JPS58151073A - 光電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
光電変換素子及びその製造方法Info
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- JPS58151073A JPS58151073A JP58018040A JP1804083A JPS58151073A JP S58151073 A JPS58151073 A JP S58151073A JP 58018040 A JP58018040 A JP 58018040A JP 1804083 A JP1804083 A JP 1804083A JP S58151073 A JPS58151073 A JP S58151073A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 49
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 20
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- -1 vertical oxide Substances 0.000 description 3
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 240000000491 Corchorus aestuans Species 0.000 description 1
- 235000011777 Corchorus aestuans Nutrition 0.000 description 1
- 235000010862 Corchorus capsularis Nutrition 0.000 description 1
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は太陽電池の製造方法に関するものである。
一般に太陽電池は1元を吸収してこれt電気エネルギー
に変換する充電変換作用を有する活性層の受尤1i11
eC一方の電極となる透明導電層ヶ形成すると共に、弛
si*に他方の電極となる導電層を設けて構成される。
に変換する充電変換作用を有する活性層の受尤1i11
eC一方の電極となる透明導電層ヶ形成すると共に、弛
si*に他方の電極となる導電層を設けて構成される。
而して近年Kjdいて、太陽電池の活性層をアモ(2)
ルファスシリコン、ガリウムーヒ素等の半尋体薄層によ
り構成せしめることが、理論的に高い変換効率を得るこ
とができることから盛んに研究されている。そして、活
性層ンアモルファスシリコ/によシ構成せしめる場合K
Fi、母体であるアモルファスシリコンに氷菓、フン累
、縦累、窒素、ゲルマニウムV添加含有せしめることに
より変換効率を向上せしめることができ、一方ガリウム
ーヒ累により活性層ン構成せしめる場合には、完全結晶
成長せしめることKより、牛導体活性層を用いた太陽電
池では最大の変換効率が得られるとされて89%%にシ
リコ/−ゲルマニウムのすメン結晶上忙エピタキシャル
成長法、或いは多結晶成長せしめることにより低コスト
で高効率化が試られている。
り構成せしめることが、理論的に高い変換効率を得るこ
とができることから盛んに研究されている。そして、活
性層ンアモルファスシリコ/によシ構成せしめる場合K
Fi、母体であるアモルファスシリコンに氷菓、フン累
、縦累、窒素、ゲルマニウムV添加含有せしめることに
より変換効率を向上せしめることができ、一方ガリウム
ーヒ累により活性層ン構成せしめる場合には、完全結晶
成長せしめることKより、牛導体活性層を用いた太陽電
池では最大の変換効率が得られるとされて89%%にシ
リコ/−ゲルマニウムのすメン結晶上忙エピタキシャル
成長法、或いは多結晶成長せしめることにより低コスト
で高効率化が試られている。
一方、前記透明導電層の材質としては酸化インジウム(
In*Os )及び酸化スズ(Saug)が知られて8
り、変換効率の向上を目的としてシート抵抗或いは比抵
抗の低減化を図るために酸化インジウムと酸化スズとの
成分比或いはa!膜条件t−wIIIIlす(3) ることが試られてはいるが、未だ満足すべきものは提案
