JPS59161881A - 光電変換装置作製方法 - Google Patents
光電変換装置作製方法Info
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- JPS59161881A JPS59161881A JP58036849A JP3684983A JPS59161881A JP S59161881 A JPS59161881 A JP S59161881A JP 58036849 A JP58036849 A JP 58036849A JP 3684983 A JP3684983 A JP 3684983A JP S59161881 A JPS59161881 A JP S59161881A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換装置（以下ＰＶＣという）の作製方法
に関する。
に関する。
本発明は透光性基板上に酸化インジュームを主成分とす
る針状の凹凸表面ををする第１の透光性導電膜（以下単
に第１のＣＴＦという）を、基板温度３００〜６５０℃
好ましくは３５０〜５５０ ’Ｃにて形成する工程と、
該第ＩのＣＴＦ上に、酸化スズを生成分とする第２のＣ
ＴＦにＰ型半導体層を有して少な゛くとも１つのＰＩＮ
接合を有せしめた非単結晶半導体を積層して形成する工
程と、該半導体上に第２の電極を形成する工程とを有せ
しめて、高変換効率のｐｖｃを作製する方法に関する。
る針状の凹凸表面ををする第１の透光性導電膜（以下単
に第１のＣＴＦという）を、基板温度３００〜６５０℃
好ましくは３５０〜５５０ ’Ｃにて形成する工程と、
該第ＩのＣＴＦ上に、酸化スズを生成分とする第２のＣ
ＴＦにＰ型半導体層を有して少な゛くとも１つのＰＩＮ
接合を有せしめた非単結晶半導体を積層して形成する工
程と、該半導体上に第２の電極を形成する工程とを有せ
しめて、高変換効率のｐｖｃを作製する方法に関する。
この発明は透光性基板側よりの光入射に対し、その入射
光側の第１の電極を約１０００人（５００〜２０００人
）の大きさを有して設けられた針状電極とし、この凹凸
表面積を従来に比べて５〜１０倍も大きくすることによ
り、そのＣＴＦ−半導体の接触抵抗を小さくせしめるこ
とにより、高効率の光電変換装置を作製することを特徴
上する。
光側の第１の電極を約１０００人（５００〜２０００人
）の大きさを有して設けられた針状電極とし、この凹凸
表面積を従来に比べて５〜１０倍も大きくすることによ
り、そのＣＴＦ−半導体の接触抵抗を小さくせしめるこ
とにより、高効率の光電変換装置を作製することを特徴
上する。
ＣＴＦである酸化インジュームは耐熱性、化学安定性に
欠点を有しながらも、電気伝導度が大きいことに加えて
結晶化しやすく、かつ針状結晶成長を高温でおこす物性
を有する。
欠点を有しながらも、電気伝導度が大きいことに加えて
結晶化しやすく、かつ針状結晶成長を高温でおこす物性
を有する。
他方酸化スズは耐熱性、化学的安定性に優れながらも、
ＣＴＦとしては電気伝導度が小さく、また結晶成長がお
きにくくかつ結晶化しにくいという物性を有する。
ＣＴＦとしては電気伝導度が小さく、また結晶成長がお
きにくくかつ結晶化しにくいという物性を有する。
本発明はこれら双方の物性を互いに補い合い、長所のみ
を導出して、電極としての接触面積を増大させる凹凸表
面を結晶成長させることにより有せしめ、導電性に優れ
、耐熱性、耐化学的安定性にも優れたＣＴＦを基板上特
に透光性絶縁基板上に作製することを基本思想としてい
る。
を導出して、電極としての接触面積を増大させる凹凸表
面を結晶成長させることにより有せしめ、導電性に優れ
、耐熱性、耐化学的安定性にも優れたＣＴＦを基板上特
に透光性絶縁基板上に作製することを基本思想としてい
る。
即ち、酸化スズを１０重量％以下含有する酸化インジュ
ームスズ混合物を含む酸化インジュームを主成分とする
ＣＴＦを本明細書においてはＩＴＯと略記するが、本発
明はかかるＩＴＯが基板上に針状に結晶化して成長しや
