JPS5853113A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPS5853113A JPS5853113A JP15250181A JP15250181A JPS5853113A JP S5853113 A JPS5853113 A JP S5853113A JP 15250181 A JP15250181 A JP 15250181A JP 15250181 A JP15250181 A JP 15250181A JP S5853113 A JPS5853113 A JP S5853113A
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- Japan
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- conductive film
- transparent conductive
- film
- indium oxide
- oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス放電表示バネμや工Ｖクトｖ１μミネツセ
ンス表示バネμ等の透明電１１に用いる透明導電膜、特
に低抵抗値の透明導電膜の形成方法の改良に関するもの
である。
ンス表示バネμ等の透明電１１に用いる透明導電膜、特
に低抵抗値の透明導電膜の形成方法の改良に関するもの
である。
ガス放電表示バネμの透明電極はガラス基板表面に成膜
した、酸化インジウムに例えば重量比６％の酸化錫を添
加しえよすな酸化インジウムを主成分とする酸化インジ
？ム系あるい祉酸化錫に例えば重量比α５％の酸化アン
チモンを添加したような酸化錫を主成分とする酸化錫系
の透明導電膜が用いられている。ところが、大面積表示
バネμのように低抵抗値（例えば面積抵抗８Ω／ｓｑ以
下）を要求される透明電極用としては、まだ適用が困難
である。つまり、このような透明導電−膜を大形のガス
放電表示パネルの透明電極として用いるには、その低抵
抗化を図るため、膜厚を厚くしなければならないが、膜
厚を厚くするに従って、ガラス基板表面の構造的な欠陥
（例えば微細々突起など）、基板表面に付着した異物あ
るい社汚れ等が被となって、その部分で異常な結晶成長
を生じるので膜質に不均一性が現れて、これが電極に加
工し友際の最も大きな断線の原因となっていた。
した、酸化インジウムに例えば重量比６％の酸化錫を添
加しえよすな酸化インジウムを主成分とする酸化インジ
？ム系あるい祉酸化錫に例えば重量比α５％の酸化アン
チモンを添加したような酸化錫を主成分とする酸化錫系
の透明導電膜が用いられている。ところが、大面積表示
バネμのように低抵抗値（例えば面積抵抗８Ω／ｓｑ以
下）を要求される透明電極用としては、まだ適用が困難
である。つまり、このような透明導電−膜を大形のガス
放電表示パネルの透明電極として用いるには、その低抵
抗化を図るため、膜厚を厚くしなければならないが、膜
厚を厚くするに従って、ガラス基板表面の構造的な欠陥
（例えば微細々突起など）、基板表面に付着した異物あ
るい社汚れ等が被となって、その部分で異常な結晶成長
を生じるので膜質に不均一性が現れて、これが電極に加
工し友際の最も大きな断線の原因となっていた。
また膜厚の増加に伴って膜の透明度も低下する。
例えば電子ビーム蒸着法で成膜した膜厚１０μｍ以上の
酸化インＶウム系の導電膜は大気中のような酸化性雰囲
気中で例えば約５５０℃、１時間の熱処理を施しても膜
の下層部にまで充分な酸素供給がなされないので透過率
７０％以下とな抄、透明電極としての機能が非常に低下
する。
酸化インＶウム系の導電膜は大気中のような酸化性雰囲
気中で例えば約５５０℃、１時間の熱処理を施しても膜
の下層部にまで充分な酸素供給がなされないので透過率
７０％以下とな抄、透明電極としての機能が非常に低下
する。
本発明は前述の点に鑑みなされた４ので、その目的は抵
抗値が低くて、かつ膜質め良好な透明導電膜の形成方法
を提供することであり、その特徴は絶縁基板上に酸化イ
ンジウムあるいは酸化錫を該下地透明導電膜上に上層透
明導電膜となるべき酸化インジウムを主成分とする導電
膜を積層付着するようにしたところにある。
抗値が低くて、かつ膜質め良好な透明導電膜の形成方法
を提供することであり、その特徴は絶縁基板上に酸化イ
ンジウムあるいは酸化錫を該下地透明導電膜上に上層透
明導電膜となるべき酸化インジウムを主成分とする導電
膜を積層付着するようにしたところにある。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明による透明導電膜の形成方
法を説明する丸めの要部断面図で類火に示した工程図で
ある。ｔず第１Ｆ！４に示すようにガラス基板ｌを用意
し、そのガラス基板１表面に下地透明導電膜８を膜厚ｌ
ａｍ以下（例えばα６μｍ程度）で形成する。この下地
透明導電膜８は、酸化インジウムに例えば重量比６％の
酸化錫を添加した酸化インジウムを主成分とする酸化イ
νＶつふ系あるいは酸化錫に例えば重量比へ６％の酸化
アンチモンを添加した酸化錫を主成分とする酸化錫系の
