JPS60140606A - 透明導電膜及びその形成方法 - Google Patents
透明導電膜及びその形成方法Info
- Publication number
- JPS60140606A JPS60140606A JP24510583A JP24510583A JPS60140606A JP S60140606 A JPS60140606 A JP S60140606A JP 24510583 A JP24510583 A JP 24510583A JP 24510583 A JP24510583 A JP 24510583A JP S60140606 A JPS60140606 A JP S60140606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- solution
- forming same
- Prior art date
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- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶ディスプレイ、太陽電池、透明メンブレ
ンスイッチ等に応用できる透明導電膜及びその形成方法
に関するものである。
ンスイッチ等に応用できる透明導電膜及びその形成方法
に関するものである。
従来よシ、透明導電膜は液晶やエレクトロクロ、ミック
等の表示素子、太陽電池、自動車−や航空機のガラスの
氷結防止、電気的透明遮へい材、赤外線反射膜、透明メ
ンブレンスイッチ等に利用されている。
等の表示素子、太陽電池、自動車−や航空機のガラスの
氷結防止、電気的透明遮へい材、赤外線反射膜、透明メ
ンブレンスイッチ等に利用されている。
透明導電膜としては、アンチモンをドーグした酸化錫膜
があるが、電気抵抗が高く、低い抵抗が要求される場合
は不適当である。しかし、錫をドープした酸化インジウ
ム膜は上記膜よシも低い抵抗が得られ有効である。
があるが、電気抵抗が高く、低い抵抗が要求される場合
は不適当である。しかし、錫をドープした酸化インジウ
ム膜は上記膜よシも低い抵抗が得られ有効である。
これらの膜の形成方法としては、スパッタリング法、蒸
着法、ＣＶＤ法などによって基板上に形成する方法があ
るが、これらの方法は真空ベルジャを使用するため、高
価な真空装置を必要とし、透明導電膜を形成する基板の
大きさにも限度がち多さらにバッチ式であるために、生
産性があがらない等の欠点を有する。これを改善する方
法として、塗布法、印刷法がある。塗布法、印刷法は真
空装置を必要としないので装置が安価であシ、ライン縮
でき、さら、に、大幅なコストダウンが望める。
着法、ＣＶＤ法などによって基板上に形成する方法があ
るが、これらの方法は真空ベルジャを使用するため、高
価な真空装置を必要とし、透明導電膜を形成する基板の
大きさにも限度がち多さらにバッチ式であるために、生
産性があがらない等の欠点を有する。これを改善する方
法として、塗布法、印刷法がある。塗布法、印刷法は真
空装置を必要としないので装置が安価であシ、ライン縮
でき、さら、に、大幅なコストダウンが望める。
しかし、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法による透
明導電膜に比べ、塗布法、印刷法によるものは、品質的
に充分なものができていない。
明導電膜に比べ、塗布法、印刷法によるものは、品質的
に充分なものができていない。
また、ス・ぞツタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法や、塗布
法、印刷法は、曲面を持った基板上に、透明導電膜を形
成するのは難しい。
法、印刷法は、曲面を持った基板上に、透明導電膜を形
成するのは難しい。
（発明の目的）
本発明はこのような欠点に鑑み、ス・ぐツタリン多法や
ＣＶＤ法による透明導電膜に比べ品質的に同等で、しか
も安価な透明導電膜を、各種形状の基板上に形成するこ
とができるようにすることを目的とするものである。
ＣＶＤ法による透明導電膜に比べ品質的に同等で、しか
も安価な透明導電膜を、各種形状の基板上に形成するこ
とができるようにすることを目的とするものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために本発明は、有機インジウム化
合物に有機錫化合物を混合し溶媒に溶解せしめた溶液中
に、フェノキシエタノールを５重量％以上含む溶液を用
い、この溶液をフィルム上に塗布または印刷し、これを
基板上に転写することによって透明導電膜を形成するも
のである。この構成によって得られた透明導電膜は、膜
厚１０００Ｘ１透過率８５％以上、シート抵抗０．３に
８７口以上である。
合物に有機錫化合物を混合し溶媒に溶解せしめた溶液中
に、フェノキシエタノールを５重量％以上含む溶液を用
い、この溶液をフィルム上に塗布または印刷し、これを
基板上に転写することによって透明導電膜を形成するも
のである。この構成によって得られた透明導電膜は、膜
厚１０００Ｘ１透過率８５％以上、シート抵抗０．３に
８７口以上である。
（実施例の説明）
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
オクチル酸インジウムとオクチル酸錫をデカリンにそれ
ぞれ１０重量％、０．４２重量％溶解せしめり溶液忙、
フェノキシエタノールを溶解し、この溶液をスピンナー
でＰＥＴ （ポリエチレンテレフタレート）フィルム上
に塗布する。スピンナーは２００ Ｏｒ、ｐ、ｍで２０
秒回転させる。この塗布されたフィルムを大気中で６０
℃３０分乾燥させる。
ぞれ１０重量％、０．４２重量％溶解せしめり溶液忙、
フェノキシエタノールを溶解し、この溶液をスピンナー
でＰＥＴ （ポリエチレンテレフタレート）フィルム上
に塗布する。スピンナーは２００ Ｏｒ、ｐ、ｍで２０
秒回転させる。この塗布されたフィルムを大気中で６０
