JPS5814582A - 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 - Google Patents
高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池Info
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- JPS5814582A JPS5814582A JP56112571A JP11257181A JPS5814582A JP S5814582 A JPS5814582 A JP S5814582A JP 56112571 A JP56112571 A JP 56112571A JP 11257181 A JP11257181 A JP 11257181A JP S5814582 A JPS5814582 A JP S5814582A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 10
- 229910006992 Si1-xCx Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明灯、高効率のアモルファスシリコン系太陽電池に
関する。
関する。
シラン（８１Ｈ４）のプラズ！゛分解法で得られるアモ
ルファスシリコンｔ’ｉｓ Ｗ、Ｅｅ８ｐｅａｒ 尋ｐ
ｃ工って、Ｐ１！、やｎ、 ｎ、でドープする事に工り
、その伝導縦を太き（変える事ができる仁とが発見され
（１９７６年） 、Ｄ、１．０ａｒｌｓｏｎ４％によっ
てアモルファスシリコンを用いた太陽電池が試作（１９
７６年）されて以来注＠管集め、アモルファスシリコン
薄膜太陽電池の効率を改善する研究が活発に行なわれて
いる。
ルファスシリコンｔ’ｉｓ Ｗ、Ｅｅ８ｐｅａｒ 尋ｐ
ｃ工って、Ｐ１！、やｎ、 ｎ、でドープする事に工り
、その伝導縦を太き（変える事ができる仁とが発見され
（１９７６年） 、Ｄ、１．０ａｒｌｓｏｎ４％によっ
てアモルファスシリコンを用いた太陽電池が試作（１９
７６年）されて以来注＠管集め、アモルファスシリコン
薄膜太陽電池の効率を改善する研究が活発に行なわれて
いる。
これまでの研究に工り、アモルファスシリコン薄膜光電
素子の構造としてはショットキーバリヤー型、 ｐｉｎ
型、ＭＩＳ型、ヘテロ接合型があり、そのうち前王者が
高効率太陽電池として有望視されている。すな、わちシ
ョットキーバリヤー溜で５．５％ （Ｄ、！、カールソ
ン他、１９７７年）、Ｍｉｓ型で４．８％ （Ｊ、■、
Ｂ、クィルソン他％１９７８）、Ｐｊｎ１３１で４．５
％ｉ浜川圭用 １９７ｇ）の変換効率が達成されている
。
素子の構造としてはショットキーバリヤー型、 ｐｉｎ
型、ＭＩＳ型、ヘテロ接合型があり、そのうち前王者が
高効率太陽電池として有望視されている。すな、わちシ
ョットキーバリヤー溜で５．５％ （Ｄ、！、カールソ
ン他、１９７７年）、Ｍｉｓ型で４．８％ （Ｊ、■、
Ｂ、クィルソン他％１９７８）、Ｐｊｎ１３１で４．５
％ｉ浜川圭用 １９７ｇ）の変換効率が達成されている
。
ｐ１ｎジャンクション型太陽電池の場合、光を入射する
側に透明電極をつける必要があり、透明電極として工Ｔ
ｏ（Ｉｎ、０３＋ＪｉｎＯ１）や８ｎＯ，が用いらｈて
きた。しかしながら、Ｉ丁００場合灯フイルファクター
は良いが開放電圧が低（，８ｎＯ１の場合は開放電圧は
大きいが、フィルファクターが悪いという欠点があった
。
側に透明電極をつける必要があり、透明電極として工Ｔ
ｏ（Ｉｎ、０３＋ＪｉｎＯ１）や８ｎＯ，が用いらｈて
きた。しかしながら、Ｉ丁００場合灯フイルファクター
は良いが開放電圧が低（，８ｎＯ１の場合は開放電圧は
大きいが、フィルファクターが悪いという欠点があった
。
本発明考は、ｐｉｎ ｍ光電変換の効率を改善する為に
