JP2012230776A - 透明導電膜の成膜方法 - Google Patents
透明導電膜の成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012230776A JP2012230776A JP2011097068A JP2011097068A JP2012230776A JP 2012230776 A JP2012230776 A JP 2012230776A JP 2011097068 A JP2011097068 A JP 2011097068A JP 2011097068 A JP2011097068 A JP 2011097068A JP 2012230776 A JP2012230776 A JP 2012230776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- forming
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 23
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 173
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 12
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 metal halide compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrachloride;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
【課題】簡便なプロセスで透明導電膜を成膜することができ、該透明導電膜は、光透過率およびヘイズ率が高く、かつシート抵抗が低いという優れた性能を示す。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、透明基板7を510℃以上に加熱するステップと、該透明基板7に対し、成膜原料溶液1の液滴5を噴霧することにより、透明基板7上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、該透明導電膜を成膜するステップは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、透明基板7を510℃以上に加熱するステップと、該透明基板7に対し、成膜原料溶液1の液滴5を噴霧することにより、透明基板7上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、該透明導電膜を成膜するステップは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、透明導電膜およびその成膜方法に関し、より特定的には、薄膜太陽電池の透明基板上に設ける透明導電膜およびその成膜方法に関する。
近年、エネルギー問題や、環境問題が盛んに取り上げられており、これらの問題の解決策が様々な方面から模索されている。これらの諸問題の対策の1つとして、太陽光を利用してクリーンなエネルギーを供給し得る太陽電池が注目されており、中でも省資源で作製できる薄膜太陽電池が注目を集めている。
薄膜太陽電池は、透明基板上に透明導電膜を形成した上で、その上にさらに光電変換層などを形成することによって作製される。しかし、薄膜太陽電池は、他の電源に比して数倍以上も発電コストが高く、しかも生産コストも高いというデメリットがある。これらのデメリットを解消するために、光電変換効率を高めるとともに、製造方法を簡略化する必要がある。
製造方法を簡略化する方法として、たとえば特許文献1には、スプレー熱分解法を用いて、上記の透明導電膜を簡便に作製する方法が開示されている。特許文献1の方法によれば、ガラス基板上に下地層やバッファ層を形成することなく、透明導電膜を作製することができるため、2段階に分けて成膜する必要がなく成膜方法を簡略化することができる。
ところで、薄膜太陽電池の光電変換効率を高めるためには、上記の透明導電膜のシート抵抗を低くする一方で、光透過率およびヘイズ率を高める必要がある。具体的には、透明導電膜のシート抵抗を10Ω/□以下とし、光透過率を80%以上とし、かつヘイズ率を7〜15%とする必要がある。これらの3特性の調整を図るのは極めて難しく、たとえば透明導電膜の膜厚を厚くすると、シート抵抗を下げることはできるが、光透過率も下がってしまう。
これらの特性を満たす材料として、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウムなどを透明導電膜に用いることが検討されている。中でも、酸化スズは、低価格で化学的にも安定性が高い材料であるため、薄膜太陽電池の透明導電膜に多用されている。たとえば特許文献2には、所望の特性が得られるように配合した成膜原料溶液を高温に調整した上で、スプレー熱分解法によってフッ素ドープ酸化スズ(FTO)からなる透明導電膜を作製する方法が開示されている。
特許文献2の成膜方法では、移動噴霧機構によって透明導電膜を成膜するため、結晶配向性に関係なく結晶性が高い透明導電膜を大面積で成膜することができる。ここで、特許文献2は、結晶配向性に関係なく透明導電膜を成膜することを開示しているが、一般的に結晶配向性と透明導電膜の表面形状とは相関関係があり、たとえば非特許文献1には、結晶配向性が揃った結晶粒同士が結合して巨大化すると、その表面凹凸の影響によってヘイズが高くなることが報告されている。
