JPH0221083B2 - - Google Patents

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JPH0221083B2
JPH0221083B2 JP7292783A JP7292783A JPH0221083B2 JP H0221083 B2 JPH0221083 B2 JP H0221083B2 JP 7292783 A JP7292783 A JP 7292783A JP 7292783 A JP7292783 A JP 7292783A JP H0221083 B2 JPH0221083 B2 JP H0221083B2
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JP
Japan
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composition
tin
organic solvent
film
coating
Prior art date
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Expired
Application number
JP7292783A
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English (en)
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JPS59198606A (ja
Inventor
Akihiro Chuma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス板等の基体上に透明導電膜を
形成するための組成物に関する。 透明導電膜は、液晶表示素子やエレクトロルミ
ネツセンス等の透明電極、自動車・航空機・建物
等の窓ガラス用防霜、防曇膜として広く使用され
ている。 従来、酸化スズ、酸化スズ−酸化アンチモン又
は酸化インジウム−酸化スズからなる透明導電膜
が、真空蒸着法、スパツタリング、CVD法等に
よつて形成されているが、これらの方法はいずれ
も原料利用率が低く、また製造装置が高価である
ため量産には適しなかつた。そこで、原料利用率
が高くて、しかも簡単な装置により透明導電膜を
形成できる、量産に適した方法を開発する試みが
なされてきた。そのひとつとしてインジウム化合
物とスズ化合物を適当な溶剤に溶かし、その溶液
を室温においてはけ塗り、浸漬、スプレー等の方
法で基体表面に塗り、その後その塗膜を焼成して
透明導電膜を形成する方法が注目されている。こ
のとき、スズは膜の導電性を高めるために少量添
加されるものである。。例えば特開昭55−69904号
には、インジウムトリアルコキシドと第1スズジ
アルコキシドを適当な有機溶剤に溶かした塗布液
が開示されている。また、特開昭54−150417号に
は、硝酸インジウムのアセチルアセトン溶液と、
スズをアセチルアセトンと硝酸の混合液に溶かし
た溶液とを混合し、これをメタノール等の有機溶
剤で希釈してなる塗布液が開示されている。これ
ら公開公報記載の塗布液は、いずれも導電性、透
光性、密着性、強度の諸特性が良好な透明導電膜
を形成することができたが、溶液自体が不安定で
保存寿命(ポツトライフ)が短かいという実用上
大きな欠点があつた。即ち、これらの塗布液は、
密閉した貯蔵容器に入れても高々30日間程度で沈
殿が発生するために使用不能になり、また塗布作
業中に空気にさらすと次第に沈殿を生成して塗布
作業に支障をきたすなどの問題があつた。 そこで本発明の目的は、透光性、導電性、膜強
度、密着性等の特性が良好な透明導電膜を形成す
ることができ、しかも安定性が高くて保存寿命が
長く、作業性も優れている、極めて実用性の高い
導電膜形成組成物を提供することにある。 本発明者らは、インジウム化合物としてアルコ
キシインジウムクロライドを採用し、塗布液の組
成を調整することによりこの課題を解決し得るこ
とを見出した。 即ち、本発明により提供される塗布液は、式
InClx(OR)3-x〔ここで、Rはアルキル基を表し、
xは1又は2である〕で表されるインジウム化合
物と、スズ化合物と、適当な有機溶剤と、水とか
らなる組成物であつて; インジウム化合物の濃度がI2O3に換算して有機
溶剤1当り200g以下であり、組成物中のイン
ジウムとスズの量をそれぞれ元素として換算した
ときに、Sn/(In+Sn)の重量比が0.05〜0.20の
範囲にあり、また水の量が有機溶剤の量の0.1〜
10重量%であつてしかも有機溶剤と完全に相溶す
る範囲内である透明導電膜形成用組成物である。 本発明において使用されるインジウム化合物
InClx(OR)3-xには、モノアルコキシインジウム
ジクロライド、及びジアルコキシインジウムモノ
