JPS6196610A - 透明導電膜及びその形成方法 - Google Patents
透明導電膜及びその形成方法Info
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- JPS6196610A JPS6196610A JP59217629A JP21762984A JPS6196610A JP S6196610 A JPS6196610 A JP S6196610A JP 59217629 A JP59217629 A JP 59217629A JP 21762984 A JP21762984 A JP 21762984A JP S6196610 A JPS6196610 A JP S6196610A
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- transparent conductive
- thin film
- oxide thin
- conductive film
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置、太陽電池及び透明タッチスイ
ッチなどに使用される透明導電膜に関するものであり、
エレクトロニクス産業において利用できる。
ッチなどに使用される透明導電膜に関するものであり、
エレクトロニクス産業において利用できる。
従来例の構成とその問題点
透明導電膜は、液晶表示などの平面ディスプレイデバイ
スや、太陽電池の不可欠な構成材料として需要が大きい
が、最近では、透明タッチスイッチなど入力装置の構成
材料としての重要性が注目されつつある。特に、マイコ
ンなど情報機器の家電分野への進出と共に、複雑なスイ
ッチ機能の簡略化という問題を解決する手段として、こ
の種のスイッチの重要性が高まると予想され、透明導電
膜の需要も今後大きく増加すると思われる。
スや、太陽電池の不可欠な構成材料として需要が大きい
が、最近では、透明タッチスイッチなど入力装置の構成
材料としての重要性が注目されつつある。特に、マイコ
ンなど情報機器の家電分野への進出と共に、複雑なスイ
ッチ機能の簡略化という問題を解決する手段として、こ
の種のスイッチの重要性が高まると予想され、透明導電
膜の需要も今後大きく増加すると思われる。
現在、透明導電膜として最も一般的に使用される材料は
、酸化インジウムに酸化スズをドープしたＩＴＯ薄膜で
ある。この製造法としては、スパッタリング、真空蒸着
、塗布焼成及び印刷焼成などがある。この内、スパッタ
リングや真空蒸着によって製造されるＩＴ○膜は、４〜
６Ｘ１０−ｊＱｃｒｎの抵抗で光透過・ゼが８０〜９０
％で、硬く、基板に対する付着力も大きいため、液晶表
示などで使用されているＩＴＯ膜はこの製法にかかるも
のが大部分を占める。しかしながら真空系を要するため
に、大面積の基板に形成するのが困難であり、これを行
おうとすると製造コストが高くなるという欠点を有して
いる。塗布焼成及び印刷焼成の方法は、上記欠点をカバ
ーし、大面積の基板に容易にＩＴＯ膜を形成できるとい
う利点を有し、特に印刷焼Ｔ′＆法は、エツチングなど
のパターンニングが不要である点で有利である。
、酸化インジウムに酸化スズをドープしたＩＴＯ薄膜で
ある。この製造法としては、スパッタリング、真空蒸着
、塗布焼成及び印刷焼成などがある。この内、スパッタ
リングや真空蒸着によって製造されるＩＴ○膜は、４〜
６Ｘ１０−ｊＱｃｒｎの抵抗で光透過・ゼが８０〜９０
％で、硬く、基板に対する付着力も大きいため、液晶表
示などで使用されているＩＴＯ膜はこの製法にかかるも
のが大部分を占める。しかしながら真空系を要するため
に、大面積の基板に形成するのが困難であり、これを行
おうとすると製造コストが高くなるという欠点を有して
いる。塗布焼成及び印刷焼成の方法は、上記欠点をカバ
ーし、大面積の基板に容易にＩＴＯ膜を形成できるとい
う利点を有し、特に印刷焼Ｔ′＆法は、エツチングなど
のパターンニングが不要である点で有利である。
これら焼成法は、インジウム及びスズの化合物を溶媒に
溶かしたものを塗布、・あるいは印刷した後、焼成して
、化合物を熱分解させることによってＩＴＯ膜を得るも
のであり、従来、化合物として硝酸塩、有機酸塩及び有
機錯体などが発明されている。しかしながら、用いる透
明基板がガラス板である関係上、焼成温度に制約を受け
るため、膜の物理的、化学的耐久性及び抵抗といった特
性かに 悪く、実用１直するものは未だ得られていない。
溶かしたものを塗布、・あるいは印刷した後、焼成して
、化合物を熱分解させることによってＩＴＯ膜を得るも
のであり、従来、化合物として硝酸塩、有機酸塩及び有
機錯体などが発明されている。しかしながら、用いる透
明基板がガラス板である関係上、焼成温度に制約を受け
るため、膜の物理的、化学的耐久性及び抵抗といった特
性かに 悪く、実用１直するものは未だ得られていない。
発明の目的
１ 本発明の目的は、上記のような焼成法
の欠点、特に物理的、化学的耐久性の欠如を解決し、実
用に耐え得る透明導電膜を、塗布又は印刷焼成法によっ
て提供することにある。
の欠点、特に物理的、化学的耐久性の欠如を解決し、実
用に耐え得る透明導電膜を、塗布又は印刷焼成法によっ
て提供することにある。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明は、基板上に酸化スズ
薄膜を形成し、この上にスズをドープした酸化インジウ
ム薄膜を形成することによって構成され、これら薄膜を
、スズ化合物あるいはスズ化合物とインジウム化合物を
溶媒に溶解させたものを、塗布又は印刷した後、焼成し
て得るという形成方法によって構成されているものであ
る。
薄膜を形成し、この上にスズをドープした酸化インジウ
ム薄膜を形成することによって構成され、これら薄膜を
、スズ化合物あるいはスズ化合物とインジウム化合物を
溶媒に溶解させたものを、塗布又は印刷した後、焼成し
て得るという形成方法によって構成されているものであ
る。
実施例の説明
以下に本発明の実施例について説明する。
酸化スズ膜形成用塗布液として、２−エチルヘキサン酸
スズのｏ、ｓｗｔ％キシレン溶液を用い、この液中に、
基板であるソーダ石灰ガラス板を浸漬し、約６η値の速
さで引き上げることによって塗布した。これらを乾燥し
た後、４００℃、４５０１： 、５００℃、６５０℃の
各温度にて大気中、電気炉で６０分間焼成し、酸化スズ
薄膜を形成した。
スズのｏ、ｓｗｔ％キシレン溶液を用い、この液中に、
基板であるソーダ石灰ガラス板を浸漬し、約６η値の速
さで引き上げることによって塗布した。これらを乾燥し
た後、４００℃、４５０１： 、５００℃、６５０℃の
各温度にて大気中、電気炉で６０分間焼成し、酸化スズ
薄膜を形成した。
この厚みは、１００八以下であった。この上に、２−エ
チルヘキサン酸スズと２−エチルへキサン酸インジウム
を溶媒に溶解したインキを用い、スクリーン印刷を施し
、乾燥の後、大気中、電気炉で５００℃、９０分間焼成
を行った。このようにして得た透明導電膜の構成の概略
図を図に示す。
チルヘキサン酸スズと２−エチルへキサン酸インジウム
を溶媒に溶解したインキを用い、スクリーン印刷を施し
、乾燥の後、大気中、電気炉で５００℃、９０分間焼成
を行った。このようにして得た透明導電膜の構成の概略
図を図に示す。
図中、１はソーダ石灰ガラス基板、２は酸化スズ薄膜、
３はスズをドープした酸化インジウム薄膜、４．５．６
は抵抗測定用の銀電極である。膜強度は、物理的強度と
して、荷重ｓｏｙをかけたダイヤモンドチップで引っか
くという方法で、膜切断までの回数をもって評価し、化
学的強度として、濃硝酸１．濃塩酸３．水４の割合（重
量比）で混合した液によるエツチングの速度、及びエツ
チングされる状態を観察することによって評価した。
３はスズをドープした酸化インジウム薄膜、４．５．６
は抵抗測定用の銀電極である。膜強度は、物理的強度と
して、荷重ｓｏｙをかけたダイヤモンドチップで引っか
くという方法で、膜切断までの回数をもって評価し、化
学的強度として、濃硝酸１．濃塩酸３．水４の割合（重
量比）で混合した液によるエツチングの速度、及びエツ
チングされる状態を観察することによって評価した。
結果を下表に示す。
以 下 余 白
表中には、比較例として、酸化スズ導膜を形成せず、酸
化インジウム、スズ導膜を直接、基板上に形成した試料
について、同様な評価の結果を示しである（試料番号１
１．１２）。また抵抗Ａは、図中の銀電極ら、６間の抵
抗であり、透明電極の面抵抗を示し、抵抗Ｂは、図中の
銀電極４，５間又は４，６間の抵抗である。抵抗Ｂが表
のようにはｆｆｌｏｏＭΩ以上であることは、酸化スズ
膜２をこのようにガラス基板１の全面に形成しても、パ
ターン状透明電極間の短絡は起こらないことを意味する
。但し、パターン間幅が小さく、精密な場合などには酸
化スズ薄膜を印刷によってパターン状に形成すれば良い
。
化インジウム、スズ導膜を直接、基板上に形成した試料
について、同様な評価の結果を示しである（試料番号１
１．１２）。また抵抗Ａは、図中の銀電極ら、６間の抵
抗であり、透明電極の面抵抗を示し、抵抗Ｂは、図中の
銀電極４，５間又は４，６間の抵抗である。抵抗Ｂが表
のようにはｆｆｌｏｏＭΩ以上であることは、酸化スズ
膜２をこのようにガラス基板１の全面に形成しても、パ
ターン状透明電極間の短絡は起こらないことを意味する
。但し、パターン間幅が小さく、精密な場合などには酸
化スズ薄膜を印刷によってパターン状に形成すれば良い
。
この表から、酸化スズ薄膜上に形成した酸化インジウム
、スズ薄膜の物理的、化学的耐久性は、このような構成
でないもの（試料番号１１及び１２）に比べ、はるかに
大きいことが分る。特に、化学的強度の項で、試料１１
．１２が短時間ではく離することから、酸化スズ薄膜の
存在によって透明導電膜の基板への密着性が大きく向上
しているものと考えられる。
、スズ薄膜の物理的、化学的耐久性は、このような構成
でないもの（試料番号１１及び１２）に比べ、はるかに
大きいことが分る。特に、化学的強度の項で、試料１１
．１２が短時間ではく離することから、酸化スズ薄膜の
存在によって透明導電膜の基板への密着性が大きく向上
しているものと考えられる。
なお本実施例で用いた以外のスズ化合物やインリ
ジウム化合物でも、適当な溶媒に溶け、塗布、又は印刷
可能なものであれば、使用することができる。
可能なものであれば、使用することができる。
発明の効果
上記実施例から明らかなように、本発明の透明導電膜及
び形成方法は、酸化スズ薄膜の上に、スズをドープした
酸化インジウム薄膜を形成するということにより、従来
の塗布又は印刷焼成法による透明導電膜よりはるかに物
理、化学的耐久性の大きいものを提供することができ、
その実用的効果は大きい。
び形成方法は、酸化スズ薄膜の上に、スズをドープした
酸化インジウム薄膜を形成するということにより、従来
の塗布又は印刷焼成法による透明導電膜よりはるかに物
理、化学的耐久性の大きいものを提供することができ、
その実用的効果は大きい。
図面は本発明の透明導電膜の一実施例の構成を示す斜視
図である。 １・・・・・・ソーダ石灰ガラス基板、２・・・・・・
酸化スズ薄膜、３・・・・−・スズをドープした酸化イ
ンジウム薄膜、４，５．６・・・・−・銀電極。
図である。 １・・・・・・ソーダ石灰ガラス基板、２・・・・・・
酸化スズ薄膜、３・・・・−・スズをドープした酸化イ
ンジウム薄膜、４，５．６・・・・−・銀電極。
Claims (2)
- （１）基板上に酸化スズ薄膜を形成し、この上に、スズ
をドープした酸化インジウム薄膜を形成してなることを
特徴とする透明導電膜。 - （２）スズ化合物を溶媒に溶解したものを、基板上に塗
布又は印刷した後焼成して酸化スズ薄膜を得、スズ化合
物とインジウム化合物を溶媒に溶解したものを上記酸化
スズ薄膜上に塗布又は印刷した後焼成してスズをドープ
した酸化インジウム薄膜を得ることを特徴とする透明導
電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217629A JPS6196610A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217629A JPS6196610A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196610A true JPS6196610A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16707270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217629A Pending JPS6196610A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196610A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565709U (ja) * | 1992-02-21 | 1993-08-31 | 株式会社東海理化電機製作所 | レバー装置 |
| WO2008013238A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Ulvac, Inc. | Procédé de formation de film conducteur transparent |
| WO2014076972A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池セルの抵抗算出方法 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59217629A patent/JPS6196610A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565709U (ja) * | 1992-02-21 | 1993-08-31 | 株式会社東海理化電機製作所 | レバー装置 |
| WO2008013238A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Ulvac, Inc. | Procédé de formation de film conducteur transparent |
| WO2014076972A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池セルの抵抗算出方法 |
| JPWO2014076972A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2017-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池セルの抵抗算出方法 |
| DE112013005513B4 (de) | 2012-11-19 | 2019-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solarzelle und Verfahren zum Berechnen des Widerstands einer Solarzelle |
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