K.Murakami et al.Thin Solid Films 515(2007)8632-8636
上記の特許文献2に開示される透明導電膜は、光透過率、ヘイズ率、およびシート抵抗の各特性が十分ではなく、さらなる性能の向上が求められている。その点、非特許文献1では、基板温度を高温にして結晶粒同士を結合させることにより、透明導電膜の結晶性がよくなり、光透過率を高めることができる。しかも、透明導電膜の結晶粒のサイズが大きくなるため、ヘイズ率を高めることもできる。
したがって、特許文献2の成膜方法によって成膜される透明導電膜は、光透過率およびヘイズ率が高いという点では所望の特性を満たしていた。しかし、その反面、特許文献2では、透明導電膜を成膜するときの温度が高温であることに起因して、フッ素が蒸発してしまい、透明導電膜中のキャリア密度が低下し、シート抵抗が増大してしまうという問題があった。
本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ヘイズ率および光透過率が高く、かつシート抵抗が低い透明導電膜を提供すること、および該透明導電膜を簡便に成膜する方法を提供することにある。
本発明の透明導電膜の成膜方法は、透明基板を510℃以上に加熱するステップと、該透明基板に対し、成膜原料溶液の液滴を噴霧することにより、透明基板上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、該透明導電膜を成膜するステップは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。上記の成膜原料溶液は、スズおよびフッ素の化合物を含むことが好ましい。
本発明は、上記の成膜方法によって成膜された透明導電膜に関し、該透明導電膜のX線回折パターンにおいて、(301)面の回折ピーク強度は、(301)面以外のいずれの結晶面の回析ピーク強度よりも大きいことを特徴とする。
上記の透明導電膜のX線回折パターンにおいて、(301)面の回折ピーク強度の半値幅から算出した結晶粒の平均粒子径は、(301)面以外のいずれの結晶面の回析ピーク強度の半値幅から算出した結晶粒の平均粒子径よりも大きいことが好ましい。
本発明は、上記のような構成を有することにより、簡便なプロセスで透明導電膜を成膜することができる。上記の成膜方法で成膜された透明導電膜は、光透過率およびヘイズ率が高く、かつシート抵抗が低いという優れた性能を示す。
以下、本発明の透明導電膜の成膜方法について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
<透明導電膜の成膜方法>
図1は、本発明の透明導電膜の成膜方法を用いる成膜装置の模式的な断面図である。本発明の透明導電膜の成膜方法は、典型的には図1に示される成膜装置を用いて成膜する。以下においては、図1の成膜装置を参照しつつ、本発明の透明導電膜の成膜方法を説明する。図1における成膜装置は、成膜材料を含む成膜原料溶液1と、成膜原料溶液1を搬送するための送液ポンプ2と、成膜原料溶液1を液滴5に代える液滴発生部6と、表面上に透明導電膜を成膜するための透明基板7と、透明基板7を加熱する加熱部8とを有する。上記液滴発生部6は、ノズルヘッド4にキャリアガス3が導入され、キャリアガスによって液滴5が透明基板7に噴き付けられる。
図1は、本発明の透明導電膜の成膜方法を用いる成膜装置の模式的な断面図である。本発明の透明導電膜の成膜方法は、典型的には図1に示される成膜装置を用いて成膜する。以下においては、図1の成膜装置を参照しつつ、本発明の透明導電膜の成膜方法を説明する。図1における成膜装置は、成膜材料を含む成膜原料溶液1と、成膜原料溶液1を搬送するための送液ポンプ2と、成膜原料溶液1を液滴5に代える液滴発生部6と、表面上に透明導電膜を成膜するための透明基板7と、透明基板7を加熱する加熱部8とを有する。上記液滴発生部6は、ノズルヘッド4にキャリアガス3が導入され、キャリアガスによって液滴5が透明基板7に噴き付けられる。
本発明の透明導電膜の成膜方法は、透明基板7を510℃以上に加熱するステップと、該透明基板7に対し、成膜原料溶液1の液滴5を噴霧することにより、透明基板7上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、該透明導電膜を成膜するステップは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。このような高速の成膜レートで成膜することにより、光透過率およびヘイズ率が高く、かつシート抵抗が低い透明導電膜を成膜することができる。以下において、上記各ステップを説明する。
<透明基板を加熱するステップ>
本発明の成膜方法は、透明基板7を510℃以上に加熱するステップを含むことを特徴とする。このような温度に透明基板7を加熱することにより、成膜中に透明導電膜の内部にフッ素が取り込まれても、成膜中または成膜後の冷却過程で透明導電膜の結晶性を向上させるため、光透過率を向上させることができる。
本発明の成膜方法は、透明基板7を510℃以上に加熱するステップを含むことを特徴とする。このような温度に透明基板7を加熱することにより、成膜中に透明導電膜の内部にフッ素が取り込まれても、成膜中または成膜後の冷却過程で透明導電膜の結晶性を向上させるため、光透過率を向上させることができる。
