JPS61113772A - 透明導電膜形成用組成物 - Google Patents
透明導電膜形成用組成物Info
- Publication number
- JPS61113772A JPS61113772A JP59236962A JP23696284A JPS61113772A JP S61113772 A JPS61113772 A JP S61113772A JP 59236962 A JP59236962 A JP 59236962A JP 23696284 A JP23696284 A JP 23696284A JP S61113772 A JPS61113772 A JP S61113772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- indium
- composition
- inorganic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims abstract description 4
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 30
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 4
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000005185 salting out Methods 0.000 claims description 3
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical group Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 abstract 1
- 229940081735 acetylcellulose Drugs 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 229920003089 ethylhydroxy ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract 1
- 229940071676 hydroxypropylcellulose Drugs 0.000 abstract 1
- 229940079938 nitrocellulose Drugs 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- -1 indium organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス又はセラミック基板上に、金属酸化物よ
りなる透明導電膜を形成することの出来る組成物に関す
る。
りなる透明導電膜を形成することの出来る組成物に関す
る。
液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子など
の表示素子類や光電池、撮像管などの感光素子類などに
おけろ電極お町び自動車、航空機、建築などの窓ガラス
の防曇、氷結防止用電極などにおいて、光に対して透明
性を有する電極材料が使用されている。
の表示素子類や光電池、撮像管などの感光素子類などに
おけろ電極お町び自動車、航空機、建築などの窓ガラス
の防曇、氷結防止用電極などにおいて、光に対して透明
性を有する電極材料が使用されている。
このような透明導電性材料としては、酸化スス・酸化ア
ンチモン系、酸化インジウム・酸化スズ系などが知られ
ており、これらの金属酸化物はガラス又はセラミック基
板上に容易に被膜を形成し、透明導電膜とすることが出
来る。
ンチモン系、酸化インジウム・酸化スズ系などが知られ
ており、これらの金属酸化物はガラス又はセラミック基
板上に容易に被膜を形成し、透明導電膜とすることが出
来る。
透明導電膜形成法としては次の方法が知られている。
(])真空蒸着法
(2) スパッタリング法
(3>CVD法
(4)塗布法
く しかし、上記(1)、(2)、<3)の方
法は装置が複雑で作業性が劣り、しかも通常の場合、パ
ターンを形成するために膜形成後、エツチング工程を行
なわなければならない問題がある。
法は装置が複雑で作業性が劣り、しかも通常の場合、パ
ターンを形成するために膜形成後、エツチング工程を行
なわなければならない問題がある。
また、上記(4)の方法は上記(1)、(2+、(3)
の方法の問題点を解決する可能性を有しているが、実用
に耐え得る膜を得がたいという問題があった。
の方法の問題点を解決する可能性を有しているが、実用
に耐え得る膜を得がたいという問題があった。
たとえば、InCl!3、In(NO3)3.8nCl
4 等の無機塩の有機溶剤溶液を使用した場合は、
形成された膜に白濁が生じたり、得られた膜の機械的強
度が不足で傷がつき易い等の欠点がある。
4 等の無機塩の有機溶剤溶液を使用した場合は、
形成された膜に白濁が生じたり、得られた膜の機械的強
度が不足で傷がつき易い等の欠点がある。
また、オクチル酸インジウム等のイオン結合性の強い有
機酸インジウムを用いる方法においては、有機酸インジ
ウムが加水分解し易く、比較的容易に化学変化するため
に、塗布液のゲル化が生じる等の欠点を有している。
機酸インジウムを用いる方法においては、有機酸インジ
ウムが加水分解し易く、比較的容易に化学変化するため
に、塗布液のゲル化が生じる等の欠点を有している。
またインジウムやスズの有機錯体を使用する方法も提案
されているが、この方法では基板に塗布した後の塗膜の
