JPS6237894A - 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 - Google Patents
遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法Info
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- JPS6237894A JPS6237894A JP17682185A JP17682185A JPS6237894A JP S6237894 A JPS6237894 A JP S6237894A JP 17682185 A JP17682185 A JP 17682185A JP 17682185 A JP17682185 A JP 17682185A JP S6237894 A JPS6237894 A JP S6237894A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、遠赤外線ヒーター並にその製造法に関する。
（従来の技術）
従来、遠赤外線ヒーターとしては、（ａ）ニクロム線を
金属管内に酸化マグネシウムなどの絶縁物粉末を介して
封入すると共に該金属管の表面に、周期律表の第２、第
３周期に属する１種以上の酸化物と第４、第５周期に属
Ｔる１種以上の酸化物との混合物で形成した赤外線放射
体を被覆したもの（ｂ）シーズヒーターにアルミニウム
板を被着させ、アル４＝ウム板上に前記の金属酸化物粉
末をプラズマ溶射させたものがある。
金属管内に酸化マグネシウムなどの絶縁物粉末を介して
封入すると共に該金属管の表面に、周期律表の第２、第
３周期に属する１種以上の酸化物と第４、第５周期に属
Ｔる１種以上の酸化物との混合物で形成した赤外線放射
体を被覆したもの（ｂ）シーズヒーターにアルミニウム
板を被着させ、アル４＝ウム板上に前記の金属酸化物粉
末をプラズマ溶射させたものがある。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の遠赤外線ヒーターは、いづれも、遠赤外線の
波長のうち熱作用の大きい４〜２５μｍの範囲でその放
射量が小さい、而も（＆）の形式のものは、その製造に
おける組立て作業が複雑で作業能率が悪く、製造コスト
が増大し又その製品として、金属管と金属醗化物層との
間で剥離し易く、又（ｂ）の製品も（ａ）と同様に、プ
ラズマ溶射層とアルミニウム板との間で剥離現象を生じ
易い等の欠点がある。
波長のうち熱作用の大きい４〜２５μｍの範囲でその放
射量が小さい、而も（＆）の形式のものは、その製造に
おける組立て作業が複雑で作業能率が悪く、製造コスト
が増大し又その製品として、金属管と金属醗化物層との
間で剥離し易く、又（ｂ）の製品も（ａ）と同様に、プ
ラズマ溶射層とアルミニウム板との間で剥離現象を生じ
易い等の欠点がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、従来の遠赤外線ヒーターの上記問題点を解決
し、製造が容易で且つ構成が簡単で而もセラミック成形
体に強固に密着した発熱抵抗体としての導電性薄膜を有
し、特に４〜２５μ島の波長帯域において就中６〜１５
μ烏の範囲に最大の放射量のピークをもつ優れた遠赤外
線ヒーターとその製造法を提供するものである。
し、製造が容易で且つ構成が簡単で而もセラミック成形
体に強固に密着した発熱抵抗体としての導電性薄膜を有
し、特に４〜２５μ島の波長帯域において就中６〜１５
μ烏の範囲に最大の放射量のピークをもつ優れた遠赤外
線ヒーターとその製造法を提供するものである。
即ち本発明の遠赤外線ヒーターは、セラミック成形体の
表面に、酸化イ、ンッ、つＡ又はこれに少量の酸化スに
の混入したものを主成分とする焼成薄膜を本体に有して
成る。
表面に、酸化イ、ンッ、つＡ又はこれに少量の酸化スに
の混入したものを主成分とする焼成薄膜を本体に有して
成る。
更に、本発明の上記遠赤外線ヒーターの製造法は、セラ
ミック成形体を加熱した表面に、インシｆｒ ムハロゲ
ン化物の溶液又はこれにスズハロゲン化物をドープした
溶液を均一に付着させると共に短時間でこれを加熱加水
分解して酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズの混
入した混合醗化物を主体とする焼成薄膜を一体に生成せ
しめることを特徴とする。
ミック成形体を加熱した表面に、インシｆｒ ムハロゲ
ン化物の溶液又はこれにスズハロゲン化物をドープした
溶液を均一に付着させると共に短時間でこれを加熱加水
分解して酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズの混