上記の透明基板7は、510℃以上に加熱することが好ましく、より好ましくは530℃以上である。透明基板7の温度が510℃未満であると、噴霧された成膜原料溶液によって温度が低下することにより透明導電膜の結晶性が低下するため好ましくない。一方、上記の透明基板7の加熱温度の上限は、700℃より低い温度であることが好ましい。透明基板の加熱温度が700℃を超えると、成膜原料溶液からなる液滴が基板の表面まで到達しにくくなり、成膜レートが低下することになるため好ましくない。このように透明基板7の温度を調整するために、加熱部8の上面に透明基板7を配置する。以下においては、透明基板7および加熱部8を説明する。
(透明基板)
本発明において、透明基板7としては、光電変換層の吸収域において透明な材料であれば、いかなるものをも用いることができ、たとえばガラス基板、樹脂材料基板等を用いることができる。特に光電変換層の吸収領域の波長において透明性を示す材料であることが好ましく、このような材料として無アルカリガラスを用いることが好ましい。
本発明において、透明基板7としては、光電変換層の吸収域において透明な材料であれば、いかなるものをも用いることができ、たとえばガラス基板、樹脂材料基板等を用いることができる。特に光電変換層の吸収領域の波長において透明性を示す材料であることが好ましく、このような材料として無アルカリガラスを用いることが好ましい。
(加熱部)
本発明において、加熱部8は、上記の透明基板を510℃以上に加熱するために設けられるものである。かかる加熱部8は、透明基板7を所定の温度まで加熱することができるものであれば、特に制限はなく用いることができる。このような加熱部8は、ホットプレートにより直接伝導伝熱で加熱する方式、内部が加熱された炉による対流伝熱で加熱する方式、赤外ランプ等を照射する放射伝熱で加熱する方式のうちのいずれの加熱方式をも用いることができる。図1においては、ホットプレートによって透明基板を直接伝導伝熱で加熱方式を示している。
本発明において、加熱部8は、上記の透明基板を510℃以上に加熱するために設けられるものである。かかる加熱部8は、透明基板7を所定の温度まで加熱することができるものであれば、特に制限はなく用いることができる。このような加熱部8は、ホットプレートにより直接伝導伝熱で加熱する方式、内部が加熱された炉による対流伝熱で加熱する方式、赤外ランプ等を照射する放射伝熱で加熱する方式のうちのいずれの加熱方式をも用いることができる。図1においては、ホットプレートによって透明基板を直接伝導伝熱で加熱方式を示している。
<透明導電膜を成膜するステップ>
上記の透明基板7に対し、成膜原料溶液1の液滴を噴霧することにより、透明基板7上に透明導電膜を成膜する。本ステップでは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。このような高速の成膜レートで透明導電膜を成膜することにより、ドーパントが再蒸発することなく透明導電膜内に取り込まれ、もって透明導電膜のシート抵抗を低減させることができる。上記の成膜速度は、12nm/sec以上であることが好ましく、より好ましくは15nm/sec以上である。一方、上記の透明基板7の成膜速度の上限は、30nm/sec以下であることが好ましく、より好ましくは20nm/sec以下である。20nm/secを超える成膜速度で透明導電膜を成膜すると、基板温度が低下すること等により結晶配向性といった膜質が劣化するという問題があるため好ましくない。
上記の透明基板7に対し、成膜原料溶液1の液滴を噴霧することにより、透明基板7上に透明導電膜を成膜する。本ステップでは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。このような高速の成膜レートで透明導電膜を成膜することにより、ドーパントが再蒸発することなく透明導電膜内に取り込まれ、もって透明導電膜のシート抵抗を低減させることができる。上記の成膜速度は、12nm/sec以上であることが好ましく、より好ましくは15nm/sec以上である。一方、上記の透明基板7の成膜速度の上限は、30nm/sec以下であることが好ましく、より好ましくは20nm/sec以下である。20nm/secを超える成膜速度で透明導電膜を成膜すると、基板温度が低下すること等により結晶配向性といった膜質が劣化するという問題があるため好ましくない。
ここで、成膜原料溶液1から液滴5を形成する方法としては、成膜原料溶液1を0.1μm以上数十μm以下の平均粒子径の液滴5にするものであれば、どのような方法を用いてもよく、たとえばスプレー方式、超音波方式等を用いることができる。図1においては、成膜原料溶液1に高圧状態のガスを印加して微細スリットノズルから微細液滴にするスプレー方式の液滴発生部6を示している。
スプレー方式は、液体およびキャリアガスの2流体を混合して、スプレーノズル先端部から液滴を噴出す2流体スプレー方式を用いることが好ましい。スプレー方式では、成膜原料溶液が透明基板の直前で液滴発生部を通して液滴となるため、スプレーノズル先端まで成膜原料溶液のままで搬送される。このとき液滴は、高圧のキャリアガスによって形成されることから、透明基板には液滴およびキャリアガスが噴き付けられる。