されていない。
In*Os )及び酸化スズ(Saug)が知られて8
り、変換効率の向上を目的としてシート抵抗或いは比抵
抗の低減化を図るために酸化インジウムと酸化スズとの
成分比或いはa!膜条件t−wIIIIlす(3) ることが試られてはいるが、未だ満足すべきものは提案
されていない。
この透明導電層と半導体より成る活性層との接合面にg
いては通常ヘテci接合が形成され【いて空間電荷が生
ずるために光起電力の一部が生ずる場となっているが、
酸化スズと半導体との接合はこの点て良好な接合を形成
するものであり、従ってその点に’j6けるallでは
変換効率を向上せしめることが可能ではあるが、WI化
スズは酸化インジウムに比して相百にその比抵抗が大き
く、従って酸化スズのみにより透明導電層を形成せしめ
ても、その比抵抗の大暑いために大きな変換効率の太陽
電池を得ること杜できない。又透明導電層を酸化インジ
ウムのみにより形成せしめると、シート抵抗の小さい透
明導電層を得ること蝶できても半導体より威る活性層と
の間で良好な接合が形成てれないため、同111に大き
な変換効率の太陽電池ン得ることがで春ない。
いては通常ヘテci接合が形成され【いて空間電荷が生
ずるために光起電力の一部が生ずる場となっているが、
酸化スズと半導体との接合はこの点て良好な接合を形成
するものであり、従ってその点に’j6けるallでは
変換効率を向上せしめることが可能ではあるが、WI化
スズは酸化インジウムに比して相百にその比抵抗が大き
く、従って酸化スズのみにより透明導電層を形成せしめ
ても、その比抵抗の大暑いために大きな変換効率の太陽
電池を得ること杜できない。又透明導電層を酸化インジ
ウムのみにより形成せしめると、シート抵抗の小さい透
明導電層を得ること蝶できても半導体より威る活性層と
の間で良好な接合が形成てれないため、同111に大き
な変換効率の太陽電池ン得ることがで春ない。
本発@は以上の如き事情に轟いてな石れたもので69.
半導体より成る活性層を有し、変換効率の大暑い太陽電
池ン容易に且つ有利に製造することのできる方法馨提供
することt目的とする。
半導体より成る活性層を有し、変換効率の大暑い太陽電
池ン容易に且つ有利に製造することのできる方法馨提供
することt目的とする。
本発明の特徴とするところは、導電性基板上に党電変換
作用馨有する半導体N11に:形成したものを真空槽内
に配置し、当核真空檜内に活性酸素ガスを導入してその
存在下に2ける反応蒸着法によp前記半導体層上に酸化
スズより成る下層VWすると共Kl!I化イ/ジウム及
び酸化スズより成9その厚さの増加に従って酸化スズの
割合が減少する透明導電層を形成する工8yt含む点K
Toる。
作用馨有する半導体N11に:形成したものを真空槽内
に配置し、当核真空檜内に活性酸素ガスを導入してその
存在下に2ける反応蒸着法によp前記半導体層上に酸化
スズより成る下層VWすると共Kl!I化イ/ジウム及
び酸化スズより成9その厚さの増加に従って酸化スズの
割合が減少する透明導電層を形成する工8yt含む点K
Toる。
以下図面によって本発明を具体的に説明する。
本発明にgいて#′i、萬1図に示すよう忙、真空槽を
形成するペルジャー11にパタン2イパルプ12’r’
flrする排気路13を介して真9ポンプ(ll示せず
)を接続し、これKより当該ペルジャー11内l排気す
る一方、肖該ペルジャー11F’3には、第2図に示す
ように金属よp成る導電性基板1上に光電変換作用YV
する半導体層より成る活性層2を形成したものv1着基
板!4として配置し、これをヒーター15に、よpi1
度50〜35G@CK加(5) 熱すると共に直流電源16により0〜−10kVの直流
負電圧【印加した状態に2いて、そのWO娶前記蒸着基
板14と対向するようペルジャー11に当1[ai口を
接続して設は九酸票ガス放電管17KmIIIEガスを
供給してその放電によって生じた、WIR票イオ/、活
性酸素分子等を含む活性酸素ガスt’ 10 〜10
Torrとなるようベルジー?−11内に導入し、そ
の存在下に8いて、前記蒸着基板14と対向するよう設
けたスズ蒸発源18を加熱して金属スズを蒸発ゼしめる
ことにより、前記蒸着基@140活性層2上に酸化スズ
