JPS62211966A - 透明導電膜付き基板 - Google Patents
透明導電膜付き基板Info
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- JPS62211966A JPS62211966A JP61054488A JP5448886A JPS62211966A JP S62211966 A JPS62211966 A JP S62211966A JP 61054488 A JP61054488 A JP 61054488A JP 5448886 A JP5448886 A JP 5448886A JP S62211966 A JPS62211966 A JP S62211966A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化錫を主成分とする二層構造をもった透明導
電膜、特に太陽電池用透明導電膜に関する。
電膜、特に太陽電池用透明導電膜に関する。
近年、透明導電基板に非晶質シリコン（ａ−３ｉ）を用
いた光電変換素子を形成し、次いでＡ７等の電極を形成
した低コストの太＠電池が知られている。
いた光電変換素子を形成し、次いでＡ７等の電極を形成
した低コストの太＠電池が知られている。
かかるａ−８ｉ太＠電池は光電交換効率が他の結晶半導
体を用いた太Ｖ＆電池に比べ低いことから、それを大に
するため種々の対策が施されている。
体を用いた太Ｖ＆電池に比べ低いことから、それを大に
するため種々の対策が施されている。
そのひとつとして、塩素以外のハロゲンを含まない膜厚
０．７μｍ以上の酸化錫膜を透明導電膜に用いることが
提案されている。塩素以外のハロゲンを含まない酸化錫
膜は膜厚を厚くすることにより高透過性を保ちながら面
積抵抗が小さくできるため、膜厚が０．７μｍ以上のも
のを透明導電膜に用いた場合には同じ膜厚のフッ素がド
ープされた酸化錫膜を用いるよりも太陽電池の光電変換
効率が大となる。
０．７μｍ以上の酸化錫膜を透明導電膜に用いることが
提案されている。塩素以外のハロゲンを含まない酸化錫
膜は膜厚を厚くすることにより高透過性を保ちながら面
積抵抗が小さくできるため、膜厚が０．７μｍ以上のも
のを透明導電膜に用いた場合には同じ膜厚のフッ素がド
ープされた酸化錫膜を用いるよりも太陽電池の光電変換
効率が大となる。
しかしながら、塩素以外のハロゲンを含まない酸化錫は
フッ素がドープされた酸化錫膜よりも面積抵抗が大きい
ため、塩素以外のハロゲンを含ま〔問題点を解決するた
めの手段〕 本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って、光電素子の光電変換効率を高めるのに好適な光電
素子用透明導電基板を提供するものである。
フッ素がドープされた酸化錫膜よりも面積抵抗が大きい
ため、塩素以外のハロゲンを含ま〔問題点を解決するた
めの手段〕 本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って、光電素子の光電変換効率を高めるのに好適な光電
素子用透明導電基板を提供するものである。
すなわち、本発明は、高温に加熱した透明基板Ｋｇ化合
物及びフッ素を含む化合物を接触させて熱分解反応によ
り該透明基板上に含フツ素酸化錫を主成分とする透明導
電膜を形成し、さらに、この含フツ素酸化錫膜を堆積し
た透明基板を加熱し、塩素以外のハロゲンを含まず、塩
素を含む錫化合物を接触させるか、又はハロゲンを含ま
ない錫化合物とＨＧｌ等の塩素を含む化合物を接触させ
て熱分解酸化反応により、該含フツ素酸化錫膜上に、塩
素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜を堆積させた二層
構造を有する透明導電膜である。
物及びフッ素を含む化合物を接触させて熱分解反応によ
り該透明基板上に含フツ素酸化錫を主成分とする透明導
電膜を形成し、さらに、この含フツ素酸化錫膜を堆積し
た透明基板を加熱し、塩素以外のハロゲンを含まず、塩
素を含む錫化合物を接触させるか、又はハロゲンを含ま
ない錫化合物とＨＧｌ等の塩素を含む化合物を接触させ
て熱分解酸化反応により、該含フツ素酸化錫膜上に、塩
素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜を堆積させた二層
構造を有する透明導電膜である。
本発明中、塩素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜の形
成に用いることめできる錫化合物は塩素以外のハロゲン
を含まない錫化合物、特に塩素を含む錫化合物が好まし
いが、塩素を含まない錫化合物を用いる場合にはＨＣｌ
等の塩素を含む化合物を原料気体中に混入すればよい。
成に用いることめできる錫化合物は塩素以外のハロゲン
を含まない錫化合物、特に塩素を含む錫化合物が好まし
いが、塩素を含まない錫化合物を用いる場合にはＨＣｌ
