JPH0734329B2 - 透明導電体 - Google Patents

透明導電体

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JPH0734329B2
JPH0734329B2 JP61225351A JP22535186A JPH0734329B2 JP H0734329 B2 JPH0734329 B2 JP H0734329B2 JP 61225351 A JP61225351 A JP 61225351A JP 22535186 A JP22535186 A JP 22535186A JP H0734329 B2 JPH0734329 B2 JP H0734329B2
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JP
Japan
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film
transparent
transparent conductive
conductive film
sno
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JP61225351A
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JPS6380413A (ja
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昌宏 平田
雅郎 御園生
秀夫 河原
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、太陽電池用透明導電体に関する。
〔従来の技術〕
近年、ガラス等の透明基体上に透明導電膜を形成し次い
で非晶質シリコン（ａ−Siを主成分とする光電変換素子
を形成し、その後Al等の電極を形成した低コストの太陽
電池が知られている。かかるａ−Si太陽電池は、光電変
換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこ
とからそれを大にするため種々の対策が施されている。
そのひとつとして、フッ素やアンチモン等をドープした
酸化錫を主成分とする低抵抗の透明導電膜が透明電極と
して用いられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、通常ａ−Si膜の形成に用いられるグロー
放電法ではａ−Si膜形成時に透明導電膜が水素プラズマ
にさらされるため、透明導電膜である酸化錫膜表面が還
元され、その結果、可視光透過率の減少、面積抵抗の増
加がおこり、酸化錫を主成分とする透明導電膜を透明電
極として用いた太陽電池では変換効率の向上に限度があ
った。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って太陽電池の変換効率を高めるのに好適な透明導電体
を提供するものである。
すなわち、本発明は、透明基体と、該透明基体表面上に
形成されたフッ素をドープした酸化錫を主成分とする透
明導電膜と、該透明導電膜上に形成されたチタン、亜鉛
及びアンチモンのいずれかの酸化物、またはそれらの混
合酸化物からなる厚さ50Å乃至200Åの透明膜とからな
る太陽電池用透明導電膜である。
本発明において、チタン、亜鉛、及びアンチモンの夫々
の酸化物はTiO2,ZnO,及びSb2O3であることが好ましい。
本発明のフッ素をドープした酸化錫膜はスパッタリング
法、イオンプレーティング法、スプレー熱分解法、及び
CVD法のいずれでも形成でき、低抵抗で、且つ高透明性
を得るには常圧CVD法で形成するのが好ましい。
常圧CVD法によりフッ素をドープした酸化錫膜の形成に
用いることのできる錫原料としてはSnCl4，C4H9SnCl3，
(CH3)2SnCl2，(CnH2n+1)4Sn（ｎ＝１〜４），(CH3)2SnH
2，(C4H9)3SnHおよび(C4H9)2Sn(COOCH3)2等の錫化合物
を用いることができ、ドーパントとしては、CH3CHF2，C
H3CClF2，CHClF2，CHF3，CF2Cl2，CF3Cl，CF3Br等を用
いることができる。
本発明中のTiO2,ZnOまたはSb2O3膜（これらをMeOx膜と
総称する）の形成法としては、蒸着法、スパッタリング
法、スプレー法、CVD法等いずれの方法でもよい。ま
た、MeOx膜に微量の不純物を混入させ、比抵抗を小さく
したもの、例えばZnO膜にAl,In等の３価の不純物を混入
したものを用いることができる。
〔作用〕
本発明はフッ素をドープした酸化錫からなる透明導電膜
上にチタン、亜鉛、及びアンチモンのいずれかの酸化
物、またはそれらの混合酸化物からなる厚さ20Å乃至20
0Åの透明膜を形成したものであるので、該透明膜上に
ａ−Si膜を形成する際の水素プラズマによる該透明導電
膜の劣化を該透明膜により防ぐことができるとともに、
可視光透過率が高い太陽電池用透明導電体を提供でき
る。
〔実施例〕
大きさが50（mm）×50（mm），厚味1.1（mm）の酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥し、ガ
ラス基板とした。
このガラス基板上に以下のようにして、透明導電膜を形
成した。
四塩化錫（無水）の蒸気、水蒸気、酸素ガス、1.1−ジ
フルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整された混合気
体を用い、CVD法により550℃に加熱されたガラス基板上
にフッ素をドープしたSnO2膜（以下SnO2:F膜）を形成し
た。得られたSnO2:F膜の厚みは2000Åであった。
このSnO2:F膜を堆積させたガラスを室温まで徐冷した後
SnO2:F膜上に電子ビーム蒸着法を用いてMeOx膜を形成し
た。蒸着時の真空度は106Torr以下であり、得られたMeO
x膜の厚みは約50Åであった。これら３種の試料を以下T
iO2／SnO2:F,ZnO/SnO2:F,Sb2O3／SnO2:F二層膜と呼ぶ。
また、比較のために、MeOx膜を形成しない厚み2000Åの
SnO2:F膜（以下SnO2:F単層膜と呼ぶ）を上記と同様の方
法で形成した。
これら４種類の試料を平行平板型プラズマCVD装置によ
り圧力5Torr,放電電力密度0.60W/cm2，基板温度300℃の
条件下で、水素プラズマにさらした。放電時間を変え、
試料の可視光透過率を測定した。また、30秒の放電前後
における面積抵抗を測定した。
夫々の測定結果を、第１図及び第１表に示す。
以上の結果により、本発明による透明導電体は従来のも
のに比べ水素プラズマによる可視光透過率の減少、およ
び面積抵抗増加の度合いが小さい。
〔発明の効果〕
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、耐プラズ
マ性に優れた透明導電膜を得ることができる。
また本発明は、太陽電池用透明導電極として好適なもの
であることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の透明導電体と比較例との水素プラズマ
に洒したときの可視光透過率の変化を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−73782（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−216108（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−58874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263610（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透明基体と、該透明基体表面上に形成され
    たフッ素をドープした酸化錫膜からなる透明導電膜と、
    該透明導電膜上に形成されたチタン、亜鉛及びアンチモ
    ンのいずれかの酸化物またはそれらの混合酸化物からな
    る厚さ20Å乃至200Åの透明膜とからなる太陽電池用透
    明導電体。
  2. 【請求項２】前記チタン、亜鉛及びアンチモンの夫々の
    酸化物がTiO2,ZnO,及びSb2O3である特許請求の範囲第１
    項に記載の太陽電池用透明導電体。
JP61225351A 1986-09-24 1986-09-24 透明導電体 Expired - Lifetime JPH0734329B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4516657B2 (ja) * 1999-06-18 2010-08-04 日本板硝子株式会社 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置
JPWO2005027229A1 (ja) * 2003-08-29 2007-11-08 旭硝子株式会社 透明導電膜付き基体およびその製造方法
JP4789131B2 (ja) * 2004-02-27 2011-10-12 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP2021012948A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 Ａｇｃ株式会社 透明電極基板及び太陽電池

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59149607A (ja) * 1983-02-15 1984-08-27 松下電器産業株式会社 透明電極

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1506143B2 (en) † 2002-05-14 2017-12-13 Pilkington North America, Inc. Reflective, solar control coated glass article

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