のみより成る下層3A)l形成し、このスズ蒸発源18
の加熱開始直後Kj(いてインジウム蒸発源19の加熱
ン開始して連続的に或いは段階的にインジウムの蒸発速
度を大1<1.て行き、活性層2から離間する厚さ方向
に8いて酸化インジウムの濃度が増加し酸化スズ011
度が減少するようにして酸化インジウムを主成分としこ
れと酸化スズとの混合体よす成り前記活性層2から離れ
るに従って厚さ方向に?いて酸化スズの割合が減少し酸
化インジウムの割(6) 合が増加する一層構成の透明導電層3Y:設けて太陽電
池を製造する。など、透明導電層30下層3AU酸化ス
ズの単分子膜より成るものであってもよい。
形成するペルジャー11にパタン2イパルプ12’r’
flrする排気路13を介して真9ポンプ(ll示せず
)を接続し、これKより当該ペルジャー11内l排気す
る一方、肖該ペルジャー11F’3には、第2図に示す
ように金属よp成る導電性基板1上に光電変換作用YV
する半導体層より成る活性層2を形成したものv1着基
板!4として配置し、これをヒーター15に、よpi1
度50〜35G@CK加(5) 熱すると共に直流電源16により0〜−10kVの直流
負電圧【印加した状態に2いて、そのWO娶前記蒸着基
板14と対向するようペルジャー11に当1[ai口を
接続して設は九酸票ガス放電管17KmIIIEガスを
供給してその放電によって生じた、WIR票イオ/、活
性酸素分子等を含む活性酸素ガスt’ 10 〜10
Torrとなるようベルジー?−11内に導入し、そ
の存在下に8いて、前記蒸着基板14と対向するよう設
けたスズ蒸発源18を加熱して金属スズを蒸発ゼしめる
ことにより、前記蒸着基@140活性層2上に酸化スズ
のみより成る下層3A)l形成し、このスズ蒸発源18
の加熱開始直後Kj(いてインジウム蒸発源19の加熱
ン開始して連続的に或いは段階的にインジウムの蒸発速
度を大1<1.て行き、活性層2から離間する厚さ方向
に8いて酸化インジウムの濃度が増加し酸化スズ011
度が減少するようにして酸化インジウムを主成分としこ
れと酸化スズとの混合体よす成り前記活性層2から離れ
るに従って厚さ方向に?いて酸化スズの割合が減少し酸
化インジウムの割(6) 合が増加する一層構成の透明導電層3Y:設けて太陽電
池を製造する。など、透明導電層30下層3AU酸化ス
ズの単分子膜より成るものであってもよい。
以上に8いて、スズ蒸発源18及びインジウム蒸発源1
9の加熱のためには、抵抗加熱、電子銃加熱、誘導加熱
等の任意の加熱手段Y利用することができる。そして各
蒸発mK’j6いて突沸によp蒸発源物質の粗大粒塊が
飛翔して蒸着基板14上に何着することン避ける必要が
あり、その几めには、屈曲した蒸気jl’形成する粗大
粒塊飛散防止部材を利用することができる。
9の加熱のためには、抵抗加熱、電子銃加熱、誘導加熱
等の任意の加熱手段Y利用することができる。そして各
蒸発mK’j6いて突沸によp蒸発源物質の粗大粒塊が
飛翔して蒸着基板14上に何着することン避ける必要が
あり、その几めには、屈曲した蒸気jl’形成する粗大
粒塊飛散防止部材を利用することができる。
第3図は酸素ガス放電管17の一例を示し、この例にg
いては、ガス人口21を有する筒状の一方の電極部材2
2と、この一方の電極部材22v一端に設けた、放電空
間23ン囲繞する例えば筒状ガラス棗の放電空間部材2
4と、この放電空間部材24の他端に設は比、めロ25
ン臀するリング状の他方の電極部材26とより成p1前
記一方の電極部材22と他方の電極部材26との間に直
(7) 流又は交流の電圧が印加されることにより、ガス人口2
1より供給されたm索ガスが放電空間23K”Mいてグ
ロー放電ケ生じ、これにより電子エネルギー的に賦活嘔
れたl!累原子若しくは分子より成る活性i12票及び
イオノ化された酸素イオ/が川口25より排出芒れる。
いては、ガス人口21を有する筒状の一方の電極部材2
2と、この一方の電極部材22v一端に設けた、放電空
間23ン囲繞する例えば筒状ガラス棗の放電空間部材2
4と、この放電空間部材24の他端に設は比、めロ25
ン臀するリング状の他方の電極部材26とより成p1前
記一方の電極部材22と他方の電極部材26との間に直
(7) 流又は交流の電圧が印加されることにより、ガス人口2
