JPS63257121A - 導電性被膜の形成方法 - Google Patents
導電性被膜の形成方法Info
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- JPS63257121A JPS63257121A JP9073887A JP9073887A JPS63257121A JP S63257121 A JPS63257121 A JP S63257121A JP 9073887 A JP9073887 A JP 9073887A JP 9073887 A JP9073887 A JP 9073887A JP S63257121 A JPS63257121 A JP S63257121A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ガラス、セラミック等の基材上に透明で導電
性を有する被膜を形成する方法に関するものである。
性を有する被膜を形成する方法に関するものである。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点2透明
導電性被膜は、液晶表示器、窓ガラスの防曇用1面状抵
抗発熱体、帯電防止材、電磁波シールド材等に使用され
ている。この透明導電性被膜として酸化スズ、酸化イン
ジウム等が知られている。特に、耐薬品性や強度等の耐
久性が要求される場合には酸化スズが好適に用いられて
いる。
導電性被膜は、液晶表示器、窓ガラスの防曇用1面状抵
抗発熱体、帯電防止材、電磁波シールド材等に使用され
ている。この透明導電性被膜として酸化スズ、酸化イン
ジウム等が知られている。特に、耐薬品性や強度等の耐
久性が要求される場合には酸化スズが好適に用いられて
いる。
このよう女透明導電性被膜を形成する方法としては、a
n(OR)2または5n(OOCR)2で表わされる化
合物を基板に被着した後、熱分解する方法(特公昭45
−7181号公報)やカグリル酸スズを主成分とするス
ズ化合物を基板に塗布した後、熱分解する方法(特開昭
53−58694号公報)等が知られている。
n(OR)2または5n(OOCR)2で表わされる化
合物を基板に被着した後、熱分解する方法(特公昭45
−7181号公報)やカグリル酸スズを主成分とするス
ズ化合物を基板に塗布した後、熱分解する方法(特開昭
53−58694号公報)等が知られている。
しかしながら、上記の方法を用いて形成された被膜は透
明ではあるものの、干渉色を有したシ、被膜の強度や基
材との密着性において劣るという問題点があった。
明ではあるものの、干渉色を有したシ、被膜の強度や基
材との密着性において劣るという問題点があった。
(問題点を解決するための手段)
本発明者等は、透明導電性被膜について鋭意研究検討を
重ねた結果、被膜の原料としてアンチモン化合物と特定
のスズ化合物との混合物を用いることにより、無色透明
で化学的および物理的耐久性に優れた被膜が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに到ったto すなわち、本発明は、アンチモン化合物と下記一般式(
I) (但し、nはO〜4の整数である) で示されるスズ化合物との混合物を基材に被着させた後
加熱するか又は、該混合物を加熱した基材に被着させる
ことを特徴とする導電性被膜の形成方法である。
重ねた結果、被膜の原料としてアンチモン化合物と特定
のスズ化合物との混合物を用いることにより、無色透明
で化学的および物理的耐久性に優れた被膜が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに到ったto すなわち、本発明は、アンチモン化合物と下記一般式(
I) (但し、nはO〜4の整数である) で示されるスズ化合物との混合物を基材に被着させた後
加熱するか又は、該混合物を加熱した基材に被着させる
ことを特徴とする導電性被膜の形成方法である。
本発明に於いて用いられるスズ化合物は、一般式(1)
で示される化合物でアシ、具体例として、シュウ酸スズ
(n=o )、マロン酸スズ(n−1)、コ。
で示される化合物でアシ、具体例として、シュウ酸スズ
(n=o )、マロン酸スズ(n−1)、コ。
ハク酸スズ(n=2)、グルタル酸スズ(n干3)、ア
ジピン酸スズ(n=4)がある。nが5以上になると、
基材、例えば、ガラスやセラミックス等に対する該スズ
化合物含有液の濡れが不良となシ、均一な膜厚の被膜が
得られなかった。
ジピン酸スズ(n=4)がある。nが5以上になると、
基材、例えば、ガラスやセラミックス等に対する該スズ
化合物含有液の濡れが不良となシ、均一な膜厚の被膜が
得られなかった。
また、本発明に於いて用いられるアンチモン化・金物は
、被膜の導電性を向上させる為に添加される。該アンチ
モン化合物としては、後述する加熱1°;″温度で酸化
物となるものであれば特に限定されない。例えば、三塩
化アンチモン、五塩化アンチモン、ヘキサハイドロキシ
アンチモニルカリウムなどの無機アンチモン化合物;シ
ュウ酸アンチモン、トリアセトキシアンチモン、トリフ
ェニルアンチモン、酒石酸アンチモニルカリウムなどの
有機アンチモン化合物等が好適に用いられる。アンチモ
ン化合物の添加量は、アンチモン化合物およびスズ化合
物からなる混合物を基材に被着させる方法によって異な
るが、一般的には、アンチモン化合物とスズ化合物の合
計量を100重量部とした場合、アンチモン化合物を0
.1〜50重量部の範囲で用いることが好ましい。特に
好ましい範囲は1〜30重量部である。
、被膜の導電性を向上させる為に添加される。該アンチ
モン化合物としては、後述する加熱1°;″温度で酸化
物となるものであれば特に限定されない。例えば、三塩
