JPS59136477A - 基体に酸化錫膜を形成する方法 - Google Patents
基体に酸化錫膜を形成する方法Info
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- JPS59136477A JPS59136477A JP23037682A JP23037682A JPS59136477A JP S59136477 A JPS59136477 A JP S59136477A JP 23037682 A JP23037682 A JP 23037682A JP 23037682 A JP23037682 A JP 23037682A JP S59136477 A JPS59136477 A JP S59136477A
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス、セラミック、金属等の基体表面に酸化
錫膜を形成する方法に関し、特に高湿のガラス板に有機
錫化合物の蒸気を接触させることによりガラス板表面に
酸化錫膜を形成する方法に関する。
錫膜を形成する方法に関し、特に高湿のガラス板に有機
錫化合物の蒸気を接触させることによりガラス板表面に
酸化錫膜を形成する方法に関する。
一般に酸化錫膜はすぐれた硬度を有していることからビ
ン製品９食器などの表面の傷つき防止に広く用いられて
いる。また酸化錫膜の半導体的性質を利用した応用例も
多く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セルの電
極板、防母ガラスなど透明な電導体としての用途に広く
使用されており、更にはそのすぐれた赤外線反射特性か
ら太陽熱集熱器のカバーガラスとしても極めて有用であ
るＯ 酸化錫膜をガラス表面等に付着させる方法としては種々
あるが、量産に適した方法として古くから四塩化錫を有
機溶媒に溶かした溶液を高温のガラス表面等に吹伺ける
方法が用いられてきた。
ン製品９食器などの表面の傷つき防止に広く用いられて
いる。また酸化錫膜の半導体的性質を利用した応用例も
多く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セルの電
極板、防母ガラスなど透明な電導体としての用途に広く
使用されており、更にはそのすぐれた赤外線反射特性か
ら太陽熱集熱器のカバーガラスとしても極めて有用であ
るＯ 酸化錫膜をガラス表面等に付着させる方法としては種々
あるが、量産に適した方法として古くから四塩化錫を有
機溶媒に溶かした溶液を高温のガラス表面等に吹伺ける
方法が用いられてきた。
そして近年、四塩化錫またはジメチルニ塩化錫を加熱蒸
発させて得られる蒸気を高温のガラス表面等に接触させ
る、いろゆるＣＶＤ法も広く採用されている。しかしな
がら、これらの方法で形成される酸化錫膜は一般にヘイ
ズと呼ばれる曇りを有するものが多く、特に被膜厚味を
厚くした場合ヘイズか悪化し著しく美観を損うのが最大
の難点であった。このため錫化合物を含む溶液または錫
化合物蒸気を高温のガラスに吹付る際のノス諏し構造。
発させて得られる蒸気を高温のガラス表面等に接触させ
る、いろゆるＣＶＤ法も広く採用されている。しかしな
がら、これらの方法で形成される酸化錫膜は一般にヘイ
ズと呼ばれる曇りを有するものが多く、特に被膜厚味を
厚くした場合ヘイズか悪化し著しく美観を損うのが最大
の難点であった。このため錫化合物を含む溶液または錫
化合物蒸気を高温のガラスに吹付る際のノス諏し構造。
吹付圧、あるいは錫化合物の熱分解後に生しる排ガスの
吸引方法などに種々の改良が提案されている。
吸引方法などに種々の改良が提案されている。
近年、酸化錫膜のヘイズを軽減する方法としてソ（７）
分子中に塩素原子を含まないジブチル錫ジアセテー”
（（０４Ｈ９）２１Ｅｎ（ＣＨ３ＣｉＯＯ）２）ヲ用
イタＣＶＤ法によりガラス表面にヘイズのがなり少ない
酸化錫膜を形成できるようになった。
分子中に塩素原子を含まないジブチル錫ジアセテー”