1より供給されたm索ガスが放電空間23K”Mいてグ
ロー放電ケ生じ、これにより電子エネルギー的に賦活嘔
れたl!累原子若しくは分子より成る活性i12票及び
イオノ化された酸素イオ/が川口25より排出芒れる。
この図示の例の放電空間部材24は二璽管構造であって
冷却水馨流過ゼしめ得る構成l有し、27,28が冷却
水入口及び川口を示す。29は一方の電極部材22の冷
却用フィンである。
冷却水馨流過ゼしめ得る構成l有し、27,28が冷却
水入口及び川口を示す。29は一方の電極部材22の冷
却用フィンである。
この酸素ガス放電管17 K’Mける電極間距離は10
10−15eであり、印加電圧Fi500〜800■、
放電空間23の圧力は10 Torr程度と芒れる。
10−15eであり、印加電圧Fi500〜800■、
放電空間23の圧力は10 Torr程度と芒れる。
前記蒸着基板14とされるものは、導電性基板1上に活
性層2が設けられて成るものであるが、ココに導電性基
板lとしては、アルミニウム、ステ/レス鋼等の金属板
若しくはこれに更に金楓薄層を形成したもの、又は絶縁
性支持体上に金楓薄鳩等より成る導電層を形成したもの
が用いられる。
性層2が設けられて成るものであるが、ココに導電性基
板lとしては、アルミニウム、ステ/レス鋼等の金属板
若しくはこれに更に金楓薄層を形成したもの、又は絶縁
性支持体上に金楓薄鳩等より成る導電層を形成したもの
が用いられる。
活性層2は、アモルファスシリコン、ガリウム−ヒ素等
の充電変換作用YNする半導体層であればよ<、p−n
型、p−i−nm等の任意の構成とすることができる。
の充電変換作用YNする半導体層であればよ<、p−n
型、p−i−nm等の任意の構成とすることができる。
以上の如き本発明方法によって製造される太陽電池に8
いては、その活性層2と接する透明導電層3の界面層は
酸化インジウム蒸発源しない酸化スズのみより成る下層
3Aにより形成されるため。
いては、その活性層2と接する透明導電層3の界面層は
酸化インジウム蒸発源しない酸化スズのみより成る下層
3Aにより形成されるため。
この下層3Aと活性層2とにより、光電変換に寄与する
ヘテロ接合であって良好な特性のものが形成場れると共
に、透明導電層3は酸化インジウムを主成分とするシー
ト抵抗或いは比抵抗の小さいものとすることができるた
め、充電変換作用によって生じた充電流は白該透明導電
層3によって大きな抵抗損失を伴うことなく流れること
となり、これらの結果、非常に大きな変換効率を得るこ
とができる。
ヘテロ接合であって良好な特性のものが形成場れると共
に、透明導電層3は酸化インジウムを主成分とするシー
ト抵抗或いは比抵抗の小さいものとすることができるた
め、充電変換作用によって生じた充電流は白該透明導電
層3によって大きな抵抗損失を伴うことなく流れること
となり、これらの結果、非常に大きな変換効率を得るこ
とができる。
そして以上のような観点から、前記下層3Aは。
良好なヘテロ接合が形成場れるのであれば、その厚さは
小さいものであることが好ましい。
小さいものであることが好ましい。
而して、本発明方法にgいて#i、ペルジャー11(9
) 内に活性IIl累ガスが存在するため、スズ蒸発源18
又はインジウム蒸発源19よりのスズ蒸気又はインジウ
ム蒸気は陵化された状態で蒸着基板14上KM着堆積す
るようになり、しかもスズ蒸発源18又はインジウム蒸
発源19の加熱状0w制御することによって各々の蒸発
速度を、七の蒸発停止をも含めて大きな自由度で制御す
るごとができるため、透明導電層3を構成する酸化イン
ジウムと酸化スズの割@rを制御することが容易であり
、しかも大きな製農迷度を得ることが可能である。
) 内に活性IIl累ガスが存在するため、スズ蒸発源18
又はインジウム蒸発源19よりのスズ蒸気又はインジウ
ム蒸気は陵化された状態で蒸着基板14上KM着堆積す
るようになり、しかもスズ蒸発源18又はインジウム蒸
発源19の加熱状0w制御することによって各々の蒸発
速度を、七の蒸発停止をも含めて大きな自由度で制御す
るごとができるため、透明導電層3を構成する酸化イン
ジウムと酸化スズの割@rを制御することが容易であり
、しかも大きな製農迷度を得ることが可能である。
従来にどいては *化スズ膜の形成は、通常、塩化スズ