クロライドが含まれる。含まれるアルコキシ基
は、炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル、エ
チル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
オクチル、ノニル、デシルが好ましい。組成物中
のインジウム化合物の濃度は1g/〜200g/
であり、形成される導電膜の所要の膜厚などに
応じて決められる。200g/より高いと十分に
溶解しないので組成物が均一とならないため、良
好な導電膜を形成することができず、また1.0
g/より低いと導電膜厚がうすいため導電性が
でないので好ましくない。 本発明で使用されるスズ化合物は、形成される
膜に所望の導電性を与える上で重要であり、使用
する有機溶剤に可溶であれば使用できる。例えば
テトラエトキシスズ、テトライソプロポキシス
ズ、テトラブトキシスズのようなスズアルコキシ
ド、酢酸スズのようなスズカルボキシレート;塩
化スズ、硝酸スズ、のような塩類があげられる。
中でも、テトラエトキシスズ、テトライソプロポ
キシスズ、テトラブトキシスズが好ましい。組成
物中のスズの量は、前述のようにSn/(In+Sn)
の重量比が0.05〜0.20の範囲であり、好ましくは
0.05〜0.15であるような量である。これにより、
液晶表示素子やエレクトロルミネツセンス等の透
明電極、自動車等の窓ガラス用防霜、防曇膜等の
用途に求められるシート抵抗102〜5×105Ω/□
を有する透明導電膜を形成できる。前記の重量比
が0.05より小さくても、0.20より大きくても所望
の導電性は得難い。 本発明に使用される有機溶剤としては、他の諸
成分を溶解することができ、基体に組成物を塗布
した後に容易に蒸発させて塗膜を乾燥できるもの
であれば使用できる。当業者は容易に適当な有機
溶剤を選択することができる。このような有機溶
剤には、例えば酢酸エチル、酢酸イソプロピル、
酢酸n−ブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸
エチルのようなカルボン酸エステル:メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ブチ
ルアルコールのようなアルコール;アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのよ
うなケトン、並びにその他の脂肪族炭化水素、さ
らにシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、
のような脂環式又は芳香族炭化水素が含まれる。 本発明の組成物中の水の量は、前記有機溶剤の
量に対し0.1〜10重量%であつて、しかも有機溶
剤と完全に相溶する範囲である。0.1重量%未満
では形成される膜の強度が低いため好ましくな
い。水の量が有機溶剤の10重量%を超えると良好
な導電膜を得ることができないため好ましくな
い。また使用する有機溶剤の種類によつては水の
量が有機溶剤の10重量%以下であつても有機溶剤
と完全に相溶しない場合がある。この場合、組成
物全体として均一性が失われ、得られる膜の特性
も悪影響を受けるのでよくない。 本発明の組成物の調製は、それぞれ所要量のイ
ンジウム化合物、スズ化合物、有機溶剤及び水を
混合すればよい。 こうして得られた本発明の組成物は、安定性が
高く、保存寿命が長い。密閉容器に保存すると、
6ケ月以上まつたく変質せずに安定である。ま
た、塗布作業中に大気にさらされても、沈殿を生
成するとか、増粘するとかの変化はまつたく起ら
ない。したがつて、塗布作業を円滑に行うことが
できるし、良好な透明導電膜を安定して形成する
ことができる。 本発明の組成物により透明導電膜を形成するに
は、塗布液であるこの組成物を基体表面に適当な
方法で塗布し、塗膜を乾燥後、酸化性雰囲気にて
焼成すればよい。塗布液を基体に塗布するには、
浸漬、噴霧、スピンナー、はけ塗り等通常の方法
を利用できるが、特に浸漬法が好ましい。基体の
塗布膜の乾燥は、常温〜約150℃の温度で行なう。
例えば、常温に30分間放置後、100℃に15分間置
くことにより乾燥してもよい。乾燥の温度と時間
は多様選択できる。乾燥後の焼成は、通常空気中
でよいが、酸素雰囲気中で行なつて組成物の酸化
を促進してもよい。焼成温度は300℃以上が好ま
しく、基体の耐熱性に応じて適当な温度を選択す
る。300℃未満では完全な酸化物の膜が得難い。
焼成に必要な時間は、約10秒ないし約1時間であ
り、焼成温度などに応じて決める。以上述べたよ
うな方法により、基体上に透明な導電膜を形成す
ることができる。この膜は、透光性、導電性、強
度、基体への密着性等の特性が良好である。 本発明の組成物を用いて透明導電膜が形成され
る基体は、該組成物が湿潤性(濡れ性)を示し、
かつ塗膜の焼成温度に耐えることができる材料で