（（０４Ｈ９）２１Ｅｎ（ＣＨ３ＣｉＯＯ）２）ヲ用
イタＣＶＤ法によりガラス表面にヘイズのがなり少ない
酸化錫膜を形成できるようになった。
しかしながらジブチル錫ジアセテートを用いたＣＶＤ法
では四塩化錫、またはジメチルニ塩化錫を用いたものに
比べて成膜速度が著しく劣る他、ジブチル錫ジアセテー
トが加熱中に化学的に変化して蒸気発生量が急激に減少
し、酸化錫膜を形成しなくなるという欠陥を有していた
。
では四塩化錫、またはジメチルニ塩化錫を用いたものに
比べて成膜速度が著しく劣る他、ジブチル錫ジアセテー
トが加熱中に化学的に変化して蒸気発生量が急激に減少
し、酸化錫膜を形成しなくなるという欠陥を有していた
。
本発明者らは、かかるＣＶＤ法による酸化錫膜の形成に
おける出発原料錫化合物の問題点に関し鋭意研究の結果
、加熱によっても変質を起さず、酸化錫膜の形成速度も
早く、かつヘイズにすぐれた酸化錫膜形成が可能な出発
原料錫化合物を見出すに至った。すなわち、本発明は高
温に加熱した基体表面に錫化合物の粉末を接触させて熱
分解酸化反応により基体に酸化錫膜を形成する方法にお
いて、該錫化合物がモノブチル錫トリクロライドである
ことを特徴とする基体に酸化錫膜を形成する方法である
。
おける出発原料錫化合物の問題点に関し鋭意研究の結果
、加熱によっても変質を起さず、酸化錫膜の形成速度も
早く、かつヘイズにすぐれた酸化錫膜形成が可能な出発
原料錫化合物を見出すに至った。すなわち、本発明は高
温に加熱した基体表面に錫化合物の粉末を接触させて熱
分解酸化反応により基体に酸化錫膜を形成する方法にお
いて、該錫化合物がモノブチル錫トリクロライドである
ことを特徴とする基体に酸化錫膜を形成する方法である
。
本発明は常温で安定な液体であり、加熱によって殆んと
変質しないモノブチル錫トリクロライドを用いることに
よって、再現性がよく、所定厚みの酸化錫膜を基体表面
に形成することができる。
変質しないモノブチル錫トリクロライドを用いることに
よって、再現性がよく、所定厚みの酸化錫膜を基体表面
に形成することができる。
また本発明は酸化錫膜形成用原料として用いられてきた
四塩化錫・ジメチルニ塩化錫に比べ、極めてヘイズの少
ない酸化錫膜を基体表面に形成することかできる。
四塩化錫・ジメチルニ塩化錫に比べ、極めてヘイズの少
ない酸化錫膜を基体表面に形成することかできる。
更にまた本発明は酸化錫膜形成用原料として試みられて
いるジブチル錫ジアセテートと比較して、基体表面に極
めて早い速度で酸化錫膜を形成することができる。
いるジブチル錫ジアセテートと比較して、基体表面に極
めて早い速度で酸化錫膜を形成することができる。
以下に本発明の詳細な説明する。
実施例／
第７図において／は酸化錫膜形成用の錫化合物の蒸気を
発生するための蒸発器であり、この蒸発器／にコンブレ
ソサコで発生し、減圧弁３で所定圧力に保持されたキャ
リアガスを送り、蒸発器／内の錫化合物の蒸気を混合機
ゲに送る。しがる後に混合機ｌ内の混合された錫化合物
の蒸気を配管終端に設けたスリット状噴出口１０がら噴
出し、移送用口ｉルにより移送される！；７タ°ｃの高
温のガラス表面に吹き付けて酸化錫膜を形成する。
発生するための蒸発器であり、この蒸発器／にコンブレ
ソサコで発生し、減圧弁３で所定圧力に保持されたキャ
リアガスを送り、蒸発器／内の錫化合物の蒸気を混合機
ゲに送る。しがる後に混合機ｌ内の混合された錫化合物
の蒸気を配管終端に設けたスリット状噴出口１０がら噴
出し、移送用口ｉルにより移送される！；７タ°ｃの高
温のガラス表面に吹き付けて酸化錫膜を形成する。
錫化合物としてモノブチル錫トリクロライド（ＣＪｆ９
ＳｎＣ４３）を用い、蒸発器／に入れた後、／！；。
ＳｎＣ４３）を用い、蒸発器／に入れた後、／！；。
°Ｃに加熱することによりその蒸気を発生させ、キャリ
ヤガスの窯素ガスを用いて錫化合物蒸気を配管の終端に
送る。
ヤガスの窯素ガスを用いて錫化合物蒸気を配管の終端に
送る。
この時のキャリアガスの圧力は／ Ｋｇ／Ｃｍ２ であ
り流量は！；０７３／分であった。ガラスは厚味３ｍｍ
