JPS6013246B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents

透明導電膜の製造方法

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JPS6013246B2
JPS6013246B2 JP14299578A JP14299578A JPS6013246B2 JP S6013246 B2 JPS6013246 B2 JP S6013246B2 JP 14299578 A JP14299578 A JP 14299578A JP 14299578 A JP14299578 A JP 14299578A JP S6013246 B2 JPS6013246 B2 JP S6013246B2
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JP
Japan
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transparent conductive
conductive film
alcoholate
manufacturing transparent
indium
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JP14299578A
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要 宮沢
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Suwa Seikosha KK
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Suwa Seikosha KK
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は透明導電膜の製造方法に関するものであり、特
に3価のインジウムアルコラートに2価のスズアルコラ
ートを混合して用いることを特徴とするものである。
本発明の目的は低比抵抗の酸化インジウム系透明導電膜
を安価に得ることになる。
従来から透明導電膜の製造方法として、スパッInc1
3十駅,OH十が日3一ln(OR,)3十が日4CI
SnCI十狐20H+洲は一Sn(OR2)2十が日4
CIここでR,及びR2は炭素数1〜20のアルキル基
さらに望ましくは1〜8のアルキル基である。
このようにして合成されたインジウムアルコラート及び
スズアルコラートは酸化物カン算でSn02ノln20
3=0.1〜20Wt%、さらに望ましくは2〜1仇れ
%混合され、適当な有機溶媒に稀釈して用いられる。有
機溶媒としてはアルコール類、ケトン類、ェステル類、
ハロゲン類、芳香族類等であり、これらは単独で又は混
合溶媒として用いるのが通常である。又適当な高沸点ア
ルコール、高分子等の還元剤を混合して用いても良い。
R,とR2*タリング法、真空黍着法、CVD法、スプ
レー法等が検討されて来たが、いずれも量産性の面、基
板の形状及び大きさに対する制限があるなど欠点を有し
ていた。本発明者は有機金属であるァルコラートの分解
によって基板上に透明導電膜を形成する研究を続けて来
たがインジウムアルコラートから得られたよりも又イン
ジウムアルコラートと四価のスズアルコラートの混合物
から得られたものよりもざらに抵比抵抗をもたらすもの
としてインジウムアルコラートに2価のスズアルコラー
トを混合分解することによって得られることを発見した
。本発明に用いられるインジウム及びスズアルコラート
は次式によって合成される。
。は必ずしも同一である必要はない。
このような金属アルコラートの溶液を基板にスブレィ法
、スピンナー法等で塗布するが、基板を溶液中に浸薄後
等速で引き上げるかして塗布する。等速引き上げ法は大
型基板、変形基板(円筒状等)等の塗布に又両面に一度
に塗布できるなど非常に量産性に富んでいる。基板とし
てはガラス、セラミック、金属、耐熱高分子等があげら
れる。塗布後100〜150℃で乾燥後300〜600
qo程度のベルト炉、マツフル炉等で焼成され透明導電
膜となる。炉の雰囲気は通常空気雰囲気であるが場合に
よっては還元性霧園気を用いても良い。この時の透明導
電膜形成反応は次式のようである。21n(OR,)3
十3日20一ln203十駅,OHSn(OR2)2十
比o十や2→sno2十狐2。
日本発明によって得られた透明導電膜は電卓、携帯時計
などに使用される液晶、EL、EPID等のディスプレ
イ、透明ヒーターケイ光管のプレヒータ一等に用いるこ
とができる。以下実施例に従って本発明を説明する。
実施例 1 ln(OC4日9)39.5部、Sn(OC8日,7)
20.5部残りインプロピルアルコールから成る溶液に
ソーダガラスを浸潰し15伽/肋の等速引き上げ法で塗
布し、120ooで10分間乾燥した。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 一般式In(OR_1)_3(R_1:炭素数1〜
    20のアルキル基)なる3価のインジウムアルコラート
    に一般式Sn(OR_2)(R_2:炭素数1〜20の
    アルキル基)なる2価のスズアルコラートを混合し、基
    板上に塗布後分解反応によって透明導電膜を形成するこ
    とを特徴とする透明導電膜の製造方法。
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JPH04350265A (ja) * 1991-05-28 1992-12-04 Daimoshiya:Kk コンクリート構築物の切断解体破砕方法及びその装置

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