鋭意研究した結果、ＩＴＯ−８ｎＯ，−ｐ−１−ｎ 又
はＸテ０−８ｎＯ１−ｎ−１−ｐの構造で、かつ８ｎＯ
１の厚みが約５０ムから５００ムであるアモルファスシ
リコン系太陽電池の構造を用いる事ＫＡリフィルファク
ターと開放電圧と−を大巾に改善できることを見い出し
几もので、太陽電池や光スィッチ等の光起電力素子とし
て用いることができる。
鋭意研究した結果、ＩＴＯ−８ｎＯ，−ｐ−１−ｎ 又
はＸテ０−８ｎＯ１−ｎ−１−ｐの構造で、かつ８ｎＯ
１の厚みが約５０ムから５００ムであるアモルファスシ
リコン系太陽電池の構造を用いる事ＫＡリフィルファク
ターと開放電圧と−を大巾に改善できることを見い出し
几もので、太陽電池や光スィッチ等の光起電力素子とし
て用いることができる。
以下にその詳細を説明する。
不発明のアモルファスシリコンは、シラン（ｓｔｎ、）
又ヰその誘導体又はフッ化シラン又はその誘導体、又汀
これらの混合物と、水素又は水素で希釈し几アルゴン、
ヘリウム等の不活性ガスとの混合ガスを、容量結合法又
は誘導結合法による高周波グロー分解又は直流グロー放
電分解するＣとに工り得られる。混合ガス中のシランの
濃Ｋ１−１．通常０．５〜ＳＯ１，＊ｌしくａｔ 〜２
０％”ｔａｂ。
又ヰその誘導体又はフッ化シラン又はその誘導体、又汀
これらの混合物と、水素又は水素で希釈し几アルゴン、
ヘリウム等の不活性ガスとの混合ガスを、容量結合法又
は誘導結合法による高周波グロー分解又は直流グロー放
電分解するＣとに工り得られる。混合ガス中のシランの
濃Ｋ１−１．通常０．５〜ＳＯ１，＊ｌしくａｔ 〜２
０％”ｔａｂ。
基板の−［ｔｌｊ２００〜３０Ｇ’Ｃが好ましく、透明
電極を蒸着したガラス中高分子フィルム、金属等、太陽
電池の構ＩＩｔＫ必要なあらゆる基板が含まれる。
電極を蒸着したガラス中高分子フィルム、金属等、太陽
電池の構ＩＩｔＫ必要なあらゆる基板が含まれる。
太陽電池の基本構Ｉｌｔは、図−１の（ａ） ａ （ｂ
３ Ｋ代表例が示される。（ａ）ｔｊｐ側から光管照射
するタイプで、例えばガラス−ＩＴＯ−８ｎＯ１−ｐ−
１−ｎ−ム１の構成、（旬はｎｌｌ１から光を照射する
タイプで１例えばステンレス−ｐ−１−ｎ−８ｎＯ１−
！！００構成である。その他、ｐ層と透明電極の間に薄
い絶縁層をっけたり。
３ Ｋ代表例が示される。（ａ）ｔｊｐ側から光管照射
するタイプで、例えばガラス−ＩＴＯ−８ｎＯ１−ｐ−
１−ｎ−ム１の構成、（旬はｎｌｌ１から光を照射する
タイプで１例えばステンレス−ｐ−１−ｎ−８ｎＯ１−
！！００構成である。その他、ｐ層と透明電極の間に薄
い絶縁層をっけたり。
薄い金属層をつけた構造でも工い。ｌｌＩは■Ｔｏ−８
ｎＯ，−ｐ−１−ｎ又はエテ０−８ｎＯ１−ｎ−４−ｐ
の構造で、：！）” り８ ｎＯＯＦ２厚みが約５ｏＡ
ｔｌｈら５００ Ａ？あるアモルファスシリコン系太陽
電池を基本とするものであればいかなる構成でもよい。
ｎＯ，−ｐ−１−ｎ又はエテ０−８ｎＯ１−ｎ−４−ｐ
の構造で、：！）” り８ ｎＯＯＦ２厚みが約５ｏＡ
ｔｌｈら５００ Ａ？あるアモルファスシリコン系太陽
電池を基本とするものであればいかなる構成でもよい。
シラン若しくはその誘導体、又はフッ化シラン若しくｒ
ｉその誘導体、Ｘａｃｈらの混合物のグロー放電分解で
得られる約１０’″１秒以上のキャリヤー寿命て約１０
”ｅｘ−” ｅマー１以下の局在単位密度および１０″
”ａｓ”７１以上の異動度をｔつ真性アモルファスシリ
コン（以下、 、 ｉ ｆｉｌ ａ−５ｉという）を１
層として％ＰＩ！とｎＪｌｌドープ半導体で接合し７ｔ
ｐｉｎ接合構造にするわけであるが、本発明では好まし
くｆｌｐ層ｘＨｎ層の少なくとも一方、すなわち、すく
なくと４８ｎＯ１ｊ接する側に１好ましくは＾般式％式
％ ａ−８１（、−７）１７で示されるアモルファス半導体
（以下、特定アモルファス半導体という）音用いるのが
