JPS61188821A - 透明導電薄膜の形成方法 - Google Patents
透明導電薄膜の形成方法Info
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- JPS61188821A JPS61188821A JP2818985A JP2818985A JPS61188821A JP S61188821 A JPS61188821 A JP S61188821A JP 2818985 A JP2818985 A JP 2818985A JP 2818985 A JP2818985 A JP 2818985A JP S61188821 A JPS61188821 A JP S61188821A
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- film
- thin film
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- conductive thin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＶＤ法によるフッ素ドープ酸化錫（ＳｎＯ・
（Ｆ））の透明導電薄膜の形成方法に関し、特にフッ素
化合物としてフルオロカルボン酸を用いてカラス基板表
面上に被膜を形成することにより赤外領域での反射率が
高く低抵抗で良好な導電性を備え、優ｎた硬度と化学的
機械的耐久性を有する被膜を得ることができ、その特性
を生かして種々の分野に広く採用され得るものである。
（Ｆ））の透明導電薄膜の形成方法に関し、特にフッ素
化合物としてフルオロカルボン酸を用いてカラス基板表
面上に被膜を形成することにより赤外領域での反射率が
高く低抵抗で良好な導電性を備え、優ｎた硬度と化学的
機械的耐久性を有する被膜を得ることができ、その特性
を生かして種々の分野に広く採用され得るものである。
すなわち、ガラス基板表面上に被膜して、例えば建築、
自動車、航空機および船舶あるいは冷凍ショーケースの
防曇念力２スまたは熱線反射透明窓ガラスに、また太陽
熱集熱器のカバーガラスやオーブンのドアカラスに、さ
らに液晶電気光学ブイスプレィ等の電気電子機器部品に
等、多方面で実用δれ得るものである。
自動車、航空機および船舶あるいは冷凍ショーケースの
防曇念力２スまたは熱線反射透明窓ガラスに、また太陽
熱集熱器のカバーガラスやオーブンのドアカラスに、さ
らに液晶電気光学ブイスプレィ等の電気電子機器部品に
等、多方面で実用δれ得るものである。
し従来の技術」
従来、スプレー法に分いてに、例えば（ＯａＨ９）ｔＳ
ｎ（ＣＩ（、ＣＯり、等の錫化合物とＯＦ、Ｃ０ＯＨ等
のフッ素化合物と、０Ｈ８ＯＨ等の溶剤よりなる溶液を
高温の板ガラスに噴霧してＳｎＯ，（Ｆ’）の被膜を形
成する方法（特公昭５５−２５３３１号公報）が知られ
ている。
ｎ（ＣＩ（、ＣＯり、等の錫化合物とＯＦ、Ｃ０ＯＨ等
のフッ素化合物と、０Ｈ８ＯＨ等の溶剤よりなる溶液を
高温の板ガラスに噴霧してＳｎＯ，（Ｆ’）の被膜を形
成する方法（特公昭５５−２５３３１号公報）が知られ
ている。
また、ＣＶＤ法においては、例えば（ＣＨ，）４８ｎ等
の錫化合物蒸気およびＣＦ３Ｂ ｒ等のガス状フッ素化
合物を高温のガラスに吹き付けて５ｎ０２（Ｆ）膜の被
膜を形成する方法（％開昭５５−５８３６３号公報）が
知られている。
の錫化合物蒸気およびＣＦ３Ｂ ｒ等のガス状フッ素化
合物を高温のガラスに吹き付けて５ｎ０２（Ｆ）膜の被
膜を形成する方法（％開昭５５−５８３６３号公報）が
知られている。
し発明が解決しようとする問題点〕
前述した特公昭５Ｂ −２５３３１号公報に記載され１
いる方法においては、フッ素化剤としてのＯＦ、、 Ｃ
ＯＯＨを溶液中に３０％以上添加し、ガラス基板の温度
