JPS60220505A - 透明導電膜およびその形成方法 - Google Patents
透明導電膜およびその形成方法Info
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- JPS60220505A JPS60220505A JP7606584A JP7606584A JPS60220505A JP S60220505 A JPS60220505 A JP S60220505A JP 7606584 A JP7606584 A JP 7606584A JP 7606584 A JP7606584 A JP 7606584A JP S60220505 A JPS60220505 A JP S60220505A
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- Japan
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- compound
- transparent conductive
- conductive film
- coating liquid
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主として、エレクトロニクス産業において利用
できる透明導電膜およびその形成方法に関するものであ
る。
できる透明導電膜およびその形成方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
透明導電膜は、各種の表示表子、太陽電池、入力装置な
どの重要な構成材料として、近年その需要が増大してい
る。
どの重要な構成材料として、近年その需要が増大してい
る。
このものの材料としては、インジウム、スズ。
カドミウムなどの酸化物が従来から用いられており、良
好な電導性と可視光透過率を有している。
好な電導性と可視光透過率を有している。
特に、スズを不純物としてドーグした酸化インジウム薄
膜は、高い電導率と可視光透過率を持ち、透明導電膜材
料としての主流を占めるものである。
膜は、高い電導率と可視光透過率を持ち、透明導電膜材
料としての主流を占めるものである。
この製造方法としては、真空蒸着法、ｃｖｎ法。
スプレー法、塗布法が知られているが、量産性を考慮す
ると、この中でも特に塗布法が有利であることは明らか
である。更に、塗布法は透明導電膜のパターン状印刷形
成を可能にし、透明電極の製造工程数を大１１Ｌ１に下
げ、そのコストを下げるという期待もあり、将来的に有
望な形成方法であると考えられる。
ると、この中でも特に塗布法が有利であることは明らか
である。更に、塗布法は透明導電膜のパターン状印刷形
成を可能にし、透明電極の製造工程数を大１１Ｌ１に下
げ、そのコストを下げるという期待もあり、将来的に有
望な形成方法であると考えられる。
従来、透明電極膜形成用塗布液としては、硝酸インジウ
ムと、ハロゲン化スズ、硝酸スズなどを水、カルボン酸
、多価アルコールに溶解したものや、ナフテン酸イノジ
ウムと、オクチル酸スズをトルエンに溶解したもの、更
には塩化インジウムをアルコールに溶解したもの、イン
ジウムのアルコキシドと、スズのアルコキシドをアルコ
ールに溶解したもの、インジウムアセチルアセトネート
をアセチルアセトンおよびアセトンに溶解したものなど
、多くのものが使用され、これらを基体」二に塗布、焼
成することによって透明導電膜を得ている。
ムと、ハロゲン化スズ、硝酸スズなどを水、カルボン酸
、多価アルコールに溶解したものや、ナフテン酸イノジ
ウムと、オクチル酸スズをトルエンに溶解したもの、更
には塩化インジウムをアルコールに溶解したもの、イン
ジウムのアルコキシドと、スズのアルコキシドをアルコ
ールに溶解したもの、インジウムアセチルアセトネート
をアセチルアセトンおよびアセトンに溶解したものなど
、多くのものが使用され、これらを基体」二に塗布、焼
成することによって透明導電膜を得ている。
通常、透明導電膜形成用の基体として最も安価で多用さ
れるものは、ソーダ石灰ガラス板である０このものは、
約５５０°Ｃ〜７００ ’Ｃに軟化点を持ち、従って、
塗布法における焼成温度としては５６０’Ｃ以下である
ことが望ましいのであるが、上記の塗布液では、この温
度範囲での焼成によって得られた透明導電膜は比抵抗が
高く、また膜強度が弱く、更に抵抗値の変動が太きいな
どの欠点があった。
れるものは、ソーダ石灰ガラス板である０このものは、
約５５０°Ｃ〜７００ ’Ｃに軟化点を持ち、従って、
塗布法における焼成温度としては５６０’Ｃ以下である
ことが望ましいのであるが、上記の塗布液では、この温
度範囲での焼成によって得られた透明導電膜は比抵抗が
高く、また膜強度が弱く、更に抵抗値の変動が太きいな
どの欠点があった。
発明の目的
本発明は、酸化インジウム簿膜などの多結晶半導体にお
いては、その焼結の程度、物質の緻密さが電気伝導度や
機械的強度を決める要因であるということと、通常難焼
結性の多結晶セラミックを低温で焼結させるために、焼
結助剤が使用されているということに着目し、従来の透
明導電膜では得られないような高い導電性と機械的強度
を持つ透明導電膜を提供することを目的としている。
いては、その焼結の程度、物質の緻密さが電気伝導度や
機械的強度を決める要因であるということと、通常難焼
結性の多結晶セラミックを低温で焼結させるために、焼
結助剤が使用されているということに着目し、従来の透
明導電膜では得られないような高い導電性と機械的強度
を持つ透明導電膜を提供することを目的としている。
発明の構成
このような目的を達成するために本発明の透明導電膜は
、インジウム化合物とスズ化合物と、亜鉛化合物、コバ
ルト化合物、セリウム化合物およびニッケル化合物のう
ち少なくとも１種とを溶媒に溶解してなる塗布液を用い
たものであり、寸だ形成方法は、この塗布液を基体上に
塗布し、これを焼成するものである。
、インジウム化合物とスズ化合物と、亜鉛化合物、コバ
ルト化合物、セリウム化合物およびニッケル化合物のう
ち少なくとも１種とを溶媒に溶解してなる塗布液を用い
たものであり、寸だ形成方法は、この塗布液を基体上に
塗布し、これを焼成するものである。
実施例の説明
以下に実施例をあげて、本発明を説明する。
（実施例１）
下記のような組成Ａに配合、調製した溶液１０゜ｇに対
し、酢酸亜鉛を０．０１２ｇ１Ｆ＝加、溶解して塗布液
とした。
し、酢酸亜鉛を０．０１２ｇ１Ｆ＝加、溶解して塗布液
とした。
これを、回転塗布機により、ソーダ石灰ガラス板上に塗
布、乾燥した後大気中６００’Ｃにて６０分間保持して
透明導電膜を得た。これの抵抗率は、９．２〜９．８Ｘ
１０ Ωαで、可視光透過率は、８０％以上であった。
布、乾燥した後大気中６００’Ｃにて６０分間保持して
透明導電膜を得た。これの抵抗率は、９．２〜９．８Ｘ
１０ Ωαで、可視光透過率は、８０％以上であった。
また、５０ｇの荷重をかけて、ダイヤモンドチップで膜
を摩擦し、膜が切断されるまでの回数でその強度を評価
するという方法で、この透明導電膜の強度を評価したと
ころ、２１〜３０回で膜は切断した。
を摩擦し、膜が切断されるまでの回数でその強度を評価
するという方法で、この透明導電膜の強度を評価したと
ころ、２１〜３０回で膜は切断した。
（実施例２）
実施例１と同じ組成人の溶液１００ｇに対し、酢酸コバ
ルトを○、ｏ １’ ９添加し、溶解させて塗布液とし
た。これを実施例１と同じ方時で塗布、焼成して透明導
電膜を得た。これの抵抗率は８．７〜９４×１０−３Ω
口であった。他の特性は、実施例１で得た透明導電膜と
同等であった。
ルトを○、ｏ １’ ９添加し、溶解させて塗布液とし
た。これを実施例１と同じ方時で塗布、焼成して透明導
電膜を得た。これの抵抗率は８．７〜９４×１０−３Ω
口であった。他の特性は、実施例１で得た透明導電膜と
同等であった。
（実施例３）
実施例１と同じ組成人の溶液１００ｇに対し、酢酸ニッ
ケルを０．０１ｇ添加し、溶解させて塗布液とした。こ
れを実施例１と同じ方法で塗布、焼成して透明導電膜を
得た。これの抵抗率は、９．７〜１０．２×１６３Ωα
であり、他の特性（は実施例１．２で得たものと同等で
あった。
ケルを０．０１ｇ添加し、溶解させて塗布液とした。こ
れを実施例１と同じ方法で塗布、焼成して透明導電膜を
得た。これの抵抗率は、９．７〜１０．２×１６３Ωα
であり、他の特性（は実施例１．２で得たものと同等で
あった。
（実施例４）
下記のような組成りに配合、調製した溶液１Ｑ○、？に
対し、硝酸セリウムを０，０１７ｇ添加、溶解して塗布
液とした。
対し、硝酸セリウムを０，０１７ｇ添加、溶解して塗布
液とした。
これを、実施例１と同じ方法で塗布、焼成して透明導電
膜を得た。これの抵抗率は９．１〜９，６×１５３Ωぼ
で、他の特性は実施例１，２．３で１１＋たものと同等
であった。
膜を得た。これの抵抗率は９．１〜９，６×１５３Ωぼ
で、他の特性は実施例１，２．３で１１＋たものと同等
であった。
（比較例）
実施例中の、組成Ａおよび組成、Ｂの溶液を塗布液とし
、実施例１と同じ方法で塗布、焼成して得た透明導電膜
の抵抗率は、１．８〜２．９ Ｘ １．０２Ωαであシ
、実施例１と同じ方法で強度を評価すると、１０〜１４
回で膜が切断した。
、実施例１と同じ方法で塗布、焼成して得た透明導電膜
の抵抗率は、１．８〜２．９ Ｘ １．０２Ωαであシ
、実施例１と同じ方法で強度を評価すると、１０〜１４
回で膜が切断した。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明の透明導電膜およ
びその形成方法は、亜鉛化合物、コバルト化合物、セリ
ウム化合物およびニッケル化合物を含有することにより
、従来のものよりも高い電導度と、大きい強度を持つ透
明導電膜をｆＩＩることかでき、その効果は犬なるもの
である。
びその形成方法は、亜鉛化合物、コバルト化合物、セリ
ウム化合物およびニッケル化合物を含有することにより
、従来のものよりも高い電導度と、大きい強度を持つ透
明導電膜をｆＩＩることかでき、その効果は犬なるもの
である。
Claims (2)
- （１）インジウム化合物と、スズ化合物と、亜鉛化合物
、コバルト化合物、セリウム化合物およびニッケル化合
物のうちの少なくとも１種とを溶媒に溶解して々る塗布
液を用いたことを特徴とする透明導電膜。 - （２） インジウム化合物と、スズ化合物と、亜鉛化合
物、コバルト化合物、セリウム化合物およびニッケル化
合物のうちの少なくとも１種とを溶媒に溶解して塗布液
を構成し、この塗布液を基体上に塗布した後、焼成する
ことを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7606584A JPS60220505A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7606584A JPS60220505A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220505A true JPS60220505A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13594373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7606584A Pending JPS60220505A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220505A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501883A (en) * | 1993-09-07 | 1996-03-26 | Hitachi, Ltd. | Material for use as a transparent conductive film and method for making a transparent conductive film using the material |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| US20100210069A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Seon Jong-Baek | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
| JP2011073921A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
| US8658546B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7606584A patent/JPS60220505A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| US5501883A (en) * | 1993-09-07 | 1996-03-26 | Hitachi, Ltd. | Material for use as a transparent conductive film and method for making a transparent conductive film using the material |
| US20100210069A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Seon Jong-Baek | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
| US8529802B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
| US8658546B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
| JP2011073921A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
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