JPH0668960A - ヒーター - Google Patents
ヒーターInfo
- Publication number
- JPH0668960A JPH0668960A JP22046392A JP22046392A JPH0668960A JP H0668960 A JPH0668960 A JP H0668960A JP 22046392 A JP22046392 A JP 22046392A JP 22046392 A JP22046392 A JP 22046392A JP H0668960 A JPH0668960 A JP H0668960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- thin film
- resistance heating
- heater
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱衝撃性と導電性に優れたヒーター。
【構成】 結晶化ガラス基板の表面に抵抗発熱体の薄膜
を形成したヒーター。
を形成したヒーター。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヒーターに関し、更に詳
細には遠赤外域の熱線を放射し、物体を効率よく加熱を
行い得るヒーターに関する。
細には遠赤外域の熱線を放射し、物体を効率よく加熱を
行い得るヒーターに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のヒーターとしては、ニク
ロム線等の抵抗発熱体をアルミナ等のセラミック板内に
埋設したヒーター、或いはニクロム線等の抵抗発熱体を
アルミナ等のセラミック板に設けられている溝中に布設
したヒーターが知られている。また、ムライト、コージ
ェライト等のセラミック基板の表面に金属酸化物等の抵
抗発熱体の薄膜を形成したヒーターも知られている。
ロム線等の抵抗発熱体をアルミナ等のセラミック板内に
埋設したヒーター、或いはニクロム線等の抵抗発熱体を
アルミナ等のセラミック板に設けられている溝中に布設
したヒーターが知られている。また、ムライト、コージ
ェライト等のセラミック基板の表面に金属酸化物等の抵
抗発熱体の薄膜を形成したヒーターも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のヒーターのうち、前者のセラミック板内に抵抗発熱
体を埋設したヒーター、またはセラミック板の溝内に抵
抗発熱体を布設したヒーターは、いずれもセラミック板
は単に抵抗発熱体の支持部材として用いられているに過
ぎず、抵抗発熱体より発生する熱を直接加熱物体に受け
る形式であるため、水、高分子材料等の遠赤外域に吸収
特性を有する物体の加熱を効果的に行うには不適当であ
り、また、抵抗発熱体を支持するセラミック板自体が非
常に脆く、かつ熱衝撃に弱いので、外部衝撃、或いは温
度が極めて低い水滴、氷等のような冷物体との接触によ
り容易に破損するという問題がある。
来のヒーターのうち、前者のセラミック板内に抵抗発熱
体を埋設したヒーター、またはセラミック板の溝内に抵
抗発熱体を布設したヒーターは、いずれもセラミック板
は単に抵抗発熱体の支持部材として用いられているに過
ぎず、抵抗発熱体より発生する熱を直接加熱物体に受け
る形式であるため、水、高分子材料等の遠赤外域に吸収
特性を有する物体の加熱を効果的に行うには不適当であ
り、また、抵抗発熱体を支持するセラミック板自体が非
常に脆く、かつ熱衝撃に弱いので、外部衝撃、或いは温
度が極めて低い水滴、氷等のような冷物体との接触によ
り容易に破損するという問題がある。
【０００４】また、後者のセラミック基板の表面に金属
酸化物等の抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーターは、抵
抗発熱体の薄膜を形成すべきセラミック基板の表面は粗
密な凹凸面であるので、抵抗発熱体の薄膜に高い導電性
を出すためには該薄膜を形成する前に、予めセラミック
基板の表面を研磨して平滑にしておく必要があるので製
造工程上繁雑であるという問題がある。
酸化物等の抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーターは、抵
抗発熱体の薄膜を形成すべきセラミック基板の表面は粗
密な凹凸面であるので、抵抗発熱体の薄膜に高い導電性
を出すためには該薄膜を形成する前に、予めセラミック
基板の表面を研磨して平滑にしておく必要があるので製
造工程上繁雑であるという問題がある。
【０００５】本発明は、前記問題点を解消し、耐熱衝撃
性と導電性に優れたヒーターを提供することを目的とす
る。
性と導電性に優れたヒーターを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のヒーターは、加
熱により遠赤外域の熱線を放射しうる耐熱衝撃温度３０
０℃以上の結晶化ガラス基板の表面に抵抗発熱体の薄膜
を形成したことを特徴とする。
