JP2961466B2 - ヒーター - Google Patents
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- JP2961466B2 JP2961466B2 JP4220463A JP22046392A JP2961466B2 JP 2961466 B2 JP2961466 B2 JP 2961466B2 JP 4220463 A JP4220463 A JP 4220463A JP 22046392 A JP22046392 A JP 22046392A JP 2961466 B2 JP2961466 B2 JP 2961466B2
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- heating element
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- resistance
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヒーターに関し、更に詳
細には遠赤外域の熱線を放射し、物体を効率よく加熱を
行い得るヒーターに関する。
細には遠赤外域の熱線を放射し、物体を効率よく加熱を
行い得るヒーターに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のヒーターとしては、ニク
ロム線等の抵抗発熱体をアルミナ等のセラミック板内に
埋設したヒーター、或いはニクロム線等の抵抗発熱体を
アルミナ等のセラミック板に設けられている溝中に布設
したヒーターが知られている。また、ムライト、コージ
ェライト等のセラミック基板の表面に金属酸化物等の抵
抗発熱体の薄膜を形成したヒーターも知られている。
ロム線等の抵抗発熱体をアルミナ等のセラミック板内に
埋設したヒーター、或いはニクロム線等の抵抗発熱体を
アルミナ等のセラミック板に設けられている溝中に布設
したヒーターが知られている。また、ムライト、コージ
ェライト等のセラミック基板の表面に金属酸化物等の抵
抗発熱体の薄膜を形成したヒーターも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のヒーターのうち、前者のセラミック板内に抵抗発熱
体を埋設したヒーター、またはセラミック板の溝内に抵
抗発熱体を布設したヒーターは、いずれもセラミック板
は単に抵抗発熱体の支持部材として用いられているに過
ぎず、抵抗発熱体より発生する熱を直接加熱物体に受け
る形式であるため、水、高分子材料等の遠赤外域に吸収
特性を有する物体の加熱を効果的に行うには不適当であ
り、また、抵抗発熱体を支持するセラミック板自体が非
常に脆く、かつ熱衝撃に弱いので、外部衝撃、或いは温
度が極めて低い水滴、氷等のような冷物体との接触によ
り容易に破損するという問題がある。
来のヒーターのうち、前者のセラミック板内に抵抗発熱
体を埋設したヒーター、またはセラミック板の溝内に抵
抗発熱体を布設したヒーターは、いずれもセラミック板
は単に抵抗発熱体の支持部材として用いられているに過
ぎず、抵抗発熱体より発生する熱を直接加熱物体に受け
る形式であるため、水、高分子材料等の遠赤外域に吸収
特性を有する物体の加熱を効果的に行うには不適当であ
り、また、抵抗発熱体を支持するセラミック板自体が非
常に脆く、かつ熱衝撃に弱いので、外部衝撃、或いは温
度が極めて低い水滴、氷等のような冷物体との接触によ
り容易に破損するという問題がある。
【０００４】また、後者のセラミック基板の表面に金属
酸化物等の抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーターは、抵
抗発熱体の薄膜を形成すべきセラミック基板の表面は粗
密な凹凸面であるので、抵抗発熱体の薄膜に高い導電性
を出すためには該薄膜を形成する前に、予めセラミック
基板の表面を研磨して平滑にしておく必要があるので製
造工程上繁雑であるという問題がある。
酸化物等の抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーターは、抵
抗発熱体の薄膜を形成すべきセラミック基板の表面は粗
密な凹凸面であるので、抵抗発熱体の薄膜に高い導電性
を出すためには該薄膜を形成する前に、予めセラミック
基板の表面を研磨して平滑にしておく必要があるので製
造工程上繁雑であるという問題がある。
【０００５】本発明は、前記問題点を解消し、耐熱衝撃
性と導電性に優れたヒーターを提供することを目的とす
る。
性と導電性に優れたヒーターを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のヒーターは、請