の液化ガスヶ高温の基体表面にスプレーすることKより
行なわれて′j6v、この方法は塩化スズを酸化スズに
変化せしめる几めに基体の温度v400℃以上の高温に
加熱する0とが必要である。しかし、充電変換作用を有
する半導体層より成る活性層Kxいては、そのような高
温K1l1l11芒れると、その充電変換特性が劣化す
るようになる。
の液化ガスヶ高温の基体表面にスプレーすることKより
行なわれて′j6v、この方法は塩化スズを酸化スズに
変化せしめる几めに基体の温度v400℃以上の高温に
加熱する0とが必要である。しかし、充電変換作用を有
する半導体層より成る活性層Kxいては、そのような高
温K1l1l11芒れると、その充電変換特性が劣化す
るようになる。
これに対し、本発明方法によれば蒸着基板144七〇よ
うな高温に加熱することが不要であり、従(lO) って活性層2の特性を劣化せしめる2それがなく。
うな高温に加熱することが不要であり、従(lO) って活性層2の特性を劣化せしめる2それがなく。
結局変換効率の大きい太陽電池Y容易に且つ有利に製造
するごとができる。
するごとができる。
まり酸化スズのみによっては例えば100A 以下の膜
厚の小さい層χ形成することは従来困離であったが、上
述の方法によれは酸化スズのみより成る下層3Aの形成
を確実に達成し得ると共にその厚さ1に:極めて小さく
することができ、これによって良好なヘテロ接合の形成
と抵抗の極めて低い透明導電層の形成とン容易に達成す
ることができる。
厚の小さい層χ形成することは従来困離であったが、上
述の方法によれは酸化スズのみより成る下層3Aの形成
を確実に達成し得ると共にその厚さ1に:極めて小さく
することができ、これによって良好なヘテロ接合の形成
と抵抗の極めて低い透明導電層の形成とン容易に達成す
ることができる。
更に上述の方法においては、後述する実施例からも理解
はれるように、k−のペルジャー11内において蒸着法
等のデボジショ/法により活性層2、更には基板lと活
性層2との間に必要に応じて設けられる導電層の形成t
も行なうことが可能であり、このようにすることによっ
て極めて低いコストで良好な太陽電池を得ることができ
る。
はれるように、k−のペルジャー11内において蒸着法
等のデボジショ/法により活性層2、更には基板lと活
性層2との間に必要に応じて設けられる導電層の形成t
も行なうことが可能であり、このようにすることによっ
て極めて低いコストで良好な太陽電池を得ることができ
る。
なS前記スズ蒸発源18の代DKilii化スズtJ&
発源物質として収容した蒸発源を用いること、戚(11
) いはインジウム蒸発源19の代ジに、ドープ用スズを含
有する金属イ/ジウム、ドープ用スズvt有する若しく
は含有しない酸化インジウムを蒸発源物質として収容し
た蒸発源を用いることができ、この場合にも上述と同様
の作用効果が得られる。
発源物質として収容した蒸発源を用いること、戚(11
) いはインジウム蒸発源19の代ジに、ドープ用スズを含
有する金属イ/ジウム、ドープ用スズvt有する若しく
は含有しない酸化インジウムを蒸発源物質として収容し
た蒸発源を用いることができ、この場合にも上述と同様
の作用効果が得られる。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例1
IR4図に示すように、第1図に示した構成に加えて、
酸素ガス放電管17と同様に設けた水素ガス放電管31
、スズ蒸発源18等と同様に設ff7tシリコン蒸発源
32.アルミニウム蒸発源33及びクロム蒸発源34を
具え、インジウム蒸発源19の代vVC酸化インジウム
蒸発源19′ヲ設けた装置において、ステンレス@ 「
5US−3o4」より成る基板IYペルジャー11内に
配置し、当該ペルジャー11内Y:排気して7xlOT
orrの真空下に?いてクロム蒸発#34V加熱して蒸
発せしめ、W45図に示すように基板l上に厚さ500
Aのクロムより成る導電層4を蒸着によって形成し、次
に基板1を温度320℃に加熱すると共にこれに一6k
Vの直流負電圧を印加した状態で水素ガス放電管31よ
りの水素イオン及び活性水素を含有する活性水素ガス>
l g X IQ Torrの圧力となるよう尋人し
ながら、シリコン#発源32及びアルミニウム蒸発源3