熱により遠赤外域の熱線を放射しうる耐熱衝撃温度３０
０℃以上の結晶化ガラス基板の表面に抵抗発熱体の薄膜
を形成したことを特徴とする。
【０００７】また、前記抵抗発熱体の薄膜の表面に電気
的絶縁膜を被覆してもよいし、また、その電気的絶縁膜
をセラミック塗料の薄膜としてもよい。
的絶縁膜を被覆してもよいし、また、その電気的絶縁膜
をセラミック塗料の薄膜としてもよい。
【０００８】また、前記抵抗発熱体の薄膜を金属酸化
物、金属炭化物、金属窒化物のいずれか１つとしてもよ
いし、また、前記抵抗発熱体の薄膜を有機金属化合物の
溶液をスプレー分解法で成膜した薄膜としてもよい。
物、金属炭化物、金属窒化物のいずれか１つとしてもよ
いし、また、前記抵抗発熱体の薄膜を有機金属化合物の
溶液をスプレー分解法で成膜した薄膜としてもよい。
【０００９】
【作用】抵抗発熱体の薄膜を形成する結晶化ガラス基板
の表面は極めて平滑であるので、抵抗発熱体の膜厚が薄
くても導電性が高く、また結晶化ガラスは従来のセラミ
ック基板に比べて耐熱衝撃性に優れる。
の表面は極めて平滑であるので、抵抗発熱体の膜厚が薄
くても導電性が高く、また結晶化ガラスは従来のセラミ
ック基板に比べて耐熱衝撃性に優れる。
【００１０】
【実施例】本発明で用いる結晶化ガラスとは、加熱によ
って結晶を析出させたガラスであって、結晶とガラスが
混在しているガラスであり、結晶量は用途に応じて適宜
選定すればよく、一般的にはその結晶量は５０％〜１０
０％程度とする。また、本発明において、結晶化ガラス
の耐熱衝撃温度を３００℃以上としたのは、従来のセラ
ミック基板使用のヒーターの耐熱衝撃温度は例えば該温
度が高いとされているアルミナ製でも２５０℃程度であ
り、この程度の耐熱衝撃温度では加熱中３００℃以上の
温度時に水がかかった場合は基板に破損が生じてしまう
ため、ヒーターとしての耐熱衝撃温度が少なくとも３０
０℃必要であるためである。
って結晶を析出させたガラスであって、結晶とガラスが
混在しているガラスであり、結晶量は用途に応じて適宜
選定すればよく、一般的にはその結晶量は５０％〜１０
０％程度とする。また、本発明において、結晶化ガラス
の耐熱衝撃温度を３００℃以上としたのは、従来のセラ
ミック基板使用のヒーターの耐熱衝撃温度は例えば該温
度が高いとされているアルミナ製でも２５０℃程度であ
り、この程度の耐熱衝撃温度では加熱中３００℃以上の
温度時に水がかかった場合は基板に破損が生じてしまう
ため、ヒーターとしての耐熱衝撃温度が少なくとも３０
０℃必要であるためである。
【００１１】本発明を添付図面に基づき説明する。
【００１２】実施例１ 図１は本発明ヒーターの１実施例を示し、図中、１は厚
さ２〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基板、２
は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属酸化物か
ら成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発熱体、３
は銀または銀・パラジウム合金の電極を示す。
さ２〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基板、２
は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属酸化物か
ら成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発熱体、３
は銀または銀・パラジウム合金の電極を示す。
【００１３】本実施例を更に詳細に説明する。長さ２５
０mm、幅９０mm、厚さ２．５mmの結晶量１００％、耐熱
衝撃温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成るガ
ラス基板１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表面
にジブチルチンジアセテートとアンチモンアルコキシド
をアルコールに溶解した濃度９％のスプレー溶液を噴霧
し、加熱分解させるスプレー分解法により膜厚０．４μ
mの導電性を有する薄膜の抵抗発熱体２を形成した。
０mm、幅９０mm、厚さ２．５mmの結晶量１００％、耐熱
衝撃温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成るガ
ラス基板１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表面
にジブチルチンジアセテートとアンチモンアルコキシド
をアルコールに溶解した濃度９％のスプレー溶液を噴霧
し、加熱分解させるスプレー分解法により膜厚０．４μ
mの導電性を有する薄膜の抵抗発熱体２を形成した。
【００１４】この場合のガラス基板１の加熱温度として
はガラス基板１表面にスプレー溶液が付着と同時に加熱
分解する温度とすればよく、一般には形成する抵抗発熱
体２の材質および膜厚にもよるが、抵抗発熱体２の薄膜
