DE102019202490A1

DE102019202490A1 - Halbleiterherstellungsvorrichtung

Info

Publication number: DE102019202490A1
Application number: DE102019202490.4A
Authority: DE
Inventors: Shuji Uozumi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2018-03-06
Filing date: 2019-02-25
Publication date: 2019-09-12
Also published as: JP2019153745A; CN110233120A; JP7045882B2

Abstract

Eine Halbleiterherstellungsvorrichtung (100) umfasst eine Spritze (10), die ein Bondingelement (M1) bereitstellt, und eine mit der Spritze (10) verbundene Auftragungseinheit (20). An der Auftragungseinheit (20) sind Düsen (N1a, N1b) angebracht. Die Auftragungseinheit (20) enthält einen Umschaltmechanismus (Mc1), der ermöglicht, dass das von der Spritze (10) bereitgestellte Bondingelement (M1) aus den Düsen (N1a, N1b) selektiv ausgestoßen wird.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterherstellungsvorrichtung, die die Funktion zum Zuführen bzw. Bereitstellen eines Bondingelements aufweist.
Beschreibung des Standes der Technik
In den Prozessen zum Herstellen eines Halbleitermoduls wird Basiselementen wie etwa einem Substrat und einem Leiterrahmen ein Bondingelement zugeführt bzw. bereitgestellt, und auf den Basiselementen wird eine Komponente wie etwa ein Halbleiterchip montiert. Das verwendete Bondingelement liegt im festen Zustand oder Pastenzustand vor. Falls eine Paste im Pastenzustand (das Bondingelement) bereitgestellt wird, wird im Allgemeinen das folgende Bereitstellungsverfahren N ausgeführt.
Im Bereitstellungsverfahren N wird die Konfiguration verwendet, in der eine Düse mit einer mit einer Paste gefüllten Spritze verbunden ist. Die Düse ist so entworfen, dass sie dem für jede Komponente geeigneten Auftragungsmuster entspricht bzw. genügt. Im Bereitstellungsverfahren N wird die Paste in der Spritze über die Düse herausgedrückt. Die Paste wird so an jeder beliebigen spezifizierten Stelle aufgetragen. Man beachte, dass im Bereitstellungsverfahren N nach Bedarf eine eine Vielzahl von Düsen verwendende Halbleiterherstellungsvorrichtung genutzt wird.
Die offengelegte japanische Gebrauchsmusteranmeldung Nr. 60-095977 (1985) offenbart die Konfiguration, in der eine Paste unter Verwendung einer Vielzahl von Düsen (worauf im Folgenden auch als die „verwandte Konfiguration A“ verwiesen wird) an einer Vielzahl von Stellen aufgetragen wird.
In den Prozessen zum Herstellen eines Halbleitermoduls kann es erforderlich sein, ein Auftragungsmuster anzugehen, das genau einer, in einer Vielzahl von Düsen enthaltenen Düse entspricht. Dies erfordert die Konfiguration, in der das Bondingelement aus der Vielzahl von Düsen selektiv ausgestoßen wird. Die verwandte Konfiguration A kann solch eine Anforderung nicht erfüllen.
ZUSAMMENFASSUNG
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Halbleiterherstellungsvorrichtung vorzusehen, die imstande ist, ein Bondingelement aus einer Vielzahl von Düsen selektiv auszustoßen.
Eine Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst: eine Spritze, die ein Bondingelement, das Fluidität aufweist, bereitstellt; und eine mit der Spritze verbundene Auftragungseinheit. An der Auftragungseinheit ist eine Vielzahl von Düsen angebracht. Die Auftragungseinheit umfasst einen Umschaltmechanismus, der erlaubt, dass das von der Spritze bereitgestellte Bondingelement aus der Vielzahl von Düsen selektiv ausgestoßen wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Auftragungseinheit den Umschaltmechanismus, der erlaubt, dass das von der Spritzte bereitgestellte Bondingelement aus der Vielzahl von Düsen selektiv ausgestoßen wird. Diese Konfiguration ermöglicht, dass das Bondingelement aus der Vielzahl von Düsen selektiv ausgestoßen wird.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform darstellt;
2 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform;
3 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer ersten Variation darstellt;
4 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß der ersten Variation;
5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer zweiten Variation zeigt;
6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer dritten Variation zeigt;
7 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
8 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform;
9 ist eine Querschnittsansicht eines Teils einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer vierten Variation; und
10 ist eine Querschnittsansicht eines Teils einer Halbleiterherstellungsvorrichtung gemäß einer fünften Variation.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gegeben. In den Zeichnungen, auf die im Folgenden verwiesen wird, sind identische Bestandteile durch ein identisches Bezugszeichen bezeichnet. Der Name und die Funktion der Bestandteile, die durch ein identisches Bezugszeichen bezeichnet sind, sind die gleichen. Dementsprechend kann ein Teil der durch ein identisches Bezugszeichen bezeichneten Bestandteile weggelassen werden.
Man beachte, dass die Abmessung, das Material, die Form von jedem der Bestandteile, die in den bevorzugten Ausführungsformen veranschaulicht sind, und die relative Anordnung der Bestandteile gegebenenfalls in Abhängigkeit von der Konfiguration einer Vorrichtung, auf die die vorliegende Erfindung angewendet wird, verschiedener Bedingungen und dergleichen geändert werden können. Ferner kann die Abmessung jedes der Bestandteile mit der tatsächlichen Abmessung nicht übereinstimmen.
<Erste bevorzugte Ausführungsform>
1 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild einer Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform darstellt. In 1 sind die X-Richtung, die Y-Richtung und die Z-Richtung zueinander senkrecht. Die X-Richtung, die Y-Richtung und die Z-Richtung, die in den nachfolgenden Zeichnungen dargestellt sind, sind ebenfalls zueinander senkrecht. Im Folgenden wird auf eine Richtung, die die X-Richtung und eine zu der X-Richtung entgegengesetzte Richtung (-X-Richtung) umfasst, auch als die „X-Achsenrichtung“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf eine Richtung, die die Y-Richtung und eine zu der Y-Richtung entgegengesetzte Richtung (-Y-Richtung) umfasst, auch als die „Y-Achsenrichtung“ verwiesen. Ferner wird noch im Folgenden auf eine Richtung, die die Z-Richtung und eine zu der Z-Richtung entgegengesetzte Richtung (-Z-Richtung) umfasst, auch als die „Z-Achsenrichtung“ verwiesen.
Nachstehend wird auf eine Ebene, die die X-Achsenrichtung und die Y-Achsenrichtung enthält, ferner auch als die „XY-Ebene“ verwiesen. Weiter wird im Folgenden auf eine Ebene, die die X-Achsenrichtung und die Z-Achsenrichtung enthält, auch als die „XZ-Ebene“ verwiesen. Überdies wird noch im Folgenden auf eine Ebene, die die Y-Achsenrichtung und die Z-Achsenrichtung enthält, ferner auch als die „YZ-Ebene“ verwiesen.