すく、特にこれに電子ビーム蒸着方法（蒸着法という）
において、基板温度を３００〜６５０℃好ましくは３５
０〜５５０℃例えば４００°Ｃとして被膜形成を行うと
観察される現象である。
ームスズ混合物を含む酸化インジュームを主成分とする
ＣＴＦを本明細書においてはＩＴＯと略記するが、本発
明はかかるＩＴＯが基板上に針状に結晶化して成長しや
すく、特にこれに電子ビーム蒸着方法（蒸着法という）
において、基板温度を３００〜６５０℃好ましくは３５
０〜５５０℃例えば４００°Ｃとして被膜形成を行うと
観察される現象である。
従来、ＩＴＯの形成を蒸着法で行う場合、形成される被
膜は平坦であることがより好ましいものとされている。
膜は平坦であることがより好ましいものとされている。
このためガラス基板上にはＩＴＯを２５０℃以下の温度
で形成し、平坦な面を作製′シていた。しかしＰｖＣを
作り、かつその光電変換効率を向上させんとする時、こ
の平坦な表面を有するＩＴＯは、半導体との接触抵抗を
下げることができにくくさせ、効率向上に限界を与えて
しまっていた。
で形成し、平坦な面を作製′シていた。しかしＰｖＣを
作り、かつその光電変換効率を向上させんとする時、こ
の平坦な表面を有するＩＴＯは、半導体との接触抵抗を
下げることができにくくさせ、効率向上に限界を与えて
しまっていた。
即ち、第１図は従来の構造のｐｖｃの縦断面図（Ａ）及
びそれに用いられるＩＴＯと酸化スズを主成分とするＣ
ＴＦ（以下単にＳｎＯΩという）とを２層に形成した表
面の電子顕微鏡写真である。
びそれに用いられるＩＴＯと酸化スズを主成分とするＣ
ＴＦ（以下単にＳｎＯΩという）とを２層に形成した表
面の電子顕微鏡写真である。
第１図において、入射光（ｌＯ）はガラス基板（１）上
にＣＴＦ（２）とさらにその上面に積層して設けられた
Ｐ （ＳｉｘＣ＋−ｘ ｘ＝０．８ ）型半導体（約１
００人）−Ｉ型Ｓｉ半導体（４）（約５０００人）−Ｎ
型微結晶Ｓｉ半導体（５）（約２００人）よりなる１つ
のＰＩＮ接合を有する半導体（６）と、さらにその上面
に形成された裏面電極（７）よりなっている。
にＣＴＦ（２）とさらにその上面に積層して設けられた
Ｐ （ＳｉｘＣ＋−ｘ ｘ＝０．８ ）型半導体（約１
００人）−Ｉ型Ｓｉ半導体（４）（約５０００人）−Ｎ
型微結晶Ｓｉ半導体（５）（約２００人）よりなる１つ
のＰＩＮ接合を有する半導体（６）と、さらにその上面
に形成された裏面電極（７）よりなっている。
かかる構造を有せしめることにより、従来構造において
八Ｍ １ （１００ｍＷ／ｃＪ）にて面積を３ｍｍ
×３．５ｍｍ （１，０５ｃＩｉりにおいて９．２％の
最大変換効率を得ることができた。
八Ｍ １ （１００ｍＷ／ｃＪ）にて面積を３ｍｍ
×３．５ｍｍ （１，０５ｃＩｉりにおいて９．２％の
最大変換効率を得ることができた。
しかしかかる程度では太陽光のエネルギー変換装置とし
てはまだ不十分なものであり、さらにその変換効率の向
上が求められていた。
てはまだ不十分なものであり、さらにその変換効率の向
上が求められていた。
第２図は本発明構造を示したものである。
図面において、第２図（Ａ）は本発明構造のｐｖｃの縦
断面図を示す。
断面図を示す。
また第２図（Ｂ）は本発明の針状結晶を有するＣＴＦを
ガラス基板上に形成した場合の表面の電子顕微鏡写真で
ある。
ガラス基板上に形成した場合の表面の電子顕微鏡写真で
ある。
第２図（Ｂ）の写真より明らかなごとく、本発明のＣＴ
Ｆは凹凸の「起伏」が大きく、また１つの凸部を構成す
る薄片は、基板より垂直方向に成長しており、電子線回
折像を調べると明らかなように、結晶化成長がなされた
ものであることが判明した。
Ｆは凹凸の「起伏」が大きく、また１つの凸部を構成す
る薄片は、基板より垂直方向に成長しており、電子線回
折像を調べると明らかなように、結晶化成長がなされた
ものであることが判明した。
またこの針状の凸部は約１０００人の大きさを有し薄片
が垂直に林立したものであった。
が垂直に林立したものであった。