求項１に記載したとおり、加熱により遠赤外域の熱線を
放射しうる耐熱衝撃温度３００℃以上で結晶化度が５０
〜１００％のリチウム系の結晶化ガラス基板の表面に、
厚さ０．０４〜０．５μmの酸化すず、又は酸化すずを
主成分とする金属酸化物からなる抵抗発熱体の薄膜を形
成したことを特徴とする。
求項１に記載したとおり、加熱により遠赤外域の熱線を
放射しうる耐熱衝撃温度３００℃以上で結晶化度が５０
〜１００％のリチウム系の結晶化ガラス基板の表面に、
厚さ０．０４〜０．５μmの酸化すず、又は酸化すずを
主成分とする金属酸化物からなる抵抗発熱体の薄膜を形
成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】抵抗発熱体の薄膜を形成する結晶化ガラス基板
の表面は極めて平滑であるので、抵抗発熱体の膜厚が薄
くても導電性が高く、導電性の変化も少ない。また結晶
化ガラスは従来のセラミック基板に比べて耐熱衝撃性に
優れる。
の表面は極めて平滑であるので、抵抗発熱体の膜厚が薄
くても導電性が高く、導電性の変化も少ない。また結晶
化ガラスは従来のセラミック基板に比べて耐熱衝撃性に
優れる。
【０００８】
【実施例】本発明で用いる結晶化ガラスとは、加熱によ
って結晶を析出させたガラスであって、結晶とガラスが
混在しているガラスであり、結晶量は用途に応じて適宜
選定すればよく、その結晶化度は５０％〜１００％程度
とする。また、本発明において、結晶化ガラスの耐熱衝
撃温度を３００℃以上としたのは、従来のセラミック基
板使用のヒーターの耐熱衝撃温度は例えば該温度が高い
とされているアルミナ製でも２５０℃程度であり、この
程度の耐熱衝撃温度では加熱中３００℃以上の温度時に
水がかかった場合は基板に破損が生じてしまうため、ヒ
ーターとしての耐熱衝撃温度が少なくとも３００℃必要
であるためである。
って結晶を析出させたガラスであって、結晶とガラスが
混在しているガラスであり、結晶量は用途に応じて適宜
選定すればよく、その結晶化度は５０％〜１００％程度
とする。また、本発明において、結晶化ガラスの耐熱衝
撃温度を３００℃以上としたのは、従来のセラミック基
板使用のヒーターの耐熱衝撃温度は例えば該温度が高い
とされているアルミナ製でも２５０℃程度であり、この
程度の耐熱衝撃温度では加熱中３００℃以上の温度時に
水がかかった場合は基板に破損が生じてしまうため、ヒ
ーターとしての耐熱衝撃温度が少なくとも３００℃必要
であるためである。
【０００９】本発明を添付図面に基づき説明する。
【００１０】実施例１ 図１は本発明ヒーターの１実施例を示し、図中、１は厚
さ２〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基板、２
は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属酸化物か
ら成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発熱体、３
は銀または銀・パラジウム合金の電極を示す。
さ２〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基板、２
は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属酸化物か
ら成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発熱体、３
は銀または銀・パラジウム合金の電極を示す。
【００１１】本実施例を更に詳細に説明する。長さ２５
０mm、幅９０mm、厚さ２．５mmの結晶化度１００％、耐
熱衝撃温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成る
ガラス基板１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表
面にジブチルチンジアセテートとアンチモンアルコキシ
ドをアルコールに溶解した濃度９％のスプレー溶液を噴
霧し、加熱分解させるスプレー分解法により膜厚０．４
μmの導電性を有する薄膜の抵抗発熱体２を形成した。
０mm、幅９０mm、厚さ２．５mmの結晶化度１００％、耐
熱衝撃温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成る
ガラス基板１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表
面にジブチルチンジアセテートとアンチモンアルコキシ
ドをアルコールに溶解した濃度９％のスプレー溶液を噴
