JPS5889666A - 透明導電性被膜形成用ペ−スト及びその製造方法 - Google Patents
透明導電性被膜形成用ペ−スト及びその製造方法Info
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- JPS5889666A JPS5889666A JP56188886A JP18888681A JPS5889666A JP S5889666 A JPS5889666 A JP S5889666A JP 56188886 A JP56188886 A JP 56188886A JP 18888681 A JP18888681 A JP 18888681A JP S5889666 A JPS5889666 A JP S5889666A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スクリーン印刷と喫成によ抄ガラス郷の基板
上に金Ｓ酸化物よりなる透明導電性被膜を所望の形状に
形成するための透明導電性被膜形成用ペースト及びその
製造方法に関する。
上に金Ｓ酸化物よりなる透明導電性被膜を所望の形状に
形成するための透明導電性被膜形成用ペースト及びその
製造方法に関する。
ガラス、セラミックなどの基板上に形成したＣｄ、Ｉｎ
、ａｎ等の酸化物破膜は透明で良好な導電性を示すこと
はよく知られており、半導体素子、液晶表示特賞に使用
されたり、宴は、窓ガラス等の氷結防止用導電膜として
利用されたりして近年益々応用範囲が拡大してきている
。このような金属酸化物透明導電性被膜の形成方法とし
ては、化学スプレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法
などがある。
、ａｎ等の酸化物破膜は透明で良好な導電性を示すこと
はよく知られており、半導体素子、液晶表示特賞に使用
されたり、宴は、窓ガラス等の氷結防止用導電膜として
利用されたりして近年益々応用範囲が拡大してきている
。このような金属酸化物透明導電性被膜の形成方法とし
ては、化学スプレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法
などがある。
膜を得るには有利であるが、微細で複＃な形状のも”の
を得るには、フォトエツチングなど余分な工程が必要と
な１経済的ではない。真空蒸着法は、最近マスク蒸着法
が発達しフォトエツチング処理は必要でなくなったが、
同時に多量の蒸着ができないので量産向きではない。ス
クリーン印刷法では、かかる問題がなく、目的形状のも
のを印刷焼成することができ、エツチング処理にともな
う廃液処理の必要もないという利点がある。しかし、従
来は、透明導電性被膜形成用ペースト自体の安定性が良
くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪く、形成さ
れた被膜の導電性の良否にもバラツキが大きいという欠
点があった。
を得るには、フォトエツチングなど余分な工程が必要と
な１経済的ではない。真空蒸着法は、最近マスク蒸着法
が発達しフォトエツチング処理は必要でなくなったが、
同時に多量の蒸着ができないので量産向きではない。ス
クリーン印刷法では、かかる問題がなく、目的形状のも
のを印刷焼成することができ、エツチング処理にともな
う廃液処理の必要もないという利点がある。しかし、従
来は、透明導電性被膜形成用ペースト自体の安定性が良
くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪く、形成さ
れた被膜の導電性の良否にもバラツキが大きいという欠
点があった。
本発明は、上記の欠点をなくシ、低抵抗で透明度が良い
被膜が形成でき、更にペースト自体の安定度も高く、ポ
ットライフの長い透明導電性被膜形成用ペースト及びそ
の製造方法を提供するためになされたものである。
被膜が形成でき、更にペースト自体の安定度も高く、ポ
ットライフの長い透明導電性被膜形成用ペースト及びそ
の製造方法を提供するためになされたものである。
本発明の特色は、焼成により金属酸化物被膜を与える化
合物として有機インジウム錯体に着目したことにある。
合物として有機インジウム錯体に着目したことにある。
従来、この種ペーストにおいてはオクチル酸インジウム
（Ｃ，ＬＣα）ａＩｎ等のイオン結合性の強い有機酸イ
ンジウムを主体に用いていたが、有機酸インジウムは加
水分解し易゛＜、又ペーストとした場合、ペーストのゲ