この写真は基板温度を高くすると凹凸部の起伏は大きく
なったが、その上面からの大きさは、約１０００人（５
００〜２０００人）と概略同じであった。
なったが、その上面からの大きさは、約１０００人（５
００〜２０００人）と概略同じであった。
また、ガラス基板上に３１１０２膜のみを形成した場合
は、第１図（Ｂ）、第２図（Ｂ）の如き粒状を呈するこ
となく、きわめて平坦な表面を有する被膜であった。そ
れは３００００倍に拡大しても、また酸化スズを蒸着後
５００〜６０．０℃で大気中にて焼成しても、鱗状、粒
状のパターンを有することなく、ミクロに平坦性のパタ
ーンに変化は見られなかった。このことより、ＳｎＯ２
は結晶化しにくいものであり、凹凸表面を有する下地の
上面にその保護膜としてカバーさせることがきわめて優
れたものであることが判明した。
は、第１図（Ｂ）、第２図（Ｂ）の如き粒状を呈するこ
となく、きわめて平坦な表面を有する被膜であった。そ
れは３００００倍に拡大しても、また酸化スズを蒸着後
５００〜６０．０℃で大気中にて焼成しても、鱗状、粒
状のパターンを有することなく、ミクロに平坦性のパタ
ーンに変化は見られなかった。このことより、ＳｎＯ２
は結晶化しにくいものであり、凹凸表面を有する下地の
上面にその保護膜としてカバーさせることがきわめて優
れたものであることが判明した。
また第２図（Ｂ）にＩＴＯを５００〜３０００人好まし
くは１５００〜２０００人の平均厚さ、例えば１６００
人の平均厚さに形成し、さらにその上に５ｎＯｚを３０
０人の平均厚さに積層したものである。
くは１５００〜２０００人の平均厚さ、例えば１６００
人の平均厚さに形成し、さらにその上に５ｎＯｚを３０
０人の平均厚さに積層したものである。
しかしこの５ｎＯａを形成させず、ＩＴＯのみとしても
第２図（Ｂ）と全く同じ形状を有していることが電子顕
微鏡写真より判明した。
第２図（Ｂ）と全く同じ形状を有していることが電子顕
微鏡写真より判明した。
さらに本発明においては、第２図（Ｂ）に示されるＣＴ
Ｆを用いて第２図（Ａ）のＰｖＣを作製した。
Ｆを用いて第２図（Ａ）のＰｖＣを作製した。
即ち、透光性基板（１）上にＩＴＯを３００〜６００℃
好ましくは３５０〜５５０℃、例えば４００℃の温度に
て、ＩＴＯを０．１〜１０人／ｓｅｃ例えば０．３人／
ｓｅｃの成長速度にて平均厚さ１８００人の厚さに電子
ビーム蒸着法により形成した。真空度はＩ Ｘ １０’
ｔｏｒｒであった。さらにこの上面に酸化スズを１０
０〜４００℃の温度、例えば２００℃の温度にて、平均
厚さ３００人に電子ビーム蒸着法により形成させた。
好ましくは３５０〜５５０℃、例えば４００℃の温度に
て、ＩＴＯを０．１〜１０人／ｓｅｃ例えば０．３人／
ｓｅｃの成長速度にて平均厚さ１８００人の厚さに電子
ビーム蒸着法により形成した。真空度はＩ Ｘ １０’
ｔｏｒｒであった。さらにこの上面に酸化スズを１０
０〜４００℃の温度、例えば２００℃の温度にて、平均
厚さ３００人に電子ビーム蒸着法により形成させた。
ＩＴＯを形成させた後、このＩＴＯを３５０〜７００℃
例えば５２０℃、１００〜８００ ｔｏｒｒ例えば７６
０ｔｏｒｒの酸化雰囲気例えば大気圧で空気中にて焼成
（例えば２時間）することは、針状凸部を高密度化して
固くすることに有効であった。
例えば５２０℃、１００〜８００ ｔｏｒｒ例えば７６
０ｔｏｒｒの酸化雰囲気例えば大気圧で空気中にて焼成
（例えば２時間）することは、針状凸部を高密度化して
固くすることに有効であった。
これにはこのＣＴＦよりなる第２の電極を形成した後、
半導体層を積層するに際し、この針状部が折れ、破片と
して半導体中に混入し、上下電極を短絡（ショート）さ
せてしまうという歩留り低下を防ぐことができ、工業上
きわめて重要であった。
半導体層を積層するに際し、この針状部が折れ、破片と
して半導体中に混入し、上下電極を短絡（ショート）さ
せてしまうという歩留り低下を防ぐことができ、工業上
きわめて重要であった。
かかる工程により第２図（Ａ）のＣＴＦ（２）に示す如
く、凹凸の針状表面を存するＣＴＦを作ることができた