入した混合醗化物を主体とする焼成薄膜を一体に生成せ
しめることを特徴とする。
（実施例）
次に本発明の実施例につき説明する。
セラミック材としては、従来公知のセラミック材を使用
できるが、好ましくは、酸化アルミニウム（アルミナＡ
Ｉ！ｔｏｌ） 、酸化ジルコニウム（ジルコニアＺｒＯ
，）の単独、又はこれを主成分とするセラミック材を使
用する。本発明によれば、か−るセラミック材の成形体
、例えば板状の成形体を電気炉などによシ加熱し、その
加熱した表面に、インジウムハロゲン化物、単独又はこ
れにスズハロゲン化物を少量混合したものを水又はアル
コールなどの有機溶剤に溶かし、一般にその濃度は約１
〜１．５％程度の範囲内とし、その溶液を噴霧や塗布な
どでその全面に均一に付着させ数ミクｐン〜数百オング
ストロームの薄膜を形成する。
できるが、好ましくは、酸化アルミニウム（アルミナＡ
Ｉ！ｔｏｌ） 、酸化ジルコニウム（ジルコニアＺｒＯ
，）の単独、又はこれを主成分とするセラミック材を使
用する。本発明によれば、か−るセラミック材の成形体
、例えば板状の成形体を電気炉などによシ加熱し、その
加熱した表面に、インジウムハロゲン化物、単独又はこ
れにスズハロゲン化物を少量混合したものを水又はアル
コールなどの有機溶剤に溶かし、一般にその濃度は約１
〜１．５％程度の範囲内とし、その溶液を噴霧や塗布な
どでその全面に均一に付着させ数ミクｐン〜数百オング
ストロームの薄膜を形成する。
この場合の加熱成形体の温度は、か＼るハ田ゲン化イン
ジウムやこれに混入したハｐゲン化スズが付着と同時に
直ちに加水分解反応を起こす加熱温度とする。多くの実
験結果によれば、少くとも約４００℃、好ましくは４５
０℃程度以上に加熱することによシ直ちに加水分解反元
金おこしその結果の焼成膜は、所要の発熱体として得ら
れることが判った。この場合、その溶液の付着は特にス
プレー法がよい。尚焼成膜は、発熱抵抗体として数十〇
Ａ〜数百０ｔをもつものとなシ、特に、好ましい数百Ω
／口の発熱抵抗体とするためには、成形体の加熱温度を
４５０℃程度以上とする。尚、インジウムハｐゲン化物
としては、例えばＩｎＯノ、、工ｎｏｌａ＠４Ｈ，０の
塩化インジウム、ドーパンｂであるスズハロゲン化物と
して、例えば８ｎＯｊ！４．８ｎＯＪ４ ｍｙｉＨ！。
ジウムやこれに混入したハｐゲン化スズが付着と同時に
直ちに加水分解反応を起こす加熱温度とする。多くの実
験結果によれば、少くとも約４００℃、好ましくは４５
０℃程度以上に加熱することによシ直ちに加水分解反元
金おこしその結果の焼成膜は、所要の発熱体として得ら
れることが判った。この場合、その溶液の付着は特にス
プレー法がよい。尚焼成膜は、発熱抵抗体として数十〇
Ａ〜数百０ｔをもつものとなシ、特に、好ましい数百Ω
／口の発熱抵抗体とするためには、成形体の加熱温度を
４５０℃程度以上とする。尚、インジウムハｐゲン化物
としては、例えばＩｎＯノ、、工ｎｏｌａ＠４Ｈ，０の
塩化インジウム、ドーパンｂであるスズハロゲン化物と
して、例えば８ｎＯｊ！４．８ｎＯＪ４ ｍｙｉＨ！。
の塩化スズを使用し、その加熱加水分解反応によシ酸化
インジウムＩｎ、０．又はこれに少量の酸化スズを混入
した混合物を主体とした数ミク田ン〜数百オンゲス）ａ
−ムの透明な焼成膜が該成形体の表面に強固に密着した
安定竪牢な遠赤外線ヒー々−を得られる。
インジウムＩｎ、０．又はこれに少量の酸化スズを混入
した混合物を主体とした数ミク田ン〜数百オンゲス）ａ
−ムの透明な焼成膜が該成形体の表面に強固に密着した
安定竪牢な遠赤外線ヒー々−を得られる。
その具体的な実施例につき次に説明する。
成分Ａ４０，９６％の１１０Ｘ１５０Ｘ！ （厚す）ノ
板状アルミナ成形体を電気炉にて５５０℃に加熱し、加
熱炉から取り出した５５０℃の加熱成形体の表面に、水
に工ｎ ＯＩＢを適量溶解し１モル／ノ含有の溶液をつ
＜シ、又これにドーパンシとして５ｎＯＪ４′５ｉｌ−
８ｎ／Ｉｎ１モル％の割合で添加した工ｎ０４を主成分
とする溶液管つくり、これをエアスプレーガンで吹付空
気圧１ｋｇ／ｄで均一に噴霧した。
板状アルミナ成形体を電気炉にて５５０℃に加熱し、加
熱炉から取り出した５５０℃の加熱成形体の表面に、水
に工ｎ ＯＩＢを適量溶解し１モル／ノ含有の溶液をつ
＜シ、又これにドーパンシとして５ｎＯＪ４′５ｉｌ−
８ｎ／Ｉｎ１モル％の割合で添加した工ｎ０４を主成分
とする溶液管つくり、これをエアスプレーガンで吹付空
気圧１ｋｇ／ｄで均一に噴霧した。
この時の吹付量はＩＩＯ１５”ｍ１ｌｃｒ＆とした。こ
の噴霧と同時にその加熱加水分解反応が起こシ、最終的
に醸化インジウムを発熱体とした抵抗値１００〜！１０
００１０の範囲の焼成膜が、該成形体の表面に強固に密
着した遠赤外線ヒーターが得られた。
