JPS6095977A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPS6095977A JPS6095977A JP58202548A JP20254883A JPS6095977A JP S6095977 A JPS6095977 A JP S6095977A JP 58202548 A JP58202548 A JP 58202548A JP 20254883 A JP20254883 A JP 20254883A JP S6095977 A JPS6095977 A JP S6095977A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、太陽電池や光検出器などの光起電力装置に関
するものである。
するものである。
シランやフロルシランなどの化合物ガスをグロー放電分
解して得られるアモルファス半導体は、禁止帯幅中の平
均局在肩付密度が１０創一 以下と小さくなるために、
Ｐ形，ｎ形の不純物制御が可能となることが確ぜされて
以来、低コスト、量産性に優れた太陽電池材料として注
目されている。
解して得られるアモルファス半導体は、禁止帯幅中の平
均局在肩付密度が１０創一 以下と小さくなるために、
Ｐ形，ｎ形の不純物制御が可能となることが確ぜされて
以来、低コスト、量産性に優れた太陽電池材料として注
目されている。
グロー放電分解法を用いたアモルファス半導体形成法の
利点のひとつは，グロー放電雰囲気中に導入されるガス
の種類を変えるだけで、Ｐ形、ｎ形およびｎ形のアモル
ファス半導体層を任意の順で容易かつ連続的に所望の数
だけ形成できることである。
利点のひとつは，グロー放電雰囲気中に導入されるガス
の種類を変えるだけで、Ｐ形、ｎ形およびｎ形のアモル
ファス半導体層を任意の順で容易かつ連続的に所望の数
だけ形成できることである。
この利点を利用して、ｊｉｎ ｊａ＋・ｇ等はＡｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ 。
、Ｐｈｙｓ 。
Ｌｅｔｔ．４３（１１，１ ｊｕｌｙ １９８３におい
てＰ形、ｎ形およびｎ形のアモルファス７リコ／Ｉｆｉ
Ｊから構成される単位光起′ｑカセルの光入射側の層で
あるＰ層の上に、ｎ形のアモルファスシリコン層を設け
た構成として、高電圧の出力を発生する光起電力・肉１
ぺであるＮｅｗ ａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ
ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｃａｒｒｉｅｒｄｅｖｉｃｅを発表
している。
てＰ形、ｎ形およびｎ形のアモルファス７リコ／Ｉｆｉ
Ｊから構成される単位光起′ｑカセルの光入射側の層で
あるＰ層の上に、ｎ形のアモルファスシリコン層を設け
た構成として、高電圧の出力を発生する光起電力・肉１
ぺであるＮｅｗ ａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ
ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｃａｒｒｉｅｒｄｅｖｉｃｅを発表
している。
上記の光起電力装置の断面図を第１図に示すが。
１は太陽光線、２はガラス基板、３はＩＴｏ、４はｎ形
のアモルファスシリコンｆｍ、５ａ、５ｂ、５Ｃは順に
１アモルファスシリコン単位光起電力セル５のＰ形、ｉ
形、ｎ形のアモルファスシリコン層で、６はアルミ電極
である。
のアモルファスシリコンｆｍ、５ａ、５ｂ、５Ｃは順に
１アモルファスシリコン単位光起電力セル５のＰ形、ｉ
形、ｎ形のアモルファスシリコン層で、６はアルミ電極
である。
ここで、ｎ形アモルファスシリコンＩｆｉ ４はリンを
ドープした薄い層から成っており、Ｐ形アモルファスシ
リコン層５ａはポロンをドープした膜厚８゜〜２００Ａ
の層から、またｉ形アモルファスシリコン層５ｂはドー