が酸化スズと酸化アンチモンであって、膜厚０．０４〜
０．５μmの場合であれば、ガラス基板１の加熱温度は
４００〜６００℃程度とすればよい。
はガラス基板１表面にスプレー溶液が付着と同時に加熱
分解する温度とすればよく、一般には形成する抵抗発熱
体２の材質および膜厚にもよるが、抵抗発熱体２の薄膜
が酸化スズと酸化アンチモンであって、膜厚０．０４〜
０．５μmの場合であれば、ガラス基板１の加熱温度は
４００〜６００℃程度とすればよい。
【００１５】続いて、ガラス基板１表面に形成された抵
抗発熱体２の両端側に夫々銀・パラジウム合金にガラス
フリットを少量添加してペースト状とし、それをスクリ
ーン印刷法で塗布し、大気中で自然乾燥を行った後、温
度７００℃で、大気中で、０．５時間焼成して、幅５m
m、長さ８４mm、厚さ５０μmの電極３を形成して、ヒー
ター４とした。そして、ヒーター４の各電極３の端子に
夫々外部電極（図示せず）を接続し、電圧２００Ｖを通
電して抵抗発熱体の抵抗値を測定したところ８３Ωであ
った。
抗発熱体２の両端側に夫々銀・パラジウム合金にガラス
フリットを少量添加してペースト状とし、それをスクリ
ーン印刷法で塗布し、大気中で自然乾燥を行った後、温
度７００℃で、大気中で、０．５時間焼成して、幅５m
m、長さ８４mm、厚さ５０μmの電極３を形成して、ヒー
ター４とした。そして、ヒーター４の各電極３の端子に
夫々外部電極（図示せず）を接続し、電圧２００Ｖを通
電して抵抗発熱体の抵抗値を測定したところ８３Ωであ
った。
【００１６】比較例 抵抗発熱体の薄膜を形成する基板に表面を研磨したコー
ジェライト焼結体から成るセラミック基板を用いた以外
は前記実施例１と同様の方法で従来のヒーター（セラミ
ック基板に抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーター）を作
成した。そして、ヒーターの各電極の端子に夫々外部電
極を接続し、電圧２００Ｖを通電して抵抗発熱体の抵抗
値を測定したところ１１０Ωであった。
ジェライト焼結体から成るセラミック基板を用いた以外
は前記実施例１と同様の方法で従来のヒーター（セラミ
ック基板に抵抗発熱体の薄膜を形成したヒーター）を作
成した。そして、ヒーターの各電極の端子に夫々外部電
極を接続し、電圧２００Ｖを通電して抵抗発熱体の抵抗
値を測定したところ１１０Ωであった。
【００１７】本発明実施例１と比較例の抵抗値測定結果
から明らかなように、実施例１のヒーターの抵抗値は比
較例（従来）のヒーターの抵抗値に比べて２５％も低
く、本発明ヒーターはそれだけ導電性がよいことが分か
る。
から明らかなように、実施例１のヒーターの抵抗値は比
較例（従来）のヒーターの抵抗値に比べて２５％も低
く、本発明ヒーターはそれだけ導電性がよいことが分か
る。
【００１８】実施例２ 図２および図３は本発明の他の実施例を示し、図中、１
１は厚さ１〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基
板、１２は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属
酸化物から成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発
熱体、１３は銀または銀・パラジウム合金の電極，１４
は抵抗発熱体１２の薄膜の上に被覆した電気的絶縁膜を
示す。
１は厚さ１〜３mm程度の結晶化ガラスから成るガラス基
板、１２は酸化スズ、或いはこれらを主成分とする金属
酸化物から成る膜厚０．０４〜０．５μm程度の抵抗発
熱体、１３は銀または銀・パラジウム合金の電極，１４
は抵抗発熱体１２の薄膜の上に被覆した電気的絶縁膜を
示す。
【００１９】本実施例を更に詳細に説明する。長さ２５
０mm、幅９０mm、厚さ３mmの結晶量１００％、耐熱衝撃
温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成る基板１
１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表面にジブチ
ルチンジアセテートをアルコールに溶解した濃度９％の
スプレー溶液を噴霧し、加熱分解させるスプレー分解法
により膜厚０．４μmの酸化スズから成る導電性を有す
る薄膜の抵抗発熱体１２を形成した。続いて、ガラス基
板１１表面に形成された抵抗発熱体１２の両端側に夫々
銀・パラジウム合金にガラスフリットを少量添加してペ
ースト状とし、これをスクリーン印刷法で塗布し、大気
中で自然乾燥を行った後、温度７００℃で、大気中で、
０．５時間焼成して、幅５mm、長さ８４mm、厚さ５０μ
mの電極１３を形成した。
０mm、幅９０mm、厚さ３mmの結晶量１００％、耐熱衝撃
温度６００℃のリチウム系結晶化ガラスから成る基板１
１を温度５２０℃に加熱し、その加熱した表面にジブチ
ルチンジアセテートをアルコールに溶解した濃度９％の
スプレー溶液を噴霧し、加熱分解させるスプレー分解法