熱分解時において、膜の均質化が阻害されるために、低
抵抗の均質膜が得られない等の欠点がある。
されているが、この方法では基板に塗布した後の塗膜の
熱分解時において、膜の均質化が阻害されるために、低
抵抗の均質膜が得られない等の欠点がある。
よえ、よう切者ら、i先、。上記欠点や解消5、・)塗
布法により優れた導電性と光透過性を有する被膜を形成
できる組成物として、無機インジウム塩と無機スズ塩と
の有機溶液に非水系シリカゾルを混合し、さらに粘性剤
としてセルロース化合物を添加・混合してなる透明導電
膜形成用組成物の特許出願を行った。(1%願昭 58
−242584号) しかしながら、夏期のような高温・高湿雰囲気下の塗布
時における膜質の安定性が今だ十分とは言いきれなかっ
た。
布法により優れた導電性と光透過性を有する被膜を形成
できる組成物として、無機インジウム塩と無機スズ塩と
の有機溶液に非水系シリカゾルを混合し、さらに粘性剤
としてセルロース化合物を添加・混合してなる透明導電
膜形成用組成物の特許出願を行った。(1%願昭 58
−242584号) しかしながら、夏期のような高温・高湿雰囲気下の塗布
時における膜質の安定性が今だ十分とは言いきれなかっ
た。
本発明者らは、さらに鋭意研究を行った結果、セルロー
ス化合物として、ヒドロキシプロピルセルロース、酢酸
セルロース、ニトロセルロース、エチルヒドロキシエチ
ルセルロースの少なくとも一種を用いることにより、か
かる問題点を解決できる事を見い出し、本発明を完成す
るに至ったものである。
ス化合物として、ヒドロキシプロピルセルロース、酢酸
セルロース、ニトロセルロース、エチルヒドロキシエチ
ルセルロースの少なくとも一種を用いることにより、か
かる問題点を解決できる事を見い出し、本発明を完成す
るに至ったものである。
すなわち本発明は、無機インジウム塩と無機スズ塩との
有機溶液に非水系シリカゾルを混合し、次いで、この混
合溶液に特定のセルロース化合物、即ち、ヒドロキシプ
ロピルセルロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース
、エチルヒドロキシエチルセルロースのうちから選ばれ
た少なくとも1種を、組成物中に0.1〜50重量−と
なる町うに添加混合してなることを特徴とする透明導電
膜形成用組成物に関するものである。
有機溶液に非水系シリカゾルを混合し、次いで、この混
合溶液に特定のセルロース化合物、即ち、ヒドロキシプ
ロピルセルロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース
、エチルヒドロキシエチルセルロースのうちから選ばれ
た少なくとも1種を、組成物中に0.1〜50重量−と
なる町うに添加混合してなることを特徴とする透明導電
膜形成用組成物に関するものである。
本発明の特徴である特定のセルロース化合物は、増粘効
果と共に、該組成物を基板に塗布・乾燥・焼成すること
によって得られる被膜性能の高位安定化に有用である。
果と共に、該組成物を基板に塗布・乾燥・焼成すること
によって得られる被膜性能の高位安定化に有用である。
即ち、本発明の組成物中に含まれる特定のセルロース化
合物は、該組成物を基板に塗布した1く 塗膜φ吸湿防止効果を付与する。
合物は、該組成物を基板に塗布した1く 塗膜φ吸湿防止効果を付与する。
このために該組成物においては、たとえば、夏期のよう
な高温・高湿雰囲気下の塗布時においても、吸湿による
塗膜の不均質化や白化現象を防止することが出来、膜質
の安定化がはかれる。
な高温・高湿雰囲気下の塗布時においても、吸湿による
塗膜の不均質化や白化現象を防止することが出来、膜質
の安定化がはかれる。
以下、本発明を詳述する。
本発明方法で用いられる無機インジウム塩は鉱酸の塩、
好適には、塩化インジウム又は硝酸インジウムのいずれ
かが用いられ、その添加量は組成物中に酸化インジウム
換’JEテ0.5〜30重量%、好適には1〜20重量
%である。
好適には、塩化インジウム又は硝酸インジウムのいずれ
かが用いられ、その添加量は組成物中に酸化インジウム
換’JEテ0.5〜30重量%、好適には1〜20重量
%である。
また、本発明で用いられる無機スズ塩としては鉱酸の塩
好通には塩化第2スズが用いられ、その添加量はインジ
ウムに対するススの比で0.5〜80重iチ、好適には
1〜20重量%である。
好通には塩化第2スズが用いられ、その添加量はインジ
ウムに対するススの比で0.5〜80重iチ、好適には
1〜20重量%である。
なお、上述した無機インジウム塩及び無機スス塩は含水
塩でも差しつかえない。
塩でも差しつかえない。
本発明に用いられる非水系シリカツルは、特に限定され
るものではないが、特に好適には、ケイ酸ソーダを含む
水溶液を鉱酸で液相中和し、しかる後、有機溶剤と塩析
剤で抽出されたケイ酸の有機溶液が用いられる。
るものではないが、特に好適には、ケイ酸ソーダを含む
水溶液を鉱酸で液相中和し、しかる後、有機溶剤と塩析
剤で抽出されたケイ酸の有機溶液が用いられる。
抽出溶剤としては、テトラヒドロフラン、イ1 ソ
ブロピルアルコール、t−フタノール等カ良く、また、
塩析剤としては塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等が
好適に用いられる。
ブロピルアルコール、t−フタノール等カ良く、また、
塩析剤としては塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等が
好適に用いられる。
上述した方法により得られた、非水系シリカゾルは経時
安定性の優れた透明液で、シリカゾルは0.02〜0.
