JPS59190219A - 基体に酸化錫膜を形成する方法 - Google Patents
基体に酸化錫膜を形成する方法Info
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- JPS59190219A JPS59190219A JP6410183A JP6410183A JPS59190219A JP S59190219 A JPS59190219 A JP S59190219A JP 6410183 A JP6410183 A JP 6410183A JP 6410183 A JP6410183 A JP 6410183A JP S59190219 A JPS59190219 A JP S59190219A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラス、セラミック、金属等の基体表面に酸化
錫膜を形成する方法に関し、特に高温のカンス板に有機
錫化合物の蒸気を接触させることによりガラス板表面に
酸化錫膜を形成する方法に関する。
錫膜を形成する方法に関し、特に高温のカンス板に有機
錫化合物の蒸気を接触させることによりガラス板表面に
酸化錫膜を形成する方法に関する。
一般に酸化錫膜はすぐれた硬度を有していることからビ
ン製品２食器などの表面の疵つき防雨に広く用いられて
いる。また酸化錫膜の電気的性質を利用した応用例も多
く、例えば酸化錫１１位を形成したカラスは液晶セルの
透明電極板、防・曇ガラスなどの透明な電導体としての
用途に広く使用されており、更にはその優れた赤外線反
射ｑ＋、ｙ性から太陽熱集熱器のカバーガラスとしても
倭めてイｆ用である。
ン製品２食器などの表面の疵つき防雨に広く用いられて
いる。また酸化錫膜の電気的性質を利用した応用例も多
く、例えば酸化錫１１位を形成したカラスは液晶セルの
透明電極板、防・曇ガラスなどの透明な電導体としての
用途に広く使用されており、更にはその優れた赤外線反
射ｑ＋、ｙ性から太陽熱集熱器のカバーガラスとしても
倭めてイｆ用である。
酸化錫膜をガラス表面等に付着さセる方法としては種々
あるが、量産に適した方法として古くから四塩化錫を有
機溶媒に溶かした溶液を高１２１５のガラス表面等に吹
付ける方法が用いられてきた。
あるが、量産に適した方法として古くから四塩化錫を有
機溶媒に溶かした溶液を高１２１５のガラス表面等に吹
付ける方法が用いられてきた。
そして近年、四塩化錫またはンメチルニ塩化帛易を加熱
蒸発させて得られる蒸気を高ｌ晶のガラス表面に接触さ
ぜる、いわゆるＣＶＤ法も広く採用されている。し７か
しながら、これらの方法により形成される酸化錫膜は一
般にヘイズと呼ばれるのりを有するものが多く、その上
電気特性１例えば比抵抗が高く、透明度が高い薄い膜厚
て低い電気抵抗値が要求される大型の表示装置用ガラス
電極への応用は困何（てあった。
蒸発させて得られる蒸気を高ｌ晶のガラス表面に接触さ
ぜる、いわゆるＣＶＤ法も広く採用されている。し７か
しながら、これらの方法により形成される酸化錫膜は一
般にヘイズと呼ばれるのりを有するものが多く、その上
電気特性１例えば比抵抗が高く、透明度が高い薄い膜厚
て低い電気抵抗値が要求される大型の表示装置用ガラス
電極への応用は困何（てあった。
このためテトラメチル’Ａ Ｃ（ＣＨ３）４Ｓｎ〕とプ
ロモトリフルオロメタン（ＣＦａＢｒ：］の蒸気の混合
物を加熱された、ナ） ＩＪウムを含まない酸化珪素基
体に接触させて、該基体に電導性の擾れた酸化錫膜を形
成する方法が知られている。（特開昭５Ｊ’ −５ざ３
６３号） し、かじながら、この方法で予じめ酸化珪素（ＳｉＣ。
ロモトリフルオロメタン（ＣＦａＢｒ：］の蒸気の混合
物を加熱された、ナ） ＩＪウムを含まない酸化珪素基
体に接触させて、該基体に電導性の擾れた酸化錫膜を形
成する方法が知られている。（特開昭５Ｊ’ −５ざ３
６３号） し、かじながら、この方法で予じめ酸化珪素（ＳｉＣ。
又は５ｉ０２）て被覆したソーダ・石灰ガラスに酸化錫
膜を形成しても充分低い比抵抗の電導被膜がイ（Ｊられ
ず満足できるものではなかった。
膜を形成しても充分低い比抵抗の電導被膜がイ（Ｊられ
ず満足できるものではなかった。
また、特開昭５５−、！；ｇ３３３号にはジブチル錫ジ
アセテート（（Ｃ４Ｈ９）２ｓｎ （ＣＨ３ＣＯＯ）ｇ
） を用いることが提案されているか、ジブチル錫ジア
セテートとブロモトリフル刈ロメタンの蒸気の混合物全
加熱した基体に接触させることにより該基体に酸化錫膜
を形成したものは比抵抗が高くなり、電導性の優れたも
のは得られなかった。
アセテート（（Ｃ４Ｈ９）２ｓｎ （ＣＨ３ＣＯＯ）ｇ
） を用いることが提案されているか、ジブチル錫ジア
セテートとブロモトリフル刈ロメタンの蒸気の混合物全
加熱した基体に接触させることにより該基体に酸化錫膜
を形成したものは比抵抗が高くなり、電導性の優れたも
のは得られなかった。
本発明はがかる（３ＶＤ法で形成される酸化錫膜の欠点
を除去するためになされたものであって、本発明は高温
に加熱した基体表面に錫化合物の蒸気を接触させて熱分
ｐｓｑ化反応により基体に酸化錫膜を形成する方法にお
いて、該＆”２１１合物にテトラメチル錫、及びテトラ
エチル錫の少なくさも７種を用い、その蒸気に予じめｌ
゛−ピング剤としてＸＣＨＦ２ （ここにＸはＣ，Ｈよ
りなる炭化水素基。
を除去するためになされたものであって、本発明は高温
に加熱した基体表面に錫化合物の蒸気を接触させて熱分
ｐｓｑ化反応により基体に酸化錫膜を形成する方法にお
いて、該＆”２１１合物にテトラメチル錫、及びテトラ
エチル錫の少なくさも７種を用い、その蒸気に予じめｌ
゛−ピング剤としてＸＣＨＦ２ （ここにＸはＣ，Ｈよ
りなる炭化水素基。
またはＣ１，若しくはＦである。）で表わされる弗素化
合物を添加することを特徴とする基体に酸化錫膜を形成
する方法である。
合物を添加することを特徴とする基体に酸化錫膜を形成
する方法である。
本発明はテトラメチル錫及びテトラエチル錫の少なくと
も７種と弗素化合物ＸＣＨＦ２との混合蒸気をノズルか
ら、加熱された基体表面に吐出して酸化錫膜を形成させ
る。この場合、混合蒸気の吐出速度を／、ｆｆｍ／秒以
下、望ましくは０１−２乃至ざｍ７秒とするのが好まし
い。
も７種と弗素化合物ＸＣＨＦ２との混合蒸気をノズルか
ら、加熱された基体表面に吐出して酸化錫膜を形成させ
る。この場合、混合蒸気の吐出速度を／、ｆｆｍ／秒以
下、望ましくは０１−２乃至ざｍ７秒とするのが好まし
い。
また、本発明においで、テトラメチル錫及びテトラエチ
ル錫に対する弗素化合物ＸＣＨＦ２の添加燈は形成酸化
錫膜中の酸化錫に対し弗象が０．３重量％乃至へＳ重量
％、好ましくは０．９重量％乃至／ 、 ２ 重量％に
なるようにする。
ル錫に対する弗素化合物ＸＣＨＦ２の添加燈は形成酸化
錫膜中の酸化錫に対し弗象が０．３重量％乃至へＳ重量
％、好ましくは０．９重量％乃至／ 、 ２ 重量％に
なるようにする。
更にまた、本発明は弗素化合物ＸＣＨＦ２として通常／
、／−ジフルオロエタン、トリフルオロメタン、又はク
ロロジフルオロメタンが用いられ、特に／、／−ジノル
２０エタンを用いるのが好ましい。
、／−ジフルオロエタン、トリフルオロメタン、又はク
ロロジフルオロメタンが用いられ、特に／、／−ジノル
２０エタンを用いるのが好ましい。
本発明によれはテトラメチル錫、及びテトラエチル錫の
少なくとも７種に弗素化合物ＸＣＨＦ２を添加すること
により、優れた電導性の酸化錫膜をノ、ｌ板に形成てぎ
ろ。
少なくとも７種に弗素化合物ＸＣＨＦ２を添加すること
により、優れた電導性の酸化錫膜をノ、ｌ板に形成てぎ
ろ。
以Ｆに本発明の実ｈａＬ例を説明する。
オ／図Ｃε１５いて、／は酸化錫膜形成用の錫化合物の
蒸気を発生するための蒸発器であり、この蒸発器／にコ
ンプレッサ！で発生し、減圧弁３で所定圧力に保持され
たキャリアガスを送・っ、蒸発器／内のクリ化合物の俟
気を混合機グに送る。一方、ボンへ５から出て減圧弁３
１を経た後、流岱計７を通し、配盾・乙とバルブざを経
てボンへＳ内のトーピンク剤か混合機グに送られ、混合
機を内で錫化合物の蒸気とドーピング剤とがファン９に
よりｉ１ｔ’、 合ｃ しる。しかる後、混合機ケ内の
ドーピング剤と混合された錫化合物の蒸気を配管終端に
設けたス’Ｊ ノド状噴出口１０がら噴出し、移送用ロ
ールにより送られる加熱さねたガラス表１ｍに吹きイｑ
けて酸化錫膜を形成する。錫化合物としてテトラメチ”
４’ｊ ｆ：（ＣＲ２）４Ｓｎ） 、 又Ｄｉ テ）
５ ニー） ル％Ｃ（Ｃ２Ｈ５）４ Ｓｎ） ヲ用い、
テトラメチル錫の場合には図外のボンベからそのまま揮
発されて蒸発器／内に送り、テトラメチル錫の場合には
ｌｏ乃至９゜°Ｃに加熱することにより錫化合物の蒸気
を発生させ、キャリアガスに窒素ガスを用いてそれを混
合機グに送る。
蒸気を発生するための蒸発器であり、この蒸発器／にコ
ンプレッサ！で発生し、減圧弁３で所定圧力に保持され
たキャリアガスを送・っ、蒸発器／内のクリ化合物の俟
気を混合機グに送る。一方、ボンへ５から出て減圧弁３
１を経た後、流岱計７を通し、配盾・乙とバルブざを経
てボンへＳ内のトーピンク剤か混合機グに送られ、混合
機を内で錫化合物の蒸気とドーピング剤とがファン９に
よりｉ１ｔ’、 合ｃ しる。しかる後、混合機ケ内の
ドーピング剤と混合された錫化合物の蒸気を配管終端に
設けたス’Ｊ ノド状噴出口１０がら噴出し、移送用ロ
ールにより送られる加熱さねたガラス表１ｍに吹きイｑ
けて酸化錫膜を形成する。錫化合物としてテトラメチ”
４’ｊ ｆ：（ＣＲ２）４Ｓｎ） 、 又Ｄｉ テ）
５ ニー） ル％Ｃ（Ｃ２Ｈ５）４ Ｓｎ） ヲ用い、
テトラメチル錫の場合には図外のボンベからそのまま揮
発されて蒸発器／内に送り、テトラメチル錫の場合には
ｌｏ乃至９゜°Ｃに加熱することにより錫化合物の蒸気
を発生させ、キャリアガスに窒素ガスを用いてそれを混
合機グに送る。
一方ドーピング剤としてガス状の／、／−ジフルオｏ
ｘ タン（ＣＨ３ＣＨＦ２） 又ハｌリフルオロメ／＞
（ＣＨＦ３）ヲ用イ、ボンベｓがら所定量混合機りに送
らり、錫化合物とドーピング剤とが混合された後、スリ
ット状噴出口１０に送られ、しかる後に３１１０′Ｃに
加熱された、１０ＯＯＡＯ）Ｉ’；ｆ−Ｊの５１０２膜
て被密コれたソーダ・石灰カラスの表面に吹付ける。こ
の時キャリアガスの圧力は／Ｋｇ／Ｃｍ２てあり、流量
は３１／分であった。スリット状噴出口用い、ドーピン
グ剤にジクロロジフルオロメタン（Ｃｃ６２Ｆ２）又は
クロロトリフルオロメタン（ｃｃｇＦ３）を用いて実施
例と全く同様な方法で膜厚、：１Ｏ００にの酸化錫膜を
形成し、夫々の酸化錫膜の比抵抗を４ＩＯ定し、２・７
表に示した。
ｘ タン（ＣＨ３ＣＨＦ２） 又ハｌリフルオロメ／＞
（ＣＨＦ３）ヲ用イ、ボンベｓがら所定量混合機りに送
らり、錫化合物とドーピング剤とが混合された後、スリ
ット状噴出口１０に送られ、しかる後に３１１０′Ｃに
加熱された、１０ＯＯＡＯ）Ｉ’；ｆ−Ｊの５１０２膜
て被密コれたソーダ・石灰カラスの表面に吹付ける。こ
の時キャリアガスの圧力は／Ｋｇ／Ｃｍ２てあり、流量
は３１／分であった。スリット状噴出口用い、ドーピン
グ剤にジクロロジフルオロメタン（Ｃｃ６２Ｆ２）又は
クロロトリフルオロメタン（ｃｃｇＦ３）を用いて実施
例と全く同様な方法で膜厚、：１Ｏ００にの酸化錫膜を
形成し、夫々の酸化錫膜の比抵抗を４ＩＯ定し、２・７
表に示した。
珂・７表から明らかなように実施例のものは比較例のも
のに比較して電導性か優れていることがわかる。
のに比較して電導性か優れていることがわかる。
２７図は本発明を実施するだめの装５１の概略図である
。 ／：蒸発器、２：コンブレノザ、 ３．３’：減圧弁。 ／ｌ：混合機、ｊ：ボンベ、乙二配管、７：流量Ｂ１゛
。 ｇ：ハルブ、９ ファン、１０ニスリソ） ｔ 噴ｔＪ
’ｒ口。 ／／：ガラス
。 ／：蒸発器、２：コンブレノザ、 ３．３’：減圧弁。 ／ｌ：混合機、ｊ：ボンベ、乙二配管、７：流量Ｂ１゛
。 ｇ：ハルブ、９ ファン、１０ニスリソ） ｔ 噴ｔＪ
’ｒ口。 ／／：ガラス
Claims (1)
- 高温に加熱した基体表面に錫化合物の蒸気を接触さゼて
熱分解酸化反応により基体に酸化錫膜を形成する方法に
おいて、該錫化合物にデトラメチル錫、及びデトラエチ
ル錫の少なくとも７種を用い、その蒸気に予しめドーピ
ング剤としてＸＣＨＦ２（ここにＸはＣ，Ｈよりなる炭
化水素基、またはＣｌ名しくはＦである。）で表わされ
る弗素化合物を添加することを特徴とする基体に酸化錫
膜を形成する方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6410183A JPS59190219A (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| PT7841184A PT78411B (fr) | 1983-04-12 | 1984-04-11 | Couche d'oxyde d'etain a caracteristiques electriques ameliorees obtenue a partir de composes gazeux |
| ES531505A ES531505A0 (es) | 1983-04-12 | 1984-04-11 | Metodo de deposito de una capa de oxido de estano sobre un sustrato, en particular de vidrio |
| EP84400736A EP0125954A1 (fr) | 1983-04-12 | 1984-04-12 | Couche d'oxyde d'étain à caractéristiques électriques améliorées obtenues à partir de composés gazeux |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6410183A JPS59190219A (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59190219A true JPS59190219A (ja) | 1984-10-29 |
| JPS6411710B2 JPS6411710B2 (ja) | 1989-02-27 |
Family
ID=13248342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6410183A Granted JPS59190219A (ja) | 1983-04-12 | 1983-04-12 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0125954A1 (ja) |
| JP (1) | JPS59190219A (ja) |
| ES (1) | ES531505A0 (ja) |
| PT (1) | PT78411B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0338417A3 (en) * | 1988-04-18 | 1990-03-07 | Ppg Industries, Inc. | Haze-free infrared-reflecting coated glass |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI64128C (fi) * | 1978-10-20 | 1983-10-10 | Roy Gerald Gordon | Foerfarande foer paofoering av en transparent fluordopad stannioxidfilm pao ett upphettat substrat med reglerad fluorfoeroreningshalt |
| JPS6018090B2 (ja) * | 1979-10-03 | 1985-05-08 | 日本板硝子株式会社 | 導電薄膜の形成方法 |
-
1983
- 1983-04-12 JP JP6410183A patent/JPS59190219A/ja active Granted
-
1984
- 1984-04-11 ES ES531505A patent/ES531505A0/es active Granted
- 1984-04-11 PT PT7841184A patent/PT78411B/pt unknown
- 1984-04-12 EP EP84400736A patent/EP0125954A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES8506108A1 (es) | 1985-07-01 |
| PT78411A (fr) | 1984-05-01 |
| ES531505A0 (es) | 1985-07-01 |
| PT78411B (fr) | 1986-05-27 |
| EP0125954A1 (fr) | 1984-11-21 |
| JPS6411710B2 (ja) | 1989-02-27 |
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