ル化を促進する等比較的容易に化学変化するという欠点
を持っているため、ペースト自体の寿命を短かくシ、−
・スクリーン印刷時の作業性を悪くする原因となってい
た。
（Ｃ，ＬＣα）ａＩｎ等のイオン結合性の強い有機酸イ
ンジウムを主体に用いていたが、有機酸インジウムは加
水分解し易゛＜、又ペーストとした場合、ペーストのゲ
ル化を促進する等比較的容易に化学変化するという欠点
を持っているため、ペースト自体の寿命を短かくシ、−
・スクリーン印刷時の作業性を悪くする原因となってい
た。
そこで本発明では、インジウム錯体として、−一ジケト
ンの代表的化合物であるアセチルアセトン（ｌ（ａｃａ
ｅ）の配位したトリスアセチルアセトナートインジウＡ
ＩＤ （Ｉｎ（ａｃａｃ）ｓ ）等をえ、びペースト化
に成功した。Ｈａｃａｃ及びＩｎ（ａｃａｃ）・の構造
は次の通シである。
ンの代表的化合物であるアセチルアセトン（ｌ（ａｃａ
ｅ）の配位したトリスアセチルアセトナートインジウＡ
ＩＤ （Ｉｎ（ａｃａｃ）ｓ ）等をえ、びペースト化
に成功した。Ｈａｃａｃ及びＩｎ（ａｃａｃ）・の構造
は次の通シである。
（１） Ｈａａａｃ （２） Ｉｎ（ａ
ｃａｃ ）ｓ・・・２９光学異性体 Ｉｎ（ａｃａｃ）ｓは２８０℃以上で熱分解し、ｓｏｏ
℃程度でほぼ完全に金属酸イ仁物となるが、酸化イン
ジウムのみの膜では、低抵抗にするのが困難で、形成さ
れた膜中に微量の酸化スズを含ませ抵抗調整するのが一
般的である。即ち、焼成して酸化スズとなる有機スズ化
合物を選択する必要がある。本発明では、常温での安定
性、ｓｏｏ℃程度でほぼ完全に酸化スズとなる特性等を
考慮に入れてオクチル酸スズ、ジブチルスズジラウレー
ト、テトラアセチルアセトナートスズ等が適用できる。
ｃａｃ ）ｓ・・・２９光学異性体 Ｉｎ（ａｃａｃ）ｓは２８０℃以上で熱分解し、ｓｏｏ
℃程度でほぼ完全に金属酸イ仁物となるが、酸化イン
ジウムのみの膜では、低抵抗にするのが困難で、形成さ
れた膜中に微量の酸化スズを含ませ抵抗調整するのが一
般的である。即ち、焼成して酸化スズとなる有機スズ化
合物を選択する必要がある。本発明では、常温での安定
性、ｓｏｏ℃程度でほぼ完全に酸化スズとなる特性等を
考慮に入れてオクチル酸スズ、ジブチルスズジラウレー
ト、テトラアセチルアセトナートスズ等が適用できる。
これら有機スズ化合物の中でもジブナルスズジラウレー
ト、テトラアセチルアセトナートスズと粘性剤ニトロセ
ルロース１２０秒との組合せが、特にペーストの安定度
を高める事が実験の結果明らかと々った。
ト、テトラアセチルアセトナートスズと粘性剤ニトロセ
ルロース１２０秒との組合せが、特にペーストの安定度
を高める事が実験の結果明らかと々った。
次にペースト化に必要な溶媒及び粘性剤について述べる
。
。
まず、粘性剤であるが、融点の低いソーダ硝子への適用
を考慮すれば５００Ｃ以下でほぼ完全に熱分解するもの
でなければならない。例えばエチルセルローズ、ニトロ
セルローズ、アセチルセルローズ、ベンジルセルローズ
などが適用できる。次に溶媒であるが一有機インジウム
錯体ヤ有機スズ化合物に対して反応性が乏しく、前記粘
性剤に対して溶解能が良く蒸気圧が常温で１■珈以下で
、沸点１８０〜３５０℃の性質があるものでなくては表
らない。この溶媒として、２−エチルヘキシルアルコー
ル、ベンジルアルコール、テルピネノール等の高沸点ア
ルコール、アセト酢酸エチル、酢酸ベンジル、安息香酸
メチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル
酸ジプチル等の高沸点エステル、アセトニルアセトン、
イソホロン轡の高沸点ケトン、メチルカルピトール、カ
ルビ） −ル、カルビトニルアセテート等のカルピトー
ル群等が適用できる。これら溶媒は単独で、又は二種以
上混合して使用してよい。
を考慮すれば５００Ｃ以下でほぼ完全に熱分解するもの
でなければならない。例えばエチルセルローズ、ニトロ
セルローズ、アセチルセルローズ、ベンジルセルローズ
などが適用できる。次に溶媒であるが一有機インジウム
錯体ヤ有機スズ化合物に対して反応性が乏しく、前記粘
性剤に対して溶解能が良く蒸気圧が常温で１■珈以下で
、沸点１８０〜３５０℃の性質があるものでなくては表
らない。この溶媒として、２−エチルヘキシルアルコー
ル、ベンジルアルコール、テルピネノール等の高沸点ア
ルコール、アセト酢酸エチル、酢酸ベンジル、安息香酸
メチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル
酸ジプチル等の高沸点エステル、アセトニルアセトン、
イソホロン轡の高沸点ケトン、メチルカルピトール、カ
ルビ） −ル、カルビトニルアセテート等のカルピトー
ル群等が適用できる。これら溶媒は単独で、又は二種以
上混合して使用してよい。
次にペーストの製造方法を説明する。まず、Ｉｎ（ａｃ
ａｃ）ｓを秤量し、これに前記各溶媒を添加する。
ａｃ）ｓを秤量し、これに前記各溶媒を添加する。
次に適当量のＨａ ｃ ａ ｅを添加し１′５０〜１８
０℃の温度で加熱し、Ｈａｃａｃによシ一度完全に溶解
せしめる。
０℃の温度で加熱し、Ｈａｃａｃによシ一度完全に溶解
せしめる。
さらに同じ温度で加熱を続け１（ａｃａｃを完全に除去
する。Ｈａｃａｃが完全に除去されたか否かは溶液の重
量変化を調べることによシ判明する。４ｃａｅを完全に
除いたものは安定であ’）、Ｉｎ（ａｃａｃ）・に対す
る溶解力のさほど大でない溶媒系でも溶解状態は良好と
なる。次に、粘性剤であるセルローズ化合物を添加し、
５０〜６０℃でよく攪拌する。最後にスズ化合物を添加
し攪拌してペーストを完成する。
する。Ｈａｃａｃが完全に除去されたか否かは溶液の重
量変化を調べることによシ判明する。４ｃａｅを完全に
除いたものは安定であ’）、Ｉｎ（ａｃａｃ）・に対す
る溶解力のさほど大でない溶媒系でも溶解状態は良好と
なる。次に、粘性剤であるセルローズ化合物を添加し、
５０〜６０℃でよく攪拌する。最後にスズ化合物を添加
し攪拌してペーストを完成する。
このようにして作成したペーストは、スクリーン印刷法
で目的形状に印刷し、１３０〜１７０℃で予備乾燥後、
４００−６００℃で焼成することにより、透明で良導電
性の被膜を得ることができる。
で目的形状に印刷し、１３０〜１７０℃で予備乾燥後、
４００−６００℃で焼成することにより、透明で良導電
性の被膜を得ることができる。
以下、実施例により更に詳しく説明する。
〔実施例１〕
１ｎ（ＩＬＣａｅ）ｓ 、オクチル酸スズ、ベンジルア
ルコール、α−４−テルピネノール、エチルセル四−ズ
Ａ（高分子量、高粘度型）を成分とするペーストを前述
の製造方法に従って作成した。ペーストの焼成条件は、
１５５℃で１０分間予備乾燥後、５１０℃で３０分間で
ある。この焼成条件は、以後あげる実施例においても同
様である。ここで溶媒比をベンジルアルコール：ａ−４
−テルピネノール＝６：４、エチルセルローズＡの含有
量を９−ｔＴｏ。
ルコール、α−４−テルピネノール、エチルセル四−ズ
Ａ（高分子量、高粘度型）を成分とするペーストを前述
の製造方法に従って作成した。ペーストの焼成条件は、
１５５℃で１０分間予備乾燥後、５１０℃で３０分間で
ある。この焼成条件は、以後あげる実施例においても同
様である。ここで溶媒比をベンジルアルコール：ａ−４
−テルピネノール＝６：４、エチルセルローズＡの含有
量を９−ｔＴｏ。
Ｉｎ−８ｎ化合物のトータル含有量をｊ５ｗｔ９６と固
蝋し、Ｉｎと３ｎの含有率を変化させたときの被膜の面
積抵抗値を調べてグラフにしたのが第１図である。
蝋し、Ｉｎと３ｎの含有率を変化させたときの被膜の面
積抵抗値を調べてグラフにしたのが第１図である。
第１図示した檜に８ｎ／（Ｉｎ＋５ｎ）ｘｌｏｏが１０
〜１３Ａｔ％で面積抵抗値が最小となることが確認され
た。この結果は、化学スプレー法や蒸着法によ〕作成ｉ
れた被膜の面積抵抗値が最小と々る値とほぼ同一である
。又、スズの含有量が増すに従ってペースト自体の安定
性、透明度が失われ、２０ムｔ％以下にしなければなら
ない事が判明１．た。なお、被膜の膜厚は２０００〜２
５００にで、印刷に使用したスクリーンのレジスト厚は
６μである。
〜１３Ａｔ％で面積抵抗値が最小となることが確認され
た。この結果は、化学スプレー法や蒸着法によ〕作成ｉ
れた被膜の面積抵抗値が最小と々る値とほぼ同一である
。又、スズの含有量が増すに従ってペースト自体の安定
性、透明度が失われ、２０ムｔ％以下にしなければなら
ない事が判明１．た。なお、被膜の膜厚は２０００〜２
５００にで、印刷に使用したスクリーンのレジスト厚は
６μである。
〔実施例２〕
実施例−１と同様の化合物群を用いてペーストを作成し
た。本実施例では、スズの含有量！１２Ａｉ％と固定し
、エチルセルローズＡの含有量のみを変化させ、−１表
にその結果を示しである。この結果からみて、印刷性、
被膜状態、面積抵抗値の点からみて、エチルセルローズ
Ａの含有量は、１１〜１２ｗｔ％が適当であることがわ
かる。エチルセルローズＡは高分子、高粘度型のセルロ
ーズで、低分子、低粘度型のエチルセルローズＢを使用