また、液滴の搬送方向に指向性を持たせるために、キャリアガスを用いてもよい。かかるキャリアガスとしては、圧縮空気、N2、H2、水蒸気、O2、またはこれらの1種以上の混合物を用いることができる。
このようなスプレーノズルは、成膜原料溶液の種類やキャリアガス、成膜原料溶液の噴出時の印加圧力に耐え得る材料であれば、いかなる材料をも用いることができ、たとえば金属および樹脂材料によって作製することができる。
超音波方式は、溶液ボトルに取り付けられた液滴発生部6から成膜原料溶液1に超音波を印加することによって、透明基板7から液滴を発生させるものであるが、液滴自体には運動エネルギーがないため、キャリアガスによって液滴を搬送する。かかるキャリアガスとしては、上述のスプレー方式に用いるものと同様のものを用いることができる。
超音波霧化を用いて液滴を発生させる場合、超音波振動子によって液滴を発生させることが好ましい。超音波振動子は、比較的均一な平均粒子径の液滴を噴霧することができるため、液滴同士が凝集しにくくなるという利点がある。
(送液ポンプ)
図1に示される成膜装置において、送液ポンプ2は成膜原料溶液1をノズルヘッド4に供給するだけでなく、その供給量を調整する機能を有していることが好ましい。
図1に示される成膜装置において、送液ポンプ2は成膜原料溶液1をノズルヘッド4に供給するだけでなく、その供給量を調整する機能を有していることが好ましい。
図1における成膜装置を用いて透明導電膜を成膜する場合、かかる透明導電膜は、透明基板7または液滴発生部6のいずれか一方もしくは両方を走査させることによって、透明基板7上の全面に成膜される。かかる透明導電膜は、図1に示されるように、1つの液滴発生部6によって成膜されてもよいし、2以上の液滴発生部6によって成膜されるものであってもよい。2以上の液滴発生部を透明基板の上面の全面に配列して液滴噴霧する場合、必ずしも透明基板7および液滴発生部6のいずれも走査しなくてもよい。
(成膜原料溶液)
本発明で用いられる成膜原料溶液1は、亜鉛、スズ、インジウム、カドミウム、ストロンチウム等の無機材料の有機金属または金属ハロゲン系化合物からなる成膜材料を1種または2種以上溶媒に溶解させたものである。かかる成膜原料溶液1は、上記有機金属または金属ハロゲン系化合物を、0.1〜3mol/Lの濃度で溶解させることが一般的であるが、この濃度に限定されるものではない。上記の成膜原料溶液1としては、スズおよびフッ素の化合物を含むことが好ましく、スズを含む有機金属化合物を含み、かつドーパント剤としてフッ素の化合物を含むものを用いることがより好ましい。ここで、成膜原料溶液に含まれるフッ素の化合物としては、フッ化水素、フッ化アンモニウム等を挙げることができる。また、成膜原料溶液に含まれるスズとしては、四塩化スズ、二塩化スズ、ジブチルスズジアセテート、テトラブチルスズを挙げることができる。
本発明で用いられる成膜原料溶液1は、亜鉛、スズ、インジウム、カドミウム、ストロンチウム等の無機材料の有機金属または金属ハロゲン系化合物からなる成膜材料を1種または2種以上溶媒に溶解させたものである。かかる成膜原料溶液1は、上記有機金属または金属ハロゲン系化合物を、0.1〜3mol/Lの濃度で溶解させることが一般的であるが、この濃度に限定されるものではない。上記の成膜原料溶液1としては、スズおよびフッ素の化合物を含むことが好ましく、スズを含む有機金属化合物を含み、かつドーパント剤としてフッ素の化合物を含むものを用いることがより好ましい。ここで、成膜原料溶液に含まれるフッ素の化合物としては、フッ化水素、フッ化アンモニウム等を挙げることができる。また、成膜原料溶液に含まれるスズとしては、四塩化スズ、二塩化スズ、ジブチルスズジアセテート、テトラブチルスズを挙げることができる。
また、成膜原料溶液に用いられる溶媒は、水、有機溶剤、またはこれらの混合液を用いることができる。ここでの有機溶剤としては、たとえばメタノール、エタノール、アセトン、イソプロピルアルコール等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
さらに、成膜原料溶液は、上記の溶媒および成膜材料に加え、さらに添加物を含んでいてもよい。このような添加物としては、ドーパント剤、界面活性剤、pH調整剤等を挙げることができるが、これらの添加剤の2種以上を混合して用いることが好ましい。
ここで、ドーパント剤としては、Mg、Ga、Al、Te、Ag、Ge、Cu、Sr、B、Sb、F、As等を含む材料を挙げることができ、界面活性剤としては、低級有機化合物等を挙げることができる。pH調整剤としては、硝酸、酢酸、硫酸、フッ酸、過酸化水素、酪酸、塩酸、アンモニア等を挙げることができる。
(透明導電膜)
上記の成膜方法によって成膜された透明導電膜の膜厚は、シート抵抗、ヘイズ率、透過率の仕様を満たすために、600nm以上1200nm以下の範囲となる。
上記の成膜方法によって成膜された透明導電膜の膜厚は、シート抵抗、ヘイズ率、透過率の仕様を満たすために、600nm以上1200nm以下の範囲となる。
このような透明導電膜のX線回折パターンにおいて、(301)面の回折ピーク強度は、(301)面以外のいずれの結晶面の回析ピーク強度よりも大きいことを特徴とする。(301)面からのピークが大きいということは、フッ素を十分に取り込んだ結晶粒でも結晶性が高いことを示唆しており、低抵抗化と光透過率およびヘイズ率の仕様を満たす透明導電膜となる。