2 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform. Man beachte, dass 2 eine Querschnittsansicht nur der Hauptbestandteile (zum Beispiel einer Spritze 10, einer Auftragungseinheit 20, einer Absperr- bzw. Blockierplatte 4, die jeweils später beschrieben werden) ist. Ferner zeigt 2 derartige Hauptbestandteile in einer vereinfachten Art und Weise.
Mit Verweis auf 1 und 2 umfasst die Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 eine Spritze 10, eine Auftragungseinheit 20, Düsen N1a, N1b und eine Blockierplatten-Steuervorrichtung 50. Die Spritze 10 nimmt ein Bondingelement M1 auf, das später beschrieben wird. Die Spritze 10 hat eine Öffnung H1, welche ein Durchgangsloch ist.
Die Spritze 10 ist mit dem Bondingelement M1 gefüllt. Das Bondingelement M1 ist ein fließfähiges Material. Das heißt, das Bondingelement M1 ist ein Pastenelement. Das Bondingelement M1 wird in beispielsweise einem Prozess zum Herstellen eines Halbleitermoduls, Bonden eines Halbleiterchips an Basiselemente wie etwa ein Substrat, einen Leiterrahmen und dergleichen verwendet. Das Bondingelement M1 ist zum Beispiel ein Lot.
Die Auftragungseinheit 20 ist ein Behälter, der dafür konfiguriert ist, das Bondingelement M1 zu speichern. Die Auftragungseinheit 20 ist mit der Spritze 10 verbunden. Konkret ist die Auftragungseinheit 20 mit der Öffnung H1 der Spritze 10 verbunden. Die Spritze 10 ist dafür konfiguriert, das Bondingelement M1 über die Öffnung H1 der Auftragungseinheit 20 zuzuführen bzw. bereitzustellen.
Die Düse N1a ist in der Konfiguration von der Düse N1b verschieden. Beispielsweise ist die Düse N1a in dem Durchmesser und der Position des Lochs von der Düse N1b verschieden.
Die Auftragungseinheit 20 ist mit Öffnungen H2a, H2b versehen, die jeweils ein Durchgangsloch sind. Ferner sind an der Auftragungseinheit 20 die Düsen N1a, N1b angebracht. Die Düse N1a ist mit der Öffnung H2a verbunden. Die Düse N1a ist dafür konfiguriert, das Bondingelement M1, das durch die Öffnung H2a gelangt ist, auszustoßen. Die Düse N1b ist mit der Öffnung H2b verbunden. Die Düse N1b ist dafür konfiguriert, das Bondingelement M1, das durch die Öffnung H2b gelangt ist, auszustoßen.
Die Auftragungseinheit 20 enthält einen Umschaltmechanismus Mc1. Der Umschaltmechanismus Mc1 ermöglicht, dass das von der Spritze 10 bereitgestellte Bondingelement M1 aus den Düsen N1a, N1b selektiv ausgestoßen wird. Der Umschaltmechanismus Mc1 enthält eine Absperr- bzw. Blockierplatte 4. Die Blockierplatte 4 umfasst Blockierplatten 4a, 4b.
Die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 hat die Funktion zum Verschieben von Verbindungseinheiten 5a, 5b in der horizontalen Richtung (der X-Achsenrichtung). Die Verbindungseinheiten 5a, 5b sind jeweils ein stangenartiges Element. An der Verbindungseinheit 5a ist die Blockierplatte 4a befestigt. An der Verbindungseinheit 5b ist die Blockierplatte 4b befestigt. Daher hat die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Funktion zum Verschieben der Blockierplatten 4a, 4b in der horizontalen Richtung über die Verbindungseinheiten 5a bzw. 5b. Das heißt, die Blockierplatte 4 (die Blockierplatten 4a, 4b) ist so konfiguriert, dass sie in der horizontalen Richtung verschiebbar ist. Die Blockierplatten 4a, 4b verschieben sich so, dass die Öffnungen H2a, H2b selektiv blockiert werden.
Nachstehend wird auf einen Weg, der von der Öffnung H1 der Spritze 10 zur Öffnung H2a verläuft, um das Bondingelement M1 strömen zu lassen, auch als der „Weg Pt1a“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf einen Weg, der von der Öffnung H1 der Spritze 10 zur Öffnung H2b verläuft, um das Bondingelement M1 strömen zu lassen, auch als der „Weg Pt1b“ verwiesen.
Der Weg Pt1a ist in einem eines blockierten Zustands Sxa und eines offenen Zustands Swa. Der blockierte Zustand Sxa ist der Zustand, in dem der Weg Pt1a durch die Blockierplatte 4a blockiert ist. Ferner ist der blockierte Zustand Sxa gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform der Zustand, in dem die Öffnung H2a durch die Blockierplatte 4a blockiert ist. Der offene Zustand Swa ist der Zustand, in dem der Weg Pt1a durch die Blockierplatte 4a nicht blockiert ist. Ferner ist der offene Zustand Swa gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ebenfalls der Zustand, in dem die Öffnung H2a durch die Blockierplatte 4a nicht blockiert ist.
Der Weg Pt1b ist in einem eines blockierten Zustands Sxb und eines offenen Zustands Swb. Der blockierte Zustand Sxb ist der Zustand, in dem der Weg Pt1b durch die Blockierplatte 4b blockiert ist. Ferner ist der blockierte Zustand Sxb gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ebenfalls der Zustand, in dem die Öffnung H2b durch die Blockierplatte 4b blockiert ist. Der offene Zustand Swb ist der Zustand, in dem der Weg Pt1b durch die Blockierplatte 4b nicht blockiert ist. Der offene Zustand Swb gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ist ferner der Zustand, in dem die Öffnung H2b durch die Blockierplatte 4b nicht blockiert ist.
Im Folgenden wird auf die Situation, in der der Weg Pt1a im offenen Zustand Swa ist und der Weg Pt1b im blockierten Zustand Sxb ist, auch als die „Situation Sa“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf die Situation, in der der Weg Pt1b im offenen Zustand Swb ist und der Weg Pt1a im blockierten Zustand Sxa ist, auch als die „Situation Sb“ verwiesen.
Die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 verschiebt die Blockierplatten 4a, 4b in der horizontalen Richtung, um die Situation Sa und die Situation Sb selektiv herbeizuführen.