した場合は、本実施例でエチルセルローズＡ１１−ｔ％
の場合と同じ性能を得るには、−１５ｖｔチ以上のエチ
ルセルローズＢを添加しなければならない。
た。本実施例では、スズの含有量！１２Ａｉ％と固定し
、エチルセルローズＡの含有量のみを変化させ、−１表
にその結果を示しである。この結果からみて、印刷性、
被膜状態、面積抵抗値の点からみて、エチルセルローズ
Ａの含有量は、１１〜１２ｗｔ％が適当であることがわ
かる。エチルセルローズＡは高分子、高粘度型のセルロ
ーズで、低分子、低粘度型のエチルセルローズＢを使用
した場合は、本実施例でエチルセルローズＡ１１−ｔ％
の場合と同じ性能を得るには、−１５ｖｔチ以上のエチ
ルセルローズＢを添加しなければならない。
実施例１と実施例２との結果から、実用的なペースト組
成比は次のようになる。
成比は次のようになる。
Ｉｎ（ａｅａｅ ）ｌ １１．５ｗ
ｉ ＩＧオクエチ酸スズ １．５ｗｔチベ
ンジルアルコール ４５．Ｏｖｔチα−４−テル
ピネノール５ｃＬＯＷｔｑＩＩエチルセルローズＡ
１２ｆｌＷｓｌこの組成比のペーストはスクリー
ン印刷性にすぐれておシ、スクリーン印刷し、１５５℃
で１０分間予備乾燥後、５１０℃で３０分間焼成して形
成した透明被膜の面積抵抗値は３〜４）ＣＱ／口であっ
た。
ｉ ＩＧオクエチ酸スズ １．５ｗｔチベ
ンジルアルコール ４５．Ｏｖｔチα−４−テル
ピネノール５ｃＬＯＷｔｑＩＩエチルセルローズＡ
１２ｆｌＷｓｌこの組成比のペーストはスクリー
ン印刷性にすぐれておシ、スクリーン印刷し、１５５℃
で１０分間予備乾燥後、５１０℃で３０分間焼成して形
成した透明被膜の面積抵抗値は３〜４）ＣＱ／口であっ
た。
〔実施例５〕
Ｉｎ（ａｃａｃ）ａ 、ニトロセルローズ各種、酢酸ベ
ンジル、ベンジルアルコール、フタル酸ジメチル、オク
チル酸スズを成分とするペーストを作成した。
ンジル、ベンジルアルコール、フタル酸ジメチル、オク
チル酸スズを成分とするペーストを作成した。
溶媒比ハ、酢酸ヘンシル：ヘンシルアルコール＝７タル
酸ジメチル＝ｓ ： ２ ： ２とし、また、スズの含
有率１２ムｔ％、１ｎ−８ｎ化合物の含有量１り１ｗｔ
％が適当であることを実施例１と同様の検討を行って調
査済である。本実施例では、各種粘度の違うニトロセル
ローズによる諸特性の相違を検討した。
酸ジメチル＝ｓ ： ２ ： ２とし、また、スズの含
有率１２ムｔ％、１ｎ−８ｎ化合物の含有量１り１ｗｔ
％が適当であることを実施例１と同様の検討を行って調
査済である。本実施例では、各種粘度の違うニトロセル
ローズによる諸特性の相違を検討した。
第２表にその結果を示しである。なお、ペーストの焼成
条件、膜厚等は他の実施例と同一である。
条件、膜厚等は他の実施例と同一である。
第２表
第２表から判るように、ニトロセルローズの粘度が高く
なるに従ってペーストの安定性が悪くポットライフが短
かくなシ、従って印刷性も悪くなる傾向にあるが、面積
抵抗値の変化は余１認められない。経済性を門慮しニト
ロセルローズ粘度１２０秒が実用的である。
なるに従ってペーストの安定性が悪くポットライフが短
かくなシ、従って印刷性も悪くなる傾向にあるが、面積
抵抗値の変化は余１認められない。経済性を門慮しニト
ロセルローズ粘度１２０秒が実用的である。
〔実施例４〕
実施例３で示したように、ニトロセルローズが高粘度に
なると、ポットライフが短かく、短時間のうちにゲル化
してしまう等の問題が生じるが、その原因がオクチル酸
スズにあることが種々の実験の結果から判明した。更に
検討を重ねた所、ジブチルスズジラウレート、テトラア
セチルアセトナートスズについては、ゲル化等の反応速
度が極めて遅いという事実を発見した。そζで本実施例
においては、この事実を考慮して、Ｉｎ （＆ ｅ ａ
ｅ ）１ ％ジブチルスズジラウレート、酢酸ベンジ
ル、ベンジルアルコール、フタル酸ジメチル、ニトロセ
ルルーズ１２０秒を成分とするペーストを作成した。
なると、ポットライフが短かく、短時間のうちにゲル化
してしまう等の問題が生じるが、その原因がオクチル酸
スズにあることが種々の実験の結果から判明した。更に
検討を重ねた所、ジブチルスズジラウレート、テトラア
セチルアセトナートスズについては、ゲル化等の反応速
度が極めて遅いという事実を発見した。そζで本実施例
においては、この事実を考慮して、Ｉｎ （＆ ｅ ａ
ｅ ）１ ％ジブチルスズジラウレート、酢酸ベンジ
ル、ベンジルアルコール、フタル酸ジメチル、ニトロセ
ルルーズ１２０秒を成分とするペーストを作成した。