１い、勿論ｐ層とｎ層の両方に用いてｔ１埴。
ｉその誘導体、Ｘａｃｈらの混合物のグロー放電分解で
得られる約１０’″１秒以上のキャリヤー寿命て約１０
”ｅｘ−” ｅマー１以下の局在単位密度および１０″
”ａｓ”７１以上の異動度をｔつ真性アモルファスシリ
コン（以下、 、 ｉ ｆｉｌ ａ−５ｉという）を１
層として％ＰＩ！とｎＪｌｌドープ半導体で接合し７ｔ
ｐｉｎ接合構造にするわけであるが、本発明では好まし
くｆｌｐ層ｘＨｎ層の少なくとも一方、すなわち、すく
なくと４８ｎＯ１ｊ接する側に１好ましくは＾般式％式
％ ａ−８１（、−７）１７で示されるアモルファス半導体
（以下、特定アモルファス半導体という）音用いるのが
１い、勿論ｐ層とｎ層の両方に用いてｔ１埴。
仁れらの特定アモルファス半導体については。
本発明省らの発明に係り、本ＥＩＦＩＪ時に出願した特
鵬１８５６− 号、並びに先に出願した特願昭
５６−１２３１３ ”ｊ ＊特願昭５６−２２６９０号
音参照のこと。又特定アモルファス半導体を用本発明の
ＩＴＯＩ［ｒｉ３〜ｌ ５ ｗｔ ％ ｆ） ＢｎＯＢ
ｆ含むＸｒｓｇＯｇｆ電子ビーム蒸着又ねスパッタＳ
着して作られる。又本発明の８ｎＯ１膜は虐當少量の８
ｂをドープしたもので、電子ビーム蒸着、スパッタ蒸着
又灯（ｆｆＤ Ｋ 、、Ｕつで製膜さ九る。
鵬１８５６− 号、並びに先に出願した特願昭
５６−１２３１３ ”ｊ ＊特願昭５６−２２６９０号
音参照のこと。又特定アモルファス半導体を用本発明の
ＩＴＯＩ［ｒｉ３〜ｌ ５ ｗｔ ％ ｆ） ＢｎＯＢ
ｆ含むＸｒｓｇＯｇｆ電子ビーム蒸着又ねスパッタＳ
着して作られる。又本発明の８ｎＯ１膜は虐當少量の８
ｂをドープしたもので、電子ビーム蒸着、スパッタ蒸着
又灯（ｆｆＤ Ｋ 、、Ｕつで製膜さ九る。
第１図（−の透明基板ＩＫつける場合輻、例えばガラス
板の上にエテ０膜を蒸着し、さらに８ｎＯ１膜を３０ム
ｌ〜５ＧＯＡの厚みにりけて用いられる。
板の上にエテ０膜を蒸着し、さらに８ｎＯ１膜を３０ム
ｌ〜５ＧＯＡの厚みにりけて用いられる。
エテａｌｌの厚みは任意であるが６００ム〜４０００Ｘ
が好ましい。特に６０Ｇ−４０００ムが好ましい。
が好ましい。特に６０Ｇ−４０００ムが好ましい。
第１図（鴫の金属基板１３を用いる場合には、１２゜１
１．１０のアモルファス半導体をつけ７ｔｌｌｌ、その
上［３Ｇ Ｎ６００ムのＢｎＯｌｋつけ、さらＫ ＩＴ
Ｏを蒸着する。
１．１０のアモルファス半導体をつけ７ｔｌｌｌ、その
上［３Ｇ Ｎ６００ムのＢｎＯｌｋつけ、さらＫ ＩＴ
Ｏを蒸着する。
次に比較試験の結果を用いて本発明の効果を説明する。
〈比較試験１〉
アモルファス半導体を堆積すべき基板として灯、■ガラ
ス／工Ｔｏ（１００ＯＡ、ｉｓｎん）。
ス／工Ｔｏ（１００ＯＡ、ｉｓｎん）。
■ガラｘ／ Ｂｎｏ、 （２５００ムｅ ２５ ｎ／’
Ｏ） ＊■ガラス／ Ｘ Ｔｏ （１０００１）／＆ｌ
Ｏ１（３０Ａ ） （１５Ｑ／’Ｏ） ＊■カ５ ｘ／
ｘｔｏ （ＩＧＯＯＡ）／＆ＩＯ，（６０Ａ）（１６
ｆｌ／Ｑ ） １０ガラス／ ＩＴＯ（１０００ム）／
＆へ（１層ｍ）（１５０７口）。
Ｏ） ＊■ガラス／ Ｘ Ｔｏ （１０００１）／＆ｌ
Ｏ１（３０Ａ ） （１５Ｑ／’Ｏ） ＊■カ５ ｘ／
ｘｔｏ （ＩＧＯＯＡ）／＆ＩＯ，（６０Ａ）（１６
ｆｌ／Ｑ ） １０ガラス／ ＩＴＯ（１０００ム）／
＆へ（１層ｍ）（１５０７口）。
０ガラス／ ＩＴＯ（１０００ム）／Ｂｏｏｍ（３００
Ａ） （１５Ω１０）。
Ａ） （１５Ω１０）。
■ガラｘ ／ ＩＴＯ（１００ＯＡ）／＆Ｏｚ（５００
Ａ ）（ｌ ５ｏ１０ ）のｙｍｓｉを用いた。これら
の工Ｔ０，８ｎＯ，灯いずれｔスパッター法により蒸着
したものである。
Ａ ）（ｌ ５ｏ１０ ）のｙｍｓｉを用いた。これら
の工Ｔ０，８ｎＯ，灯いずれｔスパッター法により蒸着
したものである。
内径１１ｃｍ＋の石英反応管を用い、基板１１度を２５