化アンチモン、五塩化アンチモン、ヘキサハイドロキシ
アンチモニルカリウムなどの無機アンチモン化合物;シ
ュウ酸アンチモン、トリアセトキシアンチモン、トリフ
ェニルアンチモン、酒石酸アンチモニルカリウムなどの
有機アンチモン化合物等が好適に用いられる。アンチモ
ン化合物の添加量は、アンチモン化合物およびスズ化合
物からなる混合物を基材に被着させる方法によって異な
るが、一般的には、アンチモン化合物とスズ化合物の合
計量を100重量部とした場合、アンチモン化合物を0
.1〜50重量部の範囲で用いることが好ましい。特に
好ましい範囲は1〜30重量部である。
本発明で用いられる基材は、特に限定されず、導を性被
膜の形成に使用される公知の基材が用いられる。例えば
、ガラス、セラミックス等が挙げられる。
膜の形成に使用される公知の基材が用いられる。例えば
、ガラス、セラミックス等が挙げられる。
、上記したアンチモン化合物とスズ化合物との混□合物
を基材に被着する方法としては、下記の方法が使用され
る。
を基材に被着する方法としては、下記の方法が使用され
る。
■ 上記の混合物を基材に被着させた後加熱する方法。
■ 上記の混合物を加熱した基材に被着させる方法。
アンチモン化合物とスズ化合物との混合物は、通常は溶
媒に溶解した後に基材に被着させる。溶媒は、アンチモ
ン化合物およびスズ化合物からなる混合物を溶解するも
のセあれば特に限定されない。例えば、水、アルコール
類、多価アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテ
ル類、カル?ン酸類および多価カルがン酸類等が挙げら
れる。
媒に溶解した後に基材に被着させる。溶媒は、アンチモ
ン化合物およびスズ化合物からなる混合物を溶解するも
のセあれば特に限定されない。例えば、水、アルコール
類、多価アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテ
ル類、カル?ン酸類および多価カルがン酸類等が挙げら
れる。
これらの溶媒は、用いる基材に応じて、単独或いは混合
物で使用することができる。該溶媒に、塩酸、硫酸、硝
酸等の酸を加えることは、溶解力向上の面で好ましい。
物で使用することができる。該溶媒に、塩酸、硫酸、硝
酸等の酸を加えることは、溶解力向上の面で好ましい。
これらの酸は、通常0.01〜5Nの濃度で使用するこ
とが好ましい。
とが好ましい。
上記アンチモン化合物およびスズ化合物からなる混合物
の溶液中の濃度は、0.2〜40重量%が好ましい。
の溶液中の濃度は、0.2〜40重量%が好ましい。
本発明に於けるアンチモン化合物及びスズ化合物の混合
物の基材への被着は、上記した混合物の溶液を公知の方
法、例えば、スプレー法、塗布法、スピナー法、キャス
ティング法及び浸漬法等の方法が何ら制限なく採用され
る。上記の混合物の溶液は、予め加熱しておいた基材に
被着させてもよく、また、基材に被着させた後に加熱し
ても良い。
物の基材への被着は、上記した混合物の溶液を公知の方
法、例えば、スプレー法、塗布法、スピナー法、キャス
ティング法及び浸漬法等の方法が何ら制限なく採用され
る。上記の混合物の溶液は、予め加熱しておいた基材に
被着させてもよく、また、基材に被着させた後に加熱し
ても良い。
加熱の温度は、300℃以上が好ましく、通常は350
〜600℃の範囲から選択される。加熱時間は、特に制
限されないが、一般には5分〜1時間の範囲から選ばれ
る。
〜600℃の範囲から選択される。加熱時間は、特に制
限されないが、一般には5分〜1時間の範囲から選ばれ
る。
(作用・効果)
アンチモン化合物および一般式(1)で示されるスズ化
合物からなる混合物を加熱すると、熱分解によシ、酸化
アンチモンおよび酸化スズからなる酸化物被膜が形成さ
れる。該スズ化合物は、優れた被膜形成能を有しておシ
、薄くて均一な酸化物被膜が得られるものと考えられる
。従って、得られる被膜が透明でアシ、且つ、化学的お
よび物理]゛的耐久性が優れると推考される。
合物からなる混合物を加熱すると、熱分解によシ、酸化
アンチモンおよび酸化スズからなる酸化物被膜が形成さ
れる。該スズ化合物は、優れた被膜形成能を有しておシ
、薄くて均一な酸化物被膜が得られるものと考えられる
。従って、得られる被膜が透明でアシ、且つ、化学的お
よび物理]゛的耐久性が優れると推考される。
以上の説明よシ理解されるように、本発明によれば、無
色で機械的強度に優れた透明且つ高導電性波it容易に
得ることが可能である。
色で機械的強度に優れた透明且つ高導電性波it容易に
得ることが可能である。
(実施例)
本発明を、実施例によシ具体的に説明する。
実施例1
第1表に示したアンチモン化合物およびスズ化合物から
なる混合物を0.5 Nの塩酸を含む第1表に示した溶
媒に溶解した。アンチモン化合物とスズ化合物の混合物
の溶媒中における濃度を200重量%した。こうして調
製した溶液を、予め500℃に加熱されたスライドグラ
スにスプレーして、透明導電性被膜を得た。アンチモン
化合物の添加量は、アンチモン化合物とスズ化合物の合
計量100重量部に対して、2重量部とした。
なる混合物を0.5 Nの塩酸を含む第1表に示した溶
媒に溶解した。アンチモン化合物とスズ化合物の混合物
の溶媒中における濃度を200重量%した。こうして調
製した溶液を、予め500℃に加熱されたスライドグラ
スにスプレーして、透明導電性被膜を得た。アンチモン
化合物の添加量は、アンチモン化合物とスズ化合物の合
計量100重量部に対して、2重量部とした。
被膜の導電性に関しては、試験片上の1crt1角の・
5.正方形の一対の対辺に銀ペーストを塗布し、表面口
・′抵抗を測定した。透明性は、波長550 nmにお
ける透過率を分光光度計で測定し、被膜のないものを1