等の塩素を含む化合物を原料気体中に混入すればよい。
塩素を含む錫化合物としてはＯ４Ｈｇ５ｎＣＡ３，５ｎ
Ｃ１４及び（ＯＨ３）２Ｓｎ（３Ａ’２等を用いること
ができ、塩素を含まない錫化合物としては（ＯｎＨ２ｎ
−Ｈ）＋Ｓｎ（但しｎ＝／−１）（ＣＨ３）２ＳｎＨ２
１（Ｃ４Ｈ９）３ｓｎＨ１及び（０４Ｈ９）２Ｓｎ（Ｃ
ＯＯＣ：Ｈ３）２ 等を用いることかできる。
Ｃ１４及び（ＯＨ３）２Ｓｎ（３Ａ’２等を用いること
ができ、塩素を含まない錫化合物としては（ＯｎＨ２ｎ
−Ｈ）＋Ｓｎ（但しｎ＝／−１）（ＣＨ３）２ＳｎＨ２
１（Ｃ４Ｈ９）３ｓｎＨ１及び（０４Ｈ９）２Ｓｎ（Ｃ
ＯＯＣ：Ｈ３）２ 等を用いることかできる。
また含フッ素酸化錫膜の形成には、前記全ての錫化合物
を用いることができ、７ン素を含む化合物としてはＣＨ
３０ＨＦ２．０Ｈ３ｃ（ＪＦｚ 、ＣＨ（ＪＦｚ、ＣＨ
Ｆ３ ＋ＣＦ２Ｃｌ１２ｒＣＦ３Ｃ１，０Ｆ３Ｂｒを用
いることができる。
を用いることができ、７ン素を含む化合物としてはＣＨ
３０ＨＦ２．０Ｈ３ｃ（ＪＦｚ 、ＣＨ（ＪＦｚ、ＣＨ
Ｆ３ ＋ＣＦ２Ｃｌ１２ｒＣＦ３Ｃ１，０Ｆ３Ｂｒを用
いることができる。
本発明においで、これらの錫化合物を加熱した透明基板
に接触させて熱分解酸化反応をさせるには錫化合物蒸気
と酸化性ガス及び含フツ素酸化錫膜を形成する場合には
フッ素を含む化合物を高温の透明基板に接触させる気相
化学反応法（ＣＶＤ法）か、錫化合物の溶液をスプレー
で高温の透明基板に吹き付けるスプレー法等により行う
ことができる。中でもｇｏｏ”ｃ−ｘｏｏｏＣに加熱さ
れた透明基板に錫化合物の蒸気及びフッ素を含む化合物
を接触させて、含フツ素酸化錫膜と塩素以外のハロゲン
を含まない酸化錫膜からなる二層構造を有する透明導電
膜を付着させるＣＶＤ法が好んで用いられる。
に接触させて熱分解酸化反応をさせるには錫化合物蒸気
と酸化性ガス及び含フツ素酸化錫膜を形成する場合には
フッ素を含む化合物を高温の透明基板に接触させる気相
化学反応法（ＣＶＤ法）か、錫化合物の溶液をスプレー
で高温の透明基板に吹き付けるスプレー法等により行う
ことができる。中でもｇｏｏ”ｃ−ｘｏｏｏＣに加熱さ
れた透明基板に錫化合物の蒸気及びフッ素を含む化合物
を接触させて、含フツ素酸化錫膜と塩素以外のハロゲン
を含まない酸化錫膜からなる二層構造を有する透明導電
膜を付着させるＣＶＤ法が好んで用いられる。
本発明において、二層構造を有する透明導電膜全体の厚
みは０６μｍ乃至へ〇μｍとするのであるが、特に光電
変換効率を高くするためには全体の膜厚に対するフッ素
を含む酸化錫膜の膜厚の割合を、３０％未満とすること
が望ましい。
みは０６μｍ乃至へ〇μｍとするのであるが、特に光電
変換効率を高くするためには全体の膜厚に対するフッ素
を含む酸化錫膜の膜厚の割合を、３０％未満とすること
が望ましい。
透明導電膜を含フツ素酸化錫膜と塩素以外のハロゲンを
含まない酸化錫膜からなる二層構造とすることにより、
同じ膜厚の含７ツ素酸化錫膜より透過率が高く、また塩
素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜より抵抗の低い透
明導電膜が得られるので、光電素子の変換効率を高める
ことができる。
含まない酸化錫膜からなる二層構造とすることにより、
同じ膜厚の含７ツ素酸化錫膜より透過率が高く、また塩
素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜より抵抗の低い透
明導電膜が得られるので、光電素子の変換効率を高める
ことができる。
大きさが２！； （ｍ＋ｎ）ｘ３０ （ｍｍ） 、厚味
へ／（ｆｌｌｆｆｉ）の酸化珪素被膜付ソーダライムガ
ラスを十分に洗浄、乾燥しガラス基板とした。このガラ
ス基板上に以下のようにして透明導電膜を付着した。
へ／（ｆｌｌｆｆｉ）の酸化珪素被膜付ソーダライムガ
ラスを十分に洗浄、乾燥しガラス基板とした。このガラ
ス基板上に以下のようにして透明導電膜を付着した。
モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、酸素ガス
／、／−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整さ
れた混合気体を用いＣＶＤ法によりｓｓｏ”ｃに加熱さ
れたガラス基板上に含フツ素酸化錫膜を形成した。
／、／−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整さ
れた混合気体を用いＣＶＤ法によりｓｓｏ”ｃに加熱さ
れたガラス基板上に含フツ素酸化錫膜を形成した。
この含フツ素酸化錫膜を堆積させたガラス基板をｓｓｏ
”ｃに加熱し、モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水
蒸気、酸素ガスおよび窒素ガスの調整された混合気体を
用いＣＶＤ法により含７ツ素酸化錫膜上に塩素以外のハ
ロゲンを含まない酸化錫膜を形成した。
