JPS5945926A - 基体に酸化錫膜を形成する方法 - Google Patents

基体に酸化錫膜を形成する方法

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JPS5945926A
JPS5945926A JP15640682A JP15640682A JPS5945926A JP S5945926 A JPS5945926 A JP S5945926A JP 15640682 A JP15640682 A JP 15640682A JP 15640682 A JP15640682 A JP 15640682A JP S5945926 A JPS5945926 A JP S5945926A
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JP
Japan
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tin oxide
substrate
powder
film
oxide film
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JP15640682A
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Yukihiro Katou
之啓 加藤
Hideo Kawahara
秀夫 河原
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラス、セラミック、金属等の基体表面に酸化
錫膜を形成する方法に関し、更車」箕−し羞更に詳しく
は高温のガラス、セラミック、または金属等の基体表面
に有機錫化合物の粉末を接触させることにより基体表面
に酸化錫膜を形成する方法に関する。
一般に、酸化錫膜はずくれた硬度をイJしている○とか
らビン製品・食器なとの表面のmつき1()J[1に広
く用いられている。また酸化錫膜の半導体的性質を利用
した応用例も多く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは
液晶ナルの電極板・助りガラスなど透明な電導体として
の用途に広く使用されており、酸化錫膜を有するセラミ
ックス薄板は抵抗体など電気部品としても極めて有用で
ある。更には酸化錫膜の赤外線反射特性を利用し、ガラ
スあるいは金属管J二に酸化錫膜を形成させたものが、
それぞれ太陽熱集熱器のカバーガラス、太陽熱集熱管と
して用いられ−Cいる。
酸化錫1俟をガラス・セラミックスまたは金属等の基体
表面に形成させる方法には種々あるが、11産に適した
方法と1.て古くから四I!、T化錫を有機溶媒に溶か
した溶液を高温状態にある前記の基体の表面に吹付ける
方法が用いられてきた。そして近年、四塩化錫またはジ
メチルニ塩化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温の
ガラス、セラミックスまたは金属等の基体表面に接触さ
せるいわゆるCVD法も広く採用されている。
更にこれらに代る方法として有機錫化合物の粉末を直接
高温のガラス表面に吹付けることから成る酸化錫膜の形
成方法(以下粉末法)も試みられている。
粉末法は細く粉砕した粉末状有機錫化合物を浮遊懸濁さ
せた空気またはその他の気体を高温のガラス表面と接触
させるもので、溶液スプレー法・CVD法に比べ被膜形
成速度が速く量産能力にすぐれているのが特徴である。
通常、粉末状有機錫化合物としてはジブチル錫オキサイ
ド((04H9)2SnO以下DBTOとする〕が多く
試みられ、この場合得られる酸化錫膜の電・導性を高め
るためドーパントとして弗化水素ガスが前記粉末懸濁気
流中に加えられる。
また、ドーパントとして弗化アンモニウム〔以下N H
4,Fとする〕または酸性弗化アンモニウムを用い、こ
れらの粉末と粉末状有機錫化合物の混合粉末を酸化錫膜
形成の出発物質とする方法も提案されている。しかしな
がらこのような種々の試みにもかかわらず大面積のIU
j ・’4J川ガラス・太陽′1h池の電極ガラスにお
いては史に電導性にず<’ t+た酸化錫膜が要求され
ている。
本発明者らは酸化錫膜の電気抵抗に関し鋭、Cil (
ill究の結果、ジプロピル錫ントリフルオロアセテー
ト 〔化学式 (03H7)2 Sn (CF3000
) 2) 全出発物質とすることで、得らiする酸化錫
膜の電導性か著しく高められることを見出1に至った。
すなわち、本発明は高温に加熱した捕板表面に有機錫化
合物の粉末を接触させて、熱分解酸化反応により基体に
酸化錫被膜を形成する方法において、該有機錫化合物が
ノブロビル錫ジトリフルオロアセテ−1・であることを
特徴とする基体に酸化錫被膜を形成する方法である。
本発明においてジプロピル錫ジトリフルオロアセテート
の粉末は通常、水分0.7%以下となるまで乾燥された
後、平均粒子径が3〜llQ1tmであるよう粉砕・分
級される。このようi’m L、て調整されたジプロピ
ル錫ジトリフルAロアセテー トの粉末は高速気流中に
浮遊懸濁され、次いで該粉末懸濁気流は350°C以上
、望ましくはSOO°C以上に加熱されたガラス、セラ
ミックス又は金属等の基体と接触せしめられ、該基体の
表面に酸化錫膜が形成される。
本発明は有機錫化合物にジプロピル錫ジトリフルオロア
セテートを用いることにより、基体表面に電導性の高く
、且つ赤外線反射率の犬なる酸化錫膜を形成することが
できる。
以−ド、本発明の実施例を詳述する。
実施例/ ジプロピル錫トリフルオロアセテートを含水率O,S%
になるまで熱風循環乾燥機で乾燥した後、粉砕機で粒径
範囲ざ乃至、25μm1平均粒子径/S/177+に粉
砕した。