の噴霧と同時にその加熱加水分解反応が起こシ、最終的
に醸化インジウムを発熱体とした抵抗値１００〜！１０
００１０の範囲の焼成膜が、該成形体の表面に強固に密
着した遠赤外線ヒーターが得られた。
このようにして得られた本発明ヒーターの１つにつき、
その成形板の両縁に市販の銀ペーストを焼付けした導電
端をつ＜シ、これに電線を接続しこれに導通し遠赤外線
ヒーターとして使用した。この場合、Ａ７．ｏ、成形体
が１５０℃に加熱されたときの赤外線−遠赤外線の波長
とその発生量を測定した結果は第１図示の通シであった
。
その成形板の両縁に市販の銀ペーストを焼付けした導電
端をつ＜シ、これに電線を接続しこれに導通し遠赤外線
ヒーターとして使用した。この場合、Ａ７．ｏ、成形体
が１５０℃に加熱されたときの赤外線−遠赤外線の波長
とその発生量を測定した結果は第１図示の通シであった
。
これから明らかなように、本発明の遠赤外線ヒーターは
、特に人体に有効な６μｍ〜１５μ角程度の範囲にピー
クをもつ遠赤外線の放射量が大きい反面、人体にやけど
を与える近赤外線側では発生量が小さくなる優れた特性
をもっていることが判る。尚、本発明のヒーターは、・
′導通よシ１分以内で１００″Ｃの高温が得られ、従来
のヒーターが４分程度要するに比し昇温速度が著しく早
いことが分った。
、特に人体に有効な６μｍ〜１５μ角程度の範囲にピー
クをもつ遠赤外線の放射量が大きい反面、人体にやけど
を与える近赤外線側では発生量が小さくなる優れた特性
をもっていることが判る。尚、本発明のヒーターは、・
′導通よシ１分以内で１００″Ｃの高温が得られ、従来
のヒーターが４分程度要するに比し昇温速度が著しく早
いことが分った。
本発明の該焼成膜の組成は、現在、定かでないが、発熱
抵抗体としての導電性を有するので純粋な酸化物でない
ことから判断して、発熱抵抗体になシ得る理由は、結晶
構造欠陥による金属インジウム等の金属原子イオン、塩
素イオンが電子供与体及び受容体として働くためと推測
される。
抵抗体としての導電性を有するので純粋な酸化物でない
ことから判断して、発熱抵抗体になシ得る理由は、結晶
構造欠陥による金属インジウム等の金属原子イオン、塩
素イオンが電子供与体及び受容体として働くためと推測
される。
第２図は〜ＡＡ’、０８主成分とするセラミック体に代
え５Ｚｒｏ＠ｔ−主成分とするセラミック体を使用し、
前記と同様にして作成した前記と同じ酸化インジウムを
主体とする焼成膜をもつ本発明ヒーターの遠赤外線放射
特性の図である。このように、セラミック材ｅＺｒｏ＊
に代えても第１図゛と略同様の特性曲線が得られた。
え５Ｚｒｏ＠ｔ−主成分とするセラミック体を使用し、
前記と同様にして作成した前記と同じ酸化インジウムを
主体とする焼成膜をもつ本発明ヒーターの遠赤外線放射
特性の図である。このように、セラミック材ｅＺｒｏ＊
に代えても第１図゛と略同様の特性曲線が得られた。
第３図は、成形体の加熱温度と吹付量を一定にして得ら
れる焼成膜の電気抵抗値との関係を試験した結果の関係
面ｗＡヲ示す。これによれば約４００℃以上の加熱温度
で、発熱抵抗体としての導電性焼成膜が得られることが
分る。
れる焼成膜の電気抵抗値との関係を試験した結果の関係
面ｗＡヲ示す。これによれば約４００℃以上の加熱温度
で、発熱抵抗体としての導電性焼成膜が得られることが
分る。
！４図Ｕ、［化インジウムに対する塩化スズの添加量（
Ｅｌ！ｌ／工！１モル％）の焼成膜の電気抵抗値との関
係を試験した結果の関係曲線を示す。これによれば、５
モル％程度までの添加で好ましい焼成膜が得られること
が分る。溶液の吹付量については、図示しないが、その
吹付量が増大するにつれ、電気抵抗値が低下するが、こ
の場合、加熱成形体に付着した場合直ちに加熱加水分解
が行なわれ焼成膜となることが必要な少量にと鵞める。
Ｅｌ！ｌ／工！１モル％）の焼成膜の電気抵抗値との関
係を試験した結果の関係曲線を示す。これによれば、５
モル％程度までの添加で好ましい焼成膜が得られること
が分る。溶液の吹付量については、図示しないが、その
吹付量が増大するにつれ、電気抵抗値が低下するが、こ
の場合、加熱成形体に付着した場合直ちに加熱加水分解
が行なわれ焼成膜となることが必要な少量にと鵞める。
かくして、そのセラミック成形体の加熱温度、塩化スズ
の添加量、吹付量の夫々を適宜コントルールすることに
よシ種々異なる電気抵抗値をもつ各種の本発明の遠赤外
線ヒーターを製造することができる。
の添加量、吹付量の夫々を適宜コントルールすることに
よシ種々異なる電気抵抗値をもつ各種の本発明の遠赤外
線ヒーターを製造することができる。
セラミック成形体として、ＰＺＴ、ソーダガラスなどの
任意のセラミック材料が使用できるが、前記の醸化アル
ミニウム、醸化ジルコニウムが好ましい。
任意のセラミック材料が使用できるが、前記の醸化アル
ミニウム、醸化ジルコニウムが好ましい。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、セラミック成形体を加
熱しその加熱面にインジウムハ四ゲン化物単独の溶液又
はこれにスズハｐゲン化物″１ヲ、・ドーパントとして
添加した溶液を付着させると共にこれを短時間に加熱に
より加水分解を行ないその醸化物を主体とする焼成膜と
したので１、極めて容易な作業で且つ安価に構成簡単で
而も安定竪牢な効率の良い遠赤外線用ヒーターが得られ
る効果を有する。
熱しその加熱面にインジウムハ四ゲン化物単独の溶液又
はこれにスズハｐゲン化物″１ヲ、・ドーパントとして
添加した溶液を付着させると共にこれを短時間に加熱に
より加水分解を行ないその醸化物を主体とする焼成膜と
したので１、極めて容易な作業で且つ安価に構成簡単で
而も安定竪牢な効率の良い遠赤外線用ヒーターが得られ
る効果を有する。
第１図は本発明製品の遠赤外線放射特性を示すグラフ、
第２図は他の実施例の同様のグラフ、第３図は、成形体
の加熱温度と焼成膜の電気抵抗値との関係曲線、第４図
はＳｍ／工ｎの配合量と焼成膜の電気抵抗値との関係曲
線を示す。 第１図 第２図 ０ ２．５ ５
コＯ２５（ｐｍ）第３図 第４図 Ｓｎ／Ｉｎ
第２図は他の実施例の同様のグラフ、第３図は、成形体
の加熱温度と焼成膜の電気抵抗値との関係曲線、第４図
はＳｍ／工ｎの配合量と焼成膜の電気抵抗値との関係曲
線を示す。 第１図 第２図 ０ ２．５ ５
コＯ２５（ｐｍ）第３図 第４図 Ｓｎ／Ｉｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミック成形体の表面に、酸化インジウム又はこ
れに少量の酸化スズの混入したものを主成分とする焼成
薄膜を一体に有して成る遠赤外線ヒーター。 ２ セラミック成形体を加熱した表面に、インジウムハ
ロゲン化物の溶液又はこれにスズハロゲン化物をドープ
した溶液を均一に付着させると共に短時間でこれを加熱
加水分解して酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズ
の混入した混合酸化物を主体とする焼成薄膜を一体に生
成せしめることを特徴とする遠赤外線ヒーターの製造法
。 ３ 酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、又はこれら
の混合物又はこれらから選んだ少くとも１種を主成分と
するセラミック成形体を約４００℃以上に加熱し、この
加熱温度をもつ表面に該溶液を噴霧により均一に付着さ
せると共に短時間でこれを加熱加水分解することを特徴
とする特許請求の範囲（２）項に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17682185A JPS6237894A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17682185A JPS6237894A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237894A true JPS6237894A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16020431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17682185A Pending JPS6237894A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237894A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668960A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
| JPH0668959A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP17682185A patent/JPS6237894A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668960A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
| JPH0668959A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
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