JPS6338803B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、溶液塗布法に適した透明導電膜形成
用組成物に関する。 従来、透明導電膜の形成法としては真空中で基
材上にInO₃またはSnO₂被膜を形成させる真空蒸
着法が主流をなしているが、この方法では装置が
非常に複雑で大規模である上に、その操作もきわ
めて面倒である。また、広い面積に被膜を形成さ
せることも困難で、大量生産できず製造価格が高
くなる欠点がある。 これらの欠点を解消するものとして近年溶液塗
布法が注目されている。この方法では、(イ)基材上
への有機金属化合物溶液の塗布、(ロ)乾燥、(ハ)焼成
の簡単な工程で、基材上に任意の形状の被膜の形
成が可能であり、しかも設備も大掛りのものを必
要とせず、また大量生産も容易である。 しかしながら、この溶液塗布法に適した原料薬
液は現在のところ見い出されておらず、したがつ
て実用化されていない。例えば、InCl₃、InNO₃、
SnCl₂、SnCl₄等の無機塩の有機溶剤溶液を使用
した場合は、形成された膜に白濁が生じたり、得
られた膜の機械的強度が不足で、傷がつきやすい
等の欠点がある。また硝酸根を有するインジユー
ム化合物を用いるときは、腐食性の硝酸が副生
し、そのため基材等の腐食が起こり好ましくな
い。さらに有機インジユーム化合物、有機スズ化
合物単品の有機溶剤溶液では安定性が悪く、例え
ば基材上への塗布の前後乃至焼成の前に加水分解
を起こして薬液や被膜が白濁化すること、及び透
明の被膜が得られてもその物理的性質が不充分で
あることなど実用的でない。 本発明者らは、上記のような欠点のない溶液塗
布による透明導電膜形成用薬剤を見い出すべく鋭
意研究した結果本発明を完成した。 本発明は、一般式 In（Ｘ）ｌ（Ｙ）ｍ （） （Ｘはインジユームとキレート環を形成する一般
式XHで表わされる有機化合物残基、Ｙは一般式
YHで表わされる炭素数１〜18の水酸基含有化合
物の残基、ｌ＝0.5〜2.5、ｍ＝0.5〜2.5、但しｌ
＋ｍ＝３）で表わされる有機インジユーム化合物
70〜99.5重量部及び有機溶剤可溶性スズ化合物
0.5〜30重量部の有機溶剤溶液からなることを特
徴とする透明導電膜形成用組成物である。 上記一般式（）におけるＸに関して、一般式
XHで表わされるキレート形成性化合物として
は、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトンなど
のβ−ジケトン類、アセト酢酸、プロピオニル酪
酸、ベンゾイル酢酸、アセチルギ酸、ベンゾイル
ギ酸などのα−またはβ−ケトン酸類、該ケトン
酸類のメチル、エチル、プロピル、ブチルなどの
エステル類、グリコール酸、乳酸、α−オキシ酪
酸、ヒドロアクリル酸、サリチル酸などのα−ま
たはβ−オキシ酸類のメチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなどのエステル類、ジアセトンアルコ
ール、アセトインなどのα−またはβ−オキシケ
トン類、グリコールアルデヒド、アルドールなど
のα−またはβ−オキシアルデヒド類、グリシ
ン、アラニンなどのα−アミノ酸類、アミノエチ
ルアルコールなどのα−またはβ−アミノアルコ
ール類などを含むインジユームとキレート環を形
成し得るすべての化合物を単独または２種以上の
混合物として使用し得る。耐加水分解性、酸化被
膜形成時の分解収縮率が小さく、かつ経済性にす
ぐれたキレート形成性化合物としては、アセチル
アセトン、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコ
ールなどが好ましい。 一般式（）のＹに関して、一般式YHで表わ
される水酸基含有化合物としては、メタノール、
エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタ
ノール、ヘキサノール、２−エチルヘキサノー
ル、オタタノール、ラウリルアルコール、１，４
−ブタンジオール、グリセリン、エチレングリコ
ール、オクチレングリコール、エチレングリコー
ルのモノアルキルエーテル等が用いられる。 一般式（）においてIn（Ｘ）₂（Ｙ）₁で表わされ
る化合物としては例えばブトキシビス（アセチル
アセトナト）インジユームであり、またIn（Ｘ）₁
（Ｙ）₂で表わされる化合物としては例えばジ（ブ
トキシ）アセチルアセトナトインジユームであ
り、さらに例えばこれら両者の等モル混合物はIn
（Ｘ）_1.5（Ｙ）_1.5で表わされるものとする。 本発明において用いられる有機溶剤可溶性スズ
