JPS6013246B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6013246B2 JPS6013246B2 JP14299578A JP14299578A JPS6013246B2 JP S6013246 B2 JPS6013246 B2 JP S6013246B2 JP 14299578 A JP14299578 A JP 14299578A JP 14299578 A JP14299578 A JP 14299578A JP S6013246 B2 JPS6013246 B2 JP S6013246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- alcoholate
- manufacturing transparent
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜の製造方法に関するものであり、特
に３価のインジウムアルコラートに２価のスズアルコラ
ートを混合して用いることを特徴とするものである。
に３価のインジウムアルコラートに２価のスズアルコラ
ートを混合して用いることを特徴とするものである。
本発明の目的は低比抵抗の酸化インジウム系透明導電膜
を安価に得ることになる。
を安価に得ることになる。
従来から透明導電膜の製造方法として、スパッＩｎｃ１
３十駅，ＯＨ十が日３一ｌｎ（ＯＲ，）３十が日４ＣＩ
ＳｎＣＩ十狐２０Ｈ＋洲は一Ｓｎ（ＯＲ２）２十が日４
ＣＩここでＲ，及びＲ２は炭素数１〜２０のアルキル基
さらに望ましくは１〜８のアルキル基である。
３十駅，ＯＨ十が日３一ｌｎ（ＯＲ，）３十が日４ＣＩ
ＳｎＣＩ十狐２０Ｈ＋洲は一Ｓｎ（ＯＲ２）２十が日４
ＣＩここでＲ，及びＲ２は炭素数１〜２０のアルキル基
さらに望ましくは１〜８のアルキル基である。
このようにして合成されたインジウムアルコラート及び
スズアルコラートは酸化物カン算でＳｎ０２ノｌｎ２０
３＝０．１〜２０Ｗｔ％、さらに望ましくは２〜１仇れ
％混合され、適当な有機溶媒に稀釈して用いられる。有
機溶媒としてはアルコール類、ケトン類、ェステル類、
ハロゲン類、芳香族類等であり、これらは単独で又は混
合溶媒として用いるのが通常である。又適当な高沸点ア
ルコール、高分子等の還元剤を混合して用いても良い。
Ｒ，とＲ２＊タリング法、真空黍着法、ＣＶＤ法、スプ
レー法等が検討されて来たが、いずれも量産性の面、基
板の形状及び大きさに対する制限があるなど欠点を有し
ていた。本発明者は有機金属であるァルコラートの分解
によって基板上に透明導電膜を形成する研究を続けて来
たがインジウムアルコラートから得られたよりも又イン
ジウムアルコラートと四価のスズアルコラートの混合物
から得られたものよりもざらに抵比抵抗をもたらすもの
としてインジウムアルコラートに２価のスズアルコラー
トを混合分解することによって得られることを発見した
。本発明に用いられるインジウム及びスズアルコラート
は次式によって合成される。
スズアルコラートは酸化物カン算でＳｎ０２ノｌｎ２０
３＝０．１〜２０Ｗｔ％、さらに望ましくは２〜１仇れ
％混合され、適当な有機溶媒に稀釈して用いられる。有
機溶媒としてはアルコール類、ケトン類、ェステル類、
ハロゲン類、芳香族類等であり、これらは単独で又は混
合溶媒として用いるのが通常である。又適当な高沸点ア
ルコール、高分子等の還元剤を混合して用いても良い。
Ｒ，とＲ２＊タリング法、真空黍着法、ＣＶＤ法、スプ
レー法等が検討されて来たが、いずれも量産性の面、基
板の形状及び大きさに対する制限があるなど欠点を有し
ていた。本発明者は有機金属であるァルコラートの分解
によって基板上に透明導電膜を形成する研究を続けて来
たがインジウムアルコラートから得られたよりも又イン
ジウムアルコラートと四価のスズアルコラートの混合物
から得られたものよりもざらに抵比抵抗をもたらすもの
としてインジウムアルコラートに２価のスズアルコラー
トを混合分解することによって得られることを発見した
。本発明に用いられるインジウム及びスズアルコラート
は次式によって合成される。
。は必ずしも同一である必要はない。
このような金属アルコラートの溶液を基板にスブレィ法
、スピンナー法等で塗布するが、基板を溶液中に浸薄後
等速で引き上げるかして塗布する。等速引き上げ法は大
型基板、変形基板（円筒状等）等の塗布に又両面に一度
に塗布できるなど非常に量産性に富んでいる。基板とし
てはガラス、セラミック、金属、耐熱高分子等があげら
れる。塗布後１００〜１５０℃で乾燥後３００〜６００
ｑｏ程度のベルト炉、マツフル炉等で焼成され透明導電