霧し、加熱分解させるスプレー分解法により膜厚０．４
μmの導電性を有する薄膜の抵抗発熱体２を形成した。
【００１２】この場合のガラス基板１の加熱温度として
はガラス基板１表面にスプレー溶液が付着と同時に加熱
分解する温度とすればよく、一般には形成する抵抗発熱
体２の材質および膜厚にもよるが、抵抗発熱体２の薄膜
が酸化すずと酸化アンチモンであって、膜厚０．０４〜
０．５μmの場合であれば、ガラス基板１の加熱温度は
４００〜６００℃程度とすればよい。
はガラス基板１表面にスプレー溶液が付着と同時に加熱
分解する温度とすればよく、一般には形成する抵抗発熱
体２の材質および膜厚にもよるが、抵抗発熱体２の薄膜
が酸化すずと酸化アンチモンであって、膜厚０．０４〜
０．５μmの場合であれば、ガラス基板１の加熱温度は
４００〜６００℃程度とすればよい。
【００１３】続いて、ガラス基板１表面に形成された抵
抗発熱体２の両端側に夫々銀・パラジウム合金にガラス
フリットを少量添加してペースト状とし、それをスクリ
ーン印刷法で塗布し、大気中で自然乾燥を行った後、温
度７００℃で、大気中で、０．５時間焼成して、幅５m
m、長さ８４mm、厚さ５０μmの電極３を形成して、ヒー
ター４とした。そして、ヒーター４の各電極３の端子に
夫々外部電極（図示せず）を接続し、電圧２００Ｖを通
電して抵抗発熱体の抵抗値を測定したところ８３Ωであ
った。
抗発熱体２の両端側に夫々銀・パラジウム合金にガラス
フリットを少量添加してペースト状とし、それをスクリ
ーン印刷法で塗布し、大気中で自然乾燥を行った後、温
度７００℃で、大気中で、０．５時間焼成して、幅５m
m、長さ８４mm、厚さ５０μmの電極３を形成して、ヒー
ター４とした。そして、ヒーター４の各電極３の端子に
夫々外部電極（図示せず）を接続し、電圧２００Ｖを通
電して抵抗発熱体の抵抗値を測定したところ８３Ωであ
った。
【００１４】比較例 抵抗発熱体の薄膜を形成する基板に表面を研磨したコー
ジェライト焼結体から成るセラミック基板を用いた以外
は前記実施例１と同様の方法で従来のヒーター（セラミ
ック基板に抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーター）を作
成した。そして、ヒーターの各電極の端子に夫々外部電
極を接続し、電圧２００Ｖを通電して抵抗発熱体の抵抗
値を測定したところ１１０Ωであった。
ジェライト焼結体から成るセラミック基板を用いた以外
は前記実施例１と同様の方法で従来のヒーター（セラミ
ック基板に抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーター）を作
成した。そして、ヒーターの各電極の端子に夫々外部電
極を接続し、電圧２００Ｖを通電して抵抗発熱体の抵抗
値を測定したところ１１０Ωであった。
【００１５】本発明実施例１と比較例の抵抗値測定結果
から明らかなように、実施例１のヒーターの抵抗値は比
較例（従来）のヒーターの抵抗値に比べて２５％も低
く、本発明ヒーターはそれだけ導電性がよいことが分か
る。これはリチウム系結晶化ガラスの表面が平滑のため
略均一厚さの塗膜が形成されるのに対して、セラミック
基板の表面は高低差が大で塗膜の不連続部分が形成され
ることによる。
から明らかなように、実施例１のヒーターの抵抗値は比
較例（従来）のヒーターの抵抗値に比べて２５％も低
く、本発明ヒーターはそれだけ導電性がよいことが分か
る。これはリチウム系結晶化ガラスの表面が平滑のため
略均一厚さの塗膜が形成されるのに対して、セラミック
基板の表面は高低差が大で塗膜の不連続部分が形成され
ることによる。
【００１６】比較例１ 基板として結晶化度４０％の透明の結晶化ガラスを用い
て、実施例１と同じ方法にて抵抗発熱体、電極を付けた
ヒーターを作成した。 始めの抵抗値は、１００Ωであっ
たが、ヒーターとして発熱させたところ、抵抗値が１５
０から２００Ωと増加し、発熱量が減少していった。 高
温になることで基板内の結晶化されていないリチウムイ
オン等のアルカリ金属、アルカリ土類金属イオンの拡散
が起こり抵抗発熱体の膜内に溶出するために、抵抗発熱
体の抵抗値が変化する（抵抗が上がる）ものと考えられ
る。
て、実施例１と同じ方法にて抵抗発熱体、電極を付けた
ヒーターを作成した。 始めの抵抗値は、１００Ωであっ
たが、ヒーターとして発熱させたところ、抵抗値が１５
０から２００Ωと増加し、発熱量が減少していった。 高
温になることで基板内の結晶化されていないリチウムイ
オン等のアルカリ金属、アルカリ土類金属イオンの拡散
が起こり抵抗発熱体の膜内に溶出するために、抵抗発熱
体の抵抗値が変化する（抵抗が上がる）ものと考えられ
る。
【００１７】これに比べて、実施例１のヒーターの抵抗