化合物としては、一般式 Sn（Ｚ）ｎ （） （Ｚは同一または異なる、前記ＸまたはＹの同等
物、アルキル基、アリル基、有機酸もしくは無機
酸残基、ハロゲン原子を示し、ｎはスズの原子価
を示す。） で表わされるスズ化合物のうち有機溶剤可溶性の
ものが用いられる。例えば、ジエチルスズ、ジプ
ロピルスズ、テトラプロピルスズ、テトライソブ
チルスズ、テトライソアミルスズなどのアルキル
スズ類、ジフエニルスズ、ジ−トリルスズ、ジキ
シリルスズ、テトラキシリルスズ、テトラベンジ
ルスズなどのアリールスズ類、テトラアルコキシ
スズ類、トリアルコキシスズモノハロゲナイド
類、ジアルキルスズジハロゲナイド類、アルキル
スズトリハロゲナイド類、スズテトラハロゲナイ
ド類、スズジハロゲナイド類、酢酸スズ、安息香
酸スズ、オクテン酸スズ等の有機酸のスズ塩類等
が挙げられる。 本発明において、上記有機インジユーム化合物
と有機溶剤可溶性スズ化合物の混合比は70〜99.5
重量部対0.5〜30重量部である。この範囲を外れ
るときは、得られる塗膜の物理的性質または導電
性が劣る。 本発明において用いる有機溶剤としては、該当
有機インジユーム化合物およびまたはスズ化合物
の製造時において用いられるあらゆる有機溶剤を
使用することができるが、焼成の前の乾燥工程に
おける溶剤揮発の容易さ、溶液の安定性、経済性
等から沸点180℃以下の有機溶剤、特に炭素数８
以下の低級アルコール類、エステル類、エーテル
類、ケトン類、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素
及びこれらのハロゲン化物が好ましい。溶液の濃
度は75重量％以下の範囲で任意に選択できるが一
般的には１〜50重量％の範囲である。 次に本発明の組成物を使用して透明導電膜を基
材上に形成する方法について説明する。基材とし
てはガラス、セラミツク等の板状またはその他の
形状のものが用途に応じて選ばれる。これらの基
材に本発明の組成物を塗布する方法として、スピ
ンナー法、スプレー法、浸漬引上げ法等がある
が、大きな基材を大量に処理できる方法としては
浸漬引上げ法が特に好ましい。この場合所望する
膜厚に応じて塗布液の濃度や引き上げ速度を調整
する。このようにして基材上に本発明の組成物を
塗布した後、次の乾燥工程に回される。乾燥条件
としては、用いた有機溶剤の種類にもよるが、一
般的には50〜100℃で10分〜３時間放置すれば溶
剤は充分蒸発し、基剤上に透明な膜が生成する。
次にこの膜形成済の基材を次の焼成工程にかけ
る。焼成としては、例えば電気炉中で300〜800℃
で10分〜２時間処理する。この処理により有機物
は完全に分解し、基材上に透明な導電膜が形成さ
れる。この一回の処理で膜厚等不充分な場合は同
様の処理をくり返し行ない、所望の膜厚を有する
機械的強度のすぐれた透明導電膜を得ることがで
きる。 以下実施例で本発明を説明する。 実施例１〜11及び比較例１〜２ 第１表に示す有機インジユーム化合物及びスズ
化合物の溶液を調整し、この溶液中に70mm×30mm
×１mmのアルカリガラス基板を浸漬した。同表に
示した引上速度で基板を溶液から引き上げ、表に
示した乾燥条件で乾燥した。次いで電気炉で表に
示した条件で焼成してガラス基板上に導電膜を得
た。この被膜の表面抵抗、膜厚、硬度及び透明度
を測定し、その結果を第１表に示した。同表に見
られる如く本発明によれば簡単な方法で容易に透
明で高硬度の導電膜を基材上に形成し得る。 【表】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 In（Ｘ）ｌ（Ｙ）ｍ （） （式中Ｘはインジユームとキレート環を形成する
   一般式XHで表わされる有機化合物の残基を表わ
   し、Ｙは一般式YHで表わされる炭素数１〜18の
   水酸基含有化合物の残基を表わし、またｌ＝0.5
   〜2.5、ｍ＝0.5〜2.5、但しｌ＋ｍ＝３である。） で表わされる有機インジユーム化合物70〜99.5重
   量部及び有機溶剤可溶性スズ化合物0.5〜30重量
   部の有機溶剤溶液からなることを特徴とする透明
   導電膜形成用組成物。 ２ 一般式XHで表わされる有機化合物が、β−
   ジケトン類、α−またはβ−ケトン酸類、該ケト
   ン酸類のエステル類、α−またはβ−オキシ酸類
   のエステル類、α−またはβ−オキシケトン類、
   α−またはβ−オキシアルデヒド類、α−アミノ
   酸類及びα−またはβ−アミノアルコール類から
   なる群から選ばれるものである特許請求の範囲第
   １項記載の透明導電膜形成用組成物。