０℃に保って、１３．５６Ｍｌ−の高周波でグルー放電
分解を行い、アモルファス半導体を下記の条件に従りて
ｐ、ｉ、ｎの順に堆積し、最後Ｋ ｌ ｃｌＩＦ）面積
にム１１蒸着してｐｉｎ Ｉ！太陽電池を製作した。
０℃に保って、１３．５６Ｍｌ−の高周波でグルー放電
分解を行い、アモルファス半導体を下記の条件に従りて
ｐ、ｉ、ｎの順に堆積し、最後Ｋ ｌ ｃｌＩＦ）面積
にム１１蒸着してｐｉｎ Ｉ！太陽電池を製作した。
Ｐａｌ；ｎ層の製造条件は次のとおりである。
Ｏ真ｐ−シワ〉シ勺コン（１，ａ−８１：Ｈ）ＢｌＢ、
７Ｍ、 ３〒ｏｒｒ、厚４５ｏｏｏム００１１アモ
ルファスシリコン（ｎ、ａ−ｓｔ：ｎ）ＰＨＩ／ＢＬＨ
ＩＳ−５％ ｍ ３Ｔｏｒｒ 、厚み５００１ｏ ｐ
ｊ１１７ｅシフ７Ｘシリコン（ｐ、ａ−１１１：Ｂ）Ｂ
＾／ＢＩＨ４＝０ ・２％ −Ｔ ｏ ｒｒ 、厚みｔ
ｏｏムｏ ｐ＃１°アモルファスシリコン・カー／イト
（ｐ、ａ−４１０：ＰＩ）１ｈＨｍ’／ （８１Ｂ４＋
ａＢ４）＝０．１’１６Ｂ１Ｈａ ／ＱＨａｍ”／７．
３Ｔｏｒｒ、ＩＩｖＰ１００２０ ）ト朔：＝ｙン、ナ
イトライド（ｐ、ａ−８１１１：ｉｆ）”ｓ”ｓ／（組
−十覇ｍ）＝＝ｏ、ｘ％−６１４／ＨＨ，ｇＫ ＠ ３
Ｔｏｒｒ ＊廖４１００ム製作したｐｉｎ Ｉ！太陽電
池の変換効率が基板の相違に一応じて如何に具なゐｔＰ
ｔ、ＡｌＡｌ１１−１（１００／ｃｓｚ”）のソーラー
シエミレーターｔｍいて測定したーその結果は１表１−
１ 、１−２ 、１−３に示すとおりである。これらの
’ＩＮにおいてＪ８ｃ、Ｗｏｅ、ＩＦＦ及びｖ灯、夫々
短絡電流、Ｒ放電圧、フィルファクター反び変換効率を
示す。
７Ｍ、 ３〒ｏｒｒ、厚４５ｏｏｏム００１１アモ
ルファスシリコン（ｎ、ａ−ｓｔ：ｎ）ＰＨＩ／ＢＬＨ
ＩＳ−５％ ｍ ３Ｔｏｒｒ 、厚み５００１ｏ ｐ
ｊ１１７ｅシフ７Ｘシリコン（ｐ、ａ−１１１：Ｂ）Ｂ
＾／ＢＩＨ４＝０ ・２％ −Ｔ ｏ ｒｒ 、厚みｔ
ｏｏムｏ ｐ＃１°アモルファスシリコン・カー／イト
（ｐ、ａ−４１０：ＰＩ）１ｈＨｍ’／ （８１Ｂ４＋
ａＢ４）＝０．１’１６Ｂ１Ｈａ ／ＱＨａｍ”／７．
３Ｔｏｒｒ、ＩＩｖＰ１００２０ ）ト朔：＝ｙン、ナ
イトライド（ｐ、ａ−８１１１：ｉｆ）”ｓ”ｓ／（組
−十覇ｍ）＝＝ｏ、ｘ％−６１４／ＨＨ，ｇＫ ＠ ３
Ｔｏｒｒ ＊廖４１００ム製作したｐｉｎ Ｉ！太陽電
池の変換効率が基板の相違に一応じて如何に具なゐｔＰ
ｔ、ＡｌＡｌ１１−１（１００／ｃｓｚ”）のソーラー
シエミレーターｔｍいて測定したーその結果は１表１−
１ 、１−２ 、１−３に示すとおりである。これらの
’ＩＮにおいてＪ８ｃ、Ｗｏｅ、ＩＦＦ及びｖ灯、夫々
短絡電流、Ｒ放電圧、フィルファクター反び変換効率を
示す。
表１７１
但し、これＨ８層のＩＩＩＩＩｉｔが ｐ、ａ−８１：
Ｈ／ｉ 、ａ−８１：Ｂ ／ｎ、ａ−８１：Ｈである太
陽電池の場合のデータである。
Ｈ／ｉ 、ａ−８１：Ｂ ／ｎ、ａ−８１：Ｈである太
陽電池の場合のデータである。
（９頁ＫＩＮ＜）
表１−２
但し、これｒｔ各層のｗａが ｐ、ａ−８１０：、Ｈ／
ｉ、ａ−８１：Ｈ／ｎ、ａ−８１：ＩＩ″′Ｃある太
陽電池の場合のデータである。
ｉ、ａ−８１：Ｈ／ｎ、ａ−８１：ＩＩ″′Ｃある太
陽電池の場合のデータである。
＄１−３
ｆｆｌＬ、これｆｌｉ層の―虞が ｐ、ａＪｉＭ：Ｂ／
ｉ、ａ−８１：Ｈ／■、ａ−８１：Ｈである太陽ｍ池
の場合のデータである。
ｉ、ａ−８１：Ｈ／■、ａ−８１：Ｈである太陽ｍ池
の場合のデータである。
上ｆｆｉ表１−ＩＫ工れｄ、ｐ層Ｋｍ−１１１：ＩＩ會
用いたｐｉｎＷｋ合太陽電池の場合でも、基板■すなわ
ちガラス／エテ０（１０００ム）７８！ｌｏｇ（１００
ム）（ＩＳΩ１０ ）會Ｐ＠吟ると変換効率ダーの向上
するこが判かるが。
用いたｐｉｎＷｋ合太陽電池の場合でも、基板■すなわ
ちガラス／エテ０（１０００ム）７８！ｌｏｇ（１００