3Y加熱して蒸発せしめ前記導電層4上に、水素及び約
5#子%のアルオニウムtt有するアモルファスシリコ
/より成る厚さ2000AのpfJ層2AY形成し友後
、アルオニウムの蒸発Y停止してシリコンのみの蒸発v
atftシ前記pfJ層2人上に水素を含有するアモル
ファスシリコンより成る厚さ6000XL2)i型層z
Bv形成し、以って前記p型層2人とi型層2Bとより
成る活性層2を設は几。
酸素ガス放電管17と同様に設けた水素ガス放電管31
、スズ蒸発源18等と同様に設ff7tシリコン蒸発源
32.アルミニウム蒸発源33及びクロム蒸発源34を
具え、インジウム蒸発源19の代vVC酸化インジウム
蒸発源19′ヲ設けた装置において、ステンレス@ 「
5US−3o4」より成る基板IYペルジャー11内に
配置し、当該ペルジャー11内Y:排気して7xlOT
orrの真空下に?いてクロム蒸発#34V加熱して蒸
発せしめ、W45図に示すように基板l上に厚さ500
Aのクロムより成る導電層4を蒸着によって形成し、次
に基板1を温度320℃に加熱すると共にこれに一6k
Vの直流負電圧を印加した状態で水素ガス放電管31よ
りの水素イオン及び活性水素を含有する活性水素ガス>
l g X IQ Torrの圧力となるよう尋人し
ながら、シリコン#発源32及びアルミニウム蒸発源3
3Y加熱して蒸発せしめ前記導電層4上に、水素及び約
5#子%のアルオニウムtt有するアモルファスシリコ
/より成る厚さ2000AのpfJ層2AY形成し友後
、アルオニウムの蒸発Y停止してシリコンのみの蒸発v
atftシ前記pfJ層2人上に水素を含有するアモル
ファスシリコンより成る厚さ6000XL2)i型層z
Bv形成し、以って前記p型層2人とi型層2Bとより
成る活性層2を設は几。
然る後、WR累カス放電管17よりの活性酸素ガスY
4 X tOTorrとなるよう導入しながら、前記基
板1を温度150℃に加熱し、スズ蒸発源18′+:加
熱して蒸発ぜしめると共に、このスズ蒸発源18の蒸発
を開始し次直後に酸化インジウム蒸発源19の蒸発ン開
始して次第に酸化イ/ジクムの蒸発速度を上昇せしめ1
両者の蒸発速度比が(J3) #J1:10となった時に両者の蒸発を停止し、以って
酸化インジウムと酸化スズより成る厚さ35000にの
透明導電層3を設け、太陽電池を製造した〇この太陽電
池は5%と大きい変換効率を有するものであった。
4 X tOTorrとなるよう導入しながら、前記基
板1を温度150℃に加熱し、スズ蒸発源18′+:加
熱して蒸発ぜしめると共に、このスズ蒸発源18の蒸発
を開始し次直後に酸化インジウム蒸発源19の蒸発ン開
始して次第に酸化イ/ジクムの蒸発速度を上昇せしめ1
両者の蒸発速度比が(J3) #J1:10となった時に両者の蒸発を停止し、以って
酸化インジウムと酸化スズより成る厚さ35000にの
透明導電層3を設け、太陽電池を製造した〇この太陽電
池は5%と大きい変換効率を有するものであった。
第1図は本発明太@電池の製造方法に用いられる装置の
構成を示す説明用1th1面図、第2図は本発明方法に
よる太iIwL池の構成を示す説明図、第3図は酸素ガ
ス放w1tの一例の説明用断面図、第4図は本発明の実
施例において用(・た装置の構成を示す説明用断面図、
第5図は本発明の実施例によって得られる太陽電池の構
成を示す説明図である。 1・・・導電性基板 2・・・活性層3・・・透
明導電層 4・・・導電層11・・・ペルジャー
12・・・バタフライバルブ13・・・排
気路 17・・・酸紫ガス放1Kt18・・
・スズ蒸発源 19・・・インジウム蒸発源1
9′・・・酸化インジウム蒸発源 21・・・ガス入口 22.26・・・電極部
材(14) 23・・・放電空間 31・・・水素ガス放電
管32・・・シリコン蒸発源 33・・・アルミニウム蒸発源 34・・・クロム蒸発源 学2囮 学3図
構成を示す説明用1th1面図、第2図は本発明方法に
よる太iIwL池の構成を示す説明図、第3図は酸素ガ
ス放w1tの一例の説明用断面図、第4図は本発明の実
施例において用(・た装置の構成を示す説明用断面図、
第5図は本発明の実施例によって得られる太陽電池の構
成を示す説明図である。 1・・・導電性基板 2・・・活性層3・・・透
明導電層 4・・・導電層11・・・ペルジャー