プしない膜厚６０００大の層から、そして同様に最後の
層であるｎ形アモルファスシリコン層５Ｃは前記ｎ形ア
モルファスシリコン層４と同じく、リンをドープした膜
厚２５０λの層から成っている。この構成にょれげ、１
１’０３． ｎ形およびＰ形アモルファスシリコンＷｇ
４，５ａにおいて、高い障壁が形成されてこの障壁に相
当する電圧の１部が、単位光起電力セル５で発生する電
圧に寄与することＫなり、高い電圧を得ることができる
ために、光起電力装置の変換効率の向上を図れる。しか
しながら、前記の効果を得るためにはｎ形およびＰ形ア
モルファスシリコン層４，５ａは極めて薄くなければな
らない。即ち、この光起電力装置における電流発生領域
はト：−ピングしないｉ形アモ・・ファスシリコン層５
ｂであるが、入射光をできるだけ有効に前記シリコン層
５ｂに入れてやるためにも、入射光側の層であるｎ形お
よびＰ形アモルファスシリコン層４，５ａは厚くてはな
らない。従ってこのことからもｎ形およびＰ形アモルフ
ァスシリコン層４゜５ａの膜厚のＳ−化が必要となる。
ドープした薄い層から成っており、Ｐ形アモルファスシ
リコン層５ａはポロンをドープした膜厚８゜〜２００Ａ
の層から、またｉ形アモルファスシリコン層５ｂはドー
プしない膜厚６０００大の層から、そして同様に最後の
層であるｎ形アモルファスシリコン層５Ｃは前記ｎ形ア
モルファスシリコン層４と同じく、リンをドープした膜
厚２５０λの層から成っている。この構成にょれげ、１
１’０３． ｎ形およびＰ形アモルファスシリコンＷｇ
４，５ａにおいて、高い障壁が形成されてこの障壁に相
当する電圧の１部が、単位光起電力セル５で発生する電
圧に寄与することＫなり、高い電圧を得ることができる
ために、光起電力装置の変換効率の向上を図れる。しか
しながら、前記の効果を得るためにはｎ形およびＰ形ア
モルファスシリコン層４，５ａは極めて薄くなければな
らない。即ち、この光起電力装置における電流発生領域
はト：−ピングしないｉ形アモ・・ファスシリコン層５
ｂであるが、入射光をできるだけ有効に前記シリコン層
５ｂに入れてやるためにも、入射光側の層であるｎ形お
よびＰ形アモルファスシリコン層４，５ａは厚くてはな
らない。従ってこのことからもｎ形およびＰ形アモルフ
ァスシリコン層４゜５ａの膜厚のＳ−化が必要となる。
この従来例においては、Ｐ層アモルファスシリコン＋＠
５ｂの膜厚を１２０＾としたときに、光起電力装置の特
性のパラメータのひとつである開放電圧Ｖｏｃが最大と
なり、またＩ’ｌ’０−ｎ−Ｐ Ｋおける障壁も最大と
なっており、さらに光起電力装置の変換効率も最大値を
示している。そして前記膜厚よりｙ＋” （ても厚くて
もＶｏｃ。
５ｂの膜厚を１２０＾としたときに、光起電力装置の特
性のパラメータのひとつである開放電圧Ｖｏｃが最大と
なり、またＩ’ｌ’０−ｎ−Ｐ Ｋおける障壁も最大と
なっており、さらに光起電力装置の変換効率も最大値を
示している。そして前記膜厚よりｙ＋” （ても厚くて
もＶｏｃ。
障壁とも低下している。このことは、ｎ形およびＰ形ア
モルファスシリコンＷ４４１５ａでのｎ −Ｐ 接合の
形成状態に関係していると言え、Ｐ形アモルファスシリ
コン層５ａの膜厚制御が重要であることを示している。
モルファスシリコンＷ４４１５ａでのｎ −Ｐ 接合の
形成状態に関係していると言え、Ｐ形アモルファスシリ
コン層５ａの膜厚制御が重要であることを示している。
以上示した従来の構成に（？いてｌｒ＋′、１太陽光純
１１ｄ ｌ’ｌ’０３． ｎ形およびＰ形アモルファス
シリコン層４．５ａの２層を通ってｉ形アモルファスシ
リコン層５ｂに入るために、ｎ形およびＰ形アモルファ
スシリコン層４，５ａで光の吸収損失が発生する可能性
がある。また前記損失ｆ／１７なくするためには、前記
２層の膜１ｑを極めて薄くしなければならず、特にＰ形
アモルファスシリコン層５ａの膜厚は光句゛ルカ特性に
大きな影響を与えることからも、非常に高いＩｌｌ厚の
制御［受衝を必要とするためにその再現性に問題がある
