JPH06101253B2 - 導電性被膜の形成方法 - Google Patents
導電性被膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06101253B2 JPH06101253B2 JP9073887A JP9073887A JPH06101253B2 JP H06101253 B2 JPH06101253 B2 JP H06101253B2 JP 9073887 A JP9073887 A JP 9073887A JP 9073887 A JP9073887 A JP 9073887A JP H06101253 B2 JPH06101253 B2 JP H06101253B2
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- JP
- Japan
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- compound
- antimony
- tin
- mixture
- substrate
- Prior art date
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- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ガラス、セラミック等の基材上に透明で導電
性を有する被膜を形成する方法に関するものである。
性を有する被膜を形成する方法に関するものである。
（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点） 透明導電性被膜は、液晶表示器、窓ガラスの防曇用、面
状抵抗発熱体、帯電防止材、電磁波シールド材等に使用
されている。この透明導電性被膜として酸化スズ、酸化
インジウム等が知られている。特に、耐薬品性や強度等
の耐久性が要求される場合には酸化スズが好適に用いら
れている。
状抵抗発熱体、帯電防止材、電磁波シールド材等に使用
されている。この透明導電性被膜として酸化スズ、酸化
インジウム等が知られている。特に、耐薬品性や強度等
の耐久性が要求される場合には酸化スズが好適に用いら
れている。
このような透明導電性被膜を形成する方法としては、Sn
（OR）２またはSn（OOCR）２で表わされる化合物を基板
に被着した後、熱分解する方法（特公昭45−7181号公
報）やカプリル酸スズを主成分とするスズ化合物を基板
に塗布した後、熱分解する方法（特開昭53−58694号公
報）等が知られている。
（OR）２またはSn（OOCR）２で表わされる化合物を基板
に被着した後、熱分解する方法（特公昭45−7181号公
報）やカプリル酸スズを主成分とするスズ化合物を基板
に塗布した後、熱分解する方法（特開昭53−58694号公
報）等が知られている。
しかしながら、上記の方法を用いて形成された被膜は透
明ではあるものの、干渉色を有したり、被膜の強度や基
材との密着性において劣るという問題点があった。
明ではあるものの、干渉色を有したり、被膜の強度や基
材との密着性において劣るという問題点があった。
（問題点を解決するための手段） 本発明者等は、透明導電性被膜について鋭意研究検討を
重ねた結果、被膜の原料としてアンチモン化合物と特定
のスズ化合物との混合物を用いることにより、無色透明
で化学的および物理的耐久性に優れた被膜が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに到った。
重ねた結果、被膜の原料としてアンチモン化合物と特定
のスズ化合物との混合物を用いることにより、無色透明
で化学的および物理的耐久性に優れた被膜が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明は、アンチモン化合物と下記一般式
（Ｉ） （但し、ｎは０〜４の整数である） で示されるスズ化合物との混合物を基材に被着させた後
加熱するか又は、該混合物を加熱した基材に被着させる
ことを特徴とする導電性被膜の形成方法である。
（Ｉ） （但し、ｎは０〜４の整数である） で示されるスズ化合物との混合物を基材に被着させた後
加熱するか又は、該混合物を加熱した基材に被着させる
ことを特徴とする導電性被膜の形成方法である。
本発明に於いて用いられるスズ化合物は、一般式（Ｉ）
で示される化合物であり、具体例として、シュウ酸スズ
（ｎ＝０）、マロン酸スズ（ｎ＝１）、コハク酸スズ
（ｎ＝２）、グルタル酸スズ（ｎ＝３）、アジピン酸ス
ズ（ｎ＝４）がある。ｎが５以上になると、基材、例え
ば、ガラスやセラミックス等に対する該スズ化合物含有
液の漏れが不良となり、均一な膜厚の被膜が得られなか
った。
で示される化合物であり、具体例として、シュウ酸スズ
（ｎ＝０）、マロン酸スズ（ｎ＝１）、コハク酸スズ
（ｎ＝２）、グルタル酸スズ（ｎ＝３）、アジピン酸ス
ズ（ｎ＝４）がある。ｎが５以上になると、基材、例え
ば、ガラスやセラミックス等に対する該スズ化合物含有
液の漏れが不良となり、均一な膜厚の被膜が得られなか
った。
また、本発明に於いて用いられるアンチモン化合物は、
被膜の導電性を向上させる為に添加される。該アンチモ
ン化合物としては、後述する加熱温度で酸化物となるも
のであれば特に限定されない。例えば、三塩化アンチモ
ン、五塩化アンチモン、ヘキサハイドロキシアンチモニ
ルカリウムなどの無機アンチモン化合物；シュウ酸アン
チモン、トリアセトキシアンチモン、トリフェニルアン
チモン、酒石酸アンチモニルカリウムなどの有機アンチ
モン化合物等が好適に用いられる。アンチモン化合物の