全６００℃以上にしないと抵抗の低い被膜が得られない
し、 ｃ１１’、ｃｏｏｎのような高価な薬液全多量
に消費することは経済的ではなく、またカラス基板の温
度を６００℃以上のかなり高い温＃Ｌにすると、刀ラス
の歪、反り等を生じて良好な製品が得られ難いものでめ
り、さらに赤外線反射率および抵抗値とも充分満足でき
る被膜が得られないものであり、この薬液をそのままＣ
Ｉ／Ｄ法に適用しても成膜速度が遅く採用し難いもので
ある。
いる方法においては、フッ素化剤としてのＯＦ、、 Ｃ
ＯＯＨを溶液中に３０％以上添加し、ガラス基板の温度
全６００℃以上にしないと抵抗の低い被膜が得られない
し、 ｃ１１’、ｃｏｏｎのような高価な薬液全多量
に消費することは経済的ではなく、またカラス基板の温
度を６００℃以上のかなり高い温＃Ｌにすると、刀ラス
の歪、反り等を生じて良好な製品が得られ難いものでめ
り、さらに赤外線反射率および抵抗値とも充分満足でき
る被膜が得られないものであり、この薬液をそのままＣ
Ｉ／Ｄ法に適用しても成膜速度が遅く採用し難いもので
ある。
一方、前述の特開昭５５−５８３６３号公報に記載の方
法においては、前述したように錫化合物としてテトラメ
チル錫等金、フッ素化合物としてＣＦ’１Ｂｒ等を使用
しているがブトラメチル錫は成膜速度が遅く大型カラス
板での低抵抗、高赤外線反射率被膜−の適用がむつかし
く、またＣ！Ｆ３Ｂｒ等のガス状のフッ素化合物はフッ
素ドーピング剤として有効な化合物ではあるが、高価で
あり、かつ多量に消費しなければならず経済的でないと
いう欠点に加えて、多量に使用することは公害上の理由
からも好ましくない。
法においては、前述したように錫化合物としてテトラメ
チル錫等金、フッ素化合物としてＣＦ’１Ｂｒ等を使用
しているがブトラメチル錫は成膜速度が遅く大型カラス
板での低抵抗、高赤外線反射率被膜−の適用がむつかし
く、またＣ！Ｆ３Ｂｒ等のガス状のフッ素化合物はフッ
素ドーピング剤として有効な化合物ではあるが、高価で
あり、かつ多量に消費しなければならず経済的でないと
いう欠点に加えて、多量に使用することは公害上の理由
からも好ましくない。
１問題点を解決するための手段Ｊ
本発明は、従来のかかる欠点に鑑みて成したものであっ
て、高温のガラス基板の表面上に錫化合物の蒸気とそれ
に微少の添加量でよいフルオロカルボン酸の蒸気をそれ
ぞれキャリアガスで移送し合わせた混合蒸気を噴出する
ことによってＳｎ Ｏ！（Ｆ）薄膜を形成させる方法で
、効率よく、より優れた抵抗で高赤外線反射率の被膜を
得ることを見出したものである。
て、高温のガラス基板の表面上に錫化合物の蒸気とそれ
に微少の添加量でよいフルオロカルボン酸の蒸気をそれ
ぞれキャリアガスで移送し合わせた混合蒸気を噴出する
ことによってＳｎ Ｏ！（Ｆ）薄膜を形成させる方法で
、効率よく、より優れた抵抗で高赤外線反射率の被膜を
得ることを見出したものである。
本発明において、カラス基板の温度としては５００〜６
００℃が好ましく、また錫化合物としては特に限定する
ものでにないが、酸化球素等のアンダーコートをするこ
とにより、有機錫ノ・ライド類、例えば（ＯＨ３）２１
９ｎＣ１，、（Ｃ！４Ｈ，）ＳｎＯｌ、％ｆＯ４Ｈ，）
２６１ｎ０１４等の化合物かへイスの発生もなく、成膜
速度も満足でさる早さで好ましいものであり、さらにフ
ルオロカルボン酸としては、例えば、Ｃ！Ｆ、０ＯＯＨ
，０３Ｆ、０ＯＯＨ，ＣＦ、ＣＨ＝ＣＨＣ！ＯＯＨ等の
化合物が用いられ、特にフルオロカルボン酸の好ましい
量的範囲は、例えばＣＦ３０００Ｈについては（ＣＨ３
）２５ｎＣ１４に対して重量比で０．０１〜０．０３で
るり、また他の錫化合物に対して重量比でｏ、ｏ ｔ
−ｏ、ｏ ｓである。
００℃が好ましく、また錫化合物としては特に限定する
ものでにないが、酸化球素等のアンダーコートをするこ