。さらに、ＩＴＯ３，上にｎ型γモルファスシリコン層
４を１４４成するために、一般にＩＴＯはプラズマに弱
いことが知られており、上記構成ではＩＴＯが変質する
と爵う問題やＩ ＴＯの組成物質の］’ ｎ 等かｎ形
アモルファスシリコン１１中に拡散してゆき、とれらの
結果光起電力装置ｉｔ特性が低下するという欠点を持っ
ている。
１１ｄ ｌ’ｌ’０３． ｎ形およびＰ形アモルファス
シリコン層４．５ａの２層を通ってｉ形アモルファスシ
リコン層５ｂに入るために、ｎ形およびＰ形アモルファ
スシリコン層４，５ａで光の吸収損失が発生する可能性
がある。また前記損失ｆ／１７なくするためには、前記
２層の膜１ｑを極めて薄くしなければならず、特にＰ形
アモルファスシリコン層５ａの膜厚は光句゛ルカ特性に
大きな影響を与えることからも、非常に高いＩｌｌ厚の
制御［受衝を必要とするためにその再現性に問題がある
。さらに、ＩＴＯ３，上にｎ型γモルファスシリコン層
４を１４４成するために、一般にＩＴＯはプラズマに弱
いことが知られており、上記構成ではＩＴＯが変質する
と爵う問題やＩ ＴＯの組成物質の］’ ｎ 等かｎ形
アモルファスシリコン１１中に拡散してゆき、とれらの
結果光起電力装置ｉｔ特性が低下するという欠点を持っ
ている。
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、高電
圧を出力し得る光起電力装ｆｆｆにおいて、光起電力特
性金白−トさせることを目的としたものである。
圧を出力し得る光起電力装ｆｆｆにおいて、光起電力特
性金白−トさせることを目的としたものである。
本発明は％導電性基板上にｎ形、Ｐ形、ｉ形およびｎ形
薄ＩＩ＠ ＊ ｓ体層、次いで透明導電膜、金属電極を
１晒次形成させた構成として１．ト記目的を達成するも
のである。
薄ＩＩ＠ ＊ ｓ体層、次いで透明導電膜、金属電極を
１晒次形成させた構成として１．ト記目的を達成するも
のである。
本発明は、４！、性基板上にＰ形、ｉ形、ｎ形薄１μ半
導体Ｉ→を順次形成して単位光起電力セルを構成する光
起電力装置において、前記基板とＰ形薄膜半導体層との
間にｎ形薄膜半導体層を設けた構成とすることにより、
光入射側での光吸収損失を低減でき、また、入射光１＋
１１と反対の前記基板（Ｉｌｌにｎ −Ｐ 接合を形成
しているために、Ｐ形＋１１１膜半導体層における光吸
収相失はほとんど無視で八るので、前４Ｃ半導体層のＷ
Ｊ Ｉ’Ｆは比Φぐ的厚くしても良く、１１侍！頃の制
御性を高めることが可能となり再現性も向上する。さら
に透明導ＭＬＩＩつは薄膜半導体ｒ→を形成した後に形
成するために、前記導電膜の変質および口形り゛膜半導
体層中への拡散の間頌が外くなるという利点がある。以
上のことから、本発明によれば光吸収損失に起因する電
流を損失することなく、高電圧′ｆ！：取り出すことが
できるために比較的容易に再現性のある光起電力装置全
提供でき、且つ光）ｊ＠ ’？ｉ？力装時の変換効率の
向上を図ることができる。
導体Ｉ→を順次形成して単位光起電力セルを構成する光
起電力装置において、前記基板とＰ形薄膜半導体層との
間にｎ形薄膜半導体層を設けた構成とすることにより、
光入射側での光吸収損失を低減でき、また、入射光１＋
１１と反対の前記基板（Ｉｌｌにｎ −Ｐ 接合を形成
しているために、Ｐ形＋１１１膜半導体層における光吸
収相失はほとんど無視で八るので、前４Ｃ半導体層のＷ
Ｊ Ｉ’Ｆは比Φぐ的厚くしても良く、１１侍！頃の制
御性を高めることが可能となり再現性も向上する。さら
に透明導ＭＬＩＩつは薄膜半導体ｒ→を形成した後に形
成するために、前記導電膜の変質および口形り゛膜半導
体層中への拡散の間頌が外くなるという利点がある。以
上のことから、本発明によれば光吸収損失に起因する電
流を損失することなく、高電圧′ｆ！：取り出すことが
できるために比較的容易に再現性のある光起電力装置全
提供でき、且つ光）ｊ＠ ’？ｉ？力装時の変換効率の
向上を図ることができる。
第２図に本発明の１実施例を示す。導電性基板１２はス