。
く、凹凸の針状表面を存するＣＴＦを作ることができた
。
さらにこの上面に公知の方法により非単結晶半導体を用
いて、Ｐ型半導体層が密接したＰＩＮ接合を少なくとも
一つ有する半導体（６）を形成した。
いて、Ｐ型半導体層が密接したＰＩＮ接合を少なくとも
一つ有する半導体（６）を形成した。
即ちＰＣＶＤ法によりＰ型５ｉｘＣ１４（ｘ ＝ｏ、ａ
） （約１００人Ｘ３）−１型Ｓｉ半導体（約５０
００人＞＜４）−Ｎ型微結晶Ｓｉ半導体（約２００人）
（５）をそれぞれを独立した反応炉を用いたマルチチャ
ンバ一方式にて作製した。
） （約１００人Ｘ３）−１型Ｓｉ半導体（約５０
００人＞＜４）−Ｎ型微結晶Ｓｉ半導体（約２００人）
（５）をそれぞれを独立した反応炉を用いたマルチチャ
ンバ一方式にて作製した。
この時、半導体中には酸素濃度をｐ、ＩＪｉｔに関して
はＩ Ｘ １０′Ｂｃｍ−”以下好ましくはｌ Ｘ １
０１′１ｃｍ−’以下とさせ、Ｉ型半導体層の結晶学的
構造がいわゆるアモルファス構造ををせしめるのではな
く、セミアモルファス半導体、即ち一部に結晶性または
秩序性を含有せしめた方がホールおよび電子の移動が速
く、電気的特性向上を図ることができた。
はＩ Ｘ １０′Ｂｃｍ−”以下好ましくはｌ Ｘ １
０１′１ｃｍ−’以下とさせ、Ｉ型半導体層の結晶学的
構造がいわゆるアモルファス構造ををせしめるのではな
く、セミアモルファス半導体、即ち一部に結晶性または
秩序性を含有せしめた方がホールおよび電子の移動が速
く、電気的特性向上を図ることができた。
さらにＮ型半導体においては、半導体中の酸素濃度をＩ
Ｘ １０’ Ｃｍ’以下にすることがより結晶化をさ
せやすく好ましかった。
Ｘ １０’ Ｃｍ’以下にすることがより結晶化をさ
せやすく好ましかった。
さらにこの上面に裏面電極を形成した。即ち、１００〜
２５０℃例えば１５０℃にて平均膜厚約１０５０人とし
た平坦な表面を有するＩＴＯを電子ビーム法で形成し、
アルミニュームを５００〜３０００人、例えば２０００
人の厚さに真空蒸着法により形成した。
２５０℃例えば１５０℃にて平均膜厚約１０５０人とし
た平坦な表面を有するＩＴＯを電子ビーム法で形成し、
アルミニュームを５００〜３０００人、例えば２０００
人の厚さに真空蒸着法により形成した。
するとそのＡＭＩにおいて３ｍｍ Ｘ３．５ｍｍ （
１，０５ｃｆｆｌ）の面積において１２．８％を得るこ
とができた。
１，０５ｃｆｆｌ）の面積において１２．８％を得るこ
とができた。
即ち本発明においては、光照射側のＣＴＦの表面はＰ型
半導体と相性のよい酸化スズを主成分とした被膜を有し
、針状の凹凸表面とすることによりこのＰ型半導体特に
好ましくは窒化珪素との界面における接触面積を１０〜
１００倍にすることによりその接触抵抗を少な（し、ひ
いては１１ＶＣ全体の直列抵抗をさげることにより従来
よりも２〜３％の変換効率の向上をさせることができた
。
半導体と相性のよい酸化スズを主成分とした被膜を有し
、針状の凹凸表面とすることによりこのＰ型半導体特に
好ましくは窒化珪素との界面における接触面積を１０〜
１００倍にすることによりその接触抵抗を少な（し、ひ
いては１１ＶＣ全体の直列抵抗をさげることにより従来
よりも２〜３％の変換効率の向上をさせることができた
。
本発明において、光入射面側のＣＴＦを凹凸表面にする
ことは、この接触抵抗を下げることに加えて、入射下光
の半導体内での光路長を長くすることができるという他
の特長をも合わせをすることができることが推定できる
。
ことは、この接触抵抗を下げることに加えて、入射下光
の半導体内での光路長を長くすることができるという他
の特長をも合わせをすることができることが推定できる
。
以下に本発明をさらに補足するため、その実施例を示す
。
。
実施例１
第２図（Ａ）は本発明の縦断面図を示す。
図面ではＡＲ処理がなされた白板ガラス（厚さは１．１
ｍｍ Ｘ １ ）上にＩＴＯを４００℃の温度にて平均
厚さ１５００人に電子ビーム蒸着方法にて形成した。さ