スズの含有量、Ｉｎ−８ｎ化合物の含有量、溶媒比紘、
実施例３と同一である。ニトロセルローズ粘度１２０秒
の含有量を変化させ諸特性の変化を調査した結果を第５
表に示す。
実施例３と同一である。ニトロセルローズ粘度１２０秒
の含有量を変化させ諸特性の変化を調査した結果を第５
表に示す。
第３表
第３表から判るように、粘性剤であるニトロセルローズ
の添加量の変化にょシ面積抵抗値の変化は々い。この結
果は、実施例２で使用した粘性剤エチルセルローズの場
合の結果と異なる点であるが、印刷特性、被膜状態の点
で、ニトロセルローズ６添加量は、多い方がよい事が判
るが、経済性の点を考慮してニトロセルローズ粘度１２
０秒の含有量は１１〜・２０ ｗｔｓが実用的である。
の添加量の変化にょシ面積抵抗値の変化は々い。この結
果は、実施例２で使用した粘性剤エチルセルローズの場
合の結果と異なる点であるが、印刷特性、被膜状態の点
で、ニトロセルローズ６添加量は、多い方がよい事が判
るが、経済性の点を考慮してニトロセルローズ粘度１２
０秒の含有量は１１〜・２０ ｗｔｓが実用的である。
〔実施例５〕
Ｉｎ（ａｃａｃ）、 、ジブチルスズジラウレート、酢
酸ベンジル、ベンジルアルコール、７タル酸ジメチル、
ニトロセ゛ルローズ１２０秒を成分トス名ペーストを作
成した。Ｓｎの含有率、溶媒比は実施例３゜４と同一と
し、ニトロセルローズ粘度１２０秒の含有量は１２，１
１．ｊし、工、ｎ−８ｎ化合物の含有量を変化させた。
酸ベンジル、ベンジルアルコール、７タル酸ジメチル、
ニトロセ゛ルローズ１２０秒を成分トス名ペーストを作
成した。Ｓｎの含有率、溶媒比は実施例３゜４と同一と
し、ニトロセルローズ粘度１２０秒の含有量は１２，１
１．ｊし、工、ｎ−８ｎ化合物の含有量を変化させた。
その結果は第４表□に示しである。
第４表
０：良好、Δ：中中不曳、×：不良
第４表はＩｎ−８ｎ化合物の含有量と面積抵抗値の相関
を示すものであシ、スクリーンのレジスト厚を変化させ
るか又はＩｎ−８ｎ化合物の含有量を変化させることに
よシ所望の面積抵抗値、膜厚の被膜を容易に得られるこ
とができることを示している。
を示すものであシ、スクリーンのレジスト厚を変化させ
るか又はＩｎ−８ｎ化合物の含有量を変化させることに
よシ所望の面積抵抗値、膜厚の被膜を容易に得られるこ
とができることを示している。
実施例３，４．５の結果から、レジスト厚６μのスクリ
ーンを使用することを前提として実用的ペースト組成は
次のようになる。
ーンを使用することを前提として実用的ペースト組成は
次のようになる。
１ｎ（ａｃａｃ ）ｓ ’
１０．８ｖｔ タ６ジブチルスズジラ
ウレー） ２．２−ｔ％酢酸ベンジル
４４．４ｗｔチペンジルアルコール １
４．８−ｔチフタル酸ジメチル １４．８ｆ
ｔ％ニトロセルローズ１２０秒 １５．Ｏｗｔチ本
組成のペーストは、印刷特性にすぐれ、レジスト厚６μ
のものを使用すれば、膜厚２０００〜２５ｏｏＸ、透明
度良好で、面積抵抗値１．２〜２．０ンシ′口の被膜が
得られる。
１０．８ｖｔ タ６ジブチルスズジラ
ウレー） ２．２−ｔ％酢酸ベンジル
４４．４ｗｔチペンジルアルコール １
４．８−ｔチフタル酸ジメチル １４．８ｆ
ｔ％ニトロセルローズ１２０秒 １５．Ｏｗｔチ本
組成のペーストは、印刷特性にすぐれ、レジスト厚６μ
のものを使用すれば、膜厚２０００〜２５ｏｏＸ、透明
度良好で、面積抵抗値１．２〜２．０ンシ′口の被膜が
得られる。
〔実施例６〕
トリスアセチルアセトナートインジウムＱＩｌｌ）（工
ｎ（ａｅａｃ）・）の代りに、酸素の直接配位したトリ
ス−８−キノリノラドインジウム（２）を使用して実施
例１〜５と同様の実験を行ったが、はぼ同様な結果が得
られる。
ｎ（ａｅａｃ）・）の代りに、酸素の直接配位したトリ
ス−８−キノリノラドインジウム（２）を使用して実施
例１〜５と同様の実験を行ったが、はぼ同様な結果が得
られる。
第１図は、本発明の〔実施例１〕の結果を表わすグラフ
である。 第１図 ムＷＬ子西分学（Ａノイ）
である。 第１図 ムＷＬ子西分学（Ａノイ）
Claims (6)
- （１）焼成によシ酸化インジウム被膜を形成するトリス
アセチルアセトナートインジクム（２）等の酸素の直接
配位した有機インジウム錯体を主成分とする透明導電性
被膜形成用ペースト。 - （２）酸素の直接配位した有機インジウム鎖体を主成分
とし、抵抗値調整用にオクチル酸スズなどの有機スズ化
合物を、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）百分率（Ｓｎｊｌ子百分
