JPS61113772A - 透明導電膜形成用組成物 - Google Patents

透明導電膜形成用組成物

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Publication number
JPS61113772A
JPS61113772A JP59236962A JP23696284A JPS61113772A JP S61113772 A JPS61113772 A JP S61113772A JP 59236962 A JP59236962 A JP 59236962A JP 23696284 A JP23696284 A JP 23696284A JP S61113772 A JPS61113772 A JP S61113772A
Authority
JP
Japan
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transparent conductive
conductive film
indium
composition
inorganic
Prior art date
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Pending
Application number
JP59236962A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadanori Hashimoto
橋本 忠紀
Hiroshi Yoshitake
吉竹 弘志
Masanao Hata
畑 誠直
Akiko Nakazono
明子 中園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Priority to CA000470181A priority patent/CA1230476A/en
Priority to MX203797A priority patent/MX168093B/es
Publication of JPS61113772A publication Critical patent/JPS61113772A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40Materials therefor
    • H01L33/42Transparent materials

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラス又はセラミック基板上に、金属酸化物よ
りなる透明導電膜を形成することの出来る組成物に関す
る。
液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子など
の表示素子類や光電池、撮像管などの感光素子類などに
おけろ電極お町び自動車、航空機、建築などの窓ガラス
の防曇、氷結防止用電極などにおいて、光に対して透明
性を有する電極材料が使用されている。
このような透明導電性材料としては、酸化スス・酸化ア
ンチモン系、酸化インジウム・酸化スズ系などが知られ
ており、これらの金属酸化物はガラス又はセラミック基
板上に容易に被膜を形成し、透明導電膜とすることが出
来る。
透明導電膜形成法としては次の方法が知られている。
(])真空蒸着法 (2)  スパッタリング法 (3>CVD法 (4)塗布法 く     しかし、上記(1)、(2)、<3)の方
法は装置が複雑で作業性が劣り、しかも通常の場合、パ
ターンを形成するために膜形成後、エツチング工程を行
なわなければならない問題がある。
また、上記(4)の方法は上記(1)、(2+、(3)
の方法の問題点を解決する可能性を有しているが、実用
に耐え得る膜を得がたいという問題があった。
たとえば、InCl!3、In(NO3)3.8nCl
 4  等の無機塩の有機溶剤溶液を使用した場合は、
形成された膜に白濁が生じたり、得られた膜の機械的強
度が不足で傷がつき易い等の欠点がある。
また、オクチル酸インジウム等のイオン結合性の強い有
機酸インジウムを用いる方法においては、有機酸インジ
ウムが加水分解し易く、比較的容易に化学変化するため
に、塗布液のゲル化が生じる等の欠点を有している。
またインジウムやスズの有機錯体を使用する方法も提案
されているが、この方法では基板に塗布した後の塗膜の
熱分解時において、膜の均質化が阻害されるために、低
抵抗の均質膜が得られない等の欠点がある。
よえ、よう切者ら、i先、。上記欠点や解消5、・)塗
布法により優れた導電性と光透過性を有する被膜を形成
できる組成物として、無機インジウム塩と無機スズ塩と
の有機溶液に非水系シリカゾルを混合し、さらに粘性剤
としてセルロース化合物を添加・混合してなる透明導電
膜形成用組成物の特許出願を行った。(1%願昭 58
−242584号) しかしながら、夏期のような高温・高湿雰囲気下の塗布
時における膜質の安定性が今だ十分とは言いきれなかっ
た。
本発明者らは、さらに鋭意研究を行った結果、セルロー
ス化合物として、ヒドロキシプロピルセルロース、酢酸
セルロース、ニトロセルロース、エチルヒドロキシエチ