らにこの上面に酸化スズを２００°Ｃの温度にて平均厚
さ３００人にて同様に電子ビーム蒸着法により形成した
。
ｍｍ Ｘ １ ）上にＩＴＯを４００℃の温度にて平均
厚さ１５００人に電子ビーム蒸着方法にて形成した。さ
らにこの上面に酸化スズを２００°Ｃの温度にて平均厚
さ３００人にて同様に電子ビーム蒸着法により形成した
。
この後、この基体（基板及びＣＴＦ）を５２０℃にて２
時間大気中で焼成して酸化スズの導電性を向上させた。
時間大気中で焼成して酸化スズの導電性を向上させた。
この２層構造のＣＴＦのシート抵抗は３５Ω／口であう
で、このＣＴＦの表面の電子顕微鏡写真を第２゜図（Ｂ
）にしめす。
で、このＣＴＦの表面の電子顕微鏡写真を第２゜図（Ｂ
）にしめす。
この後このマルチチャンバ一方式のＰＣＶＤ法によりＰ
型半導体を５ｉｘＣ，１−ｚ（０＜ ｘ ＜ １ ）を
形成するため、シラン１０ｃｃ／分、メタン１ｏｃｃ／
分（ＣＩ−１４／５ｉｌ（１−１、八Ｈ７（Ｓ ｉ Ｈ
４＋ ＣＨｓ ） −０、５％）、基板温度２１０℃、
反応圧力０．１ ｔｏｒｒ、高周波１３．５６ＭＨ２，
２０Ｗとして、約１００人の厚さに形成した。
型半導体を５ｉｘＣ，１−ｚ（０＜ ｘ ＜ １ ）を
形成するため、シラン１０ｃｃ／分、メタン１ｏｃｃ／
分（ＣＩ−１４／５ｉｌ（１−１、八Ｈ７（Ｓ ｉ Ｈ
４＋ ＣＨｓ ） −０、５％）、基板温度２１０℃、
反応圧力０．１ ｔｏｒｒ、高周波１３．５６ＭＨ２，
２０Ｗとして、約１００人の厚さに形成した。
この５ｉｘＣはＸ＝０．８になり、光学的エネルギーバ
ンド巾は２．Ｏｅνを有し、ｃ ｄ ＝ ２ ×１０−
’ （Ωｃｍ）−’σｐｈ ＝ ２ Ｘ １０−” （
Ｏｃｍ）−’を有していた。
ンド巾は２．Ｏｅνを有し、ｃ ｄ ＝ ２ ×１０−
’ （Ωｃｍ）−’σｐｈ ＝ ２ Ｘ １０−” （
Ｏｃｍ）−’を有していた。
さらにこのＰ型半導体層を形成した後、隣の反応炉に基
板を移設し、シランを２０ｃｃ ／分にて２１０℃でＱ
、 ｌ ｔｏｒｒで半導体層を形成した。
板を移設し、シランを２０ｃｃ ／分にて２１０℃でＱ
、 ｌ ｔｏｒｒで半導体層を形成した。
この時、この中にホウ素を０．５ＰＰＦＩ添加して、ホ
ール移動度を向上させた。またこのＳｉ半導体中には酸
素はＩ ＸＩＯ′ｌｃｇ−ヨ以下であり、２ Ｘ １０
１１０１ｌ”をＳＩＭＳのデータは示していた。
ール移動度を向上させた。またこのＳｉ半導体中には酸
素はＩ ＸＩＯ′ｌｃｇ−ヨ以下であり、２ Ｘ １０
１１０１ｌ”をＳＩＭＳのデータは示していた。
かくしてＩ型半導体層を約０．５μの厚さに形成した。
Ｎ型半導体層は５ｆＨ４／ Ｈ２＝５ｃｃ分／１００ｃ
ｃ分として基板は２１０℃、高周波（１３，５６Ｍ）ｌ
ｚ） 、出力１０Ｗとして作製した。σ＝１〜１０（Ω
ｃ ｍ ＞”を有していた。
ｃ分として基板は２１０℃、高周波（１３，５６Ｍ）ｌ
ｚ） 、出力１０Ｗとして作製した。σ＝１〜１０（Ω
ｃ ｍ ＞”を有していた。
か（して得られたｐｖｃの最高変換効率特性を従来例と
比較すると以下の如くである。
比較すると以下の如くである。
従来例 本発明
開放電圧Ｖｏｃ （Ｖ） ０．９１ ０．
９２短絡電流Ｉｓｃ （ｎ＋Ａ／ ＯＡ） １６．３
１９．６曲線因子 （％）６２７１ 変換効率 （％） ９．２ １２．８上記
データは面積３ｍｍ Ｘ３．５ ｍｍ （１，０５ｃＪ
）においてＡＰＩＩ （１００ｍＷ ／ｃｍ）を照射
して室温での効果である。
９２短絡電流Ｉｓｃ （ｎ＋Ａ／ ＯＡ） １６．３
１９．６曲線因子 （％）６２７１ 変換効率 （％） ９．２ １２．８上記
データは面積３ｍｍ Ｘ３．５ ｍｍ （１，０５ｃＪ
）においてＡＰＩＩ （１００ｍＷ ／ｃｍ）を照射
して室温での効果である。
このことより本発明は従来方法に比べて３．６％もたか
く、さらにその効率が１０％の大台を大きく越えたとい
うきわめて工業上有効なものであった。
く、さらにその効率が１０％の大台を大きく越えたとい
うきわめて工業上有効なものであった。
実施例２
この実施例は実施例１と同一処理工程に加えて第１のＣ