により膜厚０．４μmの酸化スズから成る導電性を有す
る薄膜の抵抗発熱体１２を形成した。続いて、ガラス基
板１１表面に形成された抵抗発熱体１２の両端側に夫々
銀・パラジウム合金にガラスフリットを少量添加してペ
ースト状とし、これをスクリーン印刷法で塗布し、大気
中で自然乾燥を行った後、温度７００℃で、大気中で、
０．５時間焼成して、幅５mm、長さ８４mm、厚さ５０μ
mの電極１３を形成した。
【００２０】次に、セラミック塗料としてポリチタノカ
ルボシラン（主鎖がカルボシラン結合から成る有機金属
ポリマー）を抵抗発熱体１２の上面に電極１３の一部を
除いて（図示例では径１５mmの円形状の孔Ｈとした）ス
プレー法により塗布した後、大気中に放置して自然乾燥
を行った後、温度５００℃で、大気中で、０．５時間焼
成して膜厚２０μmの電気的絶縁膜１４を被覆形成し
て、ヒーター１５とした。
ルボシラン（主鎖がカルボシラン結合から成る有機金属
ポリマー）を抵抗発熱体１２の上面に電極１３の一部を
除いて（図示例では径１５mmの円形状の孔Ｈとした）ス
プレー法により塗布した後、大気中に放置して自然乾燥
を行った後、温度５００℃で、大気中で、０．５時間焼
成して膜厚２０μmの電気的絶縁膜１４を被覆形成し
て、ヒーター１５とした。
【００２１】本実施例では抵抗発熱体１２の薄膜上に被
覆する電気的絶縁膜１４をセラミック塗料としたが、抵
抗発熱体の導電性の薄膜の材質を変質させることなく、
抵抗発熱体との密着性に優れ、耐熱性、電気的絶縁性に
優れたものであれば特に限定はなく、前記セラミック塗
料の他に、スプレー分解法により形成した酸化アルミニ
ウム膜、酸化チタン膜等が挙げられる。また、電気的絶
縁膜１４の膜厚は抵抗発熱体１２の材料および膜厚に応
じて適宜設定すればよく、抵抗発熱体との密着性、熱膨
脹率の差等を考慮すると、一般的には２０〜１４０μm
程度とすればよい。
覆する電気的絶縁膜１４をセラミック塗料としたが、抵
抗発熱体の導電性の薄膜の材質を変質させることなく、
抵抗発熱体との密着性に優れ、耐熱性、電気的絶縁性に
優れたものであれば特に限定はなく、前記セラミック塗
料の他に、スプレー分解法により形成した酸化アルミニ
ウム膜、酸化チタン膜等が挙げられる。また、電気的絶
縁膜１４の膜厚は抵抗発熱体１２の材料および膜厚に応
じて適宜設定すればよく、抵抗発熱体との密着性、熱膨
脹率の差等を考慮すると、一般的には２０〜１４０μm
程度とすればよい。
【００２２】前記実施例では抵抗発熱体の薄膜を形成す
るガラス基板として、加熱によって結晶を析出させる結
晶化処理を予め行った結晶化ガラスを用いたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えばリチウム系ガ
ラスの表面に銀・パラジウム合金等から成る抵抗発熱体
の薄膜を線状に形成した後、焼成処理を施して線状の抵
抗発熱体を形成する際、この焼成処理の高温度を利用し
てガラス材に加熱を施して結晶を析出させる結晶化処理
を施した結晶化ガラスとしてもよい。
るガラス基板として、加熱によって結晶を析出させる結
晶化処理を予め行った結晶化ガラスを用いたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えばリチウム系ガ
ラスの表面に銀・パラジウム合金等から成る抵抗発熱体
の薄膜を線状に形成した後、焼成処理を施して線状の抵
抗発熱体を形成する際、この焼成処理の高温度を利用し
てガラス材に加熱を施して結晶を析出させる結晶化処理
を施した結晶化ガラスとしてもよい。
【００２３】また、前記実施例では基板上に抵抗発熱体
の形成をスプレー分解法としたが、結晶化ガラス基板上
に抵抗発熱体の薄膜を形成することが出来る方法であれ
ば特に限定はなく、前記スプレー分解法の他にスパッタ
法、蒸着法、スクリーン印刷法、転写法等が挙げられ、
大面積の基板に抵抗発熱体を形成するには装置が簡単で
生産性、コスト等の点を考慮するとスプレー分解法が好
ましい。
の形成をスプレー分解法としたが、結晶化ガラス基板上
に抵抗発熱体の薄膜を形成することが出来る方法であれ
ば特に限定はなく、前記スプレー分解法の他にスパッタ
法、蒸着法、スクリーン印刷法、転写法等が挙げられ、
大面積の基板に抵抗発熱体を形成するには装置が簡単で
生産性、コスト等の点を考慮するとスプレー分解法が好
ましい。
【００２４】また、前記実施例では抵抗発熱体の薄膜を
スプレー分解法によって形成された酸化スズ、或いは酸
化スズと酸化アンチモンの複合酸化物としたが、スプレ
ー分解法により形成された酸化インジウムを主成分とし
た酸化スズとの複合酸化物、または、気相反応法により
形成された炭化ケイ素としてもよい。また、抵抗発熱体
の膜厚としては基板となる結晶化ガラスとの密着性、熱
膨脹率の差等を考慮すると０．０４〜５０μm程度とす
ればよい。
スプレー分解法によって形成された酸化スズ、或いは酸
化スズと酸化アンチモンの複合酸化物としたが、スプレ
ー分解法により形成された酸化インジウムを主成分とし
た酸化スズとの複合酸化物、または、気相反応法により