ルセルロースの少なくとも一種を用いることにより、か
かる問題点を解決できる事を見い出し、本発明を完成す
るに至ったものである。
すなわち本発明は、無機インジウム塩と無機スズ塩との
有機溶液に非水系シリカゾルを混合し、次いで、この混
合溶液に特定のセルロース化合物、即ち、ヒドロキシプ
ロピルセルロース、酢酸セルロース、ニトロセルロース
、エチルヒドロキシエチルセルロースのうちから選ばれ
た少なくとも1種を、組成物中に0.1〜50重量−と
なる町うに添加混合してなることを特徴とする透明導電
膜形成用組成物に関するものである。
本発明の特徴である特定のセルロース化合物は、増粘効
果と共に、該組成物を基板に塗布・乾燥・焼成すること
によって得られる被膜性能の高位安定化に有用である。
即ち、本発明の組成物中に含まれる特定のセルロース化
合物は、該組成物を基板に塗布した1く 塗膜φ吸湿防止効果を付与する。
このために該組成物においては、たとえば、夏期のよう
な高温・高湿雰囲気下の塗布時においても、吸湿による
塗膜の不均質化や白化現象を防止することが出来、膜質
の安定化がはかれる。
以下、本発明を詳述する。
本発明方法で用いられる無機インジウム塩は鉱酸の塩、
好適には、塩化インジウム又は硝酸インジウムのいずれ
かが用いられ、その添加量は組成物中に酸化インジウム
換’JEテ0.5〜30重量%、好適には1〜20重量
%である。
また、本発明で用いられる無機スズ塩としては鉱酸の塩
好通には塩化第2スズが用いられ、その添加量はインジ
ウムに対するススの比で0.5〜80重iチ、好適には
1〜20重量%である。
なお、上述した無機インジウム塩及び無機スス塩は含水
塩でも差しつかえない。
本発明に用いられる非水系シリカツルは、特に限定され
るものではないが、特に好適には、ケイ酸ソーダを含む
水溶液を鉱酸で液相中和し、しかる後、有機溶剤と塩析
剤で抽出されたケイ酸の有機溶液が用いられる。
抽出溶剤としては、テトラヒドロフラン、イ1   ソ
ブロピルアルコール、t−フタノール等カ良く、また、
塩析剤としては塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等が
好適に用いられる。
上述した方法により得られた、非水系シリカゾルは経時
安定性の優れた透明液で、シリカゾルは0.02〜0.
1μmの粒子径を有し、シリカ濃度は特に限定されるも
のではないが通常1〜20重景%で調製される。
本発明の組成物中の非水系シリカゾルの添加量は酸化イ
ンジウムに対するケイ酸の比として1〜200重量%、
好適には10〜100重量%である。
本発明に用いられる非水系シリカゾルは超微粒子で、こ
の粒子表面にシラノール基を有するシリカゾルのチクソ
トロピー効果によって、塗布時の基板との濡れ性は大巾
に改良され、焼成後の被膜は、極めて優れた透明性と導
電性及び接着強度を有する。
本発明に用いられる有機溶剤としては無機インジウム塩
、無機ス、ズ塩の溶解性、非水系シリカゾルとの相溶性
及び後述するセルロース類の溶解性等を考慮して選定さ
れる。           ilこのような有機溶剤
としては、アセトン、テトラヒドロフラン、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、t−ブタノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、エチ
ルセロソルブ、エチルカルヒトール等が単−又は混合し
て用いられる。
本発明の組成物中に、増粘及び防湿を目的として添加さ
れろ前記記載の特定のセルロース化合物の添加量は、基
板への塗布方法、目的とする塗膜の膜厚等を考慮して選
定されるが、通常、該組成物中に、浸漬法、スピンナ法
等においては0.1〜5重ffi%、スクリーン印刷法
、オフセット印刷法等においては5〜50重量%が適当
である。
上述した方法によって作成された本発明の透明導電膜形
成用組成物は、経時安定性に優れ、3ケ月経過後もゲル
化等の変質は起らず、塗布・焼成膜の性能の低下も全く
認められなかった。
本発明方法による組成物を基板に塗布するに当っては浸
漬法、スピンナー法、スクリーン印刷法、オフセット印
刷法などの通常の塗布技術が応用出来る。
本発明の組成物を塗布した基板は通常40〜250℃の
乾燥処理と4I〕0〜900℃の焼、:、。
処理とによって透明導電膜を形成する。焼成時の雰囲気
は酸素が不可欠であり、十分な量の酸素又は酸素含有ガ
スの導入が必要である。こうして得られた透明導電膜は
完全な2層構造を成しておりインジウムeスズ・オキサ
イド(以下、ITOと称す)のみが選択的に表面被膜を
構成し、ケイ酸は基板とインジウム・スズφオキサイド
被膜の中間にサンドイッチ状に被膜を形成する。
以上、述べた本発明方法による組成物の特性は通常、ソ
ーダガラス基板に透明導電膜を形成する場合においてナ
トリウム溶出防止のために施こされるシリカコート処理
を省略可能にする。
すなわち、本発明方法による組成物を塗布・焼成するこ
とにより、シリカコートと透明導電膜コートを単一の処
理で行なうことが可能となり、透明導電膜コート、ソー
ダガラス基板の製造工程の大巾なコストタウンが可能と