値の変化はみられなかった。これは、基板が結晶化され
ていることでアルカリ金属、アルカリ土類金属は結晶の
マトリックス内に収まり拡散しないためと考えられる。
値の変化はみられなかった。これは、基板が結晶化され
ていることでアルカリ金属、アルカリ土類金属は結晶の
マトリックス内に収まり拡散しないためと考えられる。
【００１８】実施例２ 図２および図３は本発明の他の実施例を示し、図中、１
１は厚さ１〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基
板、１２は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属
酸化物から成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発
熱体、１３は銀または銀・パラジウム合金の電極，１４
は抵抗発熱体１２の薄膜の上に被覆した電気的絶縁膜を
示す。
１は厚さ１〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基
板、１２は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属
酸化物から成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発
熱体、１３は銀または銀・パラジウム合金の電極，１４
は抵抗発熱体１２の薄膜の上に被覆した電気的絶縁膜を
示す。
【００１９】本実施例を更に詳細に説明する。長さ２５
０mm、幅９０mm、厚さ３mmの結晶化度１００％、耐熱衝
撃温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成る基板
１１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表面にジブ
チルチンジアセテートをアルコールに溶解した濃度９％
のスプレー溶液を噴霧し、加熱分解させるスプレー分解
法により膜厚０．４μmの酸化スズから成る導電性を有
する薄膜の抵抗発熱体１２を形成した。続いて、ガラス
基板１１表面に形成された抵抗発熱体１２の両端側に夫
々銀・パラジウム合金にガラスフリットを少量添加して
ペースト状とし、これをスクリーン印刷法で塗布し、大
気中で自然乾燥を行った後、温度７００℃で、大気中
で、０．５時間焼成して、幅５mm、長さ８４mm、厚さ５
０μmの電極１３を形成した。
０mm、幅９０mm、厚さ３mmの結晶化度１００％、耐熱衝
撃温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成る基板
１１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表面にジブ
チルチンジアセテートをアルコールに溶解した濃度９％
のスプレー溶液を噴霧し、加熱分解させるスプレー分解
法により膜厚０．４μmの酸化スズから成る導電性を有
する薄膜の抵抗発熱体１２を形成した。続いて、ガラス
基板１１表面に形成された抵抗発熱体１２の両端側に夫
々銀・パラジウム合金にガラスフリットを少量添加して
ペースト状とし、これをスクリーン印刷法で塗布し、大
気中で自然乾燥を行った後、温度７００℃で、大気中
で、０．５時間焼成して、幅５mm、長さ８４mm、厚さ５
０μmの電極１３を形成した。
【００２０】次に、セラミック塗料としてポリチタノカ
ルボシラン（主鎖がカルボシラン結合から成る有機金属
ポリマー）を抵抗発熱体１２の上面に電極１３の一部を
除いて（図示例では径１５mmの円形状の孔Ｈとした）ス
プレー法により塗布した後、大気中に放置して自然乾燥
を行った後、温度５００℃で、大気中で、０．５時間焼
成して膜厚２０μmの電気的絶縁膜１４を被覆形成し
て、ヒーター１５とした。
ルボシラン（主鎖がカルボシラン結合から成る有機金属
ポリマー）を抵抗発熱体１２の上面に電極１３の一部を
除いて（図示例では径１５mmの円形状の孔Ｈとした）ス
プレー法により塗布した後、大気中に放置して自然乾燥
を行った後、温度５００℃で、大気中で、０．５時間焼
成して膜厚２０μmの電気的絶縁膜１４を被覆形成し
て、ヒーター１５とした。
【００２１】本実施例では抵抗発熱体１２の薄膜上に被
覆する電気的絶縁膜１４をセラミック塗料としたが、抵
抗発熱体の導電性の薄膜の材質を変質させることなく、
抵抗発熱体との密着性に優れ、耐熱性、電気的絶縁性に
優れたものであれば特に限定はなく、前記セラミック塗
料の他に、スプレー分解法により形成した酸化アルミニ
ウム膜、酸化チタン膜等が挙げられる。また、電気的絶
縁膜１４の膜厚は抵抗発熱体１２の材料および膜厚に応
じて適宜設定すればよく、抵抗発熱体との密着性、熱膨
脹率の差等を考慮すると、一般的には２０〜１４０μm
程度とすればよい。
覆する電気的絶縁膜１４をセラミック塗料としたが、抵
抗発熱体の導電性の薄膜の材質を変質させることなく、
抵抗発熱体との密着性に優れ、耐熱性、電気的絶縁性に
優れたものであれば特に限定はなく、前記セラミック塗
料の他に、スプレー分解法により形成した酸化アルミニ
ウム膜、酸化チタン膜等が挙げられる。また、電気的絶
縁膜１４の膜厚は抵抗発熱体１２の材料および膜厚に応
じて適宜設定すればよく、抵抗発熱体との密着性、熱膨
脹率の差等を考慮すると、一般的には２０〜１４０μm
程度とすればよい。
【００２２】前記実施例では抵抗発熱体の薄膜を形成す
るガラス基板として、加熱によって結晶を析出させる結
晶化処理を予め行った結晶化ガラスを用いたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、リチウム系ガラスの
表面に銀・パラジウム合金等から成る抵抗発熱体の薄膜
を線状に形成した後、焼成処理を施して線状の抵抗発熱
体を形成する際、この焼成処理の高温度を利用してガラ
ス材に加熱を施して結晶を析出させる結晶化処理を施し
た結晶化ガラスとしてもよい。
るガラス基板として、加熱によって結晶を析出させる結
晶化処理を予め行った結晶化ガラスを用いたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、リチウム系ガラスの
表面に銀・パラジウム合金等から成る抵抗発熱体の薄膜
を線状に形成した後、焼成処理を施して線状の抵抗発熱
体を形成する際、この焼成処理の高温度を利用してガラ
ス材に加熱を施して結晶を析出させる結晶化処理を施し
た結晶化ガラスとしてもよい。
【００２３】また、前記実施例では基板上に抵抗発熱体
の形成をスプレー分解法としたが、結晶化ガラス基板上
に抵抗発熱体の薄膜を形成することが出来る方法であれ
ば特に限定はなく、前記スプレー分解法の他にスパッタ
法、蒸着法、スクリーン印刷法、転写法等が挙げられ、
大面積の基板に抵抗発熱体を形成するには装置が簡単で
生産性、コスト等の点を考慮するとスプレー分解法が好
ましい。
の形成をスプレー分解法としたが、結晶化ガラス基板上
に抵抗発熱体の薄膜を形成することが出来る方法であれ
ば特に限定はなく、前記スプレー分解法の他にスパッタ
法、蒸着法、スクリーン印刷法、転写法等が挙げられ、
大面積の基板に抵抗発熱体を形成するには装置が簡単で
生産性、コスト等の点を考慮するとスプレー分解法が好
ましい。
【００２４】また、前記実施例では抵抗発熱体の薄膜を
スプレー分解法によって形成された酸化すず、或いは酸
化すずと酸化アンチモンの複合酸化物としたが、スプレ
ー分解法により形成された酸化インジウムを主成分とし
た酸化すずとの複合酸化物としてもよい。また、抵抗発
熱体の膜厚としては基板となる結晶化ガラスとの密着
性、熱膨脹率の差等を考慮すると０．０４〜０．５μm
程度とすればよい。
スプレー分解法によって形成された酸化すず、或いは酸
化すずと酸化アンチモンの複合酸化物としたが、スプレ
ー分解法により形成された酸化インジウムを主成分とし
た酸化すずとの複合酸化物としてもよい。また、抵抗発
熱体の膜厚としては基板となる結晶化ガラスとの密着
性、熱膨脹率の差等を考慮すると０．０４〜０．５μm
程度とすればよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によるときは、抵抗発熱体の薄膜
を形成する基板として、結晶化度５０〜１００％のリチ
ウム系の結晶化ガラスを用いたので、リチウムイオンが
抵抗発 熱膜に溶出して抵抗値が変化するのを防止でき
る。また、従来のセラミック基板に抵抗発熱体の薄膜を
形成したヒーターに比して耐熱衝撃性に優れているから
熱衝撃や加熱中に外部衝撃が加えられても破損すること
がなく、また、抵抗値を低くすることが出来て、電気熱
変換率が高く水、高分子物質等の遠赤外域に吸収特性を
有する物の加熱を効率よく行い得、また、抵抗発熱体の
薄膜を形成させる基板の表面が平滑なため、従来のセラ
ミック基板のような基板表面の研磨を必要とせずに抵抗
発熱体の薄膜を容易に形成することが出来る等の効果が
ある。
を形成する基板として、結晶化度５０〜１００％のリチ
ウム系の結晶化ガラスを用いたので、リチウムイオンが
抵抗発 熱膜に溶出して抵抗値が変化するのを防止でき
る。また、従来のセラミック基板に抵抗発熱体の薄膜を
形成したヒーターに比して耐熱衝撃性に優れているから
熱衝撃や加熱中に外部衝撃が加えられても破損すること
がなく、また、抵抗値を低くすることが出来て、電気熱
変換率が高く水、高分子物質等の遠赤外域に吸収特性を