ＴＦを形成した後、このＣＴＦのＩＴＯを大気反応系中
５２０℃にて２時間焼成した。さらにこの後第２のＣＴ
ＦおよびＰＩＮ接合を１つ有する半導体層を実施例１と
同様に形成した。
ＴＦを形成した後、このＣＴＦのＩＴＯを大気反応系中
５２０℃にて２時間焼成した。さらにこの後第２のＣＴ
ＦおよびＰＩＮ接合を１つ有する半導体層を実施例１と
同様に形成した。
その結果、得られた特性は以下の通りである。
即ち、実施例１においては最高変換効率１２．８％を得
たが、同時同一ロフト内にサンプル数１０（１，０５ｃ
ｄ）にて短絡してしまい、１％しか効率が出ないのが２
個もあり、平均効率も６．８％しか得られなかった。
たが、同時同一ロフト内にサンプル数１０（１，０５ｃ
ｄ）にて短絡してしまい、１％しか効率が出ないのが２
個もあり、平均効率も６．８％しか得られなかった。
しかし他方本実施例においては、最高最高変換効率は１
１．７％であった。しかし最低においても９．０％であ
り、平均１０．７％を平均変換効率で得ることがｎ＝１
０にてできた。これは実施例１においては工程が簡単で
あるという特長を有するが、この針状片が半導体中に超
微少の破片となって混入しやすく、歩留りを低下させる
という欠点を有していた。しかしこの実施例においては
ＩＴＯを焼成して固くしたため、不良サンプルがなくな
り、高い歩留りを得ることができた。
１．７％であった。しかし最低においても９．０％であ
り、平均１０．７％を平均変換効率で得ることがｎ＝１
０にてできた。これは実施例１においては工程が簡単で
あるという特長を有するが、この針状片が半導体中に超
微少の破片となって混入しやすく、歩留りを低下させる
という欠点を有していた。しかしこの実施例においては
ＩＴＯを焼成して固くしたため、不良サンプルがなくな
り、高い歩留りを得ることができた。
これは工業化の際の多量生産性また大面積化を行う場合
きわめて有効なものである。
きわめて有効なものである。
以上の結果より本発明は従来に比べて光電変換効率の特
性を３０％近くも大きく向上させることができ、加えて
その製造工程が従来に比べてわずかの製造条件の調整で
大きな特性向上が成就出来るという大きな特長を有して
いた。
性を３０％近くも大きく向上させることができ、加えて
その製造工程が従来に比べてわずかの製造条件の調整で
大きな特性向上が成就出来るという大きな特長を有して
いた。
なお本発明のこれまでの説明においては基板表面は平坦
として示した。しかしこの基板表面を０，５〜５μのピ
ッチを有する鋸状の表面（テクスチャー構造）とせしめ
、この鋸状の望み角を４５〜９０゛好ましくは６０〜７
０°にすることにより、入射光の基板とＣＴＦとの界面
での反射をも複反対をさせることにより、合わせて反射
を減少させ、入射光の有効利用をさらに高めることも可
能である。
として示した。しかしこの基板表面を０，５〜５μのピ
ッチを有する鋸状の表面（テクスチャー構造）とせしめ
、この鋸状の望み角を４５〜９０゛好ましくは６０〜７
０°にすることにより、入射光の基板とＣＴＦとの界面
での反射をも複反対をさせることにより、合わせて反射
を減少させ、入射光の有効利用をさらに高めることも可
能である。
即ち基板をマクロなピンチでの凹凸表面を有せしめ、さ
らにこの表面にミクロなピッチで本発明の凹凸表面を有
するＣＴＦとすることにより、ＰｖＣとしての変換効率
をさらに１〜２％向上させ得る。
らにこの表面にミクロなピッチで本発明の凹凸表面を有
するＣＴＦとすることにより、ＰｖＣとしての変換効率
をさらに１〜２％向上させ得る。
第１図は従来の発明をしめし、（Ａ）は光電変換装置の
縦断面図を示す。（Ｂ）は従来の実施例によって得られ
た透光性導電膜の譜雅匁工伏奎丞１電子顕微鏡写真であ
る。 第２図は本発明を示し、（Ａ）は本発明の光電変換装置
の縦断面をしめす。（Ｂ）は本発明の実施例において得
られた透光性導電膜の蚤廠Ω長状１丞１電子線回折の電
