JPH0238556B2 - Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho - Google Patents
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- JPH0238556B2 JPH0238556B2 JP18004885A JP18004885A JPH0238556B2 JP H0238556 B2 JPH0238556 B2 JP H0238556B2 JP 18004885 A JP18004885 A JP 18004885A JP 18004885 A JP18004885 A JP 18004885A JP H0238556 B2 JPH0238556 B2 JP H0238556B2
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、遠赤外線ヒーター並にその製造法に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来、酸化アルミニウムやガラスなどのシリカ
を主成分とするものなどのセラミツク材の成形体
を基体とし、その表面に導電性膜や発熱抵抗体膜
を生成した製品とするには、金属や金属酸化物
を、真空蒸着法、スバツタリング法、イオンプレ
ーテイング法、プラズマ溶射法、湿式電気メツキ
法、導電塗料の塗布法などが採用されている。又
発熱線と放射板とを機械的に組み合わせた遠赤外
線ヒーターも公知である。
を主成分とするものなどのセラミツク材の成形体
を基体とし、その表面に導電性膜や発熱抵抗体膜
を生成した製品とするには、金属や金属酸化物
を、真空蒸着法、スバツタリング法、イオンプレ
ーテイング法、プラズマ溶射法、湿式電気メツキ
法、導電塗料の塗布法などが採用されている。又
発熱線と放射板とを機械的に組み合わせた遠赤外
線ヒーターも公知である。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の製造法や装置は製造作業が面倒で且
つ製造コストが高くなり、又遠赤外線ヒーターと
して必ずしも有効でない。
つ製造コストが高くなり、又遠赤外線ヒーターと
して必ずしも有効でない。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の問題点を解決し、波長4μｍ
〜100μｍの範囲、特に人体に有効な5μｍ〜15μｍ
の遠赤外線を放射し得る安定堅牢なセラミツク遠
赤外線ヒーターを提供するものである。
〜100μｍの範囲、特に人体に有効な5μｍ〜15μｍ
の遠赤外線を放射し得る安定堅牢なセラミツク遠
赤外線ヒーターを提供するものである。
即ち、本発明の遠赤外線ヒーターは、セラミツ
ク成形体の表面にアルコキシ塩化スズSnClo
（OR）4-o（ここでＲはアルキル基、０＜ｎ＜４）
の酸化分解生成物から成る酸化スズを主成分とし
た酸化アンチモンとの複合酸化物の焼成薄膜を一
体に有して成る。尚、アルコキシ塩化スズの式
SnClo（OR）4-o中、ｎの範囲を０＜ｎ＜４と表し
たのは、かかるアルコキシ塩化スズはその製造に
際し、Sn（OR）4やSnCl4の混入が避けられないも
のであり、原料アルコキシ塩化スズにこれらSn
（OR）4やSnCl4が混入したものを本願発明から排
除するものではない。
ク成形体の表面にアルコキシ塩化スズSnClo
（OR）4-o（ここでＲはアルキル基、０＜ｎ＜４）
の酸化分解生成物から成る酸化スズを主成分とし
た酸化アンチモンとの複合酸化物の焼成薄膜を一
体に有して成る。尚、アルコキシ塩化スズの式
SnClo（OR）4-o中、ｎの範囲を０＜ｎ＜４と表し
たのは、かかるアルコキシ塩化スズはその製造に
際し、Sn（OR）4やSnCl4の混入が避けられないも
のであり、原料アルコキシ塩化スズにこれらSn
（OR）4やSnCl4が混入したものを本願発明から排
除するものではない。
更に本発明は、上記の発熱体ヒーターを容易且
つ経済的に得られるその製造法を提供するもの
で、セラミツク成形体を加熱した表面にアルコキ
シ塩化スズSnClo（OR）4-o（ここでＲはアルキル