さらに、上記の透明導電膜のX線回折パターンにおいて、(301)面の回折ピーク強度の半値幅から算出した結晶粒の平均粒子径は、(301)面以外のいずれの結晶面の回析ピーク強度の半値幅から算出した結晶粒の平均粒子径よりも大きいことが好ましい。このことは、フッ素を十分に取り込んだ結晶粒が支配的に成長していることを示唆しており、より低抵抗で光透過率およびヘイズ率の仕様を満たす透明導電膜になっていることを意味する。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
本実施例では、まず、成膜原料溶液1として、水200mLに対し、塩化スズ・5水和物の濃度を0.9mol/Lとし、フッ化アンモニウムの濃度を0.9mol/Lとなるように溶解させた。さらにpH調整剤として35%塩酸を20mL混合した。一方、加熱部8としてはホットプレートを用い、該ホットプレート上に、ガラス基板からなる透明基板7をセットした。そして、ホットプレートの温度を590℃に設定し、ガラス基板を加熱し、透明基板7の表面温度を513℃とした。なお、透明基板7の表面温度は、K熱電対によって測定した。
本実施例では、まず、成膜原料溶液1として、水200mLに対し、塩化スズ・5水和物の濃度を0.9mol/Lとし、フッ化アンモニウムの濃度を0.9mol/Lとなるように溶解させた。さらにpH調整剤として35%塩酸を20mL混合した。一方、加熱部8としてはホットプレートを用い、該ホットプレート上に、ガラス基板からなる透明基板7をセットした。そして、ホットプレートの温度を590℃に設定し、ガラス基板を加熱し、透明基板7の表面温度を513℃とした。なお、透明基板7の表面温度は、K熱電対によって測定した。
上記の成膜原料溶液1を送液ポンプ2によってノズルヘッド4に送り出し、高圧気体で圧縮して液滴化するスプレー方式によって液滴を発生させた。ノズルヘッド4からガラス基板に液滴を到着させるために、200L/分の流量の圧縮空気スプレーを噴出し方向に流した。そして、ガラス基板およびノズルヘッド4を固定したままで、搬送ステージを3mm/秒の速度で搬送させた。その後、ノズルヘッド4から透明基板7に向けて、ガラス基板に12mL/分の流量で成膜原料溶液の液滴を75秒間吹きつけることにより、ガラス基板上にSnO2からなる透明導電膜を成膜した。なお、このときにガラス基板上に透明導電膜が成膜されている時間は60秒であった。
(実施例2、比較例2)
実施例1に対し、下記の表1に示すように、成膜原料溶液の供給速度を変更して成膜速度を代えたことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって実施例2および比較例2の透明導電膜を成膜した。
実施例1に対し、下記の表1に示すように、成膜原料溶液の供給速度を変更して成膜速度を代えたことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって実施例2および比較例2の透明導電膜を成膜した。
(実施例3、比較例1)
実施例1に対し、下記の表1に示すように、成膜原料溶液の供給速度および成膜速度を代えるとともに、成膜時のステージを静止させて60秒間成膜した。これらのことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって実施例3および比較例1の透明導電膜を成膜した。
実施例1に対し、下記の表1に示すように、成膜原料溶液の供給速度および成膜速度を代えるとともに、成膜時のステージを静止させて60秒間成膜した。これらのことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって実施例3および比較例1の透明導電膜を成膜した。
(実施例4)
実施例3に対し、下記の表1に示すように、基板温度、成膜原料溶液の供給速度および成膜速度を代えて60秒間成膜した。これらのことが異なる他は、実施例3と同様の方法によって実施例4の透明導電膜を成膜した。
実施例3に対し、下記の表1に示すように、基板温度、成膜原料溶液の供給速度および成膜速度を代えて60秒間成膜した。これらのことが異なる他は、実施例3と同様の方法によって実施例4の透明導電膜を成膜した。
(比較例3)
実施例1に対し、下記の表1に示すように、成膜時の透明基板の温度を代えたことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって比較例3の透明導電膜を成膜した。
実施例1に対し、下記の表1に示すように、成膜時の透明基板の温度を代えたことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって比較例3の透明導電膜を成膜した。
(比較例4)
実施例3に対し、下記の表1に示すように、成膜時の透明基板の温度を代えたことが異なる他は、実施例3と同様の方法によって比較例4の透明導電膜を成膜した。
実施例3に対し、下記の表1に示すように、成膜時の透明基板の温度を代えたことが異なる他は、実施例3と同様の方法によって比較例4の透明導電膜を成膜した。
<評価結果>
各実施例および各比較例で作製した透明導電膜の膜厚を触針式表面形状測定器(製品名:DEKTAK(株式会社アルバック製))によって測定したところ、下記の表1に示される結果となった。ここで測定した膜厚を成膜時間で除することにより、成膜速度を算出した。また、透明導電膜のシート抵抗(Ω/□)を低抵抗率計(製品名:ロレスターGP(三菱化学アナリテック株式会社製))によって測定した。さらに、各実施例および各比較例で作製した透明導電膜のヘイズ率(%)および透過率(%)を分光ヘイズメーター(製品名:TC−1800H(有限会社東京電色製))によって測定した。これらの測定結果を以下の表1に示す。