添加量は、アンチモン化合物およびスズ化合物からなる
混合物を基材に被着させる方法によって異なるが、一般
的には、アンチモン化合物とスズ化合物の合計量を100
重量部とした場合、アンチモン化合物を0.1〜50重量部
の範囲で用いることが好ましい。特に好ましい範囲は１
〜30重量部である。
被膜の導電性を向上させる為に添加される。該アンチモ
ン化合物としては、後述する加熱温度で酸化物となるも
のであれば特に限定されない。例えば、三塩化アンチモ
ン、五塩化アンチモン、ヘキサハイドロキシアンチモニ
ルカリウムなどの無機アンチモン化合物；シュウ酸アン
チモン、トリアセトキシアンチモン、トリフェニルアン
チモン、酒石酸アンチモニルカリウムなどの有機アンチ
モン化合物等が好適に用いられる。アンチモン化合物の
添加量は、アンチモン化合物およびスズ化合物からなる
混合物を基材に被着させる方法によって異なるが、一般
的には、アンチモン化合物とスズ化合物の合計量を100
重量部とした場合、アンチモン化合物を0.1〜50重量部
の範囲で用いることが好ましい。特に好ましい範囲は１
〜30重量部である。
本発明で用いられる基材は、特に限定されず、導電性被
膜の形成に使用される公知の基材が用いられる。例え
ば、ガラス、セラミックス等が挙げられる。
膜の形成に使用される公知の基材が用いられる。例え
ば、ガラス、セラミックス等が挙げられる。
上記したアンチモン化合物とスズ化合物との混合物を基
材に被着する方法としては、下記の方法が使用される。
材に被着する方法としては、下記の方法が使用される。
上記の混合物を基材に被着させた後加熱する方法。
上記の混合物を加熱した基材に被着させる方法。
アンチモン化合物とスズ化合物との混合物は、通常は溶
媒に溶解した後に基材に被着させる。溶媒は、アンチモ
ン化合物およびスズ化合物からなる混合物を溶解するも
のであれば特に限定されない。例えば、水、アルコール
類、多価アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテ
ル類、カルボン酸類および多価カルボン酸類等が挙げら
れる。
媒に溶解した後に基材に被着させる。溶媒は、アンチモ
ン化合物およびスズ化合物からなる混合物を溶解するも
のであれば特に限定されない。例えば、水、アルコール
類、多価アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテ
ル類、カルボン酸類および多価カルボン酸類等が挙げら
れる。
これらの溶媒は、用いる基材に応じて、単独或いは混合
物で使用することができる。該溶媒に、塩酸、硫酸、硝
酸等の酸を加えることは、溶解力向上の面で好ましい。
これらの酸は、通常0.01〜5Nの濃度で使用することが好
ましい。
物で使用することができる。該溶媒に、塩酸、硫酸、硝
酸等の酸を加えることは、溶解力向上の面で好ましい。
これらの酸は、通常0.01〜5Nの濃度で使用することが好
ましい。
上記アンチモン化合物およびスズ化合物からなる混合物
の溶液中の濃度は、0.2〜40重量％が好ましい。
の溶液中の濃度は、0.2〜40重量％が好ましい。
本発明に於けるアンチモン化合物及びスズ化合物の混合
物の基材への被着は、上記した混合物の溶液を公知の方
法、例えば、スプレー法、塗布法、スピナー法、キャス
ティング法及び浸漬法等の方法が何ら制限なく採用され
る。上記の混合物の溶液は、予め加熱しておいた基材に
被着させてもよく、また、基材に被着させた後に加熱し
ても良い。加熱の温度は、300℃以上が好ましく、通常
は350〜600℃の範囲から選択される。加熱時間は、特に
制限されないが、一般には５分〜１時間の範囲から選ば
れる。
物の基材への被着は、上記した混合物の溶液を公知の方
法、例えば、スプレー法、塗布法、スピナー法、キャス
ティング法及び浸漬法等の方法が何ら制限なく採用され
る。上記の混合物の溶液は、予め加熱しておいた基材に
被着させてもよく、また、基材に被着させた後に加熱し
ても良い。加熱の温度は、300℃以上が好ましく、通常
は350〜600℃の範囲から選択される。加熱時間は、特に
制限されないが、一般には５分〜１時間の範囲から選ば
れる。
（作用・効果） アンチモン化合物および一般式（Ｉ）で示されるスズ化
合物からなる混合物を加熱すると、熱分解により、酸化
アンチモンおよび酸化スズからなる酸化物被膜が形成さ
れる。該スズ化合物は、優れた被膜形成能を有してお
り、薄くて均一な酸化物被膜が得られるものと考えられ
る。従って、得られる被膜が透明であり、且つ、化学的
および物理的耐久性が優れると推考される。
合物からなる混合物を加熱すると、熱分解により、酸化
アンチモンおよび酸化スズからなる酸化物被膜が形成さ
れる。該スズ化合物は、優れた被膜形成能を有してお
り、薄くて均一な酸化物被膜が得られるものと考えられ
る。従って、得られる被膜が透明であり、且つ、化学的
および物理的耐久性が優れると推考される。
以上の説明より理解されるように、本発明によれば、無
色で機械的強度に優れた透明且つ高導電性被膜を容易に
得ることが可能である。
色で機械的強度に優れた透明且つ高導電性被膜を容易に
得ることが可能である。
（実施例） 本発明を、実施例により具体的に説明する。
実施例１ 第１表に示したアンチモン化合物およびスズ化合物から
なる混合物を0.5Nの塩酸を含む第１表に示した溶媒に溶
解した。アンチモン化合物とスズ化合物の混合物の溶媒
中における濃度を20重量％とした。こうして調製した溶
液を、予め500℃に加熱されたスライドグラスにスプレ
ーして、透明導電性被膜を得た。アンチモン化合物の添
加量は、アンチモン化合物とスズ化合物の合計量100重