率）が（２）〜（２０）ムｔ ％になるように添加した
事を特徴とする特許請求の範囲第１項の透明導電性被膜
形成用ペースト。 - （３）酸素の直接配位した有機インジウム錯体と有機ス
ズ１６合物との混合物を、ニトロセルローズなどの有機
粘性剤及びベンジルアルコール門どの有機溶媒中に均一
に混合分散させたことを特徴とする特許請求の範囲第２
項の透明導電性被膜成用ペースト。 - （４）酸素の直接配位した有機インジウム一体と有機ス
ズ化合物との混合物を、粘度−８−〜１２０秒のニトロ
セルローズの有機粘性剤及び有機溶媒中に均一に混合分
散させたことを特徴とする特許請求の範囲第２項または
第３項の透明導電性被膜形成用ペースト。 - （５）酸素の直接配位した有機インジウム鎖体と、ジブ
チルスズシラクレート、又はテトラアセチルアセトナー
トスズとの混合物を、１１〜（２）、ｔ％の＝トロセル
ローズ粘度１シ０秒の有機粘性剤及び有機溶媒中に均一
に混合分散させたことを特徴とする特許請求の範囲第２
項または第６項若しくは第４項の透明導電性被膜形成用
ペースト。 - （６）酸素の直接配位した有機インジウム鎖体を有機溶
媒に添加する工程と、さらＫ Ｈａｅ＠ｃを添加し加熱
溶解する工程と、さらに加熱を続け）ｌＢｃａｃ 完
全に取り除く工程と、Ｈａｓ、ａａを取り除いた溶液に
粘性剤を加え攪拌する工程 ゛と、さらに有機スズ化
合物を加え攪拌する工程とよりなることを特徴とする透
明導電性被膜形成用ペーストの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188886A JPS5889666A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 透明導電性被膜形成用ペ−スト及びその製造方法 |
| US06/431,323 US4456549A (en) | 1981-11-25 | 1982-09-30 | Paste for formation of transparent electroconductive coating film and process for preparation of said paste |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188886A JPS5889666A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 透明導電性被膜形成用ペ−スト及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889666A true JPS5889666A (ja) | 1983-05-28 |
| JPH0141665B2 JPH0141665B2 (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=16231595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188886A Granted JPS5889666A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 透明導電性被膜形成用ペ−スト及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4456549A (ja) |
| JP (1) | JPS5889666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126679A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Alps Electric Co Ltd | 透明導電性被膜形成液 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5926942A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 金属酸化物被覆ガラスの製造方法 |
| JPS604552A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 導電性組成物 |
| JPS60137818A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 透明導電膜形成用組成物 |
