JPS6236046A - 酸化錫膜の形成方法 - Google Patents
酸化錫膜の形成方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3447—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide
- C03C17/3458—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide comprising a chloride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基体表面に酸化錫膜を形成する方法に関し、さ
らに詳しくは、ガラス基体を高温に加熱し次いで基体表
面に錫化合物を接触させて熱分解酸化反応により基体表
面に酸化錫膜を形成する技術の改善に関する。
らに詳しくは、ガラス基体を高温に加熱し次いで基体表
面に錫化合物を接触させて熱分解酸化反応により基体表
面に酸化錫膜を形成する技術の改善に関する。
一般にガラス基体表面に酸化錫膜を形成した場合には、
酸化錫膜が優れた硬度を有していることか−らビン製品
や食器、電球等の表面の傷付き防止に広く用いられてい
る。またハロゲン特に７ノ素やアンチモンをドープした
酸化錫膜が金属的性質を示すことを利用した応用例も多
く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セル、太陽
電池を始めとする半導体デバイスの透明電極板として使
用されており、さらに防曇ガラスなどの面発熱体として
の用途にも使用されている。また酸化錫膜の優れた赤外
線反射特性を利用し、太陽熱集熱器のカバーガラスや暖
房効果向上を目的とした窓ガラスとしても極めて有用で
ある。
酸化錫膜が優れた硬度を有していることか−らビン製品
や食器、電球等の表面の傷付き防止に広く用いられてい
る。またハロゲン特に７ノ素やアンチモンをドープした
酸化錫膜が金属的性質を示すことを利用した応用例も多
く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セル、太陽
電池を始めとする半導体デバイスの透明電極板として使
用されており、さらに防曇ガラスなどの面発熱体として
の用途にも使用されている。また酸化錫膜の優れた赤外
線反射特性を利用し、太陽熱集熱器のカバーガラスや暖
房効果向上を目的とした窓ガラスとしても極めて有用で
ある。
（従来の技術）
従来ガラス基体表面に酸化錫膜を被覆させる方法として
は種々考案されているが、ｍＭに適した方法としては、
錫化合物の熱分解酸化反応を利用した方法が知られてお
り、古くがら四塩化錫を溶媒に溶かした溶液を高温のガ
ラス基体表面に吹付ける方法（液スプレー法）や、酸化
ジプチル錫等の有機錫化合物の微粉末を懸濁させた気体
を高温のガラス基体表面に吹付ける方法（粉末スプレー
法）が用いられてきた。そして近年、四塩化錫、マタハ
シメチルニ塩化錫を蒸発させて得られる蒸気を高温のガ
ラス基体表面に接触させるいわゆるＣＶＤ法も広く採用
されている。これらの方法で形成される酸化錫膜に対し
て高い電導性と、高い光透過性が要求される応用分野が
近年急激に増加している。このため高い電導性を有する
酪化錫膜を得ることを目的とした新規の錫化合物を原料
に用いる方法の提案や、錫化合物に適量の添加物を混合
することを特徴とする酸化錫膜の形成方法の提案がなさ
れている。たとえばテトラメチル錫（（ＣＨ３）４Ｓｎ
）とプロモトリフルオロメタン（ＧＦ３Ｂｒ）の蒸気
の混合物を用いＣＶＤ法により電導性に優れた酸化錫膜
を得ることが提案されている。（特開昭！；！；−，５
ざ３６３）。
は種々考案されているが、ｍＭに適した方法としては、
錫化合物の熱分解酸化反応を利用した方法が知られてお
り、古くがら四塩化錫を溶媒に溶かした溶液を高温のガ
ラス基体表面に吹付ける方法（液スプレー法）や、酸化
ジプチル錫等の有機錫化合物の微粉末を懸濁させた気体
