JPS58223620A - 酸化錫膜の形成方法 - Google Patents
酸化錫膜の形成方法Info
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- JPS58223620A JPS58223620A JP57101627A JP10162782A JPS58223620A JP S58223620 A JPS58223620 A JP S58223620A JP 57101627 A JP57101627 A JP 57101627A JP 10162782 A JP10162782 A JP 10162782A JP S58223620 A JPS58223620 A JP S58223620A
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- JP
- Japan
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- tin oxide
- film
- oxide film
- tin
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基材表面に酸化錫膜を形成する方法、特にガラ
ス、セラミックス、または金属の表面に熱分解により錫
酸化物になり得る錫化合物を接触させて、酸化錫膜を形
成する方法に関する。
ス、セラミックス、または金属の表面に熱分解により錫
酸化物になり得る錫化合物を接触させて、酸化錫膜を形
成する方法に関する。
従来、酸化錫膜は硬度が高いことから、ガラス容器、例
えばビン製品及び食品等の表面に被覆さＪ＋、それらの
表面の疵つき防止膜として広く用（・「）ねている。
えばビン製品及び食品等の表面に被覆さＪ＋、それらの
表面の疵つき防止膜として広く用（・「）ねている。
また酸化錫膜の半導体的性質を利用した応用例も多く、
例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セルの電極板・
防曇ガラスなど透明な電導体としての用途に広く使用さ
れており、酸化錫膜を有するセラミックス薄板は抵抗体
など電気部品としても極めて有用である。更には酸化錫
膜の赤外線反射特性を利用し、ガラスあるいは金属管上
に形成した酸化錫膜が、それぞれ太陽熱集熱器のカバー
ガラス、太陽熱集熱管等の放熱防止膜として用いられて
いる。
例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セルの電極板・
防曇ガラスなど透明な電導体としての用途に広く使用さ
れており、酸化錫膜を有するセラミックス薄板は抵抗体
など電気部品としても極めて有用である。更には酸化錫
膜の赤外線反射特性を利用し、ガラスあるいは金属管上
に形成した酸化錫膜が、それぞれ太陽熱集熱器のカバー
ガラス、太陽熱集熱管等の放熱防止膜として用いられて
いる。
酸化錫膜をガラス・セラミックスまたは金属の表面に形
成させる方法は種々知られているが、晴産に適した方法
として古くから四塩化−を有機溶媒に溶かした溶液を高
温状態にある前記（基利）の表面に吹付ける方法が用い
られてきた。そして近年、四塩化−またはジメチルニ塩
化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温のガラス、セ
ラミックスまたは金属の表面に接触させるいわゆるＯ
Ｖ Ｉ）法も広く採用されている。
成させる方法は種々知られているが、晴産に適した方法
として古くから四塩化−を有機溶媒に溶かした溶液を高
温状態にある前記（基利）の表面に吹付ける方法が用い
られてきた。そして近年、四塩化−またはジメチルニ塩
化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温のガラス、セ
ラミックスまたは金属の表面に接触させるいわゆるＯ
Ｖ Ｉ）法も広く採用されている。
ところで、このような酸化錫膜の形成過程において、酸
化錫膜の電気特性及び赤外反射特性の向上を目的に、出