1μmの粒子径を有し、シリカ濃度は特に限定されるも
のではないが通常1〜20重景%で調製される。
安定性の優れた透明液で、シリカゾルは0.02〜0.
1μmの粒子径を有し、シリカ濃度は特に限定されるも
のではないが通常1〜20重景%で調製される。
本発明の組成物中の非水系シリカゾルの添加量は酸化イ
ンジウムに対するケイ酸の比として1〜200重量%、
好適には10〜100重量%である。
ンジウムに対するケイ酸の比として1〜200重量%、
好適には10〜100重量%である。
本発明に用いられる非水系シリカゾルは超微粒子で、こ
の粒子表面にシラノール基を有するシリカゾルのチクソ
トロピー効果によって、塗布時の基板との濡れ性は大巾
に改良され、焼成後の被膜は、極めて優れた透明性と導
電性及び接着強度を有する。
の粒子表面にシラノール基を有するシリカゾルのチクソ
トロピー効果によって、塗布時の基板との濡れ性は大巾
に改良され、焼成後の被膜は、極めて優れた透明性と導
電性及び接着強度を有する。
本発明に用いられる有機溶剤としては無機インジウム塩
、無機ス、ズ塩の溶解性、非水系シリカゾルとの相溶性
及び後述するセルロース類の溶解性等を考慮して選定さ
れる。 ilこのような有機溶剤
としては、アセトン、テトラヒドロフラン、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、t−ブタノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、エチ
ルセロソルブ、エチルカルヒトール等が単−又は混合し
て用いられる。
、無機ス、ズ塩の溶解性、非水系シリカゾルとの相溶性
及び後述するセルロース類の溶解性等を考慮して選定さ
れる。 ilこのような有機溶剤
としては、アセトン、テトラヒドロフラン、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、t−ブタノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、エチ
ルセロソルブ、エチルカルヒトール等が単−又は混合し
て用いられる。
本発明の組成物中に、増粘及び防湿を目的として添加さ
れろ前記記載の特定のセルロース化合物の添加量は、基
板への塗布方法、目的とする塗膜の膜厚等を考慮して選
定されるが、通常、該組成物中に、浸漬法、スピンナ法
等においては0.1〜5重ffi%、スクリーン印刷法
、オフセット印刷法等においては5〜50重量%が適当
である。
れろ前記記載の特定のセルロース化合物の添加量は、基
板への塗布方法、目的とする塗膜の膜厚等を考慮して選
定されるが、通常、該組成物中に、浸漬法、スピンナ法
等においては0.1〜5重ffi%、スクリーン印刷法
、オフセット印刷法等においては5〜50重量%が適当
である。
上述した方法によって作成された本発明の透明導電膜形
成用組成物は、経時安定性に優れ、3ケ月経過後もゲル
化等の変質は起らず、塗布・焼成膜の性能の低下も全く
認められなかった。
成用組成物は、経時安定性に優れ、3ケ月経過後もゲル
化等の変質は起らず、塗布・焼成膜の性能の低下も全く
認められなかった。
本発明方法による組成物を基板に塗布するに当っては浸
漬法、スピンナー法、スクリーン印刷法、オフセット印
刷法などの通常の塗布技術が応用出来る。
漬法、スピンナー法、スクリーン印刷法、オフセット印
刷法などの通常の塗布技術が応用出来る。
本発明の組成物を塗布した基板は通常40〜250℃の
乾燥処理と4I〕0〜900℃の焼、:、。
乾燥処理と4I〕0〜900℃の焼、:、。
処理とによって透明導電膜を形成する。焼成時の雰囲気
は酸素が不可欠であり、十分な量の酸素又は酸素含有ガ
スの導入が必要である。こうして得られた透明導電膜は
完全な2層構造を成しておりインジウムeスズ・オキサ
イド(以下、ITOと称す)のみが選択的に表面被膜を
構成し、ケイ酸は基板とインジウム・スズφオキサイド
被膜の中間にサンドイッチ状に被膜を形成する。
は酸素が不可欠であり、十分な量の酸素又は酸素含有ガ
スの導入が必要である。こうして得られた透明導電膜は
完全な2層構造を成しておりインジウムeスズ・オキサ
イド(以下、ITOと称す)のみが選択的に表面被膜を
構成し、ケイ酸は基板とインジウム・スズφオキサイド
被膜の中間にサンドイッチ状に被膜を形成する。
以上、述べた本発明方法による組成物の特性は通常、ソ
ーダガラス基板に透明導電膜を形成する場合においてナ
トリウム溶出防止のために施こされるシリカコート処理
を省略可能にする。
ーダガラス基板に透明導電膜を形成する場合においてナ
トリウム溶出防止のために施こされるシリカコート処理
を省略可能にする。
すなわち、本発明方法による組成物を塗布・焼成するこ
とにより、シリカコートと透明導電膜コートを単一の処
理で行なうことが可能となり、透明導電膜コート、ソー
ダガラス基板の製造工程の大巾なコストタウンが可能と
なる。
とにより、シリカコートと透明導電膜コートを単一の処
理で行なうことが可能となり、透明導電膜コート、ソー
ダガラス基板の製造工程の大巾なコストタウンが可能と
なる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はCれ
らの実施例によって限定されるものではない。
らの実施例によって限定されるものではない。
実施例1
塩化インジウムと塩化第2スズの所定量を溶解したテト
ラヒドロフラン溶液と、別に調整した、ケイ酸ソータを