量部に対して、２重量部とした。
なる混合物を0.5Nの塩酸を含む第１表に示した溶媒に溶
解した。アンチモン化合物とスズ化合物の混合物の溶媒
中における濃度を20重量％とした。こうして調製した溶
液を、予め500℃に加熱されたスライドグラスにスプレ
ーして、透明導電性被膜を得た。アンチモン化合物の添
加量は、アンチモン化合物とスズ化合物の合計量100重
量部に対して、２重量部とした。
被膜の導電性に関しては、試験片上の1cm角の正方形の
一対の対辺に銀ペーストを塗布し、表面抵抗を測定し
た。透明性は、波長550nmにおける透過率を分光光度計
で測定し、被膜のないものを100％として表示した。色
は、目視により判定した。また、物理的耐久性は、マル
テンス引っかき試験器を使用し、荷重50gのときの引っ
かき幅で表示した。これらの結果を第１表に示した。
一対の対辺に銀ペーストを塗布し、表面抵抗を測定し
た。透明性は、波長550nmにおける透過率を分光光度計
で測定し、被膜のないものを100％として表示した。色
は、目視により判定した。また、物理的耐久性は、マル
テンス引っかき試験器を使用し、荷重50gのときの引っ
かき幅で表示した。これらの結果を第１表に示した。
実施例２ 第２表に示したアンチモン化合物およびスズ化合物から
なる混合物を、実施例１と同様な方法により、第２表に
示した溶媒に溶解した。アンチモン化合物とスズ化合物
の混合物の溶媒中における濃度を４重量％とした。こう
して調製した溶液を、スライドグラスにキャスティング
した後、500℃に温度保持された炉内で10分間焼成し、
透明導電性被膜を得た。アンチモン化合物の添加量は、
アンチモン化合物とスズ化合物の合計量100重量部に対
して、１重量部とした。
なる混合物を、実施例１と同様な方法により、第２表に
示した溶媒に溶解した。アンチモン化合物とスズ化合物
の混合物の溶媒中における濃度を４重量％とした。こう
して調製した溶液を、スライドグラスにキャスティング
した後、500℃に温度保持された炉内で10分間焼成し、
透明導電性被膜を得た。アンチモン化合物の添加量は、
アンチモン化合物とスズ化合物の合計量100重量部に対
して、１重量部とした。
被膜の導電性、透明性、色および物理的耐久性を、実施
例１と同様な方法により判定した。その結果を第２表に
示した。
例１と同様な方法により判定した。その結果を第２表に
示した。
Claims (1)
- 【請求項１】アンチモン化合物と下記一般式 （但し、ｎは０〜４の整数である。） で示されるスズ化合物との混合物を基材に被着させた後
加熱するか又は、該混合物を加熱した基材に被着させる
ことを特徴とする導電性被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9073887A JPH06101253B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 導電性被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9073887A JPH06101253B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 導電性被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257121A JPS63257121A (ja) | 1988-10-25 |
| JPH06101253B2 true JPH06101253B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14006921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9073887A Expired - Lifetime JPH06101253B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 導電性被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101253B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4124137C1 (ja) * | 1991-07-20 | 1992-10-01 | Th. Goldschmidt Ag, 4300 Essen, De | |
| JP5369428B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2013-12-18 | 大日本印刷株式会社 | 金属酸化物膜の製造方法 |
| KR20120004776A (ko) * | 2010-07-07 | 2012-01-13 | 삼성전기주식회사 | 무전해 주석 환원 도금액 및 이를 이용한 무전해 주석 환원 도금방법 |
| KR101197987B1 (ko) * | 2010-08-18 | 2012-11-05 | 삼성전기주식회사 | 주석 합금 형성용 도금액 및 이를 이용한 주석 합금 피막의 형성방법 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9073887A patent/JPH06101253B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63257121A (ja) | 1988-10-25 |
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