とにより、有機錫ノ・ライド類、例えば（ＯＨ３）２１
９ｎＣ１，、（Ｃ！４Ｈ，）ＳｎＯｌ、％ｆＯ４Ｈ，）
２６１ｎ０１４等の化合物かへイスの発生もなく、成膜
速度も満足でさる早さで好ましいものであり、さらにフ
ルオロカルボン酸としては、例えば、Ｃ！Ｆ、０ＯＯＨ
，０３Ｆ、０ＯＯＨ，ＣＦ、ＣＨ＝ＣＨＣ！ＯＯＨ等の
化合物が用いられ、特にフルオロカルボン酸の好ましい
量的範囲は、例えばＣＦ３０００Ｈについては（ＣＨ３
）２５ｎＣ１４に対して重量比で０．０１〜０．０３で
るり、また他の錫化合物に対して重量比でｏ、ｏ ｔ
−ｏ、ｏ ｓである。
またキャリアカスとしては圧力調節された空気、窒素カ
ス等でよい。
ス等でよい。
前述したとおシ１本発明の被膜形成方法によれば、より
優れた低抵抗と高赤外線反射率を有する被膜が得らｎる
ことにもちろん、均一で優れた硬度と化学的機械的耐久
性のある被膜となり、ガラス基板の歪みや反りの発生が
なく、フルオロカルホン酸の微量の添加でしかも成膜速
度が早いので、生産性、コストおよび品質上等されめて
良好となり、さらに酸化珪素等でアンダーコートすれば
、ヘイズの発生もなく、略無色で透視性に優れたものが
得られる特徴を有するものである。
優れた低抵抗と高赤外線反射率を有する被膜が得らｎる
ことにもちろん、均一で優れた硬度と化学的機械的耐久
性のある被膜となり、ガラス基板の歪みや反りの発生が
なく、フルオロカルホン酸の微量の添加でしかも成膜速
度が早いので、生産性、コストおよび品質上等されめて
良好となり、さらに酸化珪素等でアンダーコートすれば
、ヘイズの発生もなく、略無色で透視性に優れたものが
得られる特徴を有するものである。
（笑 施 例〕
以下に、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明を実施するための一装置を模式的に示す
もので、蒸発器１には錫化合物を入れ、例えば１００〜
１５０℃の温度に加熱し、・パヤリアカス金バルブ８で
圧力調０節して流量計２を通し、加熱器５で約２００℃
前後に加熱して１００〜３００ｆｉ／ｌ１ｌｌｊｎを前
記蒸発器１に挿入し、錫化合物蒸気ｔ−ＣＶＤ用ノズル
４へ送る。−１蒸発器５にはフッ素化合物を入れ、加熱
でさるようになっているが室温に保持していて、キャリ
アガスをバルブ９で圧力調節して流量計６を通し、２〜
５ｉ／ｍｔｎの量を蒸発器５に挿入し、フッ素化合物蒸
気金錫化合物蒸気と共にＯＶＤ用ノズル今へ送るように
してあり、ＯＶＤ用ノズル今より、錫およびフッ素の混
合蒸気を、加熱炉で５００〜６００℃に加熱された板ガ
ラス７に吹き付けて５ｎｏｔ（Ｆ）の被膜を形成するよ
うにしたものである。
もので、蒸発器１には錫化合物を入れ、例えば１００〜
１５０℃の温度に加熱し、・パヤリアカス金バルブ８で
圧力調０節して流量計２を通し、加熱器５で約２００℃
前後に加熱して１００〜３００ｆｉ／ｌ１ｌｌｊｎを前
記蒸発器１に挿入し、錫化合物蒸気ｔ−ＣＶＤ用ノズル
４へ送る。−１蒸発器５にはフッ素化合物を入れ、加熱
でさるようになっているが室温に保持していて、キャリ
アガスをバルブ９で圧力調節して流量計６を通し、２〜
５ｉ／ｍｔｎの量を蒸発器５に挿入し、フッ素化合物蒸
気金錫化合物蒸気と共にＯＶＤ用ノズル今へ送るように
してあり、ＯＶＤ用ノズル今より、錫およびフッ素の混
合蒸気を、加熱炉で５００〜６００℃に加熱された板ガ
ラス７に吹き付けて５ｎｏｔ（Ｆ）の被膜を形成するよ
うにしたものである。
（実施例１）
錫化合物として（ｃＨ，）、５ｎｃ１．を用い、蒸発温
度（１１”１５０℃に設定して約４０ ｆ ／ ｍ １
ｎの割合で蒸発ちぜ、２００Ｃに加熱した加熱空気２
００１ｉ／ｍｉｎ ｆ蒸発器に迭ジ、キャリアガスとし
て（ＣＨ，）、Ｂ ｎｏ １゜蒸気とともにＣｖＤノズ
ルに送る。一方、フッ素化合物としてＣＦ３ＣＯＯＨｆ