各実施例および各比較例で作製した透明導電膜の膜厚を触針式表面形状測定器(製品名:DEKTAK(株式会社アルバック製))によって測定したところ、下記の表1に示される結果となった。ここで測定した膜厚を成膜時間で除することにより、成膜速度を算出した。また、透明導電膜のシート抵抗(Ω/□)を低抵抗率計(製品名:ロレスターGP(三菱化学アナリテック株式会社製))によって測定した。さらに、各実施例および各比較例で作製した透明導電膜のヘイズ率(%)および透過率(%)を分光ヘイズメーター(製品名:TC−1800H(有限会社東京電色製))によって測定した。これらの測定結果を以下の表1に示す。
さらに、各実施例および比較例の透明導電膜に対し、Cu−Kα(λ=0.154nm)を線源に用いてX線回折による結晶構造解析をθ−2θ法にて行なった。そのX線回折プロファイルを図2に示す。図2は、各実施例および比較例の透明導電膜の結晶構造解析を行なったときのX線回折プロファイルである。図2に示されるX線回折プロファイルに基づいて、各ピークの位置(2θB)、強度およびその強度の半値幅(FWHM)、ならびに結晶粒のサイズtを算出した。その結果を表2に示す。
なお、結晶粒のサイズtは、膜厚方向の結晶サイズを意味するものであり、以下のScherrerの式(1)に基づいて算出した。
t=0.9λ/BcosθB ・・・(1)
なお、上記式(1)中の各記号はそれぞれ、t:結晶サイズ(nm)、λ:線源波長(nm)、B:半値幅(ラジアン)、θB:ピーク位置2θB×1/2(deg)を示す。
なお、上記式(1)中の各記号はそれぞれ、t:結晶サイズ(nm)、λ:線源波長(nm)、B:半値幅(ラジアン)、θB:ピーク位置2θB×1/2(deg)を示す。
<考察>
図2に示されるX線回析プロファイルから明らかなように、各実施例の透明導電膜は、(301)面が優先配向面となっている。一方、比較例の透明導電膜は(200)面が優先配向面となっている。また、表2に示される結果から明らかなように、各実施例の透明導電膜は、(301)面配向した結晶が最大の結晶粒径となっているのに対し、比較例1においては(200)面配向した結晶が膜中で最大の結晶粒径となっている。
図2に示されるX線回析プロファイルから明らかなように、各実施例の透明導電膜は、(301)面が優先配向面となっている。一方、比較例の透明導電膜は(200)面が優先配向面となっている。また、表2に示される結果から明らかなように、各実施例の透明導電膜は、(301)面配向した結晶が最大の結晶粒径となっているのに対し、比較例1においては(200)面配向した結晶が膜中で最大の結晶粒径となっている。
表1に示される結果から明らかなように、実施例1〜3の透明導電膜は、ヘイズ率および透過率が高く、かつシート抵抗が低いという性質を示す。これに対し、比較例1の透明導電膜は、透過率は高いが、ヘイズ率が低く、またシート抵抗が高いという性質を示す。
以上の結果から、12nm/s以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することにより、ヘイズ率および透過率が高く、かつシート抵抗が低い透明導電膜を成膜することができることが明らかとなった。この理由は、高速の成膜速度で成膜することによってフッ素の再蒸発を抑制し、(301)面に配向した透明導電膜を優先して形成したことによるものと考えられる。
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の成膜方法によって成膜される透明導電膜は、バッファ層および下地層を成膜しなくても、光透過率およびヘイズ率が高く、かつシート抵抗が低い透明導電膜を成膜することができる。このため、本発明の透明導電膜は、薄膜太陽電池、特に薄膜シリコン太陽電池用の透明電極として好適に使用することができる。
1 成膜原料溶液、2 送液ポンプ、3 キャリアガス、4 ノズルヘッド、5 液滴、6 液滴発生部、7 透明基板、8 加熱部。
本発明の透明導電膜の成膜方法は、透明基板を510℃以上に加熱するステップと、該透明基板に対し、成膜原料溶液の液滴を噴霧することにより、透明基板上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、該透明導電膜を成膜するステップは、15nm/sec以上30nm/sec以下の成膜速度で透明導電膜を成膜し、成膜原料溶液は、スズおよびフッ素の化合物を含むことを特徴とする。
Claims (4)
- 透明基板を510℃以上に加熱するステップと、
前記透明基板に対し、成膜原料溶液の液滴を噴霧することにより、前記透明基板上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、
前記透明導電膜を成膜するステップは、12nm/sec以上の成膜速度で透明導電膜を成膜する、透明導電膜の成膜方法。 - 前記成膜原料溶液は、スズおよびフッ素の化合物を含む、請求項1に記載の透明導電膜の成膜方法。
- 請求項1または2に記載の成膜方法によって成膜された透明導電膜であって、
