JPS61190075A - 透明導電膜形成用塗布液 - Google Patents
透明導電膜形成用塗布液Info
- Publication number
- JPS61190075A JPS61190075A JP2956285A JP2956285A JPS61190075A JP S61190075 A JPS61190075 A JP S61190075A JP 2956285 A JP2956285 A JP 2956285A JP 2956285 A JP2956285 A JP 2956285A JP S61190075 A JPS61190075 A JP S61190075A
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- JP
- Japan
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- compd
- conductive film
- transparent electrically
- coating
- cerium
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置や太陽電池、及び透明タッチス
イッチなどに使用する透明導電膜形成用塗布液に関する
ものである。
イッチなどに使用する透明導電膜形成用塗布液に関する
ものである。
従来の技術
透明導電膜は、液晶表示などの平面ディスプレイデバイ
スや、太陽電池の不可欠な構成材料として需要が大きい
が、最近では更に透明タッチスイッチなどの入力装置の
構成材料としても重要となシつつある。特に、マイコン
など情報機器の家電分野への進出と共に、複雑なスイッ
チ機能の簡略化という問題を解決する手段としてこの種
のスイッチ海の重要性が高まると予想され、透明導電膜
の需要も今後大きく増加すると思われる。
スや、太陽電池の不可欠な構成材料として需要が大きい
が、最近では更に透明タッチスイッチなどの入力装置の
構成材料としても重要となシつつある。特に、マイコン
など情報機器の家電分野への進出と共に、複雑なスイッ
チ機能の簡略化という問題を解決する手段としてこの種
のスイッチ海の重要性が高まると予想され、透明導電膜
の需要も今後大きく増加すると思われる。
発明が解決しようとする問題点
現在、透明導電膜として最も一般的に使用される材料は
、酸化インジウムにスズをドープした導膜であり、製造
法としては、スパッタリングや蒸着が一般的である。こ
の膜は４〜６ｘ１０２”ｃｍの比抵抗を有し、硬く、ガ
ラス基板に対する付着力も良好であり、エレクトロニク
ス分野で透明電極として望まれる性能を満足するもので
ある。
、酸化インジウムにスズをドープした導膜であり、製造
法としては、スパッタリングや蒸着が一般的である。こ
の膜は４〜６ｘ１０２”ｃｍの比抵抗を有し、硬く、ガ
ラス基板に対する付着力も良好であり、エレクトロニク
ス分野で透明電極として望まれる性能を満足するもので
ある。
しかしながら、製造工程中で真空系を要するため、大面
積の基板に均一に形成することが難しく、またこのため
には、製造コストが大きくなるという問題点がある。
積の基板に均一に形成することが難しく、またこのため
には、製造コストが大きくなるという問題点がある。
この問題点を解決するため、透明導電膜の形成法として
検討されているものとして、塗布、焼成による形成法が
ある。従来、この種の塗布液として、インジウム及びス
ズの硝酸塩、有機酸塩及び有機錯体を溶媒に溶解したも
のが考案されている。
検討されているものとして、塗布、焼成による形成法が
ある。従来、この種の塗布液として、インジウム及びス
ズの硝酸塩、有機酸塩及び有機錯体を溶媒に溶解したも
のが考案されている。
しかし汝から、ガラス基板として最も安価なソーダ石灰
ガラス板を用いた場合、このものの軟化点が５５０℃〜
７００ ’Ｃであるため、焼成温度もこれ以下にしなけ
ればならず、従って生成した膜の焼結性が充分でないた
め、比抵抗が高く、物理的、化学的な耐久性に乏しいと
いう重大な欠点があって、この種の形成法による透明導
電膜は未だ実用化されるに至っていない。
ガラス板を用いた場合、このものの軟化点が５５０℃〜
７００ ’Ｃであるため、焼成温度もこれ以下にしなけ
ればならず、従って生成した膜の焼結性が充分でないた
め、比抵抗が高く、物理的、化学的な耐久性に乏しいと
いう重大な欠点があって、この種の形成法による透明導
電膜は未だ実用化されるに至っていない。
本発明の目的は、上記のような問題点を解決し、比抵抗
が小さく、耐久性に富んだ透明導電膜を塗布、焼成法に
よって提供することにある。
が小さく、耐久性に富んだ透明導電膜を塗布、焼成法に
よって提供することにある。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明は、インジウム化合物
を主成分とし、これにスズ化合物とセリウム化合物の両
者か、或いはセリウム化合物単独を含有させ、これらを
浴媒に溶解させてなるものである。
を主成分とし、これにスズ化合物とセリウム化合物の両
者か、或いはセリウム化合物単独を含有させ、これらを
浴媒に溶解させてなるものである。
作 用
酸化インジウムは、それ自体がｎ型の半導体であシ、こ
れにスズのような四価の金属イオンをドープすることに
より、この金属がドナーとして働き、キャリア（電子）
密度を上げるために導電性が向上すると考えられている
。従って、原子価制御の観点から、酸化インジウムの導
電性を上げるには、四価のカチオンをドープしなければ
ならない。一方、酸化インジウム焼結体の焼結性に及ぼ
す添加物の効果という観点の研究から、添加物として、
酸化コバルトや酸化セリウムを用いると同一温度での焼
結性が向上することが知られている。
れにスズのような四価の金属イオンをドープすることに
より、この金属がドナーとして働き、キャリア（電子）
密度を上げるために導電性が向上すると考えられている
。従って、原子価制御の観点から、酸化インジウムの導
電性を上げるには、四価のカチオンをドープしなければ
ならない。一方、酸化インジウム焼結体の焼結性に及ぼ
す添加物の効果という観点の研究から、添加物として、
酸化コバルトや酸化セリウムを用いると同一温度での焼
結性が向上することが知られている。
本発明では、四価のカチオンであシ、更に酸化インジウ
ムの焼結に対して助剤となシうるという観点から、酸化
セリウムに着目し、塗布液中に、セリウム化合物を添加
することによって、焼成で生成する透明導電膜の導電性
を上げると共に、焼結性を上げることによって、その耐
久性を向上させることを意図している。
ムの焼結に対して助剤となシうるという観点から、酸化
セリウムに着目し、塗布液中に、セリウム化合物を添加
することによって、焼成で生成する透明導電膜の導電性
を上げると共に、焼結性を上げることによって、その耐
久性を向上させることを意図している。
実施例
次に、実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
次表のような組成で各種塗布液を調整し、これを市販ソ
ーダ石灰ガラス板（顕微鏡用スライドガラス）にスピン
コードし、乾燥後、大気中電気炉にて５００℃、１時間
焼成して透明導電膜を得た。
ーダ石灰ガラス板（顕微鏡用スライドガラス）にスピン
コードし、乾燥後、大気中電気炉にて５００℃、１時間
焼成して透明導電膜を得た。
スピンコードは、２５ｏＯτｐｍで３０秒間施した。
これらの膜の比抵抗を測定し、荷重６０２でダイヤモン
ドチップによる引っかき試験（物理的強度評価）と、王
水（濃塩酸３容十濃硝酸１容＋水４容）によるエツチン
グ速度測定（化学的強度評価）を行った。この結果も表
中に示した。
ドチップによる引っかき試験（物理的強度評価）と、王
水（濃塩酸３容十濃硝酸１容＋水４容）によるエツチン
グ速度測定（化学的強度評価）を行った。この結果も表
中に示した。
（以 下 余 白ン
表中、物理的強度は膜が切断されるまでの引っかき回数
（抵抗２０ＭΩ以上で切断と判定）で示し、化学的強度
は、王水に浸漬後、膜がなくなるが、はく離するまでの
時間で示しである。
（抵抗２０ＭΩ以上で切断と判定）で示し、化学的強度
は、王水に浸漬後、膜がなくなるが、はく離するまでの
時間で示しである。
この表から、塗布液ｆ、 １ 、 ＆ ２のスズ化合物
のみをドープした場合に比べＬ３ ７ｉｓのよ゛うにセ
リウム化合物もドープしたものの方が、膜強度が大きい
ことが分る。
のみをドープした場合に比べＬ３ ７ｉｓのよ゛うにセ
リウム化合物もドープしたものの方が、膜強度が大きい
ことが分る。
なお、本実施例で用いたもの以外のインジウム、スズ、
セリウム化合物でも、適当な溶媒に溶け、焼成によって
膜形成するものであれば、本発明において利用すること
ができる。
セリウム化合物でも、適当な溶媒に溶け、焼成によって
膜形成するものであれば、本発明において利用すること
ができる。
発明の効果
以上のように、本発明の透明導電膜形成用塗布いること
により、膜強度の大きい透明導電膜を提供することがで
き、実用上の効果は大きい。
により、膜強度の大きい透明導電膜を提供することがで
き、実用上の効果は大きい。
Claims (1)
- インジウム化合物を主成分とし、これにスズ化合物とセ
リウム化合物の両者か、或いはセリウム化合物単独を含
有させ、これらを溶媒に溶解させてなることを特徴とす
る透明導電膜形成用塗布液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2956285A JPS61190075A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2956285A JPS61190075A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜形成用塗布液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190075A true JPS61190075A (ja) | 1986-08-23 |
Family
ID=12279572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2956285A Pending JPS61190075A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190075A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450186B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2004-11-20 | 도와 고교 가부시키가이샤 | 아이티오의 원료분말과 소결체 및 그 제조방법 |
| US20100210069A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Seon Jong-Baek | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
| US8658546B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP2956285A patent/JPS61190075A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450186B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2004-11-20 | 도와 고교 가부시키가이샤 | 아이티오의 원료분말과 소결체 및 그 제조방법 |
| US20100210069A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Seon Jong-Baek | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
| US8529802B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
| US8658546B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
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