あればどんな材料からできているものでもよい。
このような材料としては、例えばソーダライムガ
ラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、石英、各
種光学ガラス、アルミナ等の無機材料のほかに、
シリコーン樹脂、フツ素樹脂等の合成樹脂があ
る。 以下、実施例により本発明を具体的に説明する
が、これらの実施例は本発明の例示にすぎない。 実施例 1−13、比較例1〜3 表1に使用する化合物及び溶媒とその種類を示
す。インジウム化合物とテトラエトキシスズを酢
酸エチルと水に溶かして塗布液を調製した。この
塗布液に寸法75×25mmのソーダライムガラスのプ
レートで表面を良く洗浄したものを浸漬して引上
げ、常温で大気中に30分間放置し、次いで100℃
で15分間乾燥した。その後500℃で30分間加熱し
て、プレート表面に膜を形成した。得られた膜の
平均シート抵抗値を測定し、また透光性、強度、
及び密着性を調べた。結果を表2に示す。 また、各塗布液の保存性、安定性を次のように
して試験した。この結果を表2に示す。塗布液を
密閉容器に入れ、1ケ月毎に上記の操作を行い基
板上に膜を形成させた。膜の平均シート抵抗、透
光性、膜強度及び密着性の測定を行い、最初の値
と比較することにより安定性を測定した。
【表】
【表】
【表】 殿発生したため塗布不能となつた。
実施例 14−17 200mlフラスコ中で、ジイソプロポキシインジ
ウムモノクロライド10g、Sn/(In+Sn)の重
量比が表2に示すような値となる量のテトラエト
キシスズを、酢酸エチル100mlと蒸留水1gに溶
かし、塗布液を調製した。実施例1と同様にして
ガラスプレート表面に膜を形成した。得られた膜
の諸特性も表2に示す。比較例4、5の結果も合
わせて示す。また、塗布液の安定性試験結果は表
2に示すとおりであつた。
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式InClx(OR)3-x〔ここで、Rはアルキル基
    を表し、xは1又は2である〕で表されるインジ
    ウム化合物と、スズ化合物と、適当な有機溶剤
    と、水とからなる組成物であつて; インジウム化合物の濃度がI2O3に換算して有機
    溶剤1当り200g以下であり、組成物中のイン
    ジウムとスズの量をそれぞれ元素として換算した
    ときに、Sn/(In+Sn)の重量比が0.05〜0.20の
    範囲にあり、また水の量が有機溶剤の量の0.1〜
    10重量%であつてしかも有機溶剤と完全に相溶す
    る範囲内である透明導電膜形成用組成物。
JP7292783A 1983-04-27 1983-04-27 透明導電膜形成用組成物 Granted JPS59198606A (ja)

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JP7292783A JPS59198606A (ja) 1983-04-27 1983-04-27 透明導電膜形成用組成物

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JP7292783A JPS59198606A (ja) 1983-04-27 1983-04-27 透明導電膜形成用組成物

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JPS59198606A JPS59198606A (ja) 1984-11-10
JPH0221083B2 true JPH0221083B2 (ja) 1990-05-11

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JP7292783A Granted JPS59198606A (ja) 1983-04-27 1983-04-27 透明導電膜形成用組成物

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JPH01115010A (ja) * 1987-10-28 1989-05-08 Central Glass Co Ltd 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法
DE102009054997B3 (de) * 2009-12-18 2011-06-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102009054998A1 (de) * 2009-12-18 2011-06-22 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung

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