JPS5826408A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents

透明導電膜の製造方法

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JPS5826408A
JPS5826408A JP12642581A JP12642581A JPS5826408A JP S5826408 A JPS5826408 A JP S5826408A JP 12642581 A JP12642581 A JP 12642581A JP 12642581 A JP12642581 A JP 12642581A JP S5826408 A JPS5826408 A JP S5826408A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
film
substrate
glass
Prior art date
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Pending
Application number
JP12642581A
Other languages
English (en)
Inventor
桑野　幸徳
中野　昭一
松岡　継文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ぼ透明電導膜の装造方法ｖｃ　ｉａする・従来か
ら種々の方法が酸化錫（不純物入りも含む）の透明４′
屯硬作製のために用いらｎている。
酸化錫を付層ざゼる基板［は王にガラスが使用さ１’し
ているが、ソーダ石灰ガラスの様なアル刀り金属酸化物
（Ｉｌ−含有するガラスを基鈑に用いた場合は石英の様
なアルカリ金属酸化物を含有しなＡガラスの場合に比べ
て作成さｎた酸化錫電導膜の抵抗が大きくなっている。
この原因はガラスから酸化錫膜へのアルカリイオンの拡
散のためＶＣ電導度が低下することｖｃある。
本発明ぼ上述の点ＶＣ鑑みてなき几たものであって、ソ
ーダ石灰ガラスの様なアルカリ金属酸化物を含有するガ
ラスでも石英ガラスと同程耽の低抵抗な酸化錫薄膜を作
ｔＪできる方法Ｃ′こ係り、以下説明する。
筐ずソーダ石灰ガラスの様；ケアルカリ金属酸化物を含
むガラス基板上にアルカリイオン阻止層が設けら几る◇
この１訂止１曽としては５［ＪＯＡ〜２００Ｕへの厚さ
の酸化シリカ膜や窒化シリコン膜が好適である。斯る酸
化シリカ膜の形成方法自体は周知であり１例えば、シラ
ン（ＳｉＨ４）　ガスと酸素ガスと金０．１〜３Ｔｏｒ
ｒの圧力で反応答器日に満すと共に該反応容器内に上記
基板會２００“Ｃ程度１ｃ７１Ｄ熱配置した状態で上記
反応容器内の混合ガスＶＣ１３，５６Ｍ’ＨＺ、　２　
Ｋ　Ｖでのプラズマ放”ｉＩｉ、ｆｃ生起することによ
り行なわ几る。ｆの他真空蒸着法や酸化シリコン溶解液
内に基板をディップする方法等１（よっても酸化シリカ
膜♀形成しイ４Ｊる・又窒化シリコン膜につ−ても同様
にプラズマ放電やｃｖｎ法により被）Ｉ！ｆシ得る。そ
して目的とする透明専′成膜１例えＰ；ｒ酸化錫膜が上
記！Ｊ　ＩＪ、−増土に通常の方法により形成ざｎ、る
・ 図ぼ上記阻止層によるアルカリイオンの阻止効果金示す
もので、同一のガラス片板ＶＣ１１化シリカ膜ゲ２０Ｌ
ｌ　ｔ］Ａ被看したもの（ｌンＩ中ｌ（に相当）と全く
被着しないもの（図中Ｂ　ＶＣ相当）とを準備し。
こｎ、ら全強酸液中に浸漬して各基板乃・らｌ（ｋ中に
ｂＩｆ。
ｎ、出るアルカリ劉−の時間変化をｌｉ！（べたもので
ある。
実施例としてエリ具体的な例全説明する。ノーダ石灰ガ
ラス基板上ＶＣ１０ｎＯＡの酸化シリカ＋＋ａを設け、
断る基板全豹５０１〕“ＣＩｃ　７ＪＩ＋熱した状態で
上記酸化シリカ膜Ｉ　Ｖこ、ＲｎＣｇ’　・５１１２０
１１Ｊ　ｏ　Ｑ、Ｈ２Ｏ５ＱＣＣ１■（り１１ｎｃｃ、
不純物Ｓ　ｂ　Ｏｌ　３５　ｙを混合した液金スプレィ
して酸化錫膜全作成したところ、面積抵抗５ｏΩ乙−５
０１”Ｉｎｎでの元透過率８５チの特性をもった透明電
導膜が得ら几た。
尚比較のために、酸化シリカ膜の形成を除層て上記と同
一条件で作成した透明電導膜の面積抵抗は１１１０Ω／
口１元透過率は８５チであった。
力）〈シて本発明に、！：几は、ソーダ石灰ガラスの様
な安価な基板？用いても低抵抗の透明電導膜を作ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明全説明するためのアルカリ析出量特性図であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）アルカリ金属酸化物金會むガラス基板上にアルカ
    リイオン阻止層を設けた後、該阻止層上に透明導電膜を
    設けること全特徴とする透明導電膜の製造方法。 １２）特許Ｈｉｔ求の範囲第１項ＶＣおいて、上記阻止
    ＃ＩＩニ酸化シリカ膜又は窒化シリコン膜であることを
    ｔ寺僧とする透明導電膜の製造方法。 １３）特許請求の範囲第１項又は酊２項において。 上記透明導電膜ぼ酸化錫膜であること（ｉｌ−特徴とす
    る透明導電膜の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237632A (ja) * 1998-02-24 1999-08-31 Sharp Corp 蛍光型液晶表示装置
US7491004B2 (en) 2004-03-18 2009-02-17 Kose Corporation Container with applicator

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JPS529015A (en) * 1975-07-11 1977-01-24 Sharp Kk Substrate

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