導電膜であり、その導電膜が電子ビーム蒸着法で成膜さ
れたものである場合には成膜後、４００℃〜６００℃の
酸化性雰囲気中で安定化熱処理を施して透明導電膜に仕
上げる。また前記酸化インジウム系あるいは酸化錫系の
導電膜が成膜中において酸化雰囲気中で熱処理が施され
るようなスプレー法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法
で形成された場合には透明導電膜として成膜されるので
、必ずしも成膜後の安定化熱処理は・じ要でない。かぐ
してガラス基板１表面に酸化インジウム系あるいは酸化
錫系の下地透明導電膜２が膜厚０．５μｍで形成される
。
法を説明する丸めの要部断面図で類火に示した工程図で
ある。ｔず第１Ｆ！４に示すようにガラス基板ｌを用意
し、そのガラス基板１表面に下地透明導電膜８を膜厚ｌ
ａｍ以下（例えばα６μｍ程度）で形成する。この下地
透明導電膜８は、酸化インジウムに例えば重量比６％の
酸化錫を添加した酸化インジウムを主成分とする酸化イ
νＶつふ系あるいは酸化錫に例えば重量比へ６％の酸化
アンチモンを添加した酸化錫を主成分とする酸化錫系の
導電膜であり、その導電膜が電子ビーム蒸着法で成膜さ
れたものである場合には成膜後、４００℃〜６００℃の
酸化性雰囲気中で安定化熱処理を施して透明導電膜に仕
上げる。また前記酸化インジウム系あるいは酸化錫系の
導電膜が成膜中において酸化雰囲気中で熱処理が施され
るようなスプレー法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法
で形成された場合には透明導電膜として成膜されるので
、必ずしも成膜後の安定化熱処理は・じ要でない。かぐ
してガラス基板１表面に酸化インジウム系あるいは酸化
錫系の下地透明導電膜２が膜厚０．５μｍで形成される
。
次に第２図に示すように前記下地透明導電膜２上に例え
ば電子ビーム蒸着法で上層透明導電膜となるべき酸化イ
ンジウム系の導電膜８を例えば２．５μ鰐の膜厚で積層
付着する。そして酸化性雰囲気中で例えば５５０℃、１
時間の安定化熱処理を施すことＫより透明にして上層透
明導電膜に仕上げる。この際、導電膜８の膜厚は１６μ
ｍと比較的薄いので前記安定化熱処理によって、膜の内
部Ｋまで充分な酸素供給がなされて透明度の良好な上層
透明導電膜が得られる。その結果岡−膜厚の単層透明導
電膜に比べて透明度の良好な低抵抗の透明導電膜を形成
することができる。
ば電子ビーム蒸着法で上層透明導電膜となるべき酸化イ
ンジウム系の導電膜８を例えば２．５μ鰐の膜厚で積層
付着する。そして酸化性雰囲気中で例えば５５０℃、１
時間の安定化熱処理を施すことＫより透明にして上層透
明導電膜に仕上げる。この際、導電膜８の膜厚は１６μ
ｍと比較的薄いので前記安定化熱処理によって、膜の内
部Ｋまで充分な酸素供給がなされて透明度の良好な上層
透明導電膜が得られる。その結果岡−膜厚の単層透明導
電膜に比べて透明度の良好な低抵抗の透明導電膜を形成
することができる。
透明導電膜と上層透明導電膜との結晶構造が不連続とな
るので異常結晶成長の発生が防止できる。
るので異常結晶成長の発生が防止できる。
その結果異常結晶成長に起因して生じていた電極加工後
における電極断線も防止することができる。
における電極断線も防止することができる。
なお下地透明導電膜上に酸化錫系の上−透明導電膜を形
成することも考えられるが、酸化錫系の透明導電膜の透
明度は酸化インジウム系の透明導電膜の透明度よりも本
質的に低いので、膜厚を厚くするに従って透明度が低下
するし、さもに膜内での残留歪が大きくなって亀裂を発
生することがある。しかるに上層透明導電膜を酸化イン
ジウム系の導電膜で形成することによシ、そのような障
害は除去されて、膜質の良好な低抵抗の透明導電膜が容
易に形成できるのである。
成することも考えられるが、酸化錫系の透明導電膜の透
明度は酸化インジウム系の透明導電膜の透明度よりも本
質的に低いので、膜厚を厚くするに従って透明度が低下
するし、さもに膜内での残留歪が大きくなって亀裂を発
生することがある。しかるに上層透明導電膜を酸化イン
ジウム系の導電膜で形成することによシ、そのような障
害は除去されて、膜質の良好な低抵抗の透明導電膜が容
易に形成できるのである。
さて本発明による透明導電膜を用いて透明電極を形成す
る方法には種々の方法が考えられる。すなわち、ガラス
基板上に下地透明導電膜を形成した後、その下地透明導
電膜を所定の電極形状にホＦリソグラフィでパターンユ
ングし、さらにそのパターンユングした下地透明導電膜
表面を含むガラス基板表面に上層透明導電膜と表るべき
酸化インジウム系の導電膜を蒸着する。そしてその酸化
インジウム系の導電膜を前記パターンユングした下地透
明導電膜の形状に合わせてホＦリソグラフィでパターン
ユングし、しかる後パターンユングした酸化インジウム
系の導電膜を安定化熱処理する方法、またガラス基板上
に下地透明導電膜を形成し、さらにその透明導電膜上に
酸化インジウム系の導電膜を蒸着して、下地透明導電膜
と酸化インジウム系の導電膜とを同時にホトリソグフフ
イで所定の電極形状にパターンユングした後、酸化イン