”ｃに加熱し、モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水
蒸気、酸素ガスおよび窒素ガスの調整された混合気体を
用いＣＶＤ法により含７ツ素酸化錫膜上に塩素以外のハ
ロゲンを含まない酸化錫膜を形成した。
含フツ素酸化錫膜及び塩素以外のハロゲンを含まない酸
化錫膜を形成する際、それぞれの成膜時間を変えること
で、全体の膜厚がｏ、ｒｓμｍで、全体の膜厚に対する
フッ素を含む酸化錫膜の膜厚の割合Ｘが、／！；、２６
．！；、！；０．６３．７乙、ｊ及び１００パーセント
であるような乙種類の試料を得た。
化錫膜を形成する際、それぞれの成膜時間を変えること
で、全体の膜厚がｏ、ｒｓμｍで、全体の膜厚に対する
フッ素を含む酸化錫膜の膜厚の割合Ｘが、／！；、２６
．！；、！；０．６３．７乙、ｊ及び１００パーセント
であるような乙種類の試料を得た。
これらの試料について、可視光透過率及び面積抵抗を測
定した。第１図及び第、２図に得られた測定結果を示す
。図より明らかなようにＸを変化させることにより透過
率を一定に保ちつつ面積抵抗を小さくすることができる
。
定した。第１図及び第、２図に得られた測定結果を示す
。図より明らかなようにＸを変化させることにより透過
率を一定に保ちつつ面積抵抗を小さくすることができる
。
これらの試料を用いてアモルファスシリコン太陽電池を
以下の手順で作成した。
以下の手順で作成した。
モノシラン（ＳｉＨ４）ガスを主成分とする原料ガスを
用いて／７ｆ：ｌＰａ程度の圧力下で容坦結合型高周波
グロー放電装五により、 １） ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−８ｉＣ：Ｈ
ｒ約０．０ ／！１）１ｆＱ厚） （２）真性や導体層（ａ−８ｌ：Ｈ＋約ｏ 、 ５ μ
ｍ厚）（３ｊ ｎ型半導体層（リンドープのマイクロ
クリスタリンＳｉ（μｃ−８ｉ） ：Ｈ＋約０．０！；
Ｏ／１ｍ厚）をそれぞれ順番に堆積させ、最後にＡｌ電
極（約０．７μｍ厚）を真空中（約／ Ｏ−４Ｐａ ）
で蒸着法により作成した。
用いて／７ｆ：ｌＰａ程度の圧力下で容坦結合型高周波
グロー放電装五により、 １） ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−８ｉＣ：Ｈ
ｒ約０．０ ／！１）１ｆＱ厚） （２）真性や導体層（ａ−８ｌ：Ｈ＋約ｏ 、 ５ μ
ｍ厚）（３ｊ ｎ型半導体層（リンドープのマイクロ
クリスタリンＳｉ（μｃ−８ｉ） ：Ｈ＋約０．０！；
Ｏ／１ｍ厚）をそれぞれ順番に堆積させ、最後にＡｌ電
極（約０．７μｍ厚）を真空中（約／ Ｏ−４Ｐａ ）
で蒸着法により作成した。
上記Ａｌ電極を作成する際基板上に直径２間の穴があい
たマスクをのせておき、直径、２闘の太陽電池をｌ乙ケ
作成した。
たマスクをのせておき、直径、２闘の太陽電池をｌ乙ケ
作成した。
得られた太陽電池にＡＭ／のｔｏｏｍＷ／ｃｒｉの光を
照射し、工ろルギー変換効率を測定した。第３図に得ら
れた測定結果を示す。図より明らかなように、Ｘが５０
％未満で、塩素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜（Ｘ
＝Ｏ）よりもエネルギー変換効率が大きい。
照射し、工ろルギー変換効率を測定した。第３図に得ら
れた測定結果を示す。図より明らかなように、Ｘが５０
％未満で、塩素以外のハロゲンを含まない酸化錫膜（Ｘ
＝Ｏ）よりもエネルギー変換効率が大きい。
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、エイ、ル
ギー変換効率の向上に寄与する太＃ｊ電池凸明導電膜を
得ることかできる。
ギー変換効率の向上に寄与する太＃ｊ電池凸明導電膜を
得ることかできる。
また本発明は、太陽電池以外の光電素子用の透明導電膜
として利用できることは明らかである。
として利用できることは明らかである。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は透
明導電膜の全膜厚に対する含フッ素酸化膜厚比に対する
可視光透過率を示すグラフ、第２図は前記膜厚比に対す
る透明導電膜の面積抵抗を示すグラフ、第３図は前記膜
厚比の透明導電膜を用いた非晶質シリコン太陽電池のエ
ネルギー変換効率（相対値）を示すグラフである。 第１図 全膜厚に対する含フツ素酸化錫膜厚比 （Ｘ’１０）手
続 補 正 書（自 発） 昭和６７年 ヶ月 ７０日
明導電膜の全膜厚に対する含フッ素酸化膜厚比に対する
可視光透過率を示すグラフ、第２図は前記膜厚比に対す
る透明導電膜の面積抵抗を示すグラフ、第３図は前記膜
厚比の透明導電膜を用いた非晶質シリコン太陽電池のエ
ネルギー変換効率（相対値）を示すグラフである。 第１図 全膜厚に対する含フツ素酸化錫膜厚比 （Ｘ’１０）手
続 補 正 書（自 発） 昭和６７年 ヶ月 ７０日
Claims (4)
- （１）フッ素を含む酸化錫を主成分とする透明導電膜と