用い、常温で空気をキャリアガスとして３１７ｍ４ｎは
ど蒸発器に挿入し、Ｍ７ｈ発飴内のＯＦ”、Ｃ０ＯＨ蒸
気を約１ｙ／ｎ１ｌｎの割合で（ＣＨ，）、Ｓｎ Ｃ１
２蒸気と混合しなからＯＶＤノズルに送り込み、加熱炉
により５８０℃に加熱した大き嘔３００メ３００籠で厚
さ）ＷＭの飲化理素をアンタコートした板ガラスが２０
＠ｇｙ’５−ＩＱの速度で移送さｒＬ−Ｃいる表面上に
前記ＣｖＤノズルから前記混合蒸気を吹き儒゛げて、
８ｎ０７（Ｆ）膜を形成した。
度（１１”１５０℃に設定して約４０ ｆ ／ ｍ １
ｎの割合で蒸発ちぜ、２００Ｃに加熱した加熱空気２
００１ｉ／ｍｉｎ ｆ蒸発器に迭ジ、キャリアガスとし
て（ＣＨ，）、Ｂ ｎｏ １゜蒸気とともにＣｖＤノズ
ルに送る。一方、フッ素化合物としてＣＦ３ＣＯＯＨｆ
用い、常温で空気をキャリアガスとして３１７ｍ４ｎは
ど蒸発器に挿入し、Ｍ７ｈ発飴内のＯＦ”、Ｃ０ＯＨ蒸
気を約１ｙ／ｎ１ｌｎの割合で（ＣＨ，）、Ｓｎ Ｃ１
２蒸気と混合しなからＯＶＤノズルに送り込み、加熱炉
により５８０℃に加熱した大き嘔３００メ３００籠で厚
さ）ＷＭの飲化理素をアンタコートした板ガラスが２０
＠ｇｙ’５−ＩＱの速度で移送さｒＬ−Ｃいる表面上に
前記ＣｖＤノズルから前記混合蒸気を吹き儒゛げて、
８ｎ０７（Ｆ）膜を形成した。
その結果、被膜の厚さ４７００１が得らｎ１抵抗値が９
０７０． 可？Ｆｌ！元透過率が７６％および赤外線
反射率（１０１りが８５９６を有する５ｎｏｔ（Ｆ）の
被膜が侍らＩした。
０７０． 可？Ｆｌ！元透過率が７６％および赤外線
反射率（１０１りが８５９６を有する５ｎｏｔ（Ｆ）の
被膜が侍らＩした。
第３図に該実施例のＳｎＯ・（Ｆ）膜における透過率Ｂ
Ｅ線と反射率曲線を示す、 （実施例２） 実施例１と同様な方法で錫化合物として（Ｃ４１）Ｓｎ
Ｃｌ２に変更してｓｎｏ、（Ｆ）膜を形成した。
Ｅ線と反射率曲線を示す、 （実施例２） 実施例１と同様な方法で錫化合物として（Ｃ４１）Ｓｎ
Ｃｌ２に変更してｓｎｏ、（Ｆ）膜を形成した。
その結果、被膜の厚さ３５００Ａ’、抵抗値＋５ ＱＡ
：Ｊ。
：Ｊ。
赤外線反射率（１０μ）８２％の被膜が得られた。
（実施例５〜６）
実施例１と同様な方法でＯＲ，Ｃ０ＯＨ用蒸発器へのキ
ャリア空気の温度ｔ−ｇａ〜５０℃％０．５〜２．３＠
／ｍ１ｎｊなわち３〜５ Ｍ／ｍｉｎとし、板ガラスの
移送速度を１８〜２５ ｙｙ’ｍ １ｎで被膜を形成し
た。その結果を表１の実施例３〜６として示す。
ャリア空気の温度ｔ−ｇａ〜５０℃％０．５〜２．３＠
／ｍ１ｎｊなわち３〜５ Ｍ／ｍｉｎとし、板ガラスの
移送速度を１８〜２５ ｙｙ’ｍ １ｎで被膜を形成し
た。その結果を表１の実施例３〜６として示す。
（比較例１−４）
第２図に模式的に示すような装置によって、（ＣＨ，）
、ａｎＣ１霊ｆ約＋Ｏｔ／ｍｉｎおよび鴫！ＢｒＦ３を
２０〜４０ｒ／ｍｉｎすなわち３〜５ ｆｆｉ／ｒａｉ
ｎそｎぞれ使用して、板カフスの移送Ｍ度を変更する等
によって、他の条件は実施例１と同様にして比較例１〜
今の試料とし次。その結果ｔ−表２に示す。
、ａｎＣ１霊ｆ約＋Ｏｔ／ｍｉｎおよび鴫！ＢｒＦ３を
２０〜４０ｒ／ｍｉｎすなわち３〜５ ｆｆｉ／ｒａｉ
ｎそｎぞれ使用して、板カフスの移送Ｍ度を変更する等
によって、他の条件は実施例１と同様にして比較例１〜
今の試料とし次。その結果ｔ−表２に示す。
（比較例′）〜９）
スフレ−法において、（０４Ｈ＠ ）２ａｎ（ＣＨ３０
０２）２、■＋ ３０Ｈ，、ＣＦ３ＣＯＯＨの三成分を
用いて、表３のような割合の混合溶液を約３ｃｃ／ｓｅ
ａのスプレー量で、温度５９０℃に加熱された大きさ３
００ Ｘ ３００ 、Ｊ、厚さ３Ｍの板カラス表面上に
スプレーして試料とした。
０２）２、■＋ ３０Ｈ，、ＣＦ３ＣＯＯＨの三成分を
用いて、表３のような割合の混合溶液を約３ｃｃ／ｓｅ
ａのスプレー量で、温度５９０℃に加熱された大きさ３
００ Ｘ ３００ 、Ｊ、厚さ３Ｍの板カラス表面上に
スプレーして試料とした。
その結果を表３に示す。
（比較例ＩＯ〜１２）
比較例５〜９と同様の要領で、溶液のみ変更して、すな
わち、５ｎ（Ｃ，Ｈ＠Ｏ，ル、 ｃｃ１３ｃａ、ｓ、Ｃ
Ｆ、０ＯＯＨの三成分を用いて、表４のような割合の混
合溶液をスフレ−して試料とした。その結果を表４に示
す。
わち、５ｎ（Ｃ，Ｈ＠Ｏ，ル、 ｃｃ１３ｃａ、ｓ、Ｃ
Ｆ、０ＯＯＨの三成分を用いて、表４のような割合の混
合溶液をスフレ−して試料とした。その結果を表４に示
す。
〔発明の効果Ｊ
本発明の実施例１〜６とその結果である第３図の透過率
および反射率曲線または表１の数値を従来方法である比
較例１〜１２とその結果をまとめた表２〜４とを対比す
れば明らかなように、＜ ＣＨ，）２Ｂｎ０１．を用い
ても、ＣＦ３ＣＯＯＨの方がＣＢｒＦ３よジも抵抗値お
よび赤外線反射率が優れており特に２．５〜５μの範囲
ではＣＦ、Ｃ０ＯＨの方がＣＢｒＦ３よシ赤外線反射率
が優れている。また（、Ｆ、Ｃ０ＯＨを使用した方がＣ
ＢｒＦ３より添加量が微量でよいので経済的であるとと
もに公害上も好ましいという結果を得た。
および反射率曲線または表１の数値を従来方法である比
較例１〜１２とその結果をまとめた表２〜４とを対比す
れば明らかなように、＜ ＣＨ，）２Ｂｎ０１．を用い
ても、ＣＦ３ＣＯＯＨの方がＣＢｒＦ３よジも抵抗値お
よび赤外線反射率が優れており特に２．５〜５μの範囲
ではＣＦ、Ｃ０ＯＨの方がＣＢｒＦ３よシ赤外線反射率
が優れている。また（、Ｆ、Ｃ０ＯＨを使用した方がＣ
ＢｒＦ３より添加量が微量でよいので経済的であるとと
もに公害上も好ましいという結果を得た。
さらに表３および表４で示す混合溶液の一成分としてＣ
！１１’、０ＯＯＨを用いているスプレー法について本
発明の実施例と対比してみると明らかに酸化珪素のアン
ターコートヲしないスプレー法とはいえ、被膜の抵抗値
および赤外線反射率（１０μ）においても本発明の結果
より格段に悪く相違なるグレードのものであり、Ｃ！Ｆ
３ＣＯＯＨの添加量においても本比較例の方が断然多く
、効率が悪いものである。
！１１’、０ＯＯＨを用いているスプレー法について本
発明の実施例と対比してみると明らかに酸化珪素のアン
ターコートヲしないスプレー法とはいえ、被膜の抵抗値
および赤外線反射率（１０μ）においても本発明の結果
より格段に悪く相違なるグレードのものであり、Ｃ！Ｆ
３ＣＯＯＨの添加量においても本比較例の方が断然多く
、効率が悪いものである。
以上のように本発明によれば、微量のフルオロカルホン
酸Ｉ Ｃ！ＶＤ法に適用し、しかも有機錫ハライド類を
用いれば、よシ効果的に成膜ができ、優れ九低抵抗と高
赤外線反射率の被膜が経済的に得られ、その優れた品質
を確実となし得るので、広い分野の材料に採用し得ると
いう顕著な作用効果を奏するものである。
酸Ｉ Ｃ！ＶＤ法に適用し、しかも有機錫ハライド類を
用いれば、よシ効果的に成膜ができ、優れ九低抵抗と高
赤外線反射率の被膜が経済的に得られ、その優れた品質
を確実となし得るので、広い分野の材料に採用し得ると
いう顕著な作用効果を奏するものである。
第１図は本発明を実施する一装置の模式図、第２図は従
来のＣＶＤ法における一装置の模式図、第３図に本発明
の一実施例の透過率および反射率を示す曲線でるる。 １．５，１０・・・蒸発器 ３．１２ｍ＠・加熱器 １
４・・骨ボ／ぺ４、１３ｓｓａＣＶＤ用ノスル ２，
６． ＩＩ、 １５”＠流量計７．１６６−・板ガラス
８，９．１７．１８・・・バルブ特計出麩 セントラ
ル硝子株式会社 第１図 波 長ＣＩＡ） 手続補正書く自発） 昭和６０年４月１１日
来のＣＶＤ法における一装置の模式図、第３図に本発明
の一実施例の透過率および反射率を示す曲線でるる。 １．５，１０・・・蒸発器 ３．１２ｍ＠・加熱器 １