ム）（ＩＳΩ１０ ）會Ｐ＠吟ると変換効率ダーの向上
するこが判かるが。
この郊率ダの肉上効果飢ガラス／ｚＴｏ／ｓｎｏ、ｚイ
ブの基板ｔν１ｌａ−８１０：ＩＩやｐ渥亀−Ｂ１菖：
Ｈに直後接触させた場合に特ＫＩＩＩＩＫ生じるもので
ある（表１−２．及びｌ−３参照）、またｌ！ｔｌ−２
から。
ブの基板ｔν１ｌａ−８１０：ＩＩやｐ渥亀−Ｂ１菖：
Ｈに直後接触させた場合に特ＫＩＩＩＩＫ生じるもので
ある（表１−２．及びｌ−３参照）、またｌ！ｔｌ−２
から。
同じ〃ラス／″ＩＴＯ／８ｎＯ＠タイプの基板であって
も。
も。
８ｎＯ３の厚みが５０ム以上ある基１１ｊＬ（■■■）
の方が、５０ム工り薄い基板（■）よりも好ましいこと
がま究８ｎｏ、の厚みがｓｏｏムの基板（Φ）ｆ）判か
る０ 場合、変換動−がや＼低下すること％４１明した。
の方が、５０ム工り薄い基板（■）よりも好ましいこと
がま究８ｎｏ、の厚みがｓｏｏムの基板（Φ）ｆ）判か
る０ 場合、変換動−がや＼低下すること％４１明した。
〈比較試験２〉
金属基板としてステンレススチール板ｔ−用い、比較試
験ｌと同様のダルー放電分解管行い、下記！、Ａ／７７
Ｘ半導体Ｖｔｐ −ｉ −ｎ ｆ）ｌｊの条件に従って
ア ＶＣＸｔ７ＶＸＸチー＃Ｉｌ＃）上に堆積し、＠ｔｎ”
ｔ’ｎ層ＫＩＩＬ、て透明鬼極會電子ビーム蒸着し、て
インノ（−テッドｐｉｎ ＩＩ！太陽電＃ｋｔ調作した
。
験ｌと同様のダルー放電分解管行い、下記！、Ａ／７７
Ｘ半導体Ｖｔｐ −ｉ −ｎ ｆ）ｌｊの条件に従って
ア ＶＣＸｔ７ＶＸＸチー＃Ｉｌ＃）上に堆積し、＠ｔｎ”
ｔ’ｎ層ＫＩＩＬ、て透明鬼極會電子ビーム蒸着し、て
インノ（−テッドｐｉｎ ＩＩ！太陽電＃ｋｔ調作した
。
透明電極としては
Φ ＩＴＯ（１００ＯＡ ＊ ｘｓｎｌｏ ）
＠ ８ｎＯ１（２５００ム 、 ２５Ω／口）θ
８ｎＯ１（１００ム）＋ＩＴＯ（１０００ムバ１５０１
０）を用いた。但し、θの場合り層と接するのは工ＴＯ
膜ではな（て、１！ｌｎｏｇ膜である。
＠ ８ｎＯ１（２５００ム 、 ２５Ω／口）θ
８ｎＯ１（１００ム）＋ＩＴＯ（１０００ムバ１５０１
０）を用いた。但し、θの場合り層と接するのは工ＴＯ
膜ではな（て、１！ｌｎｏｇ膜である。
各層の製造条件は次のとおりである・
ｏ 夛Ｗｒアモルファスシ僧：ｉン（１ｅ＆−Ｂｉ：Ｈ
）厚み４０００ム Ｏν濶ｉ１＾クアスシリコン（ｐｍｓ−８１”Ｂ）Ｂｌ
！Ｉ＠ ／８１Ｈ４＝Ｉｔ ０９１ ｇ厚み３００ムｏ
ｎ１１１７ｔｙｉフ）シ勺コｙ （ｎ、ａ−！ｌｉ：
１１）ＰＨ，／８１１１． ！０．５＊ Ｊ４１００Ａ
ｏ ！１ト朔コン・カーＩＱ ） （ｎ、ａ−１！ｉｏ
：ＩＩ）ｐａｓ／ （８１１１４＋ Ｃｉｔ、 ）＝Ｑ
、 ｔ％８１１に４７ＣＩ１．＝しｌ 、厚み１００ム
ロ３１型７毫ルフフンシ僧コン・ナイトライド（ｎ、ａ
−８１１：Ｂ）Ｐｕｓ／（ｓｔｍ、＋ｍｎ５）＝ｏ、ｓ
％５ｉｎ４／ｍｕ、＝イ 、厚み１００ム製作した逆ｐ
ｉｎｊｌ太陽電池の変換効率が、透明電極の相違に応じ
て如何Ｋ１４１にるか管１１述のツーラージ：Ｌ建し−
ターを用りて測定した。その結果は表！−１，２−２，
２−３に示す通りである。
）厚み４０００ム Ｏν濶ｉ１＾クアスシリコン（ｐｍｓ−８１”Ｂ）Ｂｌ
！Ｉ＠ ／８１Ｈ４＝Ｉｔ ０９１ ｇ厚み３００ムｏ
ｎ１１１７ｔｙｉフ）シ勺コｙ （ｎ、ａ−！ｌｉ：
１１）ＰＨ，／８１１１． ！０．５＊ Ｊ４１００Ａ
ｏ ！１ト朔コン・カーＩＱ ） （ｎ、ａ−１！ｉｏ
：ＩＩ）ｐａｓ／ （８１１１４＋ Ｃｉｔ、 ）＝Ｑ
、 ｔ％８１１に４７ＣＩ１．＝しｌ 、厚み１００ム
ロ３１型７毫ルフフンシ僧コン・ナイトライド（ｎ、ａ
−８１１：Ｂ）Ｐｕｓ／（ｓｔｍ、＋ｍｎ５）＝ｏ、ｓ
％５ｉｎ４／ｍｕ、＝イ 、厚み１００ム製作した逆ｐ
ｉｎｊｌ太陽電池の変換効率が、透明電極の相違に応じ
て如何Ｋ１４１にるか管１１述のツーラージ：Ｌ建し−
ターを用りて測定した。その結果は表！−１，２−２，
２−３に示す通りである。
！［２−１
但し、これね％層の構成がｐ、ａ−１１１：ＩＩ／ ｉ
、ａ−８１：Ｈ／ｎ、ａ−８１：ＩＩである迦ｐｉｎ
ＩＩ太腸電亀の一合のデー！である。
、ａ−８１：Ｈ／ｎ、ａ−８１：ＩＩである迦ｐｉｎ
ＩＩ太腸電亀の一合のデー！である。
濠２−２
但し、ξれ韓令島のＩＩ属がｐ、ａ−８１：ＩＩ／ｉ、
ａ−Ｅｉｉ： ｎ／ｎ、ａ−８１０：ＩＩである逆ｐｉ
ｎ瀝太−亀池の一合のデータである。
ａ−Ｅｉｉ： ｎ／ｎ、ａ−８１０：ＩＩである逆ｐｉ
ｎ瀝太−亀池の一合のデータである。
表２−３
但し、ｃｔｔｒｉ各層のｓｇが ｐ、ａ−８１：１１／
ｉ、ａ−８１：ＩＩ／ｎ、ａ−８１１：Ｈである逆ｐ
ｉｎ［太陽電池の場合のデータである。
ｉ、ａ−８１：ＩＩ／ｎ、ａ−８１１：Ｈである逆ｐ
ｉｎ［太陽電池の場合のデータである。
上記表２−１．２−２ 、２−３によれば、ｎ層側から
光管入射する逆ｐｉｎｌｌの太陽電＠においてｔ。
光管入射する逆ｐｉｎｌｌの太陽電＠においてｔ。
ｎ 、＠ ｆ） −Ｋ ８ｎＯ，膜管つけたのち、ＩＴ
Ｏ管つけた構造の透明電極（θ）管用いること一工す、
著しい効・率の向上全実現できることが認められる。
Ｏ管つけた構造の透明電極（θ）管用いること一工す、
著しい効・率の向上全実現できることが認められる。
以上を費するに１本発明灯台種のてモルファスシリコン
系太陽電池の変換効率管極めて容易に向上させ得る点で
斯界に画期的な寄与管なすものである。 ′ 第１図（荀、（ｂ）灯、いずれｔ本発明に係−太陽電池
の基本構ＩｉＬ管示す略示側向図であって、岡（−は透
明電極を用いるタイプの基本構成、同（ｔ＋） ｉｊ金
属基板を用いるタイプの基本構ｓｒ示すものである。
系太陽電池の変換効率管極めて容易に向上させ得る点で
斯界に画期的な寄与管なすものである。 ′ 第１図（荀、（ｂ）灯、いずれｔ本発明に係−太陽電池
の基本構ＩｉＬ管示す略示側向図であって、岡（−は透
明電極を用いるタイプの基本構成、同（ｔ＋） ｉｊ金
属基板を用いるタイプの基本構ｓｒ示すものである。
ｌ…透明基板 ２・・弓ＴＯ膜 ３・・・８ｎＯ１膜４
・・・ｐＨアモルファス半導体 ５・・・真性アモルフ
ァスシリコン ６・・・ｎＩｉア毫ルファスシリ、″：
１ンフ・・・アル電ニューム亀＠ ８・・・ＩＴＯ膜
９・・・８ｎＯ，膜ｌＯ・・・ｎｌｉアモルファス半導
体 １１・・・真性アモルファスシリコン １２・・・’ ｐ ａｔア毫ルファスシリコン１３・・
・金属基板 特許出願人 鑓淵化学工業株式会社 代理人 弁坤士円田敏鉢
・・・ｐＨアモルファス半導体 ５・・・真性アモルフ
ァスシリコン ６・・・ｎＩｉア毫ルファスシリ、″：
１ンフ・・・アル電ニューム亀＠ ８・・・ＩＴＯ膜
９・・・８ｎＯ，膜ｌＯ・・・ｎｌｉアモルファス半導
体 １１・・・真性アモルファスシリコン １２・・・’ ｐ ａｔア毫ルファスシリコン１３・・
・金属基板 特許出願人 鑓淵化学工業株式会社 代理人 弁坤士円田敏鉢
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｐ−１−ｎ接合アモルファスシリコン系太陽電池
において、゛Ｉ〒０−８ｎＯ，−ｐ−１−ｎ又灯！ＴＯ
−ｆ？ｎ０ｌ−ｎ−１−ｐの構造で、ｔＰつ８ｎｏ、膜
の厚みが約３０ムから５００ムであることを特徴とする
高効率のアモルファスシリコン系太陽電池。 ２ 前記の電池構造において、８ｎＯ１膜と接するｐ層
又ｔｉｎ層のアモルファス半導体が、一般式５式％ ａ −８１（□−，−，）（！ｘＮｙであることを特徴
とする特許請求の範囲第１１ｉに記載の高効率のアモル
ファスシリコン系太陽電池。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112571A JPS5814582A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
| DE8888117644T DE3280418T2 (de) | 1981-07-17 | 1982-07-14 | Amorpher halbleiter und photovoltaische vorrichtung aus amorphem silizium. |
| DE8282106293T DE3280112D1 (de) | 1981-07-17 | 1982-07-14 | Amorpher halbleiter und photovoltaische einrichtung aus amorphem silizium. |
| EP88117644A EP0309000B1 (en) | 1981-07-17 | 1982-07-14 | Amorphous semiconductor and amorphous silicon photovoltaic device |
| EP82106293A EP0070509B2 (en) | 1981-07-17 | 1982-07-14 | Amorphous semiconductor and amorphous silicon photovoltaic device |
| US06/399,312 US4450316A (en) | 1981-07-17 | 1982-07-19 | Amorphous silicon photovoltaic device having two-layer transparent electrode |
| US06/552,952 US4491682A (en) | 1981-07-17 | 1983-11-17 | Amorphous silicon photovoltaic device including a two-layer transparent electrode |
| US06/552,951 US4499331A (en) | 1981-07-17 | 1983-11-17 | Amorphous semiconductor and amorphous silicon photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112571A JPS5814582A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814582A true JPS5814582A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0122991B2 JPH0122991B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=14590036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56112571A Granted JPS5814582A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814582A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151073A (ja) * | 1983-02-08 | 1983-09-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
| JPS58151072A (ja) * | 1983-02-08 | 1983-09-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
| JPS5958874A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| JPS59161881A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
| JPS6084888A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-05-14 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 半導体デバイス |
| JPS60103683A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置用基板 |
| JPS61168272A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非単結剤珪素太陽電池作製方法 |
| JPS6472570A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Sanyo Electric Co | Photovoltaic device |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56112571A patent/JPS5814582A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5958874A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| JPS58151073A (ja) * | 1983-02-08 | 1983-09-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
| JPS58151072A (ja) * | 1983-02-08 | 1983-09-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
| JPH0512870B2 (ja) * | 1983-02-08 | 1993-02-19 | Konishiroku Photo Ind | |
| JPH0516198B2 (ja) * | 1983-02-08 | 1993-03-03 | Konishiroku Photo Ind | |
| JPS59161881A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
| JPH0558268B2 (ja) * | 1983-03-07 | 1993-08-26 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS6084888A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-05-14 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 半導体デバイス |
| JPS60103683A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置用基板 |
| JPS61168272A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非単結剤珪素太陽電池作製方法 |
| JPS6472570A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Sanyo Electric Co | Photovoltaic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122991B2 (ja) | 1989-04-28 |
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