子顕微鏡写真である。 鷲２０ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８年特許願第０３６８４９号 ２、発明の名称 光電変換装置作製方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、補正命令の日付 昭和５８年６月８日 （発送日 昭和５８年６月２８日） ５、補正の対象 願書および明細書 ６、補正の内容
縦断面図を示す。（Ｂ）は従来の実施例によって得られ
た透光性導電膜の譜雅匁工伏奎丞１電子顕微鏡写真であ
る。 第２図は本発明を示し、（Ａ）は本発明の光電変換装置
の縦断面をしめす。（Ｂ）は本発明の実施例において得
られた透光性導電膜の蚤廠Ω長状１丞１電子線回折の電
子顕微鏡写真である。 鷲２０ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８年特許願第０３６８４９号 ２、発明の名称 光電変換装置作製方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、補正命令の日付 昭和５８年６月８日 （発送日 昭和５８年６月２８日） ５、補正の対象 願書および明細書 ６、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、透光性基板上に酸化インジュームを主成分とする針
状凹凸主面を有する第１の透光性導電膜を前記基板温度
を３００〜６５０℃にて形成する工程と、前記導電膜上
に酸化スズを主成分とする第２の透光性導電膜膜を形成
する工程とを有せしめて第１の電極を形成する工程と、
該電極上にＰ型”半導体層が密接したＰＩＮ接合を少な
くとも１つ有する非単結晶半導体を積層して形成する工
程と、該半導体上に第２の電極を形成する工程とを有す
ることを特徴とする光電変換装置装置作製方法。 ２、透光性基板上に酸化インジュームを主成分とする針
状凹凸主面を有する第１の透光性導電膜を前記基板温度
を３００〜６５０℃にて形成する工程と、酸化雰囲気中
にて３５０〜７００℃にて焼成する工程と、前記導電股
上に酸化スズを主成分とする第２の透光性導電膜膜を形
成する工程とを有せしめて第１の電極を形成する工程と
、該電極上にＰ型半導体層が密接したＰＩＮ接合を少な
くとも１つ有する非単結晶半導体を積層して形成する工
程と、該半導体上に第２の電極を形成する工程とを有す
ることを特徴とする光電変換装置装置作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において針状の
凸部が約１０００人の大きさを有して凹凸表面を有する
透光性導電膜を電子ビーム蒸着法により形成せしめたこ
とを特徴とする光電変換装置作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036849A JPS59161881A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 光電変換装置作製方法 |
| GB08405916A GB2139421B (en) | 1983-03-07 | 1984-03-07 | Semiconductor photoelectric conversion device and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036849A JPS59161881A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 光電変換装置作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161881A true JPS59161881A (ja) | 1984-09-12 |
| JPH0558268B2 JPH0558268B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=12481209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58036849A Granted JPS59161881A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 光電変換装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161881A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240166A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| JPS6196775A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS61216489A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| EP0234222A2 (en) * | 1986-02-25 | 1987-09-02 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Solar battery |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157578A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Active crystalline silicon thin film photovoltaic element |
| JPS5814582A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP58036849A patent/JPS59161881A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157578A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Active crystalline silicon thin film photovoltaic element |
| JPS5814582A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240166A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| JPH0510835B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1993-02-10 | Taiyo Yuden Kk | |
| JPS6196775A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPH0564472B2 (ja) * | 1984-10-17 | 1993-09-14 | Sanyo Electric Co | |
| JPS61216489A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US4694116A (en) * | 1985-03-22 | 1987-09-15 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Thin-film solar cell |
| EP0234222A2 (en) * | 1986-02-25 | 1987-09-02 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Solar battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558268B2 (ja) | 1993-08-26 |
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