、フッ素を含まない酸化錫を主成分とする透明導電膜か
らなる二層構造を有する透明導電膜 - （２）透明基板上に設けられたフッ素を含む酸化錫を主
成分とする透明導電膜上にフッ素を含まない酸化錫を主
成分とする透明導電膜からなる特許請求の範囲第１項に
記載の透明導電膜 - （３）透明導電膜全体の膜厚が０．６μｍ乃至／１．０
μｍである特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の透
明導電膜 - （４）透明導電膜全体の膜厚に対するフッ素を含む酸化
錫を主成分とする透明導電膜の膜厚の割合が５０％未満
である特許請求の範囲第３項に記載の透明導電膜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61054488A JPS62211966A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 透明導電膜付き基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61054488A JPS62211966A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 透明導電膜付き基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211966A true JPS62211966A (ja) | 1987-09-17 |
| JPH0571151B2 JPH0571151B2 (ja) | 1993-10-06 |
Family
ID=12972028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61054488A Granted JPS62211966A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | 透明導電膜付き基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62211966A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0290345A2 (fr) * | 1987-05-07 | 1988-11-09 | Saint-Gobain Vitrage International | Film électroconducteur pour élément photovoltaique |
| EP0382632A2 (fr) * | 1989-02-08 | 1990-08-16 | Saint-Gobain Vitrage | Substrat transparent électroconducteur à deux couches d'oxydes métalliques, utile notamment dans des dispositifs opto-électroniques |
| WO2001026161A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication |
| US7585567B2 (en) | 2003-06-17 | 2009-09-08 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Transparent conductive substrate, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element |
| US7718091B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-05-18 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Coating which is applied to substrate, a solar cell, and method for applying the coating to the substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62198169A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 太陽電池 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP61054488A patent/JPS62211966A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| JPH0571151B2 (ja) | 1993-10-06 |
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