。
り流量は！；０７３／分であった。ガラスは厚味３ｍｍ
。
寸法／、！；Ｏｍｍ（幅） ×ｔｘｏｏｍｍ （長さ）
で、移送用ロールニより７ｍ／分の速度で走行させた。
で、移送用ロールニより７ｍ／分の速度で走行させた。
かかる条件のもとに各錫化合物毎に７０分間隔てノ時間
にわたって成膜し、得られた酸化錫膜の膜厚をタリサー
フで測定した。その結果は第２図○印で示す。
にわたって成膜し、得られた酸化錫膜の膜厚をタリサー
フで測定した。その結果は第２図○印で示す。
次に錫化合物として四塩化錫（ＳｎｃｌＪ 、及びジブ
チル錫ジアセテート（（Ｃ４Ｈ９） ２ Ｓｎ （ＣＨ
３ＣＯＯ） ２ ）夫々を用いて実施例／と同様にして
比較サンプルを製作した。得られた夫々の比較サンプル
の酸化錫膜の膜厚をタリサーフで測定し、その結果を四
塩化錫を用いたものは◇で、ジブチル錫ジアセテートを
用いたものは△て第２図に示した。以上の結果より、四
塩化錫を用いたものは成膜速度が早いかへイス率が大て
あり、ジブチル錫ジアセテ−１・を用いたものはへイス
率は小であったが成膜速度か小さく、シかも成膜速度は
経時的に減少する。
チル錫ジアセテート（（Ｃ４Ｈ９） ２ Ｓｎ （ＣＨ
３ＣＯＯ） ２ ）夫々を用いて実施例／と同様にして
比較サンプルを製作した。得られた夫々の比較サンプル
の酸化錫膜の膜厚をタリサーフで測定し、その結果を四
塩化錫を用いたものは◇で、ジブチル錫ジアセテートを
用いたものは△て第２図に示した。以上の結果より、四
塩化錫を用いたものは成膜速度が早いかへイス率が大て
あり、ジブチル錫ジアセテ−１・を用いたものはへイス
率は小であったが成膜速度か小さく、シかも成膜速度は
経時的に減少する。
ところが本発明によるモノブチル錫トリクロライドを用
いたものは成膜速度は四塩化錫を用いたものに匹敵する
ほど早く、シかもへイス率は小であった。
いたものは成膜速度は四塩化錫を用いたものに匹敵する
ほど早く、シかもへイス率は小であった。
実施例２
キャリアガス量を２０乃至／３０１／分にわたって変更
した以外は実施例／と同様にしてガラス表面に酸化錫膜
を形成した。
した以外は実施例／と同様にしてガラス表面に酸化錫膜
を形成した。
次に錫化合物として四塩化錫（ＳｎＣ１４〕及びジメチ
ルジ塩化錫Ｃ（ＣＨ３） ２ｓｎＧＩＪｚ ）を用イテ
実施例２と同様にして比較サンプルを製作した。得られ
た酪化錫膜のヘイズ率を光温度計（日本電色株式会社製
モデルＮＤＬ−，２０Ｈ）で測定し、しかる後その膜厚
をタリサーフで測定した。その測定結果をモノブチル錫
トリクロライド、四塩化錫及びジメヂルジ塩化錫を用い
たものを○、◇、及び△で第３図に示した。
ルジ塩化錫Ｃ（ＣＨ３） ２ｓｎＧＩＪｚ ）を用イテ
実施例２と同様にして比較サンプルを製作した。得られ
た酪化錫膜のヘイズ率を光温度計（日本電色株式会社製
モデルＮＤＬ−，２０Ｈ）で測定し、しかる後その膜厚
をタリサーフで測定した。その測定結果をモノブチル錫
トリクロライド、四塩化錫及びジメヂルジ塩化錫を用い
たものを○、◇、及び△で第３図に示した。
第３図から本発明のモノブチル錫トリクロライドを用い
たも、のはヘイズ率の優れていることが理１ｗできる。
たも、のはヘイズ率の優れていることが理１ｗできる。
実施例３
実施例／で用いた装置にドーピング用のフロンガス供給
器を第７図の如く設け、７ノ素をドーピングした酸化錫
膜の形成を試みた。フロンカスｃｃ７２Ｆ２は２・７図
に示すボンベ汐から出て減圧弁３を経た後、流量計７を
通し、加熱配管乙とバルブざを介して混合機ｌに送られ
る。 弘酸化錫膜の形成はボンベＳよりフ
ロンガスを発生させ、１０１／分を混合機ｌに送った外
は実施例−と全く同様コンプレッサ２からのキャリアガ
ス量を、２０乃至／！；０１７分にわたって変更し、ガ
ラス表面にフッ素のドープされた酸化錫膜を形成した。
器を第７図の如く設け、７ノ素をドーピングした酸化錫
膜の形成を試みた。フロンカスｃｃ７２Ｆ２は２・７図
に示すボンベ汐から出て減圧弁３を経た後、流量計７を
通し、加熱配管乙とバルブざを介して混合機ｌに送られ
