JPS6053448A - 透光性薄膜ヒ−タ - Google Patents

透光性薄膜ヒ−タ

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Publication number
JPS6053448A
JPS6053448A JP58163010A JP16301083A JPS6053448A JP S6053448 A JPS6053448 A JP S6053448A JP 58163010 A JP58163010 A JP 58163010A JP 16301083 A JP16301083 A JP 16301083A JP S6053448 A JPS6053448 A JP S6053448A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
conductive film
light permeable
electrode films
ptc thermistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58163010A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fukazawa
剛 深沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP58163010A priority Critical patent/JPS6053448A/ja
Publication of JPS6053448A publication Critical patent/JPS6053448A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/84Heating arrangements specially adapted for transparent or reflecting areas, e.g. for demisting or de-icing windows, mirrors or vehicle windshields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/013Heaters using resistive films or coatings

Landscapes

  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は透光性薄膜ヒータに関するものである。
この種のヒータとして近年酸化インジウム(Inx C
h )に酸化スズ(SnOz)をドープしでなるITO
膜等の透光性導電膜を用いたものが提案されており、視
認性や意匠性を損なうことがないため、従来の金属膜ヒ
ータに代えて自動車リヤウィンドのデフロスタ用あるい
は液晶表示器の液晶加熱用等の用途に使用されている。
ところで、ヒータの温度を適正に維持するために上記導
電膜への通電量を制御しているが、この為に従来は別途
温度センサーt” II ti11回路を必要としてい
た。
本発明は上記問題点に鑑み、温度センサや制御回路を不
要となしたきわめてコンパクトかつ信頼性の高い自己制
御形の透光性簿膜ヒータを提供することを目的としてい
る。
すなわち、本蹟明の透光性n膜ヒータは透光性基板上に
所定の抵抗値を有する透光性導電膜を形成するとともに
上記導電膜の相対向する端縁表面にはそれぞれ通電用電
極膜を形成し、かつ上記電極膜の一方と3#電膜との間
にはI” T Cサーミスタ膜を形成した構造としであ
る。
以下、図示の実施例により本発明を説明する。
第1図、第2図において自動車のりA7ウインドを構成
するソータガラス製基板1には電子ビーム蒸着法により
200OAの膜厚で110膜よりなる透光性導電膜2が
形成しである。なお、導電膜2の比抵抗は5×100・
cmである。
導電IIU2には両端縁の膜面上にぞれぞれ通電用Ti
極膜3a 、3bが形成し・て必り、上記電極膜3aと
導電膜2との間にはP T C’ノーミスタ膜4が形成
しである。
サーミスタ膜4は高周波(RF )スパッタリングによ
って導電IIQ2上に1゜5μm厚に形成してあり、そ
の組成はチタン酸バリウム85wt%、チタン酸スト1
コンヂウム14.8wt%、酸化イソ1〜リウム0.2
wt%とし、キューり点は約60℃としである。また、
その比抵抗は常温で100Ω・cn+である。サーミス
タ膜4は上記RFスパッタリングによってA−ミンクに
かつ充分な強度で導電膜2上に形成される。
電極膜3aは上記サーミスタ膜4上に白金を電子ビーム
蒸着して形成しである。なお、白金以外にニック゛ルあ
るいはインジウムを使用しても良く、ニッケルの場合に
は蒸着法以外に無電解メッキ法によっても形成できる。
電極HTA31)は導電膜2上にり1」ムを電子ビーム
蒸着して形成しである。
上記各電極膜3a 、31) kこはスイッチ6を介し
て電源7に至るリード線5a 、5bが半田イ」り接続
してあり、これによりサーミスタ!I!4と導電膜2は
電源7に直列に接続される。なJ3、この状態?1″ナ
ーミスタ膜4の抵抗値【ま常温で約0.1Ωとしてあり
、第3図中線Xで承り如くその抵抗値は温度とともに変
化してキューり点の60℃を過ぎると急激に人ぎくなる
。また、導電膜2の抵抗値は図中線yで示す如く約1Ω
どしてあり、結局導電膜2と勺−ミスタ膜4を直列に接
続してなるヒータの抵抗値は温度とともに図中線Zのよ
うに変化する。
このような構造の薄膜ヒータに通電すると、抵抗値の小
さい60℃以下では導電膜2に大きな電流が流れて急速
にその湿度が上Ff、 する。温度が60℃以上になる
と抵抗値が急速に増大して電流は減少し、60℃を少し
越えた温度で熱平衡に達してその温度が維持される。こ
れを第4図に示す。
図によれば、約10秒で急速に温度が上背して熱平衡状
態に達しており、速熱性にも優れていることが知られる
以上の如く、本発明の透光性Ftit IIS!ヒータ
は透光性導電膜の一端にP丁c(ノーミスタ膜を一体形
成して、これらを電源間に直列接続1−ることにより温
度センサや制御回路の不要な自己温度調節能力を有J−
るヒータを実現した心ので、コンパクトかつ信頼性が高
く、しかも速熱性にものれたものであり、自動車り(7
ウインドのデ゛フロスタ用ヒーク等に使用して好適であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は薄膜ヒータの全体断面図で、第2図のI−IF
!+に沿う断面図、第2図は薄膜に−タの平面図、第3
図はその抵抗一温度特性を示す図、第4図はヒータ温度
の経時変化を示ず図Cある。 1・・・・・・基板 2・・・・・・透光性導電膜 3a、3b・・・・・・通電用電極膜 4・・・・・・P T Cサーミスタ膜第1図 ] 第2図 第3図 第4図 時間 (sec)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透光性基板と、上記基板上に形成され所定の抵抗
    値を有する透光性導電膜と、上記S電膜の相対向する端
    縁表面にそれぞれ形成された通電用電極膜と、上記電極
    膜の一方と導電膜の間に形成されたPTCサーミスタ膜
    とを具備する透光性薄膜ヒータ。
  2. (2)上記透光性導電膜は酸化インジウム(Inユ 0
    3)に酸化スズ(S00□)をドープしてなるITO膜
    であり、上記P −r−Cサーミスタ膜はヂタン酸バリ
    ウム系磁器半導体を高周波(RF)スパッタリングによ
    り上記I T O膜上に形成し、かつPTCサーミスタ
    股上には白金、ニッケルおよびインジウムのいずれかを
    電子ビーム蒸着して通電用電極膜となした特許請求の範
    囲第1項記載の透光性薄膜ヒータ。
JP58163010A 1983-09-05 1983-09-05 透光性薄膜ヒ−タ Pending JPS6053448A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62121153U (ja) * 1986-01-24 1987-07-31
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