発原料である錫化合物に不純物（例えば三塩化アンチモ
ン、ＨＦなど）を混入させたり、基材温度を極力高める
ことが行なわれる。
化錫膜の電気特性及び赤外反射特性の向上を目的に、出
発原料である錫化合物に不純物（例えば三塩化アンチモ
ン、ＨＦなど）を混入させたり、基材温度を極力高める
ことが行なわれる。
史に、これらの特性向上のため出発原料、吹ｆ」条件な
どに関し多くの改良策も試みられている。
どに関し多くの改良策も試みられている。
しかし１（、がら、このような多くの改良にもかかわら
ず厚さがほぼ／１ｏＯＡの酸化錫膜の電気抵抗は約、２
ｔｏ （Ω／ ｓ ｑ 、 ）が限度で、低抵抗を必要
とする大面積の防曇用ガラス、太陽電池の電極ガラスな
どへの適用は困難とされていた。
ず厚さがほぼ／１ｏＯＡの酸化錫膜の電気抵抗は約、２
ｔｏ （Ω／ ｓ ｑ 、 ）が限度で、低抵抗を必要
とする大面積の防曇用ガラス、太陽電池の電極ガラスな
どへの適用は困難とされていた。
本発明者らは酸化錫膜の電気抵抗に関し鋭意研究の結果
、酸化錫膜形成後すみやかに該被膜を強制急冷すること
によりその電導性を著しく向上させ得ることを見出すに
至った。
、酸化錫膜形成後すみやかに該被膜を強制急冷すること
によりその電導性を著しく向上させ得ることを見出すに
至った。
寸なわら、本発明は高温の暴利表面に熱分解により錫酸
化物になり得る錫化合物を接触させて、該基拐表面匠酸
化錫膜を形成する方法において、形成された酸化錫膜の
温度がＪ／３′Ｃ以上である時に該酸化錫膜を冷却媒体
により強制急冷することを特徴とする酸化錫膜の形成方
法であります。
化物になり得る錫化合物を接触させて、該基拐表面匠酸
化錫膜を形成する方法において、形成された酸化錫膜の
温度がＪ／３′Ｃ以上である時に該酸化錫膜を冷却媒体
により強制急冷することを特徴とする酸化錫膜の形成方
法であります。
本発明において、錫酸化物膜を被覆される基イオとして
、ガラス、セラミックス、及び金属材料が好んで用いら
れる。
、ガラス、セラミックス、及び金属材料が好んで用いら
れる。
また本発明において、熱分ＭＶｃより錫酸化物として四
塩化錫、ジメチル二塩化錫、ジブチル錫ジアセテート、
トリブチル錫ハイドライド及びジブチル錫オキザイド等
が用いられる。更にまた本発明において、冷却媒体とし
てはごく普通には空気・水・アルコール類が用いられ、
これらは通常、圧縮した空気をノズルから酸化錫膜に向
げて吹（−Ｊる方法、圧縮した空気で水・アルコール類
など液状物質を噴霧し、空気および霧状の液状物質の混
合気流と酸化錫膜を接触させる方法で用いられる。
塩化錫、ジメチル二塩化錫、ジブチル錫ジアセテート、
トリブチル錫ハイドライド及びジブチル錫オキザイド等
が用いられる。更にまた本発明において、冷却媒体とし
てはごく普通には空気・水・アルコール類が用いられ、
これらは通常、圧縮した空気をノズルから酸化錫膜に向
げて吹（−Ｊる方法、圧縮した空気で水・アルコール類
など液状物質を噴霧し、空気および霧状の液状物質の混
合気流と酸化錫膜を接触させる方法で用いられる。
冷却媒体としては、被膜を汚さなし・こと、あるいは被
膜に水分を付着しないことが要求される場合、窒素、ア
ルゴン、−酸化炭素、炭酸ガス、亜硫酸ガス、フロンガ
スなどの気体物質を用いることもテキ、また液状物質と
してはベンゼン、トルエン、キシレンなど芳香族炭化水
素または四塩化炭素なとも用いることができろ。
膜に水分を付着しないことが要求される場合、窒素、ア
ルゴン、−酸化炭素、炭酸ガス、亜硫酸ガス、フロンガ
スなどの気体物質を用いることもテキ、また液状物質と
してはベンゼン、トルエン、キシレンなど芳香族炭化水
素または四塩化炭素なとも用いることができろ。
すＩＫまた本発明において、酸化錫膜を急冷する時ｌυ
１につ（・では、酸化錫膜形成後その温度がｓｉｓ°Ｃ
以下゛になる前に実施するととが重要であり、冷〕」１
速度乙°Ｃ／、−，ｅＣ以上で急冷することが好ましい
。
１につ（・では、酸化錫膜形成後その温度がｓｉｓ°Ｃ
以下゛になる前に実施するととが重要であり、冷〕」１
速度乙°Ｃ／、−，ｅＣ以上で急冷することが好ましい
。
本発明は形成された酸化錫膜の温度が！； ／ ｊ’ｃ
以七てあろときに該酸化錫膜を冷却媒体により強制急冷
するものであり、それによって、電気電導度の人なる透
明な酸化錫膜を形成できる。その理由は酸化錫膜形成ど
き、膜中に生じる格子欠陥が、通常の冷却条件では被膜
が高温にある間に空気中の酸未などにより充足されるの
に対し、急冷の場合は格子欠陥が充足されることが少な
く、その結果膜中で欠陥数、すなわちキャリヤー密度が
高まり電導度が向にするという理由にもとづ（と思われ
る。
以七てあろときに該酸化錫膜を冷却媒体により強制急冷
するものであり、それによって、電気電導度の人なる透
明な酸化錫膜を形成できる。その理由は酸化錫膜形成ど
き、膜中に生じる格子欠陥が、通常の冷却条件では被膜
が高温にある間に空気中の酸未などにより充足されるの
に対し、急冷の場合は格子欠陥が充足されることが少な
く、その結果膜中で欠陥数、すなわちキャリヤー密度が
高まり電導度が向にするという理由にもとづ（と思われ
る。
以下に本発明の詳細な説明する。
実 施 例
メチルアルコール／容と水／ 容）混合液ニＳ ｎＣ１
４・夕Ｉ＋ ２０を３Ｓ％（重量／容置％）溶解させた
溶液ヲ、コンブレソザーエアーな噴霧媒体、！Ｉ Ｌ
スプレーガンで３７０℃のガラス表面に吹ｆＮＪげた。
４・夕Ｉ＋ ２０を３Ｓ％（重量／容置％）溶解させた
溶液ヲ、コンブレソザーエアーな噴霧媒体、！Ｉ Ｌ
スプレーガンで３７０℃のガラス表面に吹ｆＮＪげた。
この時のガラスは厚味タｍｍ、寸法／！；ｃｍ Ｘ ／
！；ｃｍ であり、形成された酸化錫膜の温度は予め
ガラス表面に無機接着剤（商品名スミセラム）でＯＡカ
ップルのホットジャンクションを接着させて℃・たもの
を用い測定した。ガラス表面への溶液の吹（＝ＪＩ １
時間はＳ秒間で一定とし、吹付は終了後から７秒後に１
０ＯｌＺ分の量の空気（圧力ｔｌＯｋｇ／Ｃｍ２）を７
０秒間酸化錫膜に向って吹付は冷却速度７°Ｃ／秒で急
冷した。同様に吹付は終了から３秒・３秒・７秒・９秒
・７７秒後に前述／ ＯＯｌ１分の空気を各々７０秒間
吹吹付急冷した酸比錫膜被覆ガラスを作成した。得られ
た酸化錫膜の膜厚お」：び′市気抵抗値を測定した結果
、被膜厚味はほぼ／／、００Ａであり、酸化錫膜形成後
から急冷開始までの時間と酸化錫膜の電気抵抗（Ω／Ｓ
（１）の関係は第１図の通りであった。一方、酸化錫膜
の温度はほぼガラス表面の温度と考えられるから、前述
ガラス表面の温度測定法に従い溶液吹付直前からガラス
冷却までの間でその温度を測定した結果第２図を得 ｌ
こ 。
！；ｃｍ であり、形成された酸化錫膜の温度は予め
ガラス表面に無機接着剤（商品名スミセラム）でＯＡカ
ップルのホットジャンクションを接着させて℃・たもの
を用い測定した。ガラス表面への溶液の吹（＝ＪＩ １
時間はＳ秒間で一定とし、吹付は終了後から７秒後に１
０ＯｌＺ分の量の空気（圧力ｔｌＯｋｇ／Ｃｍ２）を７
０秒間酸化錫膜に向って吹付は冷却速度７°Ｃ／秒で急
冷した。同様に吹付は終了から３秒・３秒・７秒・９秒
・７７秒後に前述／ ＯＯｌ１分の空気を各々７０秒間
吹吹付急冷した酸比錫膜被覆ガラスを作成した。得られ
た酸化錫膜の膜厚お」：び′市気抵抗値を測定した結果
、被膜厚味はほぼ／／、００Ａであり、酸化錫膜形成後
から急冷開始までの時間と酸化錫膜の電気抵抗（Ω／Ｓ
（１）の関係は第１図の通りであった。一方、酸化錫膜
の温度はほぼガラス表面の温度と考えられるから、前述
ガラス表面の温度測定法に従い溶液吹付直前からガラス
冷却までの間でその温度を測定した結果第２図を得 ｌ
こ 。
第１図から明らかなように、本実施例の場合酸化錫膜形
成後から６秒以内に急冷を開始すれば酸化錫膜の電気抵
抗は小さくなる。
成後から６秒以内に急冷を開始すれば酸化錫膜の電気抵
抗は小さくなる。
更に詳しくは第２図から明らかなようにガラス表面の温
度すなわち酸化錫膜の温度が！／！；’Ｃ以上である時
に、急冷を開始することで当該酸化錫膜の電導性が向に
する。
度すなわち酸化錫膜の温度が！／！；’Ｃ以上である時
に、急冷を開始することで当該酸化錫膜の電導性が向に
する。