テンレスであり、この上にシラン（ＳｉＨ）とホスフィ
ン（ＰＩ−１ａ）の混合ガスのグロー放電分解にヨ？）
、ｎ形のアモルファスシリコン層１１ｔ−２０ＯＡ形成
する。このｎ ％アモルファスシリコン層１１の上１ｃ
、Ｐ 形、ｉ形およびｎ形アモルファスシリコンＩｎ
１０ａ、１０ｂ、１０ｃを順次形成させて単位光起電
力セル１０を構成する。このときのＰ形、ｉ形およびｎ
形アモルファスシリコン層はグロー放電分ＭＫよって形
成するが、Ｐ形アモルファスシリコン層１０ａはシラン
とジボラン（８２Ｈ６）、ｉ形アモルファスシリコン＋
ｎｔｏｂ社シランのみ、ｎ形アモルファスシリコン！、
ＩＱ、Ｃはシランとホスフィ／で形成し、各々の膜厚
け３００Ａ、 ５５００Ａ、 １００Ａである。光入射
側の１１形アモルファスシリコン層１０Ｃの上に、透明
導電膜としてＩＴＯｔ−７５ＯＡ形成させた。最後にＡ
ｔ電極８を真空蒸着法で１μ形成した。７は太陽光線。
テンレスであり、この上にシラン（ＳｉＨ）とホスフィ
ン（ＰＩ−１ａ）の混合ガスのグロー放電分解にヨ？）
、ｎ形のアモルファスシリコン層１１ｔ−２０ＯＡ形成
する。このｎ ％アモルファスシリコン層１１の上１ｃ
、Ｐ 形、ｉ形およびｎ形アモルファスシリコンＩｎ
１０ａ、１０ｂ、１０ｃを順次形成させて単位光起電
力セル１０を構成する。このときのＰ形、ｉ形およびｎ
形アモルファスシリコン層はグロー放電分ＭＫよって形
成するが、Ｐ形アモルファスシリコン層１０ａはシラン
とジボラン（８２Ｈ６）、ｉ形アモルファスシリコン＋
ｎｔｏｂ社シランのみ、ｎ形アモルファスシリコン！、
ＩＱ、Ｃはシランとホスフィ／で形成し、各々の膜厚
け３００Ａ、 ５５００Ａ、 １００Ａである。光入射
側の１１形アモルファスシリコン層１０Ｃの上に、透明
導電膜としてＩＴＯｔ−７５ＯＡ形成させた。最後にＡ
ｔ電極８を真空蒸着法で１μ形成した。７は太陽光線。
ＩＴＯはアルゴンと酸素の混合ガス中でバッタリングし
て形成させ、基板温度は必萼に応じて几Ｔ室温〜３００
℃の間で選択した。上記した各々のアモルファスシリコ
ン層の膜厚であるが、基板側１のｎ形アモルファスシリ
コン１１は１００〜３００Ａ、光入射１０１１のｎ形ア
モルファスシリコンＨＭ １０ｃ ハｓｏ〜１５０Ａ。
て形成させ、基板温度は必萼に応じて几Ｔ室温〜３００
℃の間で選択した。上記した各々のアモルファスシリコ
ン層の膜厚であるが、基板側１のｎ形アモルファスシリ
コン１１は１００〜３００Ａ、光入射１０１１のｎ形ア
モルファスシリコンＨＭ １０ｃ ハｓｏ〜１５０Ａ。
Ｐ形アモルファスシリコン層１０ａは２００〜５００Ａ
および１形アモルファスシリコンＭ １０ｂ ｌｄ ４
５００〜６５００Ａの範ｌｅｄとし、各々アモルファス
シリコン層の膜質等から任意に決定することができる。
および１形アモルファスシリコンＭ １０ｂ ｌｄ ４
５００〜６５００Ａの範ｌｅｄとし、各々アモルファス
シリコン層の膜質等から任意に決定することができる。
この実施例によれば、光入射１１＋１の反対にｉらる井
＆ （１１１１１１Ｃステンレス−１１形アモルファス
シリコンーＰ形アモルファスシリコンという構成として
、前記４１＋１成部で高い障壁が形成され、（ｔＹ“来
例と同様にこの障壁に相当する電圧の１部が、「１１゜
位光起電力セル１０で発生する電圧に加算され高い電圧
が発生する。本実施例の構成においては、基板上のｎ形
アモルファスシリコン層が無い場合のＶｏｃが０８８Ｖ
であったのに対し、 Ｖｏｃが１０２■と０１４■の増
大となった。坤１大分の０１４ｖはｎ −Ｐ 接合にお
ける障壁の高さに相当する電圧の１部であり、ｎ”Ｐ接
合での障４Ｊｉ ＋でよる効壬が明確に現われた。また
このとへの光起電力装置〆１のパラメータのひとつであ
る短絡′ル、流Ｊｓｃは、′＄析上のｎ形アモルファス
シリコン層が無い」８合と同じ値を示し１２．８ ｍＡ
／ｃｒＡであった。このことは、ｎ−Ｐ接合が光の入射
側でない基板側に形成されているために、Ｐ形アモルフ
ァスシリコン層１μ厚は、広い範囲において本発明に導