Mit der Spritze 10 ist ein Spender D1a bzw. eine Vorrichtung zur Druckbeaufschlagung und Druckänderung über ein Rohr 7a verbunden. Der Spender D1a hat die Funktion, den Luftdruck einzustellen. Konkret hat der Spender D1a die Funktion, mittels Luft Druck auf das Bondingelement M1 in der Spritze 10 anzuwenden. Im Folgenden wird auf den Druck, den der Spender D1a auf das Bondingelement M1 in der Spritze 10 anwendet, auch als der „Druck Pw1“ verwiesen. Der Spender D1a ist so konfiguriert, dass er imstande ist, den Druck Pw1 zu ändern. Der Spender D1a ändert den Druck Pw1 so, dass die Spritze 10 das Bondingelement M1 der Auftragungseinheit 20 zuführt bzw. bereitstellt. Das Bondingelement M1 strömt durch den Druck Pw1 zur Auftragungseinheit 20.
In der Situation Sa, in der der Weg Pt1a in dem offenen Zustand Swa ist und der Weg Pt1b im blockierten Zustand Sxb ist, stößt die Düse N1a das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 aus. In der Situation Sb, in der der Weg Pt1b in dem offenen Zustand Swb ist und der Weg Pt1a im blockierten Zustand Sxa ist, stößt die Düse N1b das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 aus.
Im Folgenden wird auf die Düse, die beim Ausstoßen des Bondingelements M1 genutzt wird, auch als die „operative Düse“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf die Düse, die beim Ausstoßen des Bondingelements M1 nicht genutzt wird, auch als die „nicht-operative Düse“ verwiesen. Eine der Düsen N1a, N1b ist die operative Düse. Von den Düsen N1a, N1b ist diejenige, welche nicht die operative Düse ist, die nicht-operative Düse. Das heißt, die Düsen N1a, N1b umfassen die operative Düse und die nicht-operative Düse.
Im Folgenden wird im Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 auf einen Teil des Bondingelements M1, der in Richtung der nicht-operativen Düse strömt, auch als das „Bondingelement M1x“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden in dem Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 auf einen anderen Teil des Bondingelements M1, der in Richtung der operativen Düse strömt, auch als das „Bondingelement M1m“ verwiesen.
(Betrieb)
Als Nächstes wird eine Beschreibung des Betriebs der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 gegeben. Hier wird die folgende Vorbedingung Pm1 diskutiert. Unter der Vorbedingung Pm1 wird ein Ausstoßprozess Pa zum Ausstoßen des Bondingelements M1 aus der Düse N1a ausgeführt. Das heißt, unter der Vorbedingung Pm1 ist die Düse N1a die operative Düse, und die Düse N1b ist die nicht-operative Düse. Ferner ist unter der Vorbedingung Pm1 das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20. Unter der Vorbedingung Pm1 ändert weiter der Spender D1a den Druck Pw1 so, dass das Bondingelement M1 aus der operativen Düse ausgestoßen wird.
Im Ausstoßprozess Pa verschiebt die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Blockierplatten 4a, 4b (die Verbindungseinheiten 5a, 5b) in der horizontalen Richtung, um die Situation Sa herbeizuführen. Somit wird der Weg Pt1a auf den offenen Zustand Swa eingestellt, und der Weg Pt1b wird auf den blockierten Zustand Sxb eingestellt.
Daher stoppt der Strom des Bondingelements M1x in Richtung der nicht-operativen Düse, während der Strom des Bondingelements M1m in Richtung der operativen Düse nicht stoppt. Das heißt, die Blockierplatte 4, die die Blockierplatten 4a, 4b umfasst, ist dafür konfiguriert, den Strom des Bondingelements M1x zu stoppen und einen Stopp des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. Folglich wird das Bondingelement M1m aus der Düse N1a ausgestoßen.
Als Nächstes wird die folgende Vorbedingung Pm2 diskutiert. Unter der Vorbedingung Pm2 wird ein Ausstoßprozess Pb zum Ausstoßen des Bondingelements M1 aus der Düse N1b ausgeführt. Das heißt, unter der Vorbedingung Pm2 ist die Düse N1b die operative Düse, und die Düse N1a ist die nicht-operative Düse. Ferner ist unter der Vorbedingung Pm2 das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20. Überdies ändert unter der Vorbedingung Pm2 der Spender D1a noch den Druck Pw1 so, dass das Bondingelement M1 aus der operativen Düse ausgestoßen wird.
In dem Ausstoßprozess Pb verschiebt die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Blockierplatten 4a, 4b (die Verbindungseinheiten 5a, 5b) in der horizontalen Richtung, um die Situation Sb herbeizuführen. Folglich wird der Weg Pt1b auf den offenen Zustand Swb eingestellt, und der Weg Pt1a wird auf den blockierten Zustand Sxa eingestellt.
Daher stoppt der Strom des Bondingelements M1x in Richtung der nicht-operativen Düse, während der Strom des Bondingelements M1m in Richtung der operativen Düse nicht stoppt. Das heißt, die Blockierplatte 4, die die Blockierplatten 4a, 4b umfasst, ist dafür konfiguriert, den Strom des Bondingelements M1x zu stoppen und ein Stoppen des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. Folglich wird das Bondingelement M1m aus der Düse N1b ausgestoßen.
Man beachte, dass als Reaktion darauf, dass eine der Düsen N1a, N1b als die operative Düse ausgewählt (eingestellt) wird, der Ausstoßprozess Pa und der Ausstoßprozess Pb selektiv ausgeführt werden. Das heißt, die Blockierplatte 4, die die Blockierplatten 4a, 4b umfasst, ist die Platte, um das Bondingelement M1 so strömen zu lassen, dass das Bondingelement M1 aus den Düsen N1a, N1b selektiv ausgestoßen wird.
Wie oben beschrieben wurde, umfasst gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform die Auftragungseinheit 20 den Umschaltmechanismus Mc1, der ermöglicht, dass das von der Spritze 10 bereitgestellte Bondingelement M1 aus den Düsen N1a, N1b selektiv ausgestoßen wird. Diese Konfiguration ermöglicht, dass das Bondingelement aus der Vielzahl von Düsen selektiv ausgestoßen wird.
Gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ist ferner eine Vielzahl von Düsen über die Auftragungseinheit 20 gemeinsam an der Spritze 10 angebracht.
Ferner wird noch gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform die operative Düse aus einer Vielzahl von Düsen ausgewählt, und das Bondingelement M1 wird aus dieser operativen Düse über die Auftragungseinheit 20, die mit einer Spritze 10 verbunden ist, ausgestoßen. Das heißt, diese Konfiguration ist imstande, zwischen Ausstoßen und Nichtausstoßen des Bondingelements M1 aus jeder der Düsen umzuschalten. Ohne die Düsen austauschen zu müssen, erreicht folglich diese Konfiguration ein Auftragen einer Vielzahl von Mustern unter Verwendung des Bondingelements.
Gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform erreicht ferner nur das Verschieben der Blockierplatte 4 (der Blockierplatten 4a, 4b), die sich in der horizontalen Richtung verschieben kann, ein Umschalten zwischen Ausstoßen und Nichtausstoßen des Bondingelements M1 aus jeder der Düsen.