基、０＜ｎ＜４）の溶液に小量のアルコキシ塩化
アンチモンSbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキル
基、０＜ｙ＜３）を混入した溶液を均一に付着さ
せるとともに加熱酸化分解反応を行ない、酸化ス
ズを主成分とした酸化アンチモンとの複合酸化物
の焼成薄膜を一体に生成せしめるこを特徴とす
る。尚、アルコキシ塩化アンチモンの式SbCly
（OR）3-y中、ｙの範囲を０＜ｙ＜３と表したの
は、かかるアルコキシ塩化アンチモンはその製造
に際し、Sb（OR）3やSbCl3の混入が避けられない
ものであり、原料アルコキシ塩化アンチモンにこ
れらSb（OR）3やSbCl3が混入したものを本願発明
から排除するものではない。
つ経済的に得られるその製造法を提供するもの
で、セラミツク成形体を加熱した表面にアルコキ
シ塩化スズSnClo（OR）4-o（ここでＲはアルキル
基、０＜ｎ＜４）の溶液に小量のアルコキシ塩化
アンチモンSbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキル
基、０＜ｙ＜３）を混入した溶液を均一に付着さ
せるとともに加熱酸化分解反応を行ない、酸化ス
ズを主成分とした酸化アンチモンとの複合酸化物
の焼成薄膜を一体に生成せしめるこを特徴とす
る。尚、アルコキシ塩化アンチモンの式SbCly
（OR）3-y中、ｙの範囲を０＜ｙ＜３と表したの
は、かかるアルコキシ塩化アンチモンはその製造
に際し、Sb（OR）3やSbCl3の混入が避けられない
ものであり、原料アルコキシ塩化アンチモンにこ
れらSb（OR）3やSbCl3が混入したものを本願発明
から排除するものではない。
（実施例）
セラミツク材としては、従来公知の各種のセラ
ミツク材を使用できるが、好ましくは、酸化アル
ミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2の単独又
はこれを主成分とする複合セラミツク材を使用す
る。本発明によれば、かゝるセラミツク材の成形
体、例えば、板状の成形体を、電気炉などにより
加熱しその加熱した表面に、SnXo（OR）4-o……
アルコキシハロゲン化アンチモンをドープした」
を「SnClo（OR）4-o（ここでＲはアルキル基、０＜
ｎ＜４）の組成のアルコキシ塩化スズ溶液に
SbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキル基、０＜ｙ＜
３）の組成のアルコキシ塩化アンチモンを混入し
た溶液を噴霧や塗布などでその全面に均一に付着
させる。その溶剤としては水、アルコール系、エ
ステル系、芳香族系などの有機系溶剤の単独又は
これらの混合が使用できる。その成形体の加熱温
度は、該溶液が加熱酸化分解反応をおこし酸化ス
ズＺは酸化スズに酸化アンチモンの複合酸化物を
主体とした数10Ω／□以上の導電性の焼成膜とな
るに足る300℃以上好ましくは450℃程度を要す
る。かくして一般に数10Ω／□以上の数100Ω／
□以下の発熱抵抗体膜を得る。その焼成膜の厚さ
は数μ〜数百オングストロームの薄膜が一般に得
られ、その成形体表面に強固に密着した安定堅牢
な製品が得られ、従来の真空蒸着法等による如き
高価な設備や面倒な作業を要せず、製造コストの
低減した発熱体膜が得られ、又その焼成膜は透明
で外観上体裁がよい。尚、溶液の成形体表面への
付着は、噴霧による場合には、その吹付量の調整
が容易で直ちに焼成膜を均一に得られ、且つ導電
度の調製が容易で所定の各種の導電性をもつセラ
ミツク成形体を得ることができ有利である。
ミツク材を使用できるが、好ましくは、酸化アル
ミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2の単独又
はこれを主成分とする複合セラミツク材を使用す
る。本発明によれば、かゝるセラミツク材の成形
体、例えば、板状の成形体を、電気炉などにより
加熱しその加熱した表面に、SnXo（OR）4-o……
アルコキシハロゲン化アンチモンをドープした」
を「SnClo（OR）4-o（ここでＲはアルキル基、０＜
ｎ＜４）の組成のアルコキシ塩化スズ溶液に
SbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキル基、０＜ｙ＜
３）の組成のアルコキシ塩化アンチモンを混入し
た溶液を噴霧や塗布などでその全面に均一に付着
させる。その溶剤としては水、アルコール系、エ
ステル系、芳香族系などの有機系溶剤の単独又は
これらの混合が使用できる。その成形体の加熱温
度は、該溶液が加熱酸化分解反応をおこし酸化ス
ズＺは酸化スズに酸化アンチモンの複合酸化物を
主体とした数10Ω／□以上の導電性の焼成膜とな
るに足る300℃以上好ましくは450℃程度を要す
る。かくして一般に数10Ω／□以上の数100Ω／
□以下の発熱抵抗体膜を得る。その焼成膜の厚さ
は数μ〜数百オングストロームの薄膜が一般に得
られ、その成形体表面に強固に密着した安定堅牢
な製品が得られ、従来の真空蒸着法等による如き
高価な設備や面倒な作業を要せず、製造コストの
低減した発熱体膜が得られ、又その焼成膜は透明
で外観上体裁がよい。尚、溶液の成形体表面への
付着は、噴霧による場合には、その吹付量の調整
が容易で直ちに焼成膜を均一に得られ、且つ導電
度の調製が容易で所定の各種の導電性をもつセラ
ミツク成形体を得ることができ有利である。
次に本発明の具体的な実施例として、人体に有
用な5μｍ〜15μｍの波長の遠赤外線を特に大量に
発生し得る遠赤外線ヒーターにつき説明する。
用な5μｍ〜15μｍの波長の遠赤外線を特に大量に
発生し得る遠赤外線ヒーターにつき説明する。
メタノールに、SnClo（OR）4-o（ここでＲはアル
キル基、０＜ｎ＜４）を1.00mol／更にこのア
ルコキシ塩化スズに対し2mol％に相当する
0.02mol／のSbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキ
ル基、０＜ｙ＜３）を添加溶解した溶液を、予め
電気炉などで、105mm×105mm×５mm（厚さ）の板
状の酸化アルミニウム成形体を500℃に加熱した
その加熱表面にスプレーガンを使用し、空気圧力
１Kg／cm2でその全面に均一に付着させた。噴霧圧
力は、0.4Kg／cm2〜2.0Kg／cm2の範囲が一般である
が、１Kg／cm2前後が好ましく良好な霧粒子で吹付
けることができた。その付着霧粒子は、そのセラ
ミツク成形体の500℃付近の高温の加熱面のため
直ちに酸化分解反応を起こしてスズ酸化物に小量
のアンチモン酸化物の混入した複合酸化物を主体
とした厚さ1μｍ程度で抵抗体200〜300Ω／□の範
囲の導電性薄膜として得られた。かくしてその常
温に放冷されたものは、セラミツク成形体の表面
に強固に安定堅牢に密着した良好な発熱抵抗体膜
を有するセラミツク遠赤外線ヒーターとして得ら
れた。これに遠赤外線ヒーターとしての性能を検
べるため、その板の両端縁に焼付けによつて銀電
極を設けこれに通電し、成形体の温度が150℃の
時のその焼成膜の遠赤外線等の発生量を測定した
所、第１図に示すように、特に人体に有効な５〜
15μｍの波長の遠赤外線の発生量が著しく大きい
が、やけどを与えるおそれのある近赤外線の波長
では発生量が小さくなる特性のものが得られるこ
とが判明した。
キル基、０＜ｎ＜４）を1.00mol／更にこのア
ルコキシ塩化スズに対し2mol％に相当する
0.02mol／のSbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキ
ル基、０＜ｙ＜３）を添加溶解した溶液を、予め
電気炉などで、105mm×105mm×５mm（厚さ）の板
状の酸化アルミニウム成形体を500℃に加熱した
その加熱表面にスプレーガンを使用し、空気圧力
１Kg／cm2でその全面に均一に付着させた。噴霧圧
力は、0.4Kg／cm2〜2.0Kg／cm2の範囲が一般である
が、１Kg／cm2前後が好ましく良好な霧粒子で吹付
けることができた。その付着霧粒子は、そのセラ
ミツク成形体の500℃付近の高温の加熱面のため
直ちに酸化分解反応を起こしてスズ酸化物に小量
のアンチモン酸化物の混入した複合酸化物を主体
とした厚さ1μｍ程度で抵抗体200〜300Ω／□の範
囲の導電性薄膜として得られた。かくしてその常
温に放冷されたものは、セラミツク成形体の表面
に強固に安定堅牢に密着した良好な発熱抵抗体膜
を有するセラミツク遠赤外線ヒーターとして得ら
れた。これに遠赤外線ヒーターとしての性能を検
べるため、その板の両端縁に焼付けによつて銀電
極を設けこれに通電し、成形体の温度が150℃の
時のその焼成膜の遠赤外線等の発生量を測定した
所、第１図に示すように、特に人体に有効な５〜
15μｍの波長の遠赤外線の発生量が著しく大きい
が、やけどを与えるおそれのある近赤外線の波長
では発生量が小さくなる特性のものが得られるこ
とが判明した。
第２図はセラミツク成形体としてAl2O3の代り
に、酸化ジルコニウムZrO2を使用した以外は、
前記の具体例と同様にして作成した導電性セラミ
ツクを同様の遠赤外線放射性の試験を行なつたそ
の測定結果を示し、上記と同様に特に遠赤外線ヒ
ーターとして有利な製品であることが認められ
た。
に、酸化ジルコニウムZrO2を使用した以外は、
前記の具体例と同様にして作成した導電性セラミ
ツクを同様の遠赤外線放射性の試験を行なつたそ
の測定結果を示し、上記と同様に特に遠赤外線ヒ
ーターとして有利な製品であることが認められ
た。
空気圧を１Kg／cm2と一定にした場合の溶液の噴
霧時間と、溶液の濃度との関係を調べたが、アル
コキシ塩化スズの濃度0.65mol／〜5mol／の
範囲では２〜10秒の範囲で変わるが、いづれも短
時の吹付作業ですむ。噴霧圧力は0.4Kg／cm2〜2.0
Kg／cm2の範囲を一般とする。
霧時間と、溶液の濃度との関係を調べたが、アル
コキシ塩化スズの濃度0.65mol／〜5mol／の
範囲では２〜10秒の範囲で変わるが、いづれも短
時の吹付作業ですむ。噴霧圧力は0.4Kg／cm2〜2.0
Kg／cm2の範囲を一般とする。
次に、そのアルコキシ塩化スズ単独及びこれに
アルコキシ塩化アンチモンを添加する量を色色に
変えた溶液と抵抗性との関係を調べた所第３図示
のような結果を得た。第３図に示す如く、その抵
抗値はドーパントの添加量によつて変わる。一般
に、そのSb添加量は10mol％までが好ましい。
アルコキシ塩化アンチモンを添加する量を色色に
変えた溶液と抵抗性との関係を調べた所第３図示
のような結果を得た。第３図に示す如く、その抵
抗値はドーパントの添加量によつて変わる。一般
に、そのSb添加量は10mol％までが好ましい。
かくして、その用途に応じ、抵抗値の異なる発
熱抵抗膜を得るに当り、上記のように、ドーパン
トの添加量をコントロールすることにより得られ
る。
熱抵抗膜を得るに当り、上記のように、ドーパン
トの添加量をコントロールすることにより得られ
る。
成形体の加熱温度は第４図示の如く300℃以上
とするときは、導電性が得られ、赤外線ヒーター
の場合は、数百Ω／□が望ましいので、これを得
るために450℃程度以上が好ましい。
とするときは、導電性が得られ、赤外線ヒーター
の場合は、数百Ω／□が望ましいので、これを得
るために450℃程度以上が好ましい。
溶液の吹付量は、前記の具体的な実施例におけ
る溶液を使用した場合は第５図示の通りであつ
た。
る溶液を使用した場合は第５図示の通りであつ
た。
このように、加熱温度、吹付量の調整によつて
も、種々の特性の発熱抵抗体膜が得られる。
も、種々の特性の発熱抵抗体膜が得られる。
本発明の該焼成膜の組成は現在定かでないが、
純粋な酸化物ではないことから判断して、発熱抵
抗体になり得る理由は、結晶構造欠陥による金属
スズ等の金属原子イオン、塩素イオンが電子供与
体及び受容体として働くためと推測される。
純粋な酸化物ではないことから判断して、発熱抵
抗体になり得る理由は、結晶構造欠陥による金属
スズ等の金属原子イオン、塩素イオンが電子供与
体及び受容体として働くためと推測される。
このように本発明によるときは、セラミツク成
形体を加熱しその加熱面に、アルコキシ塩化スズ
溶液にアルコキシ塩化アンチモンを混入した溶液
を付着させると共に加熱酸化分解反応させるの
で、そのセラミツク成形体の表面に強固に密着し
た堅牢な酸化スズを主成分とした酸化アンチモン
との複合酸化物の焼成薄膜を有する発熱抵抗体膜
が得られ、その製造コストは安価であり、遠赤外
線ヒーターとして優れた材料を提供する効果を有
する。
形体を加熱しその加熱面に、アルコキシ塩化スズ
溶液にアルコキシ塩化アンチモンを混入した溶液
を付着させると共に加熱酸化分解反応させるの
で、そのセラミツク成形体の表面に強固に密着し
た堅牢な酸化スズを主成分とした酸化アンチモン
との複合酸化物の焼成薄膜を有する発熱抵抗体膜
が得られ、その製造コストは安価であり、遠赤外
線ヒーターとして優れた材料を提供する効果を有
する。
第１図は、本発明製品の遠赤外線放射特性を示
すグラフ、第２図は他例のグラフ、第３図乃至第
５図は夫々Sb／Snの配合量、成形体の加熱温度、
溶液の吹付量と得られる製品の導電性との関係を
示すグラフである。
すグラフ、第２図は他例のグラフ、第３図乃至第
５図は夫々Sb／Snの配合量、成形体の加熱温度、
溶液の吹付量と得られる製品の導電性との関係を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク成形体の表面にアルコキシ塩化ス
ズSnClo（OR）4-o（ここでＲはアルキル基、０＜ｎ
＜４）の酸化分解生成物から成る酸化スズを主成
分とした酸化アンチモンとの複合酸化物の焼成薄
膜を一体に有して成る遠赤外線ヒーター。 ２ セラミツク成形体を加熱した表面にアルコキ
シ塩化スズSnClo（OR）4-o（ここでＲはアルキル
基、０＜ｎ＜４）の溶液に少量のアルコキシ塩化
アンチモンSbCly（OR）3-y（ここでＲはアルキル
基、０＜ｙ＜３）を混入した溶液を均一に付着さ
せると共に加熱酸化分解反応を行ない、スズ酸化
物を主成分とした酸化アンチモンとの複合酸化物
の焼成薄膜を一体に生成せしめることを特徴とす
る遠赤外線ヒーターの製造法。 ３ 該成形体の加熱温度は300℃以上とし、該温
度に加熱された表面に噴霧により該溶液を均一に
付着させることを特徴とする特許請求の範囲２項
に記載の遠赤外線ヒーターの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18004885A JPH0238556B2 (ja) | 1985-08-17 | 1985-08-17 | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18004885A JPH0238556B2 (ja) | 1985-08-17 | 1985-08-17 | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6241789A JPS6241789A (ja) | 1987-02-23 |
| JPH0238556B2 true JPH0238556B2 (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=16076571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18004885A Expired - Lifetime JPH0238556B2 (ja) | 1985-08-17 | 1985-08-17 | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238556B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2961466B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1999-10-12 | 株式会社河合楽器製作所 | ヒーター |
| JP3072303B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2000-07-31 | 株式会社河合楽器製作所 | ヒーター |
-
1985
- 1985-08-17 JP JP18004885A patent/JPH0238556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6241789A (ja) | 1987-02-23 |
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