有する物の加熱を効率よく行い得、また、抵抗発熱体の
薄膜を形成させる基板の表面が平滑なため、従来のセラ
ミック基板のような基板表面の研磨を必要とせずに抵抗
発熱体の薄膜を容易に形成することが出来る等の効果が
ある。
【図１】 本発明ヒーターの１実施例の側面図、
【図２】 本発明ヒーターの他の実施例の平面図、
【図３】 図２のIII−III線截断面図。
１，１１ 結晶化ガラス基板、 ２，１２ 抵抗
発熱体、 １４ 電気的絶縁膜、 ４，１５ ヒータ
ー。
発熱体、 １４ 電気的絶縁膜、 ４，１５ ヒータ
ー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−31983（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−141575（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−126692（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 3/10 H05B 3/20 C04B 41/85
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱により遠赤外域の熱線を放射しうる
耐熱衝撃温度３００℃以上で結晶化度が５０〜１００％
のリチウム系の結晶化ガラス基板の表面に、厚さ０．０
４〜０．５μmの酸化すず、又は酸化すずを主成分とす
る金属酸化物からなる抵抗発熱体の薄膜を形成したこと
を特徴とするヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220463A JP2961466B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220463A JP2961466B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ヒーター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668960A JPH0668960A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2961466B2 true JP2961466B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=16751515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4220463A Expired - Fee Related JP2961466B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961466B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352892B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2002-09-16 | 주식회사 팍스텍 | 박막 발열체의 제조방법 및 이것을 이용한 발열장치 |
| JP2004039647A (ja) * | 2003-08-20 | 2004-02-05 | K-Tech Devices Corp | 抵抗発熱体及びその製造方法 |
| JP4809171B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2011-11-09 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135739U (ja) * | 1974-09-10 | 1976-03-17 | ||
| JPS5543751A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plane heating element |
| JPS6039593U (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-19 | 旭硝子株式会社 | 面状発熱体 |
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- 1992-08-19 JP JP4220463A patent/JP2961466B2/ja not_active Expired - Fee Related
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