なる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はCれ
らの実施例によって限定されるものではない。
実施例1 塩化インジウムと塩化第2スズの所定量を溶解したテト
ラヒドロフラン溶液と、別に調整した、ケイ酸ソータを
含む水済液を硫酸で液相中和し、テトラヒドロフランと
塩化アンモニウムで抽出されたケイ酸濃度5%のシリカ
ゾルの所定量とを混合し次いで、所定のセルロース化合
物を所定量添加し、よくかき混ぜて透明導電膜形成用組
成物を調製した。組成を第1表に記載する。
次に上記組成物をよく洗浄したソーダガラス基板に浸漬
法で第2表に示す条件で塗布し、空気中80℃で15分
乾燥後、空気中500℃で1時間焼成して被膜を形成し
た。
結果を第2表に記載する。
得られた焼成後の被膜は、いずれも ITO/8i02 2層構造を形成し、低抵抗で透明性
に優れていた。
そして引上げ塗布時の雰囲気温度、湿度の影響を全く受
けず高位に安定した性能を有している。
組成物E及びFにおいては低温、低湿下の引上げ塗布時
は良好な被膜性能を示すが、高温・高湿下の引上げ塗布
の場合は、焼成後の膜は白化現象を生じ、被膜性能は低
下している。
以上、実施例、比較例の結果から明らかなように、本発
明の透明導電膜形成用組成物は基板との接着性に優れた
極めて低抵抗の透明溝%膜を安定して形成することが出
来る。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)無機インジウム塩と無機スズ塩との有機溶液に非
    水系シリカゾルを混合し、次いでセルロース化合物を該
    混合溶液中に0.1〜50重量%となるよう添加・混合
    してなる透明導電膜形成用組成物において、該セルロー
    ス化合物がヒドロキシプロピルセルロース、酢酸セルロ
    ース、ニトロセルロースおよびエチルヒドロキシエチル
    セルロースからなる群より選ばれた少なくとも1種であ
    ることを特徴とする透明導電膜形成用組成物。
  2. (2)無機インジウム塩が酸化インジウム換算で0.5
    〜30重量%、無機スズ塩がインジウムに対するスズの
    比で0.5〜30重量%、非水系シリカゾルが酸化イン
    ジウムに対するケイ酸の比で1〜200重量それぞれ組
    成物中に含まれることを特徴とする特許請求の範囲第(
    1)項記載の透明導電膜形成用組成物。
  3. (3)無機インジウム塩が塩化インジウム又は硝酸イン
    ジウムのいずれかであることを特徴とする特許請求の範
    囲第(1)項記載の透明導電膜形成用組成物。
  4. (4)無機スズ塩が塩化第2スズであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載の透明導電膜形成用組
    成物。
  5. (5)非水系シリカゾルが、ケイ酸ソーダを含む水溶液
    を鉱酸の1種で液相中和し、しかる後、有機溶剤と塩析
    剤とを用いて、有機溶剤に抽出したものであることを特
    徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の透明導電膜形
    成用組成物。
JP59236962A 1983-12-22 1984-11-09 透明導電膜形成用組成物 Pending JPS61113772A (ja)

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EP84308698A EP0148608B1 (en) 1983-12-22 1984-12-13 Film-forming composition comprising indium and tin compounds
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CA000470181A CA1230476A (en) 1983-12-22 1984-12-14 Composition for forming a transparent conductive film
MX203797A MX168093B (es) 1983-12-22 1984-12-19 Composicion para formar una pelicula conductora transparente

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62297470A (ja) * 1986-06-18 1987-12-24 Nippon Soda Co Ltd 金属酸化物薄膜形成用ペ−スト
JPS6421082A (en) * 1987-07-15 1989-01-24 Nippon Chemical Ind Production of powdery plated material
JPH02206587A (ja) * 1989-02-03 1990-08-16 Toray Ind Inc 光記録媒体

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