Man beachte, dass in dem Bereitstellungsverfahren N, wenn die Anzahl von zu montierenden Komponenten groß ist, die Anzahl von Auftragungsmustern ebenfalls größer wird. Daher muss eine Menge von Düsen verwendet werden. Im Allgemeinen ist ferner eine Spritze mit einer Düse verbunden, um die Auftragungsmenge einer Paste zu stabilisieren.
Man beachte, dass, wenn es notwendig ist, eine Vielzahl von Auftragungsmuster anzugehen, herkömmlicherweise eines der folgenden Schemata N1, N2 ausgeführt wurde. Im Schema N1 werden für eine Spritze in einer Vielzahl von Düsen enthaltene operative Düsen umgeschaltet. Das Schema N2 nutzt ferner die Konfiguration, in der eine Vielzahl von Düsen jeweils an einer Vielzahl von Spitzen angebracht ist. Unglücklicherweise weisen die Schemata N1, N2 die folgenden Probleme auf.
Zunächst müssen im Schema N1 jedes Mal, wenn die Düsen umgeschaltet werden, die Düsen ersetzt werden, was Arbeitsvorgänge wie etwa eine Parameterkorrektur erfordert. Daher besteht ein Problem, dass jedes Mal, wenn die Düsen umgeschaltet werden, Arbeitszeit anfällt.
Im Schema N2 wird, da eine Menge von Spritzen verwendet werden muss, aufgrund von Komplikationen beim Verwalten der Lebensdauer jeder der Spritzen und Regeln des Vorrats jeder der Spritzen die Produktivität schlecht.
Die Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform enthält hier den Umschaltmechanismus Mc1. Daher löst die vorliegende bevorzugte Ausführungsform die oben beschriebenen Probleme.
<Erste Variation>
Nachstehend wird auf die Konfiguration der ersten bevorzugten Ausführungsform auch als die „Konfiguration Ct1“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf die Konfiguration der vorliegenden Variation auch als die „Konfiguration Ctm1“ verwiesen. Die Konfiguration Ctm1 ist die Konfiguration zum Verschieben der Blockierplatte 4 in der vertikalen Richtung. Die Konfiguration Ctm1 wird auf die Konfiguration Ct1 (die erste bevorzugte Ausführungsform) angewendet.
3 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Variation darstellt. 4 ist eine Querschnittsansicht der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Variation. Man beachte, dass 4 eine Querschnittsansicht nur der Hauptbestandteile (zum Beispiel der Spritze 10, der Auftragungseinheit 20 und der Blockierplatte 4) ist. Ferner zeigt 4 derartige Hauptbestandteile in einer vereinfachten Art und Weise.
Unter Bezugnahme auf 3 und 4 hat in der Konfiguration Ctm1 die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Funktion zum Verschieben der Verbindungseinheiten 5a, 5b in der vertikalen Richtung. An der Verbindungseinheit 5a ist die Blockierplatte 4a befestigt. An der Verbindungseinheit 5b ist die Blockierplatte 4b befestigt. Daher hat die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Funktion zum Verschieben der Blockierplatten 4a, 4b in der vertikalen Richtung über die Verbindungseinheiten 5a, 5b . Das heißt, in der Konfiguration Ctm1 ist die Blockierplatte 4 (die Blockierplatten 4a, 4b) so konfiguriert, dass sie in der vertikalen Richtung verschiebbar ist. Die Blockierplatten 4a, 4b verschieben sich so, dass die Wege Pt1a, Pt1b selektiv blockiert werden.
Der Weg Pt1a ist in einem des blockierten Zustands Sxa und des offenen Zustands Swa. Der blockierte Zustand Sxa ist der Zustand, in dem der Weg Pt1a durch die Blockierplatte 4a blockiert ist. Der offene Zustand Swa ist der Zustand, in dem der Weg Pt1a durch die Blockierplatte 4a nicht blockiert ist.
Der Weg Pt1b ist in einem des blockierten Zustands Sxb und des offenen Zustands Swb. Der blockierte Zustand Sxb ist der Zustand, in dem der Weg Pt1b durch die Blockierplatte 4b blockiert ist. Der offene Zustand Swb ist der Zustand, in dem der Weg Pt1b durch die Blockierplatte 4b nicht blockiert ist.
In der Konfiguration Ctm1 verschiebt die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Blockierplatten 4a, 4b in der vertikalen Richtung, um so die Situation Sa und die Situation Sb selektiv herbeizuführen.
Ähnlich der ersten bevorzugten Ausführungsform werden in der Konfiguration Ctm1 ebenfalls der Ausstoßprozess Pa und der Ausstoßprozess Pb selektiv ausgeführt. Im Ausstoßprozess Pa in der Konfiguration Ctm1 verschiebt die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Blockierplatten 4a, 4b (die Verbindungseinheiten 5a, 5b) in der vertikalen Richtung, um die Situation Sa herbeizuführen. Folglich wird der Weg Pt1a auf den offenen Zustand Swa eingestellt, und der Weg Pt1b wird auf den blockierten Zustand Sxb eingestellt. Daher stoppt der Strom des Bondingelements M1x in Richtung der nicht-operativen Düse, während der Strom des Bondingelements M1m in Richtung der operativen Düse nicht stoppt. Das heißt, die Blockierplatte 4, die die Blockierplatten 4a, 4b umfasst, ist dafür konfiguriert, den Strom des Bondingelements M1x zu stoppen und ein Stoppen des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. Folglich wird das Bondingelement M1 aus der Düse N1a ausgestoßen.
Im Ausstoßprozess Pb in der Konfiguration Ctm1 verschiebt die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 die Blockierplatten 4a, 4b (die Verbindungseinheiten 5a, 5b) in der vertikalen Richtung, um die Situation Sb herbeizuführen. Folglich wird der Weg Pt1b auf den offenen Zustand Swb eingestellt, während der Weg Pt1a auf den blockierten Zustand Sxa eingestellt wird. Daher stoppt der Strom des Bondingelements M1x in Richtung der nicht-operativen Düse, während der Strom des Bondingelements M1m in Richtung der operativen Düse nicht stoppt. Das heißt, die Blockierplatte 4, die die Blockierplatten 4a, 4b umfasst, ist dafür konfiguriert, den Strom des Bondingelements M1x zu stoppen und ein Stoppen des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. Das Bondingelement M1m wird somit aus der Düse N1b ausgestoßen.
In der Konfiguration Ctm1 werden der Ausstoßprozess Pa und der Ausstoßprozess Pb selektiv ausgeführt. Das heißt, die Blockierplatte 4, die die Blockierplatten 4a, 4b umfasst, ist die Platte, um das Bondingelement M1 so strömen zu lassen, dass das Bondingelement M1 aus den Düsen N1a, N1b selektiv ausgestoßen wird.