12・・・バタフライバルブ13・・・排
気路 17・・・酸紫ガス放1Kt18・・
・スズ蒸発源 19・・・インジウム蒸発源1
9′・・・酸化インジウム蒸発源 21・・・ガス入口 22.26・・・電極部
材(14) 23・・・放電空間 31・・・水素ガス放電
管32・・・シリコン蒸発源 33・・・アルミニウム蒸発源 34・・・クロム蒸発源 学2囮 学3図
Claims (1)
- り導電性基板よに充電変換作用を有する半導体層l形成
したものt真空槽内に配置し5白骸真空槽内に活性12
票ガスY導入してその存在)に2ける反応蒸着法により
前記半導体層上に、l化スズのみより成る下層Y:有す
ると共に酸化イ/ジクム及び酸化スズよフ成りその厚さ
の増加に従って酸化スズの割合が減少する透明導電層娶
形成する工11v含むことt特徴とする太陽電池の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58018040A JPS58151073A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 光電変換素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58018040A JPS58151073A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 光電変換素子及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56178967A Division JPS5880878A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58151073A true JPS58151073A (ja) | 1983-09-08 |
JPH0512870B2 JPH0512870B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=11960562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58018040A Granted JPS58151073A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 光電変換素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58151073A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107527972A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-29 | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 | 一种晶硅太阳能电池处理设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814582A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58018040A patent/JPS58151073A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814582A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 高効率のアモルフアスシリコン系太陽電池 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107527972A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-29 | 理想晶延半导体设备(上海)有限公司 | 一种晶硅太阳能电池处理设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0512870B2 (ja) | 1993-02-19 |
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