形成された炭化ケイ素としてもよい。また、抵抗発熱体
の膜厚としては基板となる結晶化ガラスとの密着性、熱
膨脹率の差等を考慮すると０．０４〜５０μm程度とす
ればよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によるときは、抵抗発熱体の薄膜
を形成する基板として結晶化ガラスを用いるようにした
ので、従来のセラミック基板に抵抗発熱体の薄膜を形成
したヒーターに比して耐熱衝撃性に優れているから熱衝
撃や加熱中に外部衝撃が加えられても破損することがな
く、また、抵抗値を低くすることが出来て、電気熱変換
率が高く水、高分子物質等の遠赤外域に吸収特性を有す
る物の加熱を効率よく行い得、また、抵抗発熱体の薄膜
を形成させる基板の表面が平滑なため、従来のセラミッ
ク基板のような基板表面の研磨を必要とせずに抵抗発熱
体の薄膜を容易に形成することが出来る等の効果があ
る。
を形成する基板として結晶化ガラスを用いるようにした
ので、従来のセラミック基板に抵抗発熱体の薄膜を形成
したヒーターに比して耐熱衝撃性に優れているから熱衝
撃や加熱中に外部衝撃が加えられても破損することがな
く、また、抵抗値を低くすることが出来て、電気熱変換
率が高く水、高分子物質等の遠赤外域に吸収特性を有す
る物の加熱を効率よく行い得、また、抵抗発熱体の薄膜
を形成させる基板の表面が平滑なため、従来のセラミッ
ク基板のような基板表面の研磨を必要とせずに抵抗発熱
体の薄膜を容易に形成することが出来る等の効果があ
る。
【００２６】また、抵抗発熱体の表面を電気的絶縁膜で
被覆するときは、身体が直接抵抗発熱体に接触すること
を防止出来て、安全性に優れ、また、抵抗発熱体の表面
が露出していないから抵抗発熱体の損傷や変質等を防止
出来る等の効果がある。
被覆するときは、身体が直接抵抗発熱体に接触すること
を防止出来て、安全性に優れ、また、抵抗発熱体の表面
が露出していないから抵抗発熱体の損傷や変質等を防止
出来る等の効果がある。
【図１】 本発明ヒーターの１実施例の側面図、
【図２】 本発明ヒーターの他の実施例の平面図、
【図３】 図２のIII−III線截断面図。
１，１１ 結晶化ガラス基板、 ２，１２ 抵抗
発熱体、１４ 電気的絶縁膜、 ４，１５
ヒーター。
発熱体、１４ 電気的絶縁膜、 ４，１５
ヒーター。
Claims (5)
- 【請求項１】 加熱により遠赤外域の熱線を放射しうる
耐熱衝撃温度３００℃以上の結晶化ガラス基板の表面に
抵抗発熱体の薄膜を形成したことを特徴とするヒータ
ー。 - 【請求項２】 前記抵抗発熱体の薄膜はその表面に電気
的絶縁膜が被覆されていることを特徴とする請求項第１
項に記載のヒーター。 - 【請求項３】 前記電気的絶縁膜はセラミック塗料の薄
膜であることを特徴とする請求項第２項に記載のヒータ
ー。 - 【請求項４】 前記抵抗発熱体の薄膜は金属酸化物、金
属炭化物、金属窒化物のいずれか１つであることを特徴
とする請求項第１項ないし第３項のいずれか１項に記載
のヒーター。 - 【請求項５】 前記抵抗発熱体の薄膜は有機金属化合物
の溶液をスプレー分解法で成膜した薄膜であることを特
徴とする請求項第１項ないし第４項のいずれか１項に記
載のヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220463A JP2961466B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220463A JP2961466B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ヒーター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668960A true JPH0668960A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2961466B2 JP2961466B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=16751515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4220463A Expired - Fee Related JP2961466B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961466B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091518A1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Park Sung Don | Method for producing thin film heating element and heating device using same |