膜となる。炉の雰囲気は通常空気雰囲気であるが場合に
よっては還元性霧園気を用いても良い。この時の透明導
電膜形成反応は次式のようである。２１ｎ（ＯＲ，）３
十３日２０一ｌｎ２０３十駅，ＯＨＳｎ（ＯＲ２）２十
比ｏ十や２→ｓｎｏ２十狐２。
、スピンナー法等で塗布するが、基板を溶液中に浸薄後
等速で引き上げるかして塗布する。等速引き上げ法は大
型基板、変形基板（円筒状等）等の塗布に又両面に一度
に塗布できるなど非常に量産性に富んでいる。基板とし
てはガラス、セラミック、金属、耐熱高分子等があげら
れる。塗布後１００〜１５０℃で乾燥後３００〜６００
ｑｏ程度のベルト炉、マツフル炉等で焼成され透明導電
膜となる。炉の雰囲気は通常空気雰囲気であるが場合に
よっては還元性霧園気を用いても良い。この時の透明導
電膜形成反応は次式のようである。２１ｎ（ＯＲ，）３
十３日２０一ｌｎ２０３十駅，ＯＨＳｎ（ＯＲ２）２十
比ｏ十や２→ｓｎｏ２十狐２。
日本発明によって得られた透明導電膜は電卓、携帯時計
などに使用される液晶、ＥＬ、ＥＰＩＤ等のディスプレ
イ、透明ヒーターケイ光管のプレヒータ一等に用いるこ
とができる。以下実施例に従って本発明を説明する。
などに使用される液晶、ＥＬ、ＥＰＩＤ等のディスプレ
イ、透明ヒーターケイ光管のプレヒータ一等に用いるこ
とができる。以下実施例に従って本発明を説明する。
実施例 １
ｌｎ（ＯＣ４日９）３９．５部、Ｓｎ（ＯＣ８日，７）
２０．５部残りインプロピルアルコールから成る溶液に
ソーダガラスを浸潰し１５伽／肋の等速引き上げ法で塗
布し、１２０ｏｏで１０分間乾燥した。
２０．５部残りインプロピルアルコールから成る溶液に
ソーダガラスを浸潰し１５伽／肋の等速引き上げ法で塗
布し、１２０ｏｏで１０分間乾燥した。
Claims (1)
- １ 一般式Ｉｎ（ＯＲ＿１）＿３（Ｒ＿１：炭素数１〜
２０のアルキル基）なる３価のインジウムアルコラート
に一般式Ｓｎ（ＯＲ＿２）（Ｒ＿２：炭素数１〜２０の
アルキル基）なる２価のスズアルコラートを混合し、基
板上に塗布後分解反応によって透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14299578A JPS6013246B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14299578A JPS6013246B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5569904A JPS5569904A (en) | 1980-05-27 |
| JPS6013246B2 true JPS6013246B2 (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15328484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14299578A Expired JPS6013246B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013246B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04350265A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Daimoshiya:Kk | コンクリート構築物の切断解体破砕方法及びその装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3724592B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2005-12-07 | ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド | 半導体基板の平坦化方法 |
-
1978
- 1978-11-20 JP JP14299578A patent/JPS6013246B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04350265A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Daimoshiya:Kk | コンクリート構築物の切断解体破砕方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5569904A (en) | 1980-05-27 |
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