ジウム系の導電膜に対する安定化熱処理を施す方法、さ
らにまたガラス基板表面に下地透明導電膜を形成し、そ
の下地透明導電膜上に酸化インジウム系の導電膜を蒸着
した後、その導電膜に安定化熱処理を施し、しかる後、
下地透明導電膜と上層透明導電膜とを同時に所定の電極
形状にホトリソグラフィでパターンユングする方法等が
ある。
る方法には種々の方法が考えられる。すなわち、ガラス
基板上に下地透明導電膜を形成した後、その下地透明導
電膜を所定の電極形状にホＦリソグラフィでパターンユ
ングし、さらにそのパターンユングした下地透明導電膜
表面を含むガラス基板表面に上層透明導電膜と表るべき
酸化インジウム系の導電膜を蒸着する。そしてその酸化
インジウム系の導電膜を前記パターンユングした下地透
明導電膜の形状に合わせてホＦリソグラフィでパターン
ユングし、しかる後パターンユングした酸化インジウム
系の導電膜を安定化熱処理する方法、またガラス基板上
に下地透明導電膜を形成し、さらにその透明導電膜上に
酸化インジウム系の導電膜を蒸着して、下地透明導電膜
と酸化インジウム系の導電膜とを同時にホトリソグフフ
イで所定の電極形状にパターンユングした後、酸化イン
ジウム系の導電膜に対する安定化熱処理を施す方法、さ
らにまたガラス基板表面に下地透明導電膜を形成し、そ
の下地透明導電膜上に酸化インジウム系の導電膜を蒸着
した後、その導電膜に安定化熱処理を施し、しかる後、
下地透明導電膜と上層透明導電膜とを同時に所定の電極
形状にホトリソグラフィでパターンユングする方法等が
ある。
なお前述の実施例では上層透明電極となるべき成膜する
場合について述べたが、その他スパッタリング法を用い
ることも可能である。
場合について述べたが、その他スパッタリング法を用い
ることも可能である。
以上の説明から明らかなように要するに本発明は、絶縁
基板上に酸化インジウムあるいは酸化錫を主成分とする
下地透明導電膜を形成し二しかる入°“ 後該下地透明導電腋上に上層透明導電膜となるべき酸化
インジウムを主成分とする導電膜を積層付着するように
したもので、抵抗値の低い、かつ膜質の良好な透明導電
膜を容易に形成することができ、低抵抗を必要とする透
明電極の製作Ｋｌわめて有効である。
基板上に酸化インジウムあるいは酸化錫を主成分とする
下地透明導電膜を形成し二しかる入°“ 後該下地透明導電腋上に上層透明導電膜となるべき酸化
インジウムを主成分とする導電膜を積層付着するように
したもので、抵抗値の低い、かつ膜質の良好な透明導電
膜を容易に形成することができ、低抵抗を必要とする透
明電極の製作Ｋｌわめて有効である。
第１図および第２図は本発明による透明導電膜の形成方
法を説明する丸めの要部断面図で順次に示した工程図で
ある。 ｌニガラス基板、２：下地透明導電膜、３：上層透明導
電膜となるべき酸化インジウムを主成分とする導電膜、
法を説明する丸めの要部断面図で順次に示した工程図で
ある。 ｌニガラス基板、２：下地透明導電膜、３：上層透明導
電膜となるべき酸化インジウムを主成分とする導電膜、
Claims (1)
- 主成分とする下地透明導電膜を形成し、しかる後肢下地
透明導電膜上に上層透明導電膜となるべき酸化インジウ
ムを主成分とする導電膜を積層付着するようにした仁と
を特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15250181A JPS5853113A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15250181A JPS5853113A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853113A true JPS5853113A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15541839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15250181A Pending JPS5853113A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114843A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | コニカ株式会社 | 導電性積層体 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15250181A patent/JPS5853113A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114843A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | コニカ株式会社 | 導電性積層体 |
| JPH0218232B2 (ja) * | 1984-11-09 | 1990-04-24 | Konishiroku Photo Ind |
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