次いでジプロピル錫トリフルオロアセテートの粉末をサ
ンドブラストガンに供給し、高圧エアーで、1t77°
C1厚さ3mm、大きさ/!; OmX 150mのガ
ラス表面に吹付けた。
この時ジプロピル錫トリフルオロアセテートの粉末の供
給量は76g7分で1秒間の吹刊けにより、膜厚、2.
200Aの酸fヒ錫膜をtrp y、−0吹付に用いた
高圧エアーは圧力q、oKg/clTI2.流量100
1/分であ−、た。?iノらiまた酸化錫膜の電気抵抗
を測定したところ比抵抗が乙X10−4ΩCmであり、
波長f Itmの赤外線反射率が76%であ1.た。
次に比較例を作るため、DBTO粉末を落水率0.4/
%となるまで熱風循環乾燥機で乾燥(、た後、粉砕機で
粉砕した。この時のD B T Off&粉末の粒子径
は3〜30μmに分布し平均粒子径は/111unであ
った。次いでこれらのDBTOfa粉末をサンドブラス
トガンに供給し、弗化水素ガスを含む高圧工γ−で3?
3;−!;gO″Cのカラス表面に吹(J’ V)た。
この時、形成酸化錫膜の電気抵抗か小なるように弗化水
素ガスの高圧エアー・\の混入1j1を(エアー中弗素
り/(DBTO中8!i!の比)すなわちF/Snが乙
、Oとなるようにした。吹4J時において、DBTO粉
末の供給計は/、797分で3秒間の吹(Jにより膜厚
、2.20OAの酸化錫膜をガラス表面に形成さ一υた
なお、この時のガラスは厚味3 m m マJ法/!;
CttI×/!;Cmであり、吹イJK用いた高圧エア
ーjJ II力I1.。
Kg/cm2 、流量1001/分てあった。得られた
比較例の酸化錫膜の電気抵抗を測定したところ比抵抗が
/×70−3Ω・Qmであり、波長ざltmの赤外線反
射率が乙9%であった。
以」;から明らかな如く、本発明により得られた酸化錫
膜は比較例に比べ著しく電導性が優れ、赤外線の反射率
が人である。
第1図 第2図 &板イfLt(t−) 第3図 8オノ乏、イfLll (+、m) 手  4イl:  袖  正  41  (l’l ’
+’t ’昭和57年(7月/g1( を寺s’r l−1J乏′i’−=’ I+役/ 小1
!1の表h、 4寺涼自昭3’7−/3;6UO1づ 一特公−11%−、、=−,,−−−・ −−号一・]
 発明の名称 基体eζζ酸化模膜形成する方θ、 3 補正をする省 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町4丁目8番地名 称 
(<10θ)[−J本板硝子株式会ネ1代表者  刺 
 賀  信  卸 グ代理人 − 図σ11の第7図、第2図及び第31閾4・削除ず乙。
「 χ?)、−r市 11 −冒こ 代わ る 1 中
 1!)昭和!;7年/ 2 JJ /6 N f’11.’l’  I j’  Iン ′白    
殿/ ”11訃の表止 特#、g’l I+、(57/ j t ’l O67
J) 発明の名称 基体に酸化錫膜を形成する方法 3 特許出歇1人 住所  大阪府大阪市東区道11釜町グ1′目ざ番地名
称(グoo)  II本板硝ト株式会社代表と   刺
  賀  信  雄 夕代理人 住所  東弓〔都電(K新橋!; ]−11/ /番3
号1記特許出願について11.1(和57年/7月30
11(発送+1)(Jで手続補市指合m (h式・)を
受け、1図面の簡単な説明10項を記載した明細書を提
111シなけh If /r ’、+イ1゛い旨指1ン
4受II 4− L 1.: ofがしなから、本’l
’l□li用MIl、l−1イー(ij 1Mf Fi
l 37 <1//月/g11付手続捕f1−シ(自発
)に1、す1j”t−1−(r6 (Jしたオ/図乃1
゛第3図(図面σ)全部)を削除致しましたので、明細
尚の1図面のl’ii弔なrtjl!1jll Iσ)
偵(ま+貿にな−)を二ものと考え:L−46従ツーC
、1111和S7年77月30I+(発送+1)fJ手
続補f1:指令rJfにJ二る指令量I↑瑣It M 
i17[’できたもσ)と考えますので、その旨[、中
致しま4、。
以  1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (」)高温に加熱した基板表面に有機錫化合物の粉末を
    接触させて、熱分解酸化反応により基体に酸化錫膜を形
    成する方法において、該有機錫化合物がジプロピル錫ジ
    トリフルオロアセテートであることを特徴とする基体に
    酸化錫膜を形成する方法。
JP15640682A 1982-09-08 1982-09-08 基体に酸化錫膜を形成する方法 Pending JPS5945926A (ja)

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ES525290A ES8507083A1 (es) 1982-09-08 1983-09-01 Metodo para el deposito de una capa de oxido de estano sobre un substrato, principalmente de vidrio
EP83401734A EP0103511A1 (fr) 1982-09-08 1983-09-01 Dépôt d'une couche d'oxyde d'étain sur un substrat

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EP0103511A1 (fr) 1984-03-21
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ES8507083A1 (es) 1985-01-16

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