JPS6019610B2 - 透明導電膜形成法 - Google Patents

透明導電膜形成法

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JPS6019610B2
JPS6019610B2 JP54161437A JP16143779A JPS6019610B2 JP S6019610 B2 JPS6019610 B2 JP S6019610B2 JP 54161437 A JP54161437 A JP 54161437A JP 16143779 A JP16143779 A JP 16143779A JP S6019610 B2 JPS6019610 B2 JP S6019610B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は透明導電膜をガラス、セラミックスなどの基板
表面に形成する方法に関する。
液晶表示素子、ェレクトロルミネッセンス表示素子、プ
ラズマ表示素子などの表示素子類、光電池、撮像管など
の感光素子類などにおいて、光に対して透明性を有する
電極材料が使用されている。
これらの透明導電膜としては、酸化インジウムに徴量の
酸化スズを添加したもの、あるいは酸化スズに徴量の酸
化アンチモンを添加したものがある。透明導電膜を形成
するには次の方法が知られている。
‘１１酸化インジウム、酸化スズなどを蒸着あるいはス
パッタなどにより真空雰囲気中で基板表面に付着せしめ
る。
｛２｝ あらかじめ子熱した基板上にインジウム化合物
、スズ化合物などを吹き付けて、熱分解および酸化反応
を起こさせ、基板表面に透明導電膜を付着せしめる。
｛３’ あらかじめ加熱した基板上に、インジウム化合
物あるいはスズ化合物の蒸気を接触させ、熱分解および
酸化反応を起こさせ、基板表面に透明導電膜を付着せし
める。
【４｝ 基板上にインジウム化合物、スズ化合物を主成
分とする液を塗布した後、加熱して熱分解および酸化反
応を起こさせ基板表面に透明導電膜を形成する。
しかし上記ｍ（２｝｛３’の方法は装置が複雑となり、
作業性が劣り、しかも微細なパターンを形成するには、
あとでエッチング加工などを行なわなければならない問
題がある。
また上記｛４〒の方法は、（…２｝｛３’の方法にかか
わる上記問題を解決する可能性を有しているが、従来の
方法では実用に耐える低抵抗の膜を得難いという問題が
あった。
本発明の目的は、上記した塗布法の欠点をなくし低抵抗
の透明導電膜形成法を提供するにある。
このような目的は、インジウム化合物、スズ化合物、配
位子（ジカルボン酸、ジカルボン酸モノェステル、ヒド
ロキシ酸など）、溶媒を必須成分とする透明導電膜形成
用溶液を、ガラス、セラミックスなどの基板上に塗布し
た後、この基板に紫外線を照射し、ついでこの基板を高
温で焼成し透明導電膜を形成することで達成される。従
来では、溶液を基板上に塗布した後、恒塩槽にて乾燥す
る方法をとるため、溶媒の乾燥が塗膜の表面と内部とで
異なる。
すなわち、膿表面では比較的よく乾燥しているが、塗膜
内部では十分に乾燥され難い。このような乾燥不均一な
塗膜を焼成した場合、焼成後に得られる酸化膜は、均一
性、繊密性ともに失なわれ、ピンホールが生じやすい。
以上述べた理由から、恒温槽での乾燥によると低抵抗膜
は得難い。しかるに本発明に従い、溶液を塗布後紫外線
照射すれば塗膜の内部まで紫外線が貫通するため、塗膜
内部の乾燥が促進され均一良好な乾燥塗膜となる。この
ような均一良好な乾燥塗艇を焼成して得られる酸化膜は
、均質かつ繊密であるために低抵抗となる。本発明に用
いるインジウム化合物として、塩化インジウム、硝酸イ
ンジウム、過塩素酸インジウムのいずれのインジウム化
合物を用いても紫外線照射効果があるが、硝酸インジウ
ムを用いた場合にその効果が最も大きい。また配位子と
しては、＞Ｃ＝Ｃ〈二重結合をもつジカルボン酸を用い
た場合に紫外線照射の効果が最も大きい。これにはマレ
ィン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸などがあ
る。またジカルボン酸モノェステル、ヒドロキシ酸も使
用される。配位子とインジウム化合物との配合比（モル
比）は、０．１〜２．９が望ましい。配合比が０．１よ
り小さい場合には均一な溶液が得られない。また、配合
比が２．９より大きいと、得られる透明導電膜のピーリ
ング強度が低下し、また、シート抵抗値が高くなる。ス
ズ化合物としては、Ｓにそ４・虫Ｌ０，Ｓｎ（ＯＣＯＣ
７日，５）２，（Ｃ４日９）ぶｎ（ＯＣＯＣ馬）２，（
Ｃ４日９）２Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣＯＯ），（Ｃ４
日９）２Ｓｎ（ＯＣＯＣ，．日２３）２，（Ｃ４日９）
２Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ ＝ＣＨＣＯＯＣ２日５）２，（Ｃ
４日９）２Ｓｎ〔ＯＣＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２〕２，Ｂ
比Ｓ岬，ＢｕぶｎＣ夕，Ｓｎ（ＯＣ２日５）４，Ｓｎ（
ＯＣ３日７）４，（ＣＨ３）ぶｎＣ〆２ などが用いら
れる。
スズ化合物とインジウム化合物との配合比（モル比）は
０．０５〜０．２５が望ましい。スズ化合物の配合比が
これよりも小さくても、また大きくてもシート抵抗値が
高くなる。溶媒としてはアルコール系、セロソルブ系、
カルビトール系、グリコール系、アミド、ジアルキルス
ルホキシドが適する。
上記以外の溶媒、例えば、ケトン系、芳香族系の溶媒を
用いた場合には均一な塗布溶液は得られない。溶媒とイ
ンジウム化合物との配合比は特に制限はないが、４００
仇ｐｍでスピンナ塗布し、０．１仏ｍの透明導電膜を得
るには２〜３（重量比）が適当である。紫外線ランプと
しては種々のものがあるが、高圧水銀ランプは１〜１正
気圧の水銀蒸気を封入したもので、３６０〜６０仇ｍの
波長の強い線スペクトルと２２０〜４０仇ｍの波長の弱
い連続スペクトルが得られ、短時間に大きな発熱量があ
り、瞬時にして塗膜を乾燥するに適している。
また、メタルハラィドランプも本発明に適するものであ
る。次に本発明を実施例により説明する。
塗布液の代表的組成を表に示す。
所定量のインジウム化合物、配位子、溶媒を秤量し混合
する。
数時間室温で蝿拝すると均一な溶液となった。この溶液
に秤量したスズ化合物を添加し、さらに約１時間損梓し
塗布液とした。このようにして調製した塗布液をスピン
ナにより４００仇ｐｍの回転数でガラス基板上に塗布し
た後、この塗膜に紫外線を照射した。紫外線ランプは級
Ｗの高圧水銀灯またはメタルハラィドランプを用いた。
照射距離は１０仇、照射時間は６硯砂とした。このよう
にして乾燥した塗膜を５００℃で１時間焼成した。本発
明の比較例として紫外線を照射しない場合には、スピン
ナで塗布した後、恒塩槽で１３０ｑｏでＩＱ分間乾燥し
た後、５００ｑｏで１時間焼成した。表に示したように
、いずれの組成液を用いても、紫外線照射による乾燥を
した方が、恒温槽乾燥の場合よりも低抵抗の透明導電膜
が得られた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ インジウム化合物、スズ化合物、配位子、溶剤より
    なる溶液を基板上に塗布し、ついでこの塗膜に紫外線を
    照射した後高温で焼成することを特徴とする透明導電膜
    形成法。
JP54161437A 1979-12-14 1979-12-14 透明導電膜形成法 Expired JPS6019610B2 (ja)

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