含む水済液を硫酸で液相中和し、テトラヒドロフランと
塩化アンモニウムで抽出されたケイ酸濃度5%のシリカ
ゾルの所定量とを混合し次いで、所定のセルロース化合
物を所定量添加し、よくかき混ぜて透明導電膜形成用組
成物を調製した。組成を第1表に記載する。
ラヒドロフラン溶液と、別に調整した、ケイ酸ソータを
含む水済液を硫酸で液相中和し、テトラヒドロフランと
塩化アンモニウムで抽出されたケイ酸濃度5%のシリカ
ゾルの所定量とを混合し次いで、所定のセルロース化合
物を所定量添加し、よくかき混ぜて透明導電膜形成用組
成物を調製した。組成を第1表に記載する。
次に上記組成物をよく洗浄したソーダガラス基板に浸漬
法で第2表に示す条件で塗布し、空気中80℃で15分
乾燥後、空気中500℃で1時間焼成して被膜を形成し
た。
法で第2表に示す条件で塗布し、空気中80℃で15分
乾燥後、空気中500℃で1時間焼成して被膜を形成し
た。
結果を第2表に記載する。
得られた焼成後の被膜は、いずれも
ITO/8i02 2層構造を形成し、低抵抗で透明性
に優れていた。
に優れていた。
そして引上げ塗布時の雰囲気温度、湿度の影響を全く受
けず高位に安定した性能を有している。
けず高位に安定した性能を有している。
組成物E及びFにおいては低温、低湿下の引上げ塗布時
は良好な被膜性能を示すが、高温・高湿下の引上げ塗布
の場合は、焼成後の膜は白化現象を生じ、被膜性能は低
下している。
は良好な被膜性能を示すが、高温・高湿下の引上げ塗布
の場合は、焼成後の膜は白化現象を生じ、被膜性能は低
下している。
以上、実施例、比較例の結果から明らかなように、本発
明の透明導電膜形成用組成物は基板との接着性に優れた
極めて低抵抗の透明溝%膜を安定して形成することが出
来る。
明の透明導電膜形成用組成物は基板との接着性に優れた
極めて低抵抗の透明溝%膜を安定して形成することが出
来る。
Claims (5)
- (1)無機インジウム塩と無機スズ塩との有機溶液に非
水系シリカゾルを混合し、次いでセルロース化合物を該
混合溶液中に0.1〜50重量%となるよう添加・混合
してなる透明導電膜形成用組成物において、該セルロー
ス化合物がヒドロキシプロピルセルロース、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロースおよびエチルヒドロキシエチル
セルロースからなる群より選ばれた少なくとも1種であ
ることを特徴とする透明導電膜形成用組成物。 - (2)無機インジウム塩が酸化インジウム換算で0.5
〜30重量%、無機スズ塩がインジウムに対するスズの
比で0.5〜30重量%、非水系シリカゾルが酸化イン
ジウムに対するケイ酸の比で1〜200重量それぞれ組
成物中に含まれることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載の透明導電膜形成用組成物。 - (3)無機インジウム塩が塩化インジウム又は硝酸イン
ジウムのいずれかであることを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載の透明導電膜形成用組成物。 - (4)無機スズ塩が塩化第2スズであることを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項記載の透明導電膜形成用組
成物。 - (5)非水系シリカゾルが、ケイ酸ソーダを含む水溶液
を鉱酸の1種で液相中和し、しかる後、有機溶剤と塩析
剤とを用いて、有機溶剤に抽出したものであることを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の透明導電膜形
成用組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59236962A JPS61113772A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 透明導電膜形成用組成物 |
EP84308698A EP0148608B1 (en) | 1983-12-22 | 1984-12-13 | Film-forming composition comprising indium and tin compounds |
DE8484308698T DE3470441D1 (en) | 1983-12-22 | 1984-12-13 | Film-forming composition comprising indium and tin compounds |
CA000470181A CA1230476A (en) | 1983-12-22 | 1984-12-14 | Composition for forming a transparent conductive film |