前記透明導電膜のX線回折パターンにおいて、(301)面の回折ピーク強度は、(301)面以外のいずれの結晶面の回析ピーク強度よりも大きい、透明導電膜。 - 前記透明導電膜のX線回折パターンにおいて、(301)面の回折ピーク強度の半値幅から算出した結晶粒の平均粒子径は、(301)面以外のいずれの結晶面の回析ピーク強度の半値幅から算出した結晶粒の平均粒子径よりも大きい、請求項3に記載の透明導電膜。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011097068A JP5073843B1 (ja) | 2011-04-25 | 2011-04-25 | 透明導電膜の成膜方法 |
PCT/JP2011/069550 WO2012147219A1 (ja) | 2011-04-25 | 2011-08-30 | 透明導電膜およびその成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011097068A JP5073843B1 (ja) | 2011-04-25 | 2011-04-25 | 透明導電膜の成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5073843B1 JP5073843B1 (ja) | 2012-11-14 |
JP2012230776A true JP2012230776A (ja) | 2012-11-22 |
Family
ID=47071758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011097068A Expired - Fee Related JP5073843B1 (ja) | 2011-04-25 | 2011-04-25 | 透明導電膜の成膜方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5073843B1 (ja) |
WO (1) | WO2012147219A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020195975A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7031564B2 (ja) * | 2018-11-14 | 2022-03-08 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池用セパレータの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5945926A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
JP2000044238A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-15 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池 |
JP2002146536A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Japan Science & Technology Corp | 酸化スズ薄膜の低温形成方法 |
JP2007290958A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
-
2011
- 2011-04-25 JP JP2011097068A patent/JP5073843B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-30 WO PCT/JP2011/069550 patent/WO2012147219A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5945926A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
JP2000044238A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-15 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池 |
JP2002146536A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Japan Science & Technology Corp | 酸化スズ薄膜の低温形成方法 |
JP2007290958A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6011062998; SOLIMAN M.: '"Effect of fluorine doping and spraying technique on the properties of tin oxide films"' Renewable Energy Vol. 23, 2001, p.463-470, Elsevier * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020195975A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜方法 |