℃３０分乾燥させる。
その後、との塗布されたフィルムをＳ ＋ ０２をコー
トしたソーダ石灰ガラス上に圧着し、８０℃で３０分保
持する。その後ＰＥＴフィルムのみをはがし、転写され
た基板を大気中で、５５０℃、９０分保持する。
トしたソーダ石灰ガラス上に圧着し、８０℃で３０分保
持する。その後ＰＥＴフィルムのみをはがし、転写され
た基板を大気中で、５５０℃、９０分保持する。
次表は、この結果を示すものである。
この表で、フェノキシエタノールが０ｗｔ％のときは転
写ができなかった。その他の形成された透明導電膜は亀
裂の−ない均一な透明導電膜が得られた。
写ができなかった。その他の形成された透明導電膜は亀
裂の−ない均一な透明導電膜が得られた。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、有機インジウム化合物に
有機錫化合物を混合し溶媒に溶解せしめた溶液中に、フ
ェノキシエタノールを５重量％以上含む溶液を、フィル
ム上に塗布または印刷し、基板上に転写することによっ
て、従来の酸化錫にアンチモンをドープした透明導電膜
よシ低い抵抗で、スノやツタリング法、蒸着法、ＣＶＤ
法による透導電膜を各種形状の基板上に形成することが
でき、その実用的効果は犬なるものがある。
有機錫化合物を混合し溶媒に溶解せしめた溶液中に、フ
ェノキシエタノールを５重量％以上含む溶液を、フィル
ム上に塗布または印刷し、基板上に転写することによっ
て、従来の酸化錫にアンチモンをドープした透明導電膜
よシ低い抵抗で、スノやツタリング法、蒸着法、ＣＶＤ
法による透導電膜を各種形状の基板上に形成することが
でき、その実用的効果は犬なるものがある。
Claims (2)
- （１）有機インジウム化合物に有機錫化合物を混合し溶
媒に溶解せしめた溶液中に、フェノキシエタノールを５
重量％以上含む溶液を用いることを特徴とする透明導電
膜。 - （２）有機インジウム化合物に有機錫化合物を混合し溶
媒に溶解せしめた溶液中に、フェノキシエタノールを５
重量多以上含む溶液を、フィルム上に塗布または印刷し
、基板上に転写することを特徴とする透明導電膜の形成
方法。 “
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24510583A JPS60140606A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24510583A JPS60140606A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140606A true JPS60140606A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17128685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24510583A Pending JPS60140606A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140606A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876600A (en) * | 1995-12-27 | 1999-03-02 | Denso Corporation | Element exchange type filter |
| US6136183A (en) * | 1997-04-24 | 2000-10-24 | Denso Corporation | Relief valve for filter device |
| WO2013174251A1 (zh) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 广东先导稀材股份有限公司 | 碲化镉的制备方法 |
| TWI473643B (zh) * | 2008-01-14 | 2015-02-21 | Mann & Hummel Purolator Filters Llc | 用於流體過濾器的單件式彈性組合式底支座及減壓閥端封元件 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24510583A patent/JPS60140606A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876600A (en) * | 1995-12-27 | 1999-03-02 | Denso Corporation | Element exchange type filter |
| US6136183A (en) * | 1997-04-24 | 2000-10-24 | Denso Corporation | Relief valve for filter device |
| TWI473643B (zh) * | 2008-01-14 | 2015-02-21 | Mann & Hummel Purolator Filters Llc | 用於流體過濾器的單件式彈性組合式底支座及減壓閥端封元件 |
| WO2013174251A1 (zh) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 广东先导稀材股份有限公司 | 碲化镉的制备方法 |
| CN103420346A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 广东先导稀材股份有限公司 | 碲化镉的制备方法 |
| CN103420346B (zh) * | 2012-05-22 | 2015-02-04 | 广东先导稀材股份有限公司 | 碲化镉的制备方法 |
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