| JP2004039647A (ja) * | 2003-08-20 | 2004-02-05 | K-Tech Devices Corp | 抵抗発熱体及びその製造方法 |
| JP2007096313A (ja) * | 2006-09-26 | 2007-04-12 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135739U (ja) * | 1974-09-10 | 1976-03-17 | ||
| JPS5543751A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plane heating element |
| JPS6039593U (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-19 | 旭硝子株式会社 | 面状発熱体 |
| JPS61279082A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS6237894A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS6241789A (ja) * | 1985-08-17 | 1987-02-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS6241788A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS62264588A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 株式会社東芝 | 赤外線ヒ−タ |
| JPS63252378A (ja) * | 1987-02-21 | 1988-10-19 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 薄膜加熱素子 |
| JPH02162676A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-22 | Sakai Denshi Kogyo Kk | 面発熱体 |
| JPH02220386A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 遠赤外線ヒーター |
| JPH03182087A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヒータ素子 |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP4220463A patent/JP2961466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135739U (ja) * | 1974-09-10 | 1976-03-17 | ||
| JPS5543751A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plane heating element |
| JPS6039593U (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-19 | 旭硝子株式会社 | 面状発熱体 |
| JPS61279082A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS6237894A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS6241788A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS6241789A (ja) * | 1985-08-17 | 1987-02-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
| JPS62264588A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 株式会社東芝 | 赤外線ヒ−タ |
| JPS63252378A (ja) * | 1987-02-21 | 1988-10-19 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 薄膜加熱素子 |
| JPH02162676A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-22 | Sakai Denshi Kogyo Kk | 面発熱体 |
| JPH02220386A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 遠赤外線ヒーター |
| JPH03182087A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヒータ素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091518A1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Park Sung Don | Method for producing thin film heating element and heating device using same |
| GB2375468A (en) * | 2000-05-22 | 2002-11-13 | Sung-Don Park | Method for producing thin film heating element and heating device using same |
| JP2004039647A (ja) * | 2003-08-20 | 2004-02-05 | K-Tech Devices Corp | 抵抗発熱体及びその製造方法 |
| JP2007096313A (ja) * | 2006-09-26 | 2007-04-12 | Kyocera Corp | ウエハ加熱装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2961466B2 (ja) | 1999-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09145489A (ja) | 抵抗温度計 | |
| US3811934A (en) | Heating member | |
| BR112013003960B1 (pt) | vidraça transparente tendo um revestimento aquecível | |
| JPS62216945A (ja) | 少なくとも１枚の導電性面状被覆を備えた基板を有する透明板ガラス及びその製法 | |
| JP2017533534A (ja) | 電気加熱層を備えた透明窓板、透明窓板の製造方法及び透明窓板の使用 | |
| JP2017533535A (ja) | 電気加熱層を備えた透明窓板、透明窓板の製造方法及び透明窓板の使用 | |
| EP1774571B1 (en) | In-line heater for use in semiconductor wet chemical processing and method of manufacturing the same | |
| KR20140120400A (ko) | 세라믹박막 발열체를 이용한 면상 발열장치 및 그 제조방법 | |
| JP3094753B2 (ja) | 焦電型赤外線検出器およびその製造方法 | |
| JPH0668960A (ja) | ヒーター | |
| JP2010129379A (ja) | 湿潤ゲル体膜、透明導電性膜および透明導電性膜積層基板並びにそれらの製造方法 | |
| JP2001176334A (ja) | 透明導電膜及びその製造方法 | |
| JP3072303B2 (ja) | ヒーター | |
| JPH0233882A (ja) | ヒータ及びその製造方法 | |
| EP0054403B1 (en) | Method of manufacturing photo-voltaic devices | |
| JPH0238555B2 (ja) | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho | |
| JPH0238556B2 (ja) | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho | |
| JPS63232288A (ja) | 導電性コーティングを有するガラス板及びその製造方法 | |
| JPH0845651A (ja) | 複層セラミックヒーター | |
| JPH06334205A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS6237894A (ja) | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 | |
| WO1991018757A1 (en) | Method for applying electrical bus bars to a substrate | |
| JPH071723B2 (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS61279082A (ja) | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 | |
| JP2951727B2 (ja) | 温度センサ素子とそれを有する温度センサおよび温度センサ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |