JPS60121611A - 透明電極の製造方法 - Google Patents
透明電極の製造方法Info
- Publication number
- JPS60121611A JPS60121611A JP22798783A JP22798783A JPS60121611A JP S60121611 A JPS60121611 A JP S60121611A JP 22798783 A JP22798783 A JP 22798783A JP 22798783 A JP22798783 A JP 22798783A JP S60121611 A JPS60121611 A JP S60121611A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- transparent conductor
- transparent electrode
- mask
- conductor film
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発、明は透明市、極の製造方法に関するもので、見え
のよい透明物、極を提供しようとするものである。
のよい透明物、極を提供しようとするものである。
一般に、透明電極を製造するためには、ガラス等の基板
の上に、酸化錫を０〜５重量％ドーグした酸化インクラ
ム等より成る透明導電体膜を形成し、該透明者′鼾体膜
の中の必要部分にレジストを施こし、その後、エツチン
グによシネ必要部分を除去した上、レジストを剥離する
ことによってツクターニングをする。このような方法で
パターニングをすると、透明導電体膜が、非常に薄くて
いい様な（例えば６００Ｘ以下で、抵抗値が高い）場合
には、・ヤターニングした部分の端の段差は、見えとし
て、はとんど問題はないが、この膜厚が、厚い場合（例
えば、２０００Ｘで低抵抗）には、段差があることで、
透明電極のパターンが見えて、製品の品位が悪くなる。
の上に、酸化錫を０〜５重量％ドーグした酸化インクラ
ム等より成る透明導電体膜を形成し、該透明者′鼾体膜
の中の必要部分にレジストを施こし、その後、エツチン
グによシネ必要部分を除去した上、レジストを剥離する
ことによってツクターニングをする。このような方法で
パターニングをすると、透明導電体膜が、非常に薄くて
いい様な（例えば６００Ｘ以下で、抵抗値が高い）場合
には、・ヤターニングした部分の端の段差は、見えとし
て、はとんど問題はないが、この膜厚が、厚い場合（例
えば、２０００Ｘで低抵抗）には、段差があることで、
透明電極のパターンが見えて、製品の品位が悪くなる。
本発明の目的は、上記のような従来の透明電極の製造方
法における欠点を排除し、見えのよい電極を提供するこ
とである。
法における欠点を排除し、見えのよい電極を提供するこ
とである。
本発明による透明電極の製造方法は、ガラス等の基板上
に、酸化錫を０〜５重量％ドープした酸化インジウムよ
９成る透明導電体膜を形成した後、エツチングによって
ノ４ターニングをするものではなく、該透明導電体膜の
中の必要部分の上に、レジストあるいは蒸着用のマスク
を施として、透明導電体を被覆し、上記のマスクを施こ
してない不必要部分に酸素イオンを注入することによシ
、この部分を実質的に絶縁体化し、その後、上記のマス
クを除去することによって、ツクターニングを行うこと
を特徴とする。
に、酸化錫を０〜５重量％ドープした酸化インジウムよ
９成る透明導電体膜を形成した後、エツチングによって
ノ４ターニングをするものではなく、該透明導電体膜の
中の必要部分の上に、レジストあるいは蒸着用のマスク
を施として、透明導電体を被覆し、上記のマスクを施こ
してない不必要部分に酸素イオンを注入することによシ
、この部分を実質的に絶縁体化し、その後、上記のマス
クを除去することによって、ツクターニングを行うこと
を特徴とする。
透明導電体としては、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化錫
を５重量％ドーゾしたもの）が最も一般的で、また、酸
素イオンを注入しやすい。
を５重量％ドーゾしたもの）が最も一般的で、また、酸
素イオンを注入しやすい。
酸素イオン注入装置としては、反応性スパッタや反応性
イオンブレーティングを用いるのが良い。
イオンブレーティングを用いるのが良い。
特に、ＩＴＯ膜を低温で作製する必要がある時は、上記
装置を使用することが、一般的である為、この装置をそ
のまま流用することによって、コスト的にも安価にでき
る。
装置を使用することが、一般的である為、この装置をそ
のまま流用することによって、コスト的にも安価にでき
る。
以下、図面を参照して説明する。
第１図（イ）（ロ）（ハ）に）（ホ）（へ）は、透明導
電体膜の中の必要部分の上にレジストを施こしてパター
ニングを行う本発明方法の第１の実施態様における順次
の工程を示す。先ず、（イ）に示すガラスの基板１の上
に、（ロ）に示すように、酸化錫を０〜５重量％ドープ
した酸化インジウムより成る透明導電体膜２をベタに形
成する。次に、（ハ）に示すように該透明導電体膜２の
上に、レジスト３を塗布した上、に）に示すように、紫
外線によって所望の電極の形状にパターニングをする。
電体膜の中の必要部分の上にレジストを施こしてパター
ニングを行う本発明方法の第１の実施態様における順次
の工程を示す。先ず、（イ）に示すガラスの基板１の上
に、（ロ）に示すように、酸化錫を０〜５重量％ドープ
した酸化インジウムより成る透明導電体膜２をベタに形
成する。次に、（ハ）に示すように該透明導電体膜２の
上に、レジスト３を塗布した上、に）に示すように、紫
外線によって所望の電極の形状にパターニングをする。
これによって、透明導電体膜２の中の必要部分がレジス
ト３によってマスキングされたものが得られる。次に、
（ホ）に示すように、このマスキングしてない部分に酸
素イオンを注入することによって、当該部分４を実質的
に絶縁体化する。ここで、上記のレジスト３を剥離すれ
ば、（ハ）に示すように絶縁体化した部分４をもつＡ？
パターニングれた透明電極が得られる。この透明電極は
表面に全く段差を生ずることがなく、パターンが見える
ことがない。
ト３によってマスキングされたものが得られる。次に、
（ホ）に示すように、このマスキングしてない部分に酸
素イオンを注入することによって、当該部分４を実質的
に絶縁体化する。ここで、上記のレジスト３を剥離すれ
ば、（ハ）に示すように絶縁体化した部分４をもつＡ？
パターニングれた透明電極が得られる。この透明電極は
表面に全く段差を生ずることがなく、パターンが見える
ことがない。
第２図（イ）（ロ）（ハ）に）（へ）は、透明導電体膜
の中の必要部分の上に１蒸着用のマスクを施してパター
ニングを行う本発明方法の第２の実施態様“における順
次の工程を示す。この方法における（イ）（ロ）の工程
は第１図（イ）（ｃ）の工程と同じである。次に、（ハ
）に示すように、透明導電体膜２の中の必要部分の上に
マスク５を施した上、に）Ｋ示すように、マスクのない
部分に酸素イオンを注入することによって、当該部分６
を実質的に絶縁体化する。ここでマスク５をはずせは、
（へ）に示すように、表面に全く段差がない透明電極が
得られる。
の中の必要部分の上に１蒸着用のマスクを施してパター
ニングを行う本発明方法の第２の実施態様“における順
次の工程を示す。この方法における（イ）（ロ）の工程
は第１図（イ）（ｃ）の工程と同じである。次に、（ハ
）に示すように、透明導電体膜２の中の必要部分の上に
マスク５を施した上、に）Ｋ示すように、マスクのない
部分に酸素イオンを注入することによって、当該部分６
を実質的に絶縁体化する。ここでマスク５をはずせは、
（へ）に示すように、表面に全く段差がない透明電極が
得られる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１゜
透明なガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）よ９成る基
板上に、反応性高周波イオングレーティング方法によシ
、ＩＴＯよ９成る透明導電体膜を２０００１形成した。
板上に、反応性高周波イオングレーティング方法によシ
、ＩＴＯよ９成る透明導電体膜を２０００１形成した。
この後、このＩＴＯ膜上に、レジスト（ＡＺ（１４８）
を３０００Ｘの膜厚に塗布し、紫外線によシ、電極の形
状にパターニングし、再び、前述のイオングレーティン
グ装置に入れ、高周波を３００ Ｗ、ＤＣバイアスを５
００ Ｖ、酸素を５．ＯＸ １０ ’Ｔｏｒｌｔで導入
し、５分間、酸素プラズマ中に置いた。その後、これを
取シ出し、レゾストを剥離することによって、透明電極
が形成された。電極の形状を見たところ、斜め方向から
見ても、電極の端の形状の見えない、見ばえの良い、透
明電極を製造することができた。
を３０００Ｘの膜厚に塗布し、紫外線によシ、電極の形
状にパターニングし、再び、前述のイオングレーティン
グ装置に入れ、高周波を３００ Ｗ、ＤＣバイアスを５
００ Ｖ、酸素を５．ＯＸ １０ ’Ｔｏｒｌｔで導入
し、５分間、酸素プラズマ中に置いた。その後、これを
取シ出し、レゾストを剥離することによって、透明電極
が形成された。電極の形状を見たところ、斜め方向から
見ても、電極の端の形状の見えない、見ばえの良い、透
明電極を製造することができた。
実施例２゜
透明なガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）よ９成る基
板上に、反応性高周波イオングレーティング方法によシ
、ＩＴＯよ９成る透明導電体膜を２０００Ｘ形成した。
板上に、反応性高周波イオングレーティング方法によシ
、ＩＴＯよ９成る透明導電体膜を２０００Ｘ形成した。
このＩＴＯ膜上に、電極とネガの形状のマスクをし、前
述のイオングレーティング装置に入れ、高周波を２５０
Ｗ、Ｄｃバイアスを１．０ｋＶ、酸素を５、ＯＸ １０
’Ｔｏｒｒまで導入し、４分間、酸素プラズマ中に置
いた。
述のイオングレーティング装置に入れ、高周波を２５０