| US4797325A (en) * | 1984-12-13 | 1989-01-10 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Spacecraft materials |
| US4687567A (en) * | 1986-04-09 | 1987-08-18 | Phillips Petroleum Company | Antifoulants for thermal cracking processes |
| US4962071A (en) * | 1989-05-01 | 1990-10-09 | Tektronix, Inc. | Method of fabricating a sintered body of indium tin oxide |
| DE4407774C1 (de) * | 1994-03-09 | 1995-04-20 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Kathodenzerstäubung zur Herstellung transparenter, leitfähiger Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6248680B1 (en) | 1999-06-01 | 2001-06-19 | Alliedsignal, Inc. | Low temperature burnout screen printing frit vehicles and pastes |
| DE102009053688A1 (de) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Ferro Gmbh | Siebdruckfähige Zusammensetzung und Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen und transparenten Schicht |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147556A (en) * | 1972-01-12 | 1979-04-03 | Ppg Industries, Inc. | Nonflammable beta diketonate composition |
| JPS5473818A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kk | Coating solution for forming transparent electric conductive layer and method of coating same |
| US4391743A (en) * | 1981-11-30 | 1983-07-05 | Nippon Soda Company Limited | Composition for depositing metallic oxide film coatings |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188886A patent/JPS5889666A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-30 US US06/431,323 patent/US4456549A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126679A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Alps Electric Co Ltd | 透明導電性被膜形成液 |
| JPH0233075B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1990-07-25 | Alps Electric Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4456549A (en) | 1984-06-26 |
| JPH0141665B2 (ja) | 1989-09-06 |
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