Wie oben beschrieben worden ist, zeigt die vorliegende Variation den Effekt, der demjenigen ähnlich ist, den die erste bevorzugte Ausführungsform zeigt. Gemäß der vorliegenden Variation sind ferner die Blockierplatten 4a, 4b so konfiguriert, dass sie in der vertikalen Richtung verschiebbar sind. Daher wird die Strömungsmenge des Bondingelements M1 in Richtung der operativen Düse gemäß der Verschiebung der Blockierplatten 4a, 4b verglichen mit derjenigen in der in 2 gezeigten Konfiguration reduziert. Dies verhindert ein Tropfen an jeder der Düsen.
<Zweite Variation>
Im Folgenden wird auf die Konfiguration der vorliegenden Variation auch als die „Konfiguration Ctm2“ verwiesen. Die Konfiguration Ctm2 verwendet den Spender D1a und einen Schieber. In der Konfiguration Ctm2 ist der Schieber an der Auftragungseinheit 20 vorgesehen. Die Konfiguration Ctm2 wird auf die gesamte Konfiguration Ct1 (die erste bevorzugte Ausführungsform) und die Konfiguration Ctm1 (die erste Variation) oder auf einen Teil dieser angewendet.
Als ein Beispiel wird im Folgenden die Konfiguration Ctm1 dargestellt, auf die die Konfiguration Ctm2 angewendet wird (worauf im Folgenden auch als die „Konfiguration Ctm12“ verwiesen wird). Die Konfiguration Ctm12 wird durch Anwenden der Konfiguration Ctm2 auf die in 4 dargestellte Konfiguration erhalten.
5 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 in der Konfiguration Ctm12 gemäß der zweiten Variation. In der Konfiguration Ctm12 ist die Auftragungseinheit 20 mit einem Schieber P1 versehen. Der Schieber P1 ist das Element, um Druck auf das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 anzuwenden. Als ein Beispiel zeigt 5 die Konfiguration, in der zwei Schieber P1 an der Auftragungseinheit 20 vorgesehen sind.
Im Folgenden wird auf die beiden Schieber P1 auch als die „Schieber P1a, P1b“ verwiesen. Der Schieber P1a ist an dem Abschnitt oberhalb der Öffnung H2a (der Düse N1a) in der Auftragungseinheit 20 vorgesehen. Der Schieber P1b ist oberhalb der Öffnung H2b (der Düse N1b) in der Auftragungseinheit 20 vorgesehen.
Jeder der Schieber P1a, P1b ist so konfiguriert, dass er in der vertikalen Richtung verschiebbar ist. Die Schieber-Steuervorrichtung 60 hat die Funktion, jeden der Schieber P1a, P1b in der vertikalen Richtung zu verschieben. Der Schieber P1a ist verschiebbar, um Druck auf das Bondingelement M1 nahe der Öffnung H2a (der Düse N1a) anzuwenden. Der Schieber P1b ist verschiebbar, um Druck auf das Bondingelement M1 nahe der Öffnung H2b (der Düse N1b) anzuwenden.
In der Situation Sa verschiebt die Schieber-Steuervorrichtung 60 den Schieber P1a nach Bedarf in der vertikalen Richtung. Folglich wird die Menge des aus der Düse N1a ausgestoßenen Bondingelements M1 eingestellt. Ferner verschiebt in der Situation Sb die Schieber-Steuervorrichtung 60 den Schieber P1b nach Bedarf in der vertikalen Richtung. So wird die Menge des aus der Düse N1b ausgestoßenen Bondingelements M1 eingestellt. Die oben beschriebene Konfiguration verhindert ein Tropfen an jeder der Düsen.
Wenn die Ausstoßmenge des Bondingelements M1 an jeder der Düsen ungeeignet ist, verschiebt die Schieber-Steuervorrichtung 60 die Schieber wie oben beschrieben nach Bedarf. Diese Konfiguration ermöglicht, dass die Ausstoßmenge des Bondingelements M1 an jeder der Düsen eingestellt wird.
<Dritte Variation>
Im Folgenden wird auf die Konfiguration der vorliegenden Variation auch als die „Konfiguration Ctm3“ verwiesen. Die Konfiguration Ctm3 verwendet zwei Spender. Die Konfiguration Ctm3 wird auf die gesamte Konfiguration Ct1 (die erste bevorzugte Ausführungsform) und die Konfiguration Ctm1 (die erste Variation) oder einen Teil dieser angewendet.
Als ein Beispiel wird im Folgenden die Konfiguration Ctm1 dargestellt, auf die die Konfiguration Ctm3 angewendet wird (worauf im Folgenden auch als die „Konfiguration Ctm13“ verwiesen wird). Die Konfiguration Ctm13 wird durch Anwenden der Konfiguration Ctm3 auf die in 4 dargestellte Konfiguration erhalten.
6 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 in der Konfiguration Ctm13 gemäß einer dritten Variation. In der Konfiguration Ctm13 ist ein Spender D1b über ein Rohr 7b mit der Auftragungseinheit 20 verbunden.
Das Rohr 7b umfasst Rohre 7ba, 7bb. Das Rohr 7ba ist mit dem Bereich oberhalb der Öffnung H2a (der Düse N1a) in der Auftragungseinheit 20 verbunden. Das Rohr 7bb ist mit einem Abschnitt oberhalb der Öffnung H2b (der Düse N1b) in der Auftragungseinheit 20 verbunden.
Der Spender D1b hat die Funktion, den Luftdruck unter Verwendung von Luft einzustellen. Konkret hat der Spender D1b die Funktion, den Druck auf das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 mittels Luft über das Rohr 7b anzuwenden. Im Folgenden wird auf den Druck, den der Spender D1b auf das Bondingelement M1 in der Auftragungseinheit 20 anwendet, auch als der „Druck Pw1b“ verwiesen. Der Spender D1b ist der Spender zum Zweck einer Einstellung, der dafür konfiguriert ist, den Druck Pw1b zu ändern.
In der Situation Sa stellt der Spender D1b den Druck, der auf das Bondingelement M1 nahe der Öffnung H2a (der Düse N1a) angewendet wird, über das Rohr 7ba ein. Folglich wird die Menge des aus der Düse N1a ausgestoßenen Bondingelements M1 eingestellt. Ferner stellt in der Situation Sb der Spender D1b den Druck, der auf das Bondingelement M1 nahe der Öffnung H2b (der Düse N1b) angewendet wird, über das Rohr 7bb ein. Folglich wird die Menge des aus der Düse N1b ausgestoßenen Bondingelements M1 eingestellt. Die oben beschriebene Konfiguration verhindert ein Tropfen an jeder der Düsen.
<Zweite bevorzugte Ausführungsform>
7 ist eine perspektivische Ansicht, die das äußere Erscheinungsbild einer Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform darstellt. 8 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform. 8 ist eine Querschnittsansicht nur der Hauptbestandteile (zum Beispiel der Spritze 10, einer Auftragungseinheit 20A, die später beschrieben werden wird, und einer Blockierplatte 4A, die später beschrieben wird). Ferner zeigt 8 die Hauptbestandteile in einer vereinfachten Art und Weise.
Mit Verweis auf 7 und 8 ist die Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A von der in 2 dargestellten Halbleiterherstellungsvorrichtung 100 insofern verschieden, als sie anstelle der Auftragungseinheit 20 eine Auftragungseinheit 20A und anstelle der Blockierplatten-Steuervorrichtung 50 eine Blockierplatten-Steuervorrichtung 50A enthält. Der Rest der Konfiguration der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A ist ähnlich derjenigen der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100, und daher wird dessen detaillierte Beschreibung nicht wiederholt.
Obwohl das Detail später beschrieben werden wird, ist die Auftragungseinheit 20A dafür konfiguriert, das Bondingelement M1 zu speichern. Die Auftragungseinheit 20A ist mit der Spritze 10 verbunden. Ferner sind an der Auftragungseinheit 20A Düsen N1a, N1b angebracht.
Konkret umfasst die Auftragungseinheit 20A eine Speichereinheit 21, eine Düsenverbindungseinheit 22 und eine Verbindungseinheit 23. Die Speichereinheit 21 ist ein Behälter zum Speichern des Bondingelements M1. Die Speichereinheit 21 ist mit der Öffnung H1 der Spritze 10 verbunden. Die Spritze 10 ist dafür konfiguriert, das Bondingelement M1 über die Öffnung H1 der Speichereinheit 21 bereitzustellen. Ferner enthält die Speichereinheit 21 eine Öffnung H21, die ein Durchgangsloch ist.
Die Form der Düsenverbindungseinheit 22 ist scheibenartig. Die Düsenverbindungseinheit 22 ist über die Verbindungseinheit 23 mit der Speichereinheit 21 verbunden.
Die Düsenverbindungseinheit 22 weist eine Mitte c2 auf. Die Düsenverbindungseinheit 22 ist mit Öffnungen H2Aa, H2Ab versehen, welche jeweils ein Durchgangsloch sind. Die Größe und Form der Öffnung H2Aa ist identisch zu jenen der Öffnung H2Ab. Die Distanz von der Mitte c2 zur Öffnung H2Aa ist gleich der Distanz von der Mitte c2 zur Öffnung H2Ab.
Ferner sind an die Düsenverbindungseinheit 22 die Düsen N1a, N1b angebracht. Die Düse N1a ist mit der Öffnung H2Aa verbunden. Die Düse N1a ist dafür konfiguriert, das Bondingelement M1, das durch die Öffnung H2Aa gelangt ist, auszustoßen. Die Düse N1b ist mit der Öffnung H2Ab verbunden. Die Düse N1b ist dafür konfiguriert, das Bondingelement M1, das durch die Öffnung H2Ab gelangt ist, auszustoßen. Die Distanz von der Mitte c2 zur Düse N1a ist gleich der Distanz von der Mitte c2 zur Düse N1b.
Die Auftragungseinheit 20A weist den Umschaltmechanismus Mc1A auf. Während das Detail später beschrieben wird, ermöglicht der Umschaltmechanismus Mc1A, dass das von der Spritze 10 bereitgestellte Bondingelement M1 selektiv aus den Düsen N1a, N1b ausgestoßen wird. Der Umschaltmechanismus Mc1A enthält die Blockierplatte 4A. Die Form der Blockierplatte 4A ist scheibenartig. Die Blockierplatte 4A ist dafür konfiguriert, einen Großteil der Öffnung H21 der Speichereinheit 21 abzudecken.
Ferner ist die Blockierplatte 4A mit einer Öffnung H4 versehen, die ein Durchgangsloch ist. Wie in einer Draufsicht (der XY-Ebene) ersichtlich, ist die Distanz von der Mitte c2 zur Öffnung H4 gleich der Distanz von der Mitte c2 zur Öffnung H2Ab. Überdies ist der Durchmesser der Öffnung H4 größer als der oder gleich dem Durchmesser der Öffnung H2Aa. Man beachte, dass die Form der Öffnung H4 ermöglicht, dass das Bondingelement M1 leicht im Innern der Öffnung H4 strömt.
Die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50A hat die Funktion, die Verbindungseinheit 5c zu drehen. Die Verbindungseinheit 5c ist ein stangenartiges Element. Man beachte, dass die Speichereinheit 21 so konfiguriert ist, dass sie einen Teil der Verbindungseinheit 5c umgibt. Die Form der Speichereinheit 21 ist ringförmig. Daher weist die Speichereinheit 21 einen ringförmigen Raum SP1 auf. Der Raum SP1 ist der Raum zum Speichern des Bondingelements M1.
Ein Ende der Verbindungseinheit 5c ist überdies an der Mitte der Blockierplatte 4A befestigt. Daher hat die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50A die Funktion, die Blockierplatte 4A über die Verbindungseinheit 5c zu drehen. Das heißt, die Blockierplatte 4A ist drehbar konfiguriert. Die Blockierplatte 4A dreht so, dass die Öffnung H4 mit einer der Öffnungen H2Aa, H2Ab verbunden wird. Das heißt, die Blockierplatte 4A dreht so, dass die Öffnung H2Aa, H2Ab selektiv blockiert werden.
Nachstehend wird ein Weg, der von der Öffnung H1 der Spritze 10 zur Öffnung H2Aa verläuft, um das Bondingelement M1 strömen zu lassen, auch als der „Weg Pt2a“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf einen Weg, der von der Öffnung H1 der Spritze 10 zur Öffnung H2Ab verläuft, um das Bondingelement M1 strömen zu lassen, auch als der „Weg Pt2b“ verwiesen.
Der Weg Pt2a ist in einem eines blockierten Zustands SxAa und eines offenen Zustands SwAa. Der blockierte Zustand SxAa ist der Zustand, in dem der Weg Pt2a durch die Blockierplatte 4A blockiert ist. Ferner ist der offene Zustand SwAa der Zustand, in dem der Weg Pt2a durch die Blockierplatte 4A nicht blockiert ist. Das heißt, der offene Zustand SwAa ist der Zustand, in dem die Öffnung H4 der Blockierplatte 4A mit der Öffnung H2Aa verbunden ist. 8 zeigt die Konfiguration in dem offenen Zustand SwAa.
Der Weg Pt2b ist in einem eines blockierten Zustands SxAb und eines offenen Zustands SwAb. Der blockierte Zustand SxAb ist der Zustand, in dem der Weg Pt2b durch die Blockierplatte 4A blockiert ist. Ferner ist der offene Zustand SwAb der Zustand, in dem der Weg Pt2b durch die Blockierplatte 4A nicht blockiert ist. Das heißt, der offene Zustand SwAb ist der Zustand, in dem die Öffnung H4 der Blockierplatte 4A mit der Öffnung H2Ab verbunden ist.
Im Folgenden wird auf die Situation, in der der Weg Pt2a in dem offenen Zustand SwAa ist und der Weg Pt2b im geschlossenen Zustand SxAb ist, auch als die „Situation SAa“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf die Situation, in der der Weg Pt2b in dem offenen Zustand SwAb ist und der Weg Pt2a im blockierten Zustand SxAa ist, auch als die „Situation SAb“ verwiesen.
Die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50A dreht die Blockierplatte 4A, um die Situation SAa und die Situation SAb selektiv herbeizuführen.
Der Spender D1a ändert den Druck Pw1 so, dass die Spritze 10 das Bondingelement M1 der Auftragungseinheit 20A (der Speichereinheit 21) bereitstellt. Das Bondingelement M1 strömt durch den Druck Pw1 zu der Auftragungseinheit 20a (der Speichereinheit 21).
In der Situation SAa, in der der Weg Pt2a im offenen Zustand SwAa ist und der Weg Pt2b im blockierten Zustand SxAb ist, stößt die Düse N1a das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 aus. In der Situation SAb, in der der Weg Pt2b im offenen Zustand SwAb ist und der Weg Pt2a im blockierten Zustand SxAa ist, stößt die Düse N1b das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 aus.
Im Folgenden wird im Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 auf einen Teil des Bondingelements M1, der in Richtung der nicht-operativen Düse strömt, auch als das „Bondingelement M1x“ verwiesen. Ferner wird nachstehend im Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 auf einen anderen Teil des Bondingelements M1, der in Richtung der operativen Düse strömt, auch als das „Bondingelement M1m“ verwiesen.
(Betrieb)
Als Nächstes wird eine Beschreibung des Betriebs der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A gegeben. Die folgende Vorbedingung Pm3 wird hier diskutiert. Unter der Vorbedingung Pm3 wird ein Ausstoßprozess PAa zum Ausstoßen des Bondingelements M1 aus der Düse N1a ausgeführt. Das heißt, unter der Vorbedingung Pm3 ist die Düse N1a die operative Düse, und die Düse N1b ist die nicht-operative Düse. Weiter befindet sich unter der Vorbedingung Pm3 das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21. Ferner ändert unter der Vorbedingung Pm3 noch der Spender D1a den Druck Pw1 so, dass das Bondingelement M1 aus der operativen Düse ausgestoßen wird.
Im Ausstoßprozess PAa dreht die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50A die Blockierplatte 4A, um die Situation SAa herbeizuführen. So wird der Weg Pt2a auf den offenen Zustand SwAa eingestellt, und der Weg Pt2b wird auf den geschlossenen Zustand SxAb eingestellt.
Daher stoppt der Strom des Bondingelements M1x in Richtung der nicht-operativen Düse, während der Strom des Bondingelements M1m in Richtung der operativen Düse nicht stoppt. Das heißt, die Blockierplatte 4A ist dafür konfiguriert, den Strom des Bondingelements M1x zu stoppen und ein Stoppen des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. Das heißt, die Öffnung H4 der Blockierplatte 4A dient als die Öffnung, um ein Stoppen des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. So wird das Bondingelement M1m aus der Düse N1a ausgestoßen.
Als Nächstes wird die folgende Vorbedingung Pm4 diskutiert. Unter der Vorbedingung Pm4 wird ein Ausstoßprozess PAb zum Ausstoßen des Bondingelements M1 aus der Düse N1b ausgeführt. Das heißt, unter der Vorbedingung Pm4 ist die Düse N1b die operative Düse, und die Düse N1a is die nicht-operative Düse. Unter der Vorbedingung Pm4 befindet sich ferner das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21. Ferner ändert unter der Vorbedingung Pm4 der Spender D1a noch den Druck Pw1 so, dass das Bondingelement M1 aus der operativen Düse ausgestoßen wird.
Im Ausstoßprozess PAb dreht die Blockierplatten-Steuervorrichtung 50A die Blockierplatte 4A, um die Situation SAb herbeizuführen. So wird der Weg Pt2b auf den offenen Zustand SwAb eingestellt, und der Weg Pt2a wird auf den blockierten Zustand SxAa eingestellt.
Daher stoppt der Strom des Bondingelements M1x in Richtung der nicht-operativen Düse, während der Strom des Bondingelements M1m in Richtung der operativen Düse nicht stoppt. Das heißt, die Blockierplatte 4A ist dafür konfiguriert, den Strom des Bondingelements M1x zu stoppen und ein Stoppen des Stroms des Bondingelements M1m zu vermeiden. Folglich wird das Bondingelement M1m aus der Düse N1b ausgestoßen.
Man beachte, dass als Reaktion darauf, dass eine der Düsen N1a, N1b als die operative Düse ausgewählt (eingestellt) wird, der Ausstoßprozess PAa und der Ausstoßprozess PAb selektiv ausgeführt werden. Das heißt, die Blockierplatte 4A ist die Platte, um das Bondingelement M1 so strömen zu lassen, dass das Bondingelement M1 aus den Düsen N1a, N1b selektiv ausgestoßen wird.
Wie oben beschrieben wurde, zeigt die vorliegende bevorzugte Ausführungsform den Effekt, der demjenigen ähnlich ist, den die erste bevorzugte Ausführungsform zeigt. Beispielsweise wird die operative Düse aus einer Vielzahl von Düsen ausgewählt, und das Bondingelement M1 wird aus dieser operativen Düse über die Auftragungseinheit 20A ausgestoßen, die mit einer Spritze 10 verbunden ist. Das heißt, diese Konfiguration ist imstande, zwischen Ausstoßen und Nichtausstoßen des Bondingelements M1 aus jeder der Düsen umzuschalten.
Man beachte, dass bei Erhöhen der Anzahl der vorgesehenen Düsen die Konfiguration gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform erfordert, dass eine Blockierplatte und der Antriebsmechanismus für diese Blockierplatte hinzugefügt werden. Auf der anderen Seite ist gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform, falls die Anzahl der vorgesehenen Düsen ebenfalls erhöht wird, es nicht notwendig, irgendeine Blockierplatte und den Antriebsmechanismus für diese Blockierplatte hinzuzufügen. Gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform wird ferner das Umschalten der operativen Düse unter einer Vielzahl von Düsen erreicht, indem die Drehung der Blockierplatte gesteuert wird. Daher vereinfacht die vorliegende bevorzugte Ausführungsform in vorteilhafter Weise den Entwurf der viele Düsen enthaltenden Konfiguration.
<Vierte Variation>
Im Folgenden wird auf die Konfiguration der zweiten bevorzugten Ausführungsform auch als die „Konfiguration Ct2“ verwiesen. Ferner wird im Folgenden auf die Konfiguration der vorliegenden Variation auch als die „Konfiguration Ctm4“ verwiesen. Die Konfiguration Ctm4 verwendet den Spender D1a und einen Schieber. Die Konfiguration Ctm4 wird auf die Konfiguration Ct2 (die zweite bevorzugte Ausführungsform) angewendet.
9 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A in der Konfiguration Ctm4 gemäß der vierten Variation. In der Konfiguration Ctm4 ist die Auftragungseinheit 20A mit dem Schieber P1 versehen. Konkret ist der Schieber P1 an der Speichereinheit 21 der Auftragungseinheit 20A vorgesehen. Der Schieber P1 in der Konfiguration Ctm4 ist das Element, um Druck auf das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 anzuwenden. Man beachte, dass die Konfiguration und Funktion des Schiebers P1 jenen des Schiebers P1 gemäß der zweiten Variation ähnlich sind.
Der Schieber P1 ist so konfiguriert, dass er in der vertikalen Richtung verschiebbar ist. Die Schieber-Steuervorrichtung 60 weist die Funktion zum Verschieben des Schiebers P1 in der vertikalen Richtung auf. In der Konfiguration Ctm4 verschiebt, ähnlich der zweiten Variation, die Schieber-Steuervorrichtung 60 den Schieber P1 nach Bedarf in der vertikalen Richtung. Somit wird der Effekt ähnlich demjenigen erhalten, den die zweite Variation zeigt. Das heißt, diese Konfiguration ist imstande, die Menge des aus der Düse N1a oder der Düse N1b ausgestoßenen Bondingelements M1 einzustellen. Daher verhindert diese Konfiguration ein Tropfen an jeder der Düsen.
<Fünfte Variation>
Im Folgenden wird auf die Konfiguration der vorliegenden Variation auch als die „Konfiguration Ctm5“ verwiesen. Die Konfiguration Ctm5 verwendet zwei Spender. Die Konfiguration Ctm5 wird auf die Konfiguration Ct2 (die zweite bevorzugte Ausführungsform) angewendet.
10 ist eine Querschnittsansicht eines Teils der Halbleiterherstellungsvorrichtung 100A in der Konfiguration Ctm5 gemäß der fünften Variation. In der Konfiguration Ctm5 ist der Spender D1b über ein Rohr 7c mit der Auftragungseinheit 20A verbunden. Konkret ist der Spender D1b über das Rohr 7c mit der Speichereinheit 21 der Auftragungseinheit 20A verbunden.
In der Konfiguration Ctm5 weist der Spender D1b die Funktion zum Anwenden von Druck auf das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 mittels Luft über das Rohr 7c auf. Im Folgenden wird auf den Druck, den der Spender D1b in der Konfiguration Ctm5 auf das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 anwendet, auch als der „Druck Pw1b“ verwiesen. Der Spender D1b ist so konfiguriert, dass er den Druck Pw1b ändern kann.
In der Konfiguration Ctm5 stellt ähnlich der dritten Variation in der Situation SAa oder der Situation SAb der Spender D1b den Druck Pw1b ein, der über das Rohr 7c auf das Bondingelement M1 in der Speichereinheit 21 angewendet wird. Somit wird der Effekt ähnlich demjenigen erhalten, den die dritte Variation zeigt. Das heißt, diese Konfiguration ist imstande, die Menge des aus der Düse N1a oder der Düse N1b ausgestoßenen Bondingelements M1 einzustellen. Daher verhindert diese Konfiguration ein Tropfen an jeder der Düsen.
Man beachte, dass innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung die bevorzugten Ausführungsformen und die Variationen, wie jeweils anwendbar, frei kombiniert, modifiziert oder weggelassen werden können.
Beispielsweise kann, obgleich beschrieben wurde, dass der Typ (die Anzahl) der Düsen, die in jeder der ersten bevorzugten Ausführungsform, der zweiten bevorzugten Ausführungsform und der ersten bis fünften Variationen verwendet werden, Zwei ist, er (sie) Drei oder mehr sein.
Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht beschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 60095977 [0004]

Claims

Halbleiterherstellungsvorrichtung, umfassend: eine Spritze (10), die ein Bondingelement (M1), das Fluidität aufweist, bereitstellt; und eine Auftragungseinheit (20, 20A), die mit der Spritze (10) verbunden ist, wobei an der Auftragungseinheit (20, 20A) eine Vielzahl von Düsen (N1a, N1b) angebracht ist, und die Auftragungseinheit (20, 20A) einen Umschaltmechanismus enthält, der ermöglicht, dass das von der Spritze (10) bereitgestellte Bondingelement (M1) aus der Vielzahl von Düsen (N1a, N1b) selektiv ausgestoßen wird.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Umschaltmechanismus eine Blockierplatte (4, 4A) umfasst, um das Bondingelement (M1) so strömen zu lassen, dass das Bondingelement (M1) aus der Vielzahl von Düsen (N1a, N1b) selektiv ausgestoßen wird.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl von Düsen (N1a, N1b) eine operative Düse, die beim Ausstoßen des Bondingelements (M1) genutzt wird, und eine nicht-operative Düse umfasst, die beim Ausstoßen des Bondingelements nicht genutzt wird, und die Blockierplatte (4, 4A) dafür konfiguriert ist, einen Strom eines Teils des Bondingelements (M1) in Richtung der nicht-operativen Düse zu stoppen und ein Stoppen eines Stroms eines anderen Teils des Bondingelements (M1) in Richtung der operativen Düse zu vermeiden.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Blockierplatte (4) so konfiguriert ist, dass sie in einer horizontalen Richtung verschiebbar ist.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Blockierplatte (4) so konfiguriert ist, dass in einer vertikalen Richtung verschiebbar ist.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Blockierplatte (4A) drehbar konfiguriert ist, und die Blockierplatte (4A) mit einer Öffnung (H4) versehen ist, um ein Stoppen des Stroms eines anderen Teils des Bondingelements (M1) zu vermeiden.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Auftragungseinheit (20, 20A) dafür konfiguriert ist, das Bondingelement (M1) zu speichern, und die Auftragungseinheit (20, 20A) mit einem Schieber (P1) versehen ist, um Druck auf das Bondingelement (M1) anzuwenden.
Halbleiterherstellungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Auftragungseinheit (20, 20A) dafür konfiguriert ist, das Bondingelement (M1) zu speichern, mit der Auftragungseinheit (20, 20A) ein Spender (D1b) mit einer Funktion, um Druck auf das Bondingelement (M1) anzuwenden, verbunden ist, und der Spender (D1b) so konfiguriert ist, dass er den auf das Bondingelement (M1) angewendeten Druck ändern kann.