00%として表示した。色は、目視によシ判定した。ま
た、物理的耐久性は、マルテンス引っかき試験器を使用
し、荷重50gのときの引っかき幅で表示した。これら
の結果を第1表に示した。
5.正方形の一対の対辺に銀ペーストを塗布し、表面口
・′抵抗を測定した。透明性は、波長550 nmにお
ける透過率を分光光度計で測定し、被膜のないものを1
00%として表示した。色は、目視によシ判定した。ま
た、物理的耐久性は、マルテンス引っかき試験器を使用
し、荷重50gのときの引っかき幅で表示した。これら
の結果を第1表に示した。
実施例2
第2表に示したアンチモン化合物およびスズ化合物から
なる混合物を、実施例1と同様な方法によシ、第2表に
示した溶媒に溶解した。アンチモン化合物とスズ化合物
の混合物の溶媒中における濃度を4重量%とした。こう
して調製した溶液を、スライドグラフにキャスティング
した後、SOO℃に温度保持された炉内で10分間焼成
し、透明′七導電性被膜を得た。アンチモン化合物の添
加量は、′、゛′ アンチモン化合物とスズ化合物の合計量100重量部に
対して、1重量部とした。
なる混合物を、実施例1と同様な方法によシ、第2表に
示した溶媒に溶解した。アンチモン化合物とスズ化合物
の混合物の溶媒中における濃度を4重量%とした。こう
して調製した溶液を、スライドグラフにキャスティング
した後、SOO℃に温度保持された炉内で10分間焼成
し、透明′七導電性被膜を得た。アンチモン化合物の添
加量は、′、゛′ アンチモン化合物とスズ化合物の合計量100重量部に
対して、1重量部とした。
被膜の導電性、透明性、色および物理的耐久性を、実施
例1と同様な方法によシ判定した。その結果を第2表に
示した。
例1と同様な方法によシ判定した。その結果を第2表に
示した。
Claims (1)
- (1)アンチモン化合物と下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、nは0〜4の整数である。) で示されるスズ化合物との混合物を基材に被着させた後
加熱するか又は、該混合物を加熱した基材に被着させる
ことを特徴とする導電性被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9073887A JPH06101253B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 導電性被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9073887A JPH06101253B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 導電性被膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63257121A true JPS63257121A (ja) | 1988-10-25 |
JPH06101253B2 JPH06101253B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14006921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9073887A Expired - Lifetime JPH06101253B2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 導電性被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06101253B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0524480A2 (de) * | 1991-07-20 | 1993-01-27 | Th. Goldschmidt AG | Verfahren zum Vergüten von Hohlglaskörpern |
JP2009120872A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
JP2012017514A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法 |
JP2012041630A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9073887A patent/JPH06101253B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0524480A2 (de) * | 1991-07-20 | 1993-01-27 | Th. Goldschmidt AG | Verfahren zum Vergüten von Hohlglaskörpern |
JP2009120872A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
JP2012017514A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法 |
JP2012041630A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法 |
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JPH06101253B2 (ja) | 1994-12-12 |
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