JP7280751B2 (ja) | 2019-06-05 | 2023-05-24 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012147219A1 (ja) | 2012-11-01 |
JP5073843B1 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Oke et al. | Atomic layer deposition and other thin film deposition techniques: from principles to film properties | |
CA2649200C (en) | Method of preparing zinc oxide nanorods on a substrate by chemical spray pyrolysis | |
US9236157B2 (en) | Transparent electrically conducting oxides | |
CN102646759B (zh) | 一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 | |
US8932495B1 (en) | Transparent conductor materials and processes for forming such materials | |
JP2013509352A (ja) | 導電性金属酸化物膜および光起電装置 | |
Kumari et al. | Optical and structural properties of ZnO thin films prepared by spray pyrolysis for enhanced efficiency perovskite solar cell application | |
US8703526B2 (en) | Fabrication method for quantum dot sensitized solar cell using supercritical fluid or subcritical fluid and quantum dot sensitized solar cell prepared thereby | |
US20140044977A1 (en) | Method for coating substrates | |
JP2008078113A (ja) | 透明導電性基板の製造装置 | |
JP6269990B2 (ja) | 積層体およびそれの製造方法 | |
CN1864235A (zh) | 带有透明导电膜的透明基体及其制造方法、以及含有该基体的光电转换元件 | |
JP5073843B1 (ja) | 透明導電膜の成膜方法 | |
JP6295957B2 (ja) | 導電性薄膜付きガラス基板の製造方法 | |
KR20110025385A (ko) | 불소가 도핑된 저저항 고투과율의 산화주석 박막 및 그 제조방법 | |
Gaikwad et al. | Nanocrystalline ZnO films deposited by spray pyrolysis: Effect of gas flow rate | |
Messaoudi et al. | SnS THIN FILMS DEPOSITION BY SPRAY PYROLYSIS: SOLVENT INFLUENCE. | |
Ganesh et al. | Spray pyrolysis deposited aluminium-indium zinc oxide thin films and study of their electrical and photoluminescence properties | |
Seo et al. | Low-temperature growth of highly conductive and transparent aluminum-doped ZnO film by ultrasonic-mist deposition | |
KR101135792B1 (ko) | 이중막 구조의 fto제조방법 | |
Battal et al. | Effect of substrate temperature on some properties doubly doped tin oxide thin films deposited by using spray pyrolysis | |
Kim | Parametric dependence of CsPbI2Br perovskite film growth using a mist chemical vapor deposition method | |
JP2005116391A (ja) | 透明電極用基板の製造装置 | |
JP2013131318A (ja) | 薄膜の製造方法および製造装置 | |
Devasia et al. | Effect of source-substrate distance on the transparent electrode properties of spray pyrolysed aluminium doped zinc oxide thin films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |