソーダ
ライムガラス基板１１の表面にSiO2膜のコーテ
イング膜を施さず、この上に直に透明電極１３を
設けて構成された非晶質半導体太陽電池におい
て、従来課題となつていた、透明電極１３の抵抗
値の増大、透過率の低下といつた問題が解消され
る。これによつて、ソーダライムガラス基板の表
面にコーテイング膜を施す必要がなくなるという
効果が得られる。
ライムガラス基板１１の表面にSiO2膜のコーテ
イング膜を施さず、この上に直に透明電極１３を
設けて構成された非晶質半導体太陽電池におい
て、従来課題となつていた、透明電極１３の抵抗
値の増大、透過率の低下といつた問題が解消され
る。これによつて、ソーダライムガラス基板の表
面にコーテイング膜を施す必要がなくなるという
効果が得られる。
第１図は、この発明の実施例を示す非晶質半導
体太陽電池の概念図、第２図は透明電極の光の透
過率の光の波長との関係を示すグラフ、第３図は
非晶質半導体太陽電池の従来例を示す概念図であ
る。 １１……ソーダライムガラス基板、１３……透
明電極、１３ａ，１３ｂ……SnO2膜、１４……
非晶質半導体層、１５……背面電極。
体太陽電池の概念図、第２図は透明電極の光の透
過率の光の波長との関係を示すグラフ、第３図は
非晶質半導体太陽電池の従来例を示す概念図であ
る。 １１……ソーダライムガラス基板、１３……透
明電極、１３ａ，１３ｂ……SnO2膜、１４……
非晶質半導体層、１５……背面電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ソーダライムガラス基板の１１上に、透明電
極１３、非晶質半導体層１４、背面電極１５が順
次設けられた非晶質半導体太陽電池において、ソ
ーダライムガラス基板１１の上に直に透明電極１
３が設けられ、この透明電極１３が、Snに対し
てＦが１〜3at.％含有されたソーダライムガラス
基板１１側のSnO2膜１３ａと、Snに対してSn、
Ｐの少なくとも一方が１〜3at.％含有された非晶
質半導体層１４側のSnO2膜１３ｂとからなるこ
とを特徴とする非晶質半導体太陽電池。 ２ Ｆを１〜3at.％含有したSnO2膜１３ａが、
Sb、Brの少なくとも一方を0.5〜3at.％含有して
いる特許請求の範囲第１項記載の非晶質半導体太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214226A JPS6273782A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214226A JPS6273782A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273782A JPS6273782A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0564869B2 true JPH0564869B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=16652284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214226A Granted JPS6273782A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273782A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4880664A (en) * | 1987-08-31 | 1989-11-14 | Solarex Corporation | Method of depositing textured tin oxide |
| JPS6472570A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Sanyo Electric Co | Photovoltaic device |
| JP2675314B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1997-11-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| US5091764A (en) * | 1988-09-30 | 1992-02-25 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers |
| JP6951448B2 (ja) | 2018-01-29 | 2021-10-20 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| WO2019146119A1 (ja) | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60214226A patent/JPS6273782A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273782A (ja) | 1987-04-04 |
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