入できること、光の吸収損失には全く無関係で ・ある
ことを示している。このことから次のことが言える。即
ち旨い障壁を得るために重要なＰ形アモルファスシリコ
ン層の膜厚を広い範囲で使用できるために、膜厚制御性
が容易になり膜厚の再現性を図れる。このために再現性
の高い光起電力装置を提供できるとともに変換効率の向
上を図ることができる。オたＦＯは各々アモルファスシ
リコン層を形成した後に形成させるため、Ｉ’ｒＯが変
質することも、Ｉｎ等がアモルファスシリコン中へ拡散
してゆくこともない。
＆ （１１１１１１Ｃステンレス−１１形アモルファス
シリコンーＰ形アモルファスシリコンという構成として
、前記４１＋１成部で高い障壁が形成され、（ｔＹ“来
例と同様にこの障壁に相当する電圧の１部が、「１１゜
位光起電力セル１０で発生する電圧に加算され高い電圧
が発生する。本実施例の構成においては、基板上のｎ形
アモルファスシリコン層が無い場合のＶｏｃが０８８Ｖ
であったのに対し、 Ｖｏｃが１０２■と０１４■の増
大となった。坤１大分の０１４ｖはｎ −Ｐ 接合にお
ける障壁の高さに相当する電圧の１部であり、ｎ”Ｐ接
合での障４Ｊｉ ＋でよる効壬が明確に現われた。また
このとへの光起電力装置〆１のパラメータのひとつであ
る短絡′ル、流Ｊｓｃは、′＄析上のｎ形アモルファス
シリコン層が無い」８合と同じ値を示し１２．８ ｍＡ
／ｃｒＡであった。このことは、ｎ−Ｐ接合が光の入射
側でない基板側に形成されているために、Ｐ形アモルフ
ァスシリコン層１μ厚は、広い範囲において本発明に導
入できること、光の吸収損失には全く無関係で ・ある
ことを示している。このことから次のことが言える。即
ち旨い障壁を得るために重要なＰ形アモルファスシリコ
ン層の膜厚を広い範囲で使用できるために、膜厚制御性
が容易になり膜厚の再現性を図れる。このために再現性
の高い光起電力装置を提供できるとともに変換効率の向
上を図ることができる。オたＦＯは各々アモルファスシ
リコン層を形成した後に形成させるため、Ｉ’ｒＯが変
質することも、Ｉｎ等がアモルファスシリコン中へ拡散
してゆくこともない。
上記ではｎ形薄膜半導体層にアモルファスシリコンを用
いたが、こむでは前記半轡体層にｎ形の微結晶シリコン
層を用いた。この微結晶シリコン層はシランとボスフィ
ンの混合ガスからグロー放板側の微結晶シリコン層は２
００＾、入射光４ｕ＋１は１８０ＡのりＱ）すで、他の
Ｐ形、ｉ形は上記実施例と同じくアモルファスシリコン
層である。この場合においても上８１１シた実施例とｌ
よは同様な結果を示すが。
いたが、こむでは前記半轡体層にｎ形の微結晶シリコン
層を用いた。この微結晶シリコン層はシランとボスフィ
ンの混合ガスからグロー放板側の微結晶シリコン層は２
００＾、入射光４ｕ＋１は１８０ＡのりＱ）すで、他の
Ｐ形、ｉ形は上記実施例と同じくアモルファスシリコン
層である。この場合においても上８１１シた実施例とｌ
よは同様な結果を示すが。
光入射側を微結晶としたために光の入射が増加して電流
Ｊｓｃが１ｆ４え、また基板側の微結晶のために隙璧の
＾さも大きくなり、各々１３．７ （ｎｕｋ７ｉＪ）、
Ｖｏｃは１．０６（Ｖ）である。
Ｊｓｃが１ｆ４え、また基板側の微結晶のために隙璧の
＾さも大きくなり、各々１３．７ （ｎｕｋ７ｉＪ）、
Ｖｏｃは１．０６（Ｖ）である。
＠１図は従来の光起電力装鮪の断面図、第２図は本発、
明における１実施例の光起電力装置の断面図である。 図において、 １．７・・・大陽光線、 ２・ガラス基板。 ３．９ 透明導τを膜、 ４１１１− ｎ 形アモルファスシリコント弓、５ａ
、 ｌ Ｏａ −、Ｐ 形アモルファスシリコン層。 ５ｂ 、 Ｉ Ｏｈ・・・ｉ形アモルファスシリコン層
、５Ｃｌ Ｉ ＱＣ・ｎ形アモルファスシリコン層。 ５．１０・・・単位光起電力セル、 ６．８・・・Ａｚ’ｒｇ極、 １２・・・ステンレス基板。 代理人 弁理士 側近１１坪 市（他１名）第１図