MX203797A MX168093B (es) | 1983-12-22 | 1984-12-19 | Composicion para formar una pelicula conductora transparente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59236962A JPS61113772A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 透明導電膜形成用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61113772A true JPS61113772A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=17008340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59236962A Pending JPS61113772A (ja) | 1983-12-22 | 1984-11-09 | 透明導電膜形成用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61113772A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62297470A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用ペ−スト |
JPS6421082A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Nippon Chemical Ind | Production of powdery plated material |
JPH02206587A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP59236962A patent/JPS61113772A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62297470A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用ペ−スト |
JPS6421082A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Nippon Chemical Ind | Production of powdery plated material |
JPH02206587A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0128697B1 (en) | Indium tin oxide sol compositions | |
JPS5854089B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
US6777477B1 (en) | Coating solution for forming transparent and conductive tin oxide film and method for preparing transparent and conductive tin oxide film, and transparent and conductive tin oxide film | |
US20030047111A1 (en) | Coating solution for forming transparent silica coating film and method for producing transparent silica coating film | |
US4619704A (en) | Composition for forming a transparent conductive film | |
JPS61113772A (ja) | 透明導電膜形成用組成物 | |
EP0148608B1 (en) | Film-forming composition comprising indium and tin compounds | |
JPH09217055A (ja) | 透明導電性溶液の製造方法 | |
JPH06187832A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
JPS61186478A (ja) | 導電被膜の形成方法 | |
JPS6146552B2 (ja) | ||
JPH0530001B2 (ja) | ||
JPH05262524A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
JP3154678B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液および該塗布液を使用した透明導電性被膜付きガラス | |
JP3155495B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用ペースト | |
JPH0221083B2 (ja) | ||
JPS62274508A (ja) | 透明導電膜形成用ペ−スト組成物 | |
JPS6142951B2 (ja) | ||
JPS5927961A (ja) | 透明被膜形成用ペ−ストおよび透明被膜 | |
JPH0745128A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
JPH05290621A (ja) | 高 温 焼 成 用 i t o ペ ー ス ト | |
JPS5927965A (ja) | 透明被膜形成用ペ−ストおよび透明被膜 | |
JPS59219810A (ja) | 透明導電膜形成法 | |
JPS60140605A (ja) | 透明導電膜 | |
JPH0745127A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 |