Ｗ、Ｄｃバイアスを１．０ｋＶ、酸素を５、ＯＸ １０
’Ｔｏｒｒまで導入し、４分間、酸素プラズマ中に置
いた。
その後、これを取シ出し、マスクを外ずすことによって
透明電極が形成された。電極の形状を見たところ、斜め
方向から見ても、電極の端の形状の見えない、見栄えの
良い、透明電極を製造することができた。
透明電極が形成された。電極の形状を見たところ、斜め
方向から見ても、電極の端の形状の見えない、見栄えの
良い、透明電極を製造することができた。
第１図（イ）（ロ）（ハ）に）（へ）（へ）は本発明に
よる透明電極を製造する方法の第１の実施態様における
順次の工程を示す説明図、第２図（イ）（ロ）（ハ）に
）（ホ）は本発明方法の第２の実施態様における順次の
工程を示す説明図である。 １・・・基板、 ２・・・透明導電体膜、３・・・レジ
スト、 ４・・・絶縁体化した部分、５・・・マスク、
６・・・絶縁体化した部分。 １′？１ 本 多 小 平；、） し−一 第１図 第２図 （イ） 乙乙ｚｚ乙ｚ乙〜ｌ （（） 乙乙７７ＺＺｚ
〜ｔ１
よる透明電極を製造する方法の第１の実施態様における
順次の工程を示す説明図、第２図（イ）（ロ）（ハ）に
）（ホ）は本発明方法の第２の実施態様における順次の
工程を示す説明図である。 １・・・基板、 ２・・・透明導電体膜、３・・・レジ
スト、 ４・・・絶縁体化した部分、５・・・マスク、
６・・・絶縁体化した部分。 １′？１ 本 多 小 平；、） し−一 第１図 第２図 （イ） 乙乙ｚｚ乙ｚ乙〜ｌ （（） 乙乙７７ＺＺｚ
〜ｔ１
Claims (1)
- ガラス等の基板上に、酸化錫を０〜５Ｍ量チドープした
酸化インジウムより成る透明溝ち１体膜を形成し、該透
明導箪、体膜の中の必要部分にマスクを施した上、マス
クしてない部分に酸素イオンを注入することにより、当
該部分を実質的に絶縁体化し、その後、マスクを除去す
ることによって、透明導電体膜の・やターニングをする
ことを特徴とする透ψｊ′１１７、柵の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22798783A JPS60121611A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 透明電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22798783A JPS60121611A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 透明電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121611A true JPS60121611A (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=16869384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22798783A Pending JPS60121611A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 透明電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140132858A1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-15 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Method of manufacturing touch panel sensor, and touch panel sensor |
| JP2020002401A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜・イオン照射システム、及び成膜・イオン照射方法 |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP22798783A patent/JPS60121611A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140132858A1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-15 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Method of manufacturing touch panel sensor, and touch panel sensor |
| JP2020002401A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜・イオン照射システム、及び成膜・イオン照射方法 |
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