明における１実施例の光起電力装置の断面図である。 図において、 １．７・・・大陽光線、 ２・ガラス基板。 ３．９ 透明導τを膜、 ４１１１− ｎ 形アモルファスシリコント弓、５ａ
、 ｌ Ｏａ −、Ｐ 形アモルファスシリコン層。 ５ｂ 、 Ｉ Ｏｈ・・・ｉ形アモルファスシリコン層
、５Ｃｌ Ｉ ＱＣ・ｎ形アモルファスシリコン層。 ５．１０・・・単位光起電力セル、 ６．８・・・Ａｚ’ｒｇ極、 １２・・・ステンレス基板。 代理人 弁理士 側近１１坪 市（他１名）第１図
Claims (2)
- （１）導■性基板上に第１の導電型を有する薄膜半導体
層を設け、との薄膜半導体層１に前記導電型と異なる導
電型を有する。ｉＨ＠半導体層、ドープしない薄膜半導
体層、前記第１の導電型を有する薄膜半導体層と同じ導
電型を有する薄膜半導体層を、順次積層した構成から１
切ることを特徴とする光起電力装置。 - （２）第１の導電型を有する薄膜半導体層が、微結晶相
よシ成ろことを特徴とする特許 囲第１項記載の光起電力装置っ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202548A JPS6095977A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202548A JPS6095977A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095977A true JPS6095977A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16459321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58202548A Pending JPS6095977A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095977A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634687A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子の電極 |
| US5857661A (en) * | 1994-11-01 | 1999-01-12 | Hitachi, Ltd. | Valve drive control method, valve drive control apparatus and fluid member supply apparatus |
| DE102019202490A1 (de) | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterherstellungsvorrichtung |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58202548A patent/JPS6095977A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634687A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子の電極 |
| US5857661A (en) * | 1994-11-01 | 1999-01-12 | Hitachi, Ltd. | Valve drive control method, valve drive control apparatus and fluid member supply apparatus |
| DE102019202490A1 (de) | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterherstellungsvorrichtung |
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