４・・骨ボ／ぺ４、１３ｓｓａＣＶＤ用ノスル ２，
６． ＩＩ、 １５”＠流量計７．１６６−・板ガラス
８，９．１７．１８・・・バルブ特計出麩 セントラ
ル硝子株式会社 第１図 波 長ＣＩＡ） 手続補正書く自発） 昭和６０年４月１１日
Claims (2)
- （１）加熱されたガラス基板表面上に、錫化合物および
フッ素化合物の混合蒸気を噴出させて酸化錫被膜を形成
する方法において、フッ素化合物としてフルオロカルホ
ン酸を用いることを特徴とする透明導電薄膜の形成方法
。 - （２）前記錫化合物が有機錫ハライド類であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の透明導電薄膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2818985A JPS61188821A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2818985A JPS61188821A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188821A true JPS61188821A (ja) | 1986-08-22 |
| JPH0450683B2 JPH0450683B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=12241742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2818985A Granted JPS61188821A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175118A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成法 |
| JP2007153701A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Fujikura Ltd | 熱線反射ガラス、成膜装置及び成膜方法 |
| WO2013061634A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | ガラス基材への成膜方法 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5684809A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-10 | Hitachi Ltd | Method of forming transparent conductive film |
| JPS5830007A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 三洋電機株式会社 | 透明電導膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP2818985A patent/JPS61188821A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JP2013095944A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sharp Corp | ガラス基材への成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450683B2 (ja) | 1992-08-17 |
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