を高温のガラス基体表面に吹付ける方法（粉末スプレー
法）が用いられてきた。そして近年、四塩化錫、マタハ
シメチルニ塩化錫を蒸発させて得られる蒸気を高温のガ
ラス基体表面に接触させるいわゆるＣＶＤ法も広く採用
されている。これらの方法で形成される酸化錫膜に対し
て高い電導性と、高い光透過性が要求される応用分野が
近年急激に増加している。このため高い電導性を有する
酪化錫膜を得ることを目的とした新規の錫化合物を原料
に用いる方法の提案や、錫化合物に適量の添加物を混合
することを特徴とする酸化錫膜の形成方法の提案がなさ
れている。たとえばテトラメチル錫（（ＣＨ３）４Ｓｎ
）とプロモトリフルオロメタン（ＧＦ３Ｂｒ）の蒸気
の混合物を用いＣＶＤ法により電導性に優れた酸化錫膜
を得ることが提案されている。（特開昭！；！；−，５
ざ３６３）。
また、モノブチル錫トリクロライド（Ｃ４Ｈ９・５ｎ０
１３ ）とＣＦ２ＨＸ （Ｘは水素、／’％Ｏゲン、ま
たはアルキル基）の構造を持つ含７ノ素化合物の蒸気の
混合物を用いＣＶＤ法により電導性に優れた酸化錫膜を
得ることが提案されている。（特開昭５９−／６コ２乙
９）。
１３ ）とＣＦ２ＨＸ （Ｘは水素、／’％Ｏゲン、ま
たはアルキル基）の構造を持つ含７ノ素化合物の蒸気の
混合物を用いＣＶＤ法により電導性に優れた酸化錫膜を
得ることが提案されている。（特開昭５９−／６コ２乙
９）。
更に電導性に優れた酸化錫膜を得る目的でガラス基体と
してソーダライムガラスに代え、石英ガラスやホウ珪酸
ガラスを用いる方法や、基体がソーダライムガラスの場
合には、酸化錫膜の形成に先立ち予め基体表面を酸化珪
素膜で被覆する方法がよく知られている。
してソーダライムガラスに代え、石英ガラスやホウ珪酸
ガラスを用いる方法や、基体がソーダライムガラスの場
合には、酸化錫膜の形成に先立ち予め基体表面を酸化珪
素膜で被覆する方法がよく知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこれらの方法を用いても得られる酸化錫膜
の電導性は例えば電気伝導率は、σ−３０００Ω−ＩＣ
ｍ”４ （比抵抗ρ−／／σ−３，３×１０−４Ω・ａ
ｍ ）が限度であり、酸化錫を添加した酸化インジウム
膜の電導性と比較すると劣っている。
の電導性は例えば電気伝導率は、σ−３０００Ω−ＩＣ
ｍ”４ （比抵抗ρ−／／σ−３，３×１０−４Ω・ａ
ｍ ）が限度であり、酸化錫を添加した酸化インジウム
膜の電導性と比較すると劣っている。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは熱分解酸化反応を利用した酸化錫膜の形成
において酸化錫膜の形成に先立ってガラス基体表面を処
理する方法（以下前処理と記す）に関して鋭意研究の結
果、ガラス基体表面とＩＶａ族塩化物溶液すなわち四塩
化チタン（Ｔｉ（Ｊ＋）、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣ
Ａ’４）、もしくは四塩化ハフニウム（Ｈｆ（Ｊ４）、
あるいはそれらの混合物の溶液（以下、処理液と記す）
を接触させ基体表面にＩＶａ族塩化物を主成分とする組
成物の層を形成させる前処理を施し１．引き続きその基
体を高温に加熱し、前処理を施した基体表面に錫化合物
を接触させて熱分解酸化反応により基体表面に酸化錫膜
を形成させることにより、得られる酸化錫膜が更に優れ
た電導性を有することを見い出した。
において酸化錫膜の形成に先立ってガラス基体表面を処
理する方法（以下前処理と記す）に関して鋭意研究の結
果、ガラス基体表面とＩＶａ族塩化物溶液すなわち四塩
化チタン（Ｔｉ（Ｊ＋）、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣ
Ａ’４）、もしくは四塩化ハフニウム（Ｈｆ（Ｊ４）、
あるいはそれらの混合物の溶液（以下、処理液と記す）
を接触させ基体表面にＩＶａ族塩化物を主成分とする組
成物の層を形成させる前処理を施し１．引き続きその基
体を高温に加熱し、前処理を施した基体表面に錫化合物
を接触させて熱分解酸化反応により基体表面に酸化錫膜
を形成させることにより、得られる酸化錫膜が更に優れ
た電導性を有することを見い出した。
本発明の好ましい実施態様において、ＩＶａ族塩化物は
その濃度が０．１重量％からｌｏ、ｏ ＭＲ％、さらに
好ましくは０．３重量％から３．０重量％となるように
溶媒に溶かされる。この時溶媒としては、水、メタノー
ル、エタノール、インプロパツール、ブタノール、トル
エン、メチルエチルケトン等ヲ用いることができる。
その濃度が０．１重量％からｌｏ、ｏ ＭＲ％、さらに
好ましくは０．３重量％から３．０重量％となるように
溶媒に溶かされる。この時溶媒としては、水、メタノー
ル、エタノール、インプロパツール、ブタノール、トル
エン、メチルエチルケトン等ヲ用いることができる。
このようにして得られた処理液とガラス基体表面を接触
させ、基体表面にＩＶａ族塩化物を主成分本発明の好ま
しい実施態様においてガラス基体は、処理液中に浸せき
、された後、すみやかに溶液外に取り出される。この時
、基体表面は処理液で語れた状態となる。次いで基体表
面に付着した処理液の溶媒を蒸発させると、基体表面に
ＩＶａ族塩化物を主成分とする組成物の層が形成される
。
させ、基体表面にＩＶａ族塩化物を主成分本発明の好ま
しい実施態様においてガラス基体は、処理液中に浸せき
、された後、すみやかに溶液外に取り出される。この時
、基体表面は処理液で語れた状態となる。次いで基体表
面に付着した処理液の溶媒を蒸発させると、基体表面に
ＩＶａ族塩化物を主成分とする組成物の層が形成される
。
本発明の別の実施態様において、処理液は、ガラス基体
の表面の内、電導性に優れた酸化物の形成を所望する部
分に塗布される。この時基体表面の一部は処理液で濡れ
た状態になる。次いで基体表面に付着した処理液の溶媒
を蒸発させることにより基体表面ＫＩＶａ族塩化物を主
成分とする組成物の層が形成される。
の表面の内、電導性に優れた酸化物の形成を所望する部
分に塗布される。この時基体表面の一部は処理液で濡れ
た状態になる。次いで基体表面に付着した処理液の溶媒
を蒸発させることにより基体表面ＫＩＶａ族塩化物を主
成分とする組成物の層が形成される。
さらに本発明の一実施態様において処理液は、ノズル機
構を通じて３０″Ｃから６００°Ｃに、好ましくはｓｏ
”ｃから２００″Ｃに加熱された基体表面に噴霧される
。この時、噴霧され基体表面に到達した処理液の溶媒は
、すみやかに蒸発し基体表面にＩＶａ族塩化物を主成分
とする組成物の層が形成される。
構を通じて３０″Ｃから６００°Ｃに、好ましくはｓｏ
”ｃから２００″Ｃに加熱された基体表面に噴霧される
。この時、噴霧され基体表面に到達した処理液の溶媒は
、すみやかに蒸発し基体表面にＩＶａ族塩化物を主成分
とする組成物の層が形成される。
塩化物を主成分とする組成物の層が形成されたガラス基
体は、高温に加熱され次いで錫化合物を基体表面、とり
わけＩＶａ族塩化物を主成分とする組成物の層が形成さ
れた表面と接触させ熱分解反応を利用して酸化錫膜を形
成させる。
体は、高温に加熱され次いで錫化合物を基体表面、とり
わけＩＶａ族塩化物を主成分とする組成物の層が形成さ
れた表面と接触させ熱分解反応を利用して酸化錫膜を形
成させる。
（作 用）
このようにしてガラス基体の表面上で、ＩＶａ族塩化物
を主成分とする組成物の層の上に形成された酸化錫膜は
、通常のガラス基体表面上に同一条件にて形成された酸
化錫膜に比して、高い電導性を有する。この理由は、い
まだ明確ではないが、ＩＶａ族塩化物を主成分とする組
成物の層の上に形成される酸化錫膜では、多結晶体であ
る酸化錫膜の結晶粒が、通常のガラス基体表面上に同一
条件にて形成された酸化錫膜に比して大きく成長する傾
向にあり、これにより酸化錫膜の電気伝導を担うキャリ
アーの易動度が向上するためと考えられる０ （実 施 例） 以下に本発明の実施例を示し本発明の詳細な説明する。
を主成分とする組成物の層の上に形成された酸化錫膜は
、通常のガラス基体表面上に同一条件にて形成された酸
化錫膜に比して、高い電導性を有する。この理由は、い
まだ明確ではないが、ＩＶａ族塩化物を主成分とする組
成物の層の上に形成される酸化錫膜では、多結晶体であ
る酸化錫膜の結晶粒が、通常のガラス基体表面上に同一
条件にて形成された酸化錫膜に比して大きく成長する傾
向にあり、これにより酸化錫膜の電気伝導を担うキャリ
アーの易動度が向上するためと考えられる０ （実 施 例） 以下に本発明の実施例を示し本発明の詳細な説明する。
実施例−７
Ｓ１０２膜約ｔｓｏｏ’Ａ、で被覆したソーダライムガ
ラス基体表面を各種の金属塩化物水溶液で濡らした後、
熱風乾燥により溶媒を蒸発させ、基体表面に各々の金属
塩化物を主成分とする組成物の層を形成させる処理を行
った。次いで基体を５ＳＯ″ＣＫ加熱し、処理を施した
基体表面にモノブチル錫トリクロライドの蒸気、／、／
−ジフルオルエタンの蒸気、水蒸気、酸素、窒素ガスの
調製された混合気体を接触させ基体表面に約ｌｌ５ｏｏ
ｐ、の厚さの酸化錫膜を形成させた。
ラス基体表面を各種の金属塩化物水溶液で濡らした後、
熱風乾燥により溶媒を蒸発させ、基体表面に各々の金属
塩化物を主成分とする組成物の層を形成させる処理を行
った。次いで基体を５ＳＯ″ＣＫ加熱し、処理を施した
基体表面にモノブチル錫トリクロライドの蒸気、／、／
−ジフルオルエタンの蒸気、水蒸気、酸素、窒素ガスの
調製された混合気体を接触させ基体表面に約ｌｌ５ｏｏ
ｐ、の厚さの酸化錫膜を形成させた。
表−／に各々の金属塩化物水溶液で処理を施した基体表
面に形成させた酸化錫膜の電気伝導率及び比抵抗を示す
。表−／には比較のため処理を施さずに同一基板の表面
上に同一条件にて直接酸化錫膜を形成した従来法による
膜の電気伝導率も示す。
面に形成させた酸化錫膜の電気伝導率及び比抵抗を示す
。表−／には比較のため処理を施さずに同一基板の表面
上に同一条件にて直接酸化錫膜を形成した従来法による
膜の電気伝導率も示す。
表−７よりｒｖａ族金属塩化物すなわち塩化チタン、塩
化ジルコニウム及び塩化ハフニウムの水溶液を、処理液
−に用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫
膜は、処理を施さない場合に比べ、電導性に侵れている
ことが明らかであり、本発明の方法によれば、従来法に
比べたとえば電導率が１０％から２０％高い酸化錫膜な
形成することが可能である。
化ジルコニウム及び塩化ハフニウムの水溶液を、処理液
−に用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫
膜は、処理を施さない場合に比べ、電導性に侵れている
ことが明らかであり、本発明の方法によれば、従来法に
比べたとえば電導率が１０％から２０％高い酸化錫膜な
形成することが可能である。
実施例−２
濃度の異なる塩化チタン水溶液を処理液として準備し、
約１０００１の５ｉ０２膜を被覆したソーダライム基体
を各々の処理液中に浸した後取り出し、熱風乾燥により
、溶媒を蒸発させる処理を行った。
約１０００１の５ｉ０２膜を被覆したソーダライム基体
を各々の処理液中に浸した後取り出し、熱風乾燥により
、溶媒を蒸発させる処理を行った。
次いで基体なｓｓｏ”ｃに加熱した後、実施例−／に記
述した方法により処理を施した基体表面に２６００にの
酸化錫膜を形成した。
述した方法により処理を施した基体表面に２６００にの
酸化錫膜を形成した。
処理液の濃度と、各々の濃度の処理液を用いて処理を施
した基体表面に形成された酸化錫膜の電導率の関係を図
−７に示した。
した基体表面に形成された酸化錫膜の電導率の関係を図
−７に示した。
図−／より０．３％から５％の濃度の塩化チタン水溶液
を用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫膜
は、同一条件にて無処理の同−基体表表一／ ５ｎ０
２膜の電導率と比抵抗（基板の前処理効果） 秦５ｎ０２膜ノａｙｓ ＩＩｏｏｏＸ 面上に形成された酸化錫膜に比べ高い電導率を有するこ
とが明らかであり、特ＶＣ０，６％から八２％の濃度の
処理液を用いた場合は、従来法より約２０％高い電導率
を有する酸化錫膜が得られる。
を用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫膜
は、同一条件にて無処理の同−基体表表一／ ５ｎ０
２膜の電導率と比抵抗（基板の前処理効果） 秦５ｎ０２膜ノａｙｓ ＩＩｏｏｏＸ 面上に形成された酸化錫膜に比べ高い電導率を有するこ
とが明らかであり、特ＶＣ０，６％から八２％の濃度の
処理液を用いた場合は、従来法より約２０％高い電導率
を有する酸化錫膜が得られる。
実施例−３
塩化ジルコニウムの０１５％エタノール溶液を処理液と
して準備し、約１０００１の５ｉ０２膜を被覆したソー
ダライムガラス基体を処理液中に浸し取り出した後、熱
風乾燥によりエタノールを蒸発させる処理を行った。次
いで基体を５ｊＯ″Ｃに加熱した後、実施例−／に記述
した方法により処理を施した基体表面に２！；００にの
酸化錫膜を形成した。
して準備し、約１０００１の５ｉ０２膜を被覆したソー
ダライムガラス基体を処理液中に浸し取り出した後、熱
風乾燥によりエタノールを蒸発させる処理を行った。次
いで基体を５ｊＯ″Ｃに加熱した後、実施例−／に記述
した方法により処理を施した基体表面に２！；００にの
酸化錫膜を形成した。
表−２に形成した酸化錫膜の電気特性を示した。
表−２には比較例として処理を施さない同一基体上に同
一条件にて形成した従来法による酸化錫膜の電気特性も
示した。
一条件にて形成した従来法による酸化錫膜の電気特性も
示した。
表−一よりエタノールを溶媒として使用した処理液によ
っても本発明の方法により電導性に優れ特にキャリア易
動度の高い酸化錫膜が得られることがわかる。
っても本発明の方法により電導性に優れ特にキャリア易
動度の高い酸化錫膜が得られることがわかる。
実施例−を
塩化ジルコニウムのへ〇％エタノール溶液を処理液とし
て準備し、約／３０″Ｃに加熱されたソーダライムガラ
ス基体表面上にエアスプレーガンな通じて処理液を噴霧
した。この場合噴霧された処理液の溶媒は基体の持つ熱
によりすみゃかに蒸発し基体表面に塩化ジルコニウムを
主成分とする組成物の層が形成された。
て準備し、約／３０″Ｃに加熱されたソーダライムガラ
ス基体表面上にエアスプレーガンな通じて処理液を噴霧
した。この場合噴霧された処理液の溶媒は基体の持つ熱
によりすみゃかに蒸発し基体表面に塩化ジルコニウムを
主成分とする組成物の層が形成された。
次いで基体を６００″Ｃに加熱し、処理を施した基体表
面上にジブチル錫ジアセテートとトリフルオロ酢酸とエ
タノールの調整された混合溶液を、エアスプレーガンに
て噴霧して接触させ、ｒ３ｏｏＸの厚さの酸化錫膜を形
成した。
面上にジブチル錫ジアセテートとトリフルオロ酢酸とエ
タノールの調整された混合溶液を、エアスプレーガンに
て噴霧して接触させ、ｒ３ｏｏＸの厚さの酸化錫膜を形
成した。
別ＶＣ６００℃に加熱されたソーダライムガラス基体に
直接上記と同一方決により酸化錫膜を形成した。表−３
に各々の重化錫膜の電導率を示した。
直接上記と同一方決により酸化錫膜を形成した。表−３
に各々の重化錫膜の電導率を示した。
表−３より本発明の方法により電導性に優れた酸化錫膜
が得られることが明らかである。
が得られることが明らかである。
実施例−５
塩化ジルコニウム八〇％水溶液を処理液とじて準備しホ
ウ珪酸ガラス基体表面に塗布した後、乾燥させ溶媒を蒸
発させた。次いで基体をｓｓｏ”ｃに加熱し処理を施し
た基体表面上に実施例−／に記述した方法によりａｒｏ
ｏｈの厚さの僚化ｕＪ膜を形成させた。
ウ珪酸ガラス基体表面に塗布した後、乾燥させ溶媒を蒸
発させた。次いで基体をｓｓｏ”ｃに加熱し処理を施し
た基体表面上に実施例−／に記述した方法によりａｒｏ
ｏｈの厚さの僚化ｕＪ膜を形成させた。
別に前処理を施していないホウ珪酸ガラス基体を５５０
°Ｃに加熱し、同一条件にて酸化ｇ膜を形成させた。
°Ｃに加熱し、同一条件にて酸化ｇ膜を形成させた。
各々の酢化ｇ膜の電気特性を表−ψに示す。 １表
−グでは従来法によれば電導率ｆ−Ｊ、０Ｘ１０３Ω−
１ｃｍ″″１の酸化錫膜が得られているが、本発明の方
法によれば、さらに電導性に優れた酸化錫膜が得られＪ
、！；Ｘ１０３Ω−１（７ｎ−ＩＶＣ達する。コノ場合
従来法による膜に比ベキャリア易動度も高くなっている
。
−グでは従来法によれば電導率ｆ−Ｊ、０Ｘ１０３Ω−
１ｃｍ″″１の酸化錫膜が得られているが、本発明の方
法によれば、さらに電導性に優れた酸化錫膜が得られＪ
、！；Ｘ１０３Ω−１（７ｎ−ＩＶＣ達する。コノ場合
従来法による膜に比ベキャリア易動度も高くなっている
。
※
※ＳｎＯ９膜の膜＊：２！ＯＯＡ
表−Ｊ ５ｎ０２膜の電導率と比抵抗※
表−１ｌ ５ｎｏ２膜の電気特性
本−
従
※ ５ｎ０２膜の膜厚：≠ざ０ＯＡ
（発明の効果）
本発明の方法により形成された酸化錫膜は優れた電導性
を有し、たとえば電導率が３．６×１０３Ω′″１ｃｍ
−１に達する。また高いキャリア易動度を有する。
を有し、たとえば電導率が３．６×１０３Ω′″１ｃｍ
−１に達する。また高いキャリア易動度を有する。
また本発明による醸化錫膜の形成方法は従来の熱分解酸
化反応を利用した酸化錫膜の形成方法、例えば液スプレ
ー法、粉末スプレー法、あるいはＣＶＤ法において、酸
化錫膜の形成に先立って基体表面に簡単な前処理を施す
形式の方法であるから、従来から熱分解酸化反応により
ガラス基体表面上に酸化錫膜を形成している技術分野の
広い範囲にわたって応用することができ、従来の酸化錫
膜の電導性の向上に対しきわめて有効である。
化反応を利用した酸化錫膜の形成方法、例えば液スプレ
ー法、粉末スプレー法、あるいはＣＶＤ法において、酸
化錫膜の形成に先立って基体表面に簡単な前処理を施す
形式の方法であるから、従来から熱分解酸化反応により
ガラス基体表面上に酸化錫膜を形成している技術分野の
広い範囲にわたって応用することができ、従来の酸化錫
膜の電導性の向上に対しきわめて有効である。
また本発明の方法では、ガラス基体を様々な手法により
ｒｖａ族塩化物溶液と接触させることが可能であるとい
う利点も有し応用範囲が広い。
ｒｖａ族塩化物溶液と接触させることが可能であるとい
う利点も有し応用範囲が広い。
第７図は本発明の実施例を示すもので、前処理溶液濃度
と酸化錫膜の電導率との関係を示すグラフである。 第１図 ｊｊ！Ｘ理；を毛賜遭友／計×
と酸化錫膜の電導率との関係を示すグラフである。 第１図 ｊｊ！Ｘ理；を毛賜遭友／計×
Claims (1)
- ガラス基体を高温に加熱し、次いで基体表面に錫化合物
または、錫化合物と含フッ素化合物の混合物を接触させ
て熱分解酸化反応により基体表面に酸化錫膜を形成する
方法において、予めガラス基体を周期律表におけるIVａ
族金属の塩化物の溶液と接触させ、基体表面にIVａ族金
属塩化物を主成分とする組成物の層を形成させることを
特徴とする酸化錫膜の形成方法。
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| JP60172125A JPH064497B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 酸化錫膜の形成方法 |
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| JP60172125A JPH064497B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 酸化錫膜の形成方法 |
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- 1986-08-05 DE DE8686401746T patent/DE3681770D1/de not_active Expired - Fee Related
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