以Ｊ二の実施例の通り本発明により得られる酸化錫膜は
従来の製造方法により得られる酸化錫膜に比べ、その電
導性は大きく向上することがわかるっ尚、本発明は単に
弗素をドーピングした酸化錫膜に限定されるものではな
く、またアンチモンインジウムなどをドーピングした酸
化錫膜にも適用できることはり・５までもなし・。
従来の製造方法により得られる酸化錫膜に比べ、その電
導性は大きく向上することがわかるっ尚、本発明は単に
弗素をドーピングした酸化錫膜に限定されるものではな
く、またアンチモンインジウムなどをドーピングした酸
化錫膜にも適用できることはり・５までもなし・。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は溶
液吹ｆり終了後強制急冷開始までの時間と被膜抵抗値と
の関係を示す図面、第２図は溶液吹何開始以降の自然放
冷時の被膜（カラス）温度の変化を示す図面である。 特許出願人 口本板硝子株式会社
液吹ｆり終了後強制急冷開始までの時間と被膜抵抗値と
の関係を示す図面、第２図は溶液吹何開始以降の自然放
冷時の被膜（カラス）温度の変化を示す図面である。 特許出願人 口本板硝子株式会社
Claims (1)
- 高ど晶の基材表面に熱分解により錫酸化物になり得て）
錫化合物を接触させて、該基材表面に酸化錫膜を形成す
る方法において、形成された酸化錫膜の温度が、５７Ｓ
″Ｃ以」二であるときに該酸化錫膜を冷ＪＪｊ媒体によ
り強制急冷することを特徴とする酸化ｔす１１４．％の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57101627A JPS58223620A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 酸化錫膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57101627A JPS58223620A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 酸化錫膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223620A true JPS58223620A (ja) | 1983-12-26 |
| JPS6157910B2 JPS6157910B2 (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14305636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57101627A Granted JPS58223620A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 酸化錫膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011513164A (ja) * | 2008-02-21 | 2011-04-28 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスドロー中の導電フィルム形成 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57101627A patent/JPS58223620A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011513164A (ja) * | 2008-02-21 | 2011-04-28 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスドロー中の導電フィルム形成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157910B2 (ja) | 1986-12-09 |
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