る。 弘酸化錫膜の形成はボンベＳよりフ
ロンガスを発生させ、１０１／分を混合機ｌに送った外
は実施例−と全く同様コンプレッサ２からのキャリアガ
ス量を、２０乃至／！；０１７分にわたって変更し、ガ
ラス表面にフッ素のドープされた酸化錫膜を形成した。
次に錫化合物としてジメチルニ塩化Ｒ（（ＣＨ３）、ｚ
ｓｎ０７２） 。
ｓｎ０７２） 。
及びジブチル錫ジアセテート〔（Ｃ４Ｈ９）２Ｓｎ（Ｃ
Ｈ３ＣＣＯ）２〕を用いて実施例３と同様にして比較サ
ンプルを製作した。
Ｈ３ＣＣＯ）２〕を用いて実施例３と同様にして比較サ
ンプルを製作した。
このようにして得られた酸化錫膜の電気抵抗（Ω／１１
：］）を測定し、しかる後に膜厚をタリづ−フで測定し
た。その測定結果をモノブチル錫トリクロライド。
：］）を測定し、しかる後に膜厚をタリづ−フで測定し
た。その測定結果をモノブチル錫トリクロライド。
ジメチル二塩化錫及びジブル錫シアセテ−１・を用いた
ものを夫々○、◇、及び△でオダ図に示した。
ものを夫々○、◇、及び△でオダ図に示した。
第４図より本発明により得られた酸化錫膜は優れた電気
的特性を有していることがわかる。
的特性を有していることがわかる。
以上、本発明は実施例／、２．及び３より被膜の形成速
度が早く、ヘイズ率が低く、且つ電気抵抗の小さな酸化
錫膜を形成できることが理解できる。
度が早く、ヘイズ率が低く、且つ電気抵抗の小さな酸化
錫膜を形成できることが理解できる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第７図は本
発明を実施する装置の概略図、第２図は経時的な形成錫
膜の膜厚変化を示すグラフ（含比ｌ咬ツンブル）第３図
は酸化錫膜の膜厚に対するヘイズ率を示すグラフ（含比
較サンプル）オゲ図は酸化錫膜の膜厚に対する電気抵抗
（Ω／口）を示すグラフを示すグラフ（含比較サンプル
）である。 ／：蒸発器２．２°コンプレツサ、 ３，３／：減圧弁
。 グ、混合機、Ｓ：ボンベ、乙：配管。 ７：流量語、ざ、バルブ 第１因 第２図 ８′！ｉ＋旬 （分） 手 続 補 正 書 （自発） ６ 昭和３９幅９月２７ 特許庁長官殿 ／、事件の表示 特願昭！； ７−２３０３７乙号 １ ロ −２ 発明の
名称 基体に酸化錫膜を形成する方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ａｏｏ） Ｂ本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信
雄 グ代理人 補正の内容 （１）明細書第２頁第７２行目の「いろゆる」を［いわ
ゆる」に補正する。 （２）第１図を別紙の通り補正する。 以 上
発明を実施する装置の概略図、第２図は経時的な形成錫
膜の膜厚変化を示すグラフ（含比ｌ咬ツンブル）第３図
は酸化錫膜の膜厚に対するヘイズ率を示すグラフ（含比
較サンプル）オゲ図は酸化錫膜の膜厚に対する電気抵抗
（Ω／口）を示すグラフを示すグラフ（含比較サンプル
）である。 ／：蒸発器２．２°コンプレツサ、 ３，３／：減圧弁
。 グ、混合機、Ｓ：ボンベ、乙：配管。 ７：流量語、ざ、バルブ 第１因 第２図 ８′！ｉ＋旬 （分） 手 続 補 正 書 （自発） ６ 昭和３９幅９月２７ 特許庁長官殿 ／、事件の表示 特願昭！； ７−２３０３７乙号 １ ロ −２ 発明の
名称 基体に酸化錫膜を形成する方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ａｏｏ） Ｂ本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信
雄 グ代理人 補正の内容 （１）明細書第２頁第７２行目の「いろゆる」を［いわ
ゆる」に補正する。 （２）第１図を別紙の通り補正する。 以 上
Claims (1)
- 高温に加熱した基体表面に錫化合物の蒸気を接触させて
熱分解酸化反応により基体に酸化錫膜を形成する方法に
おいて、該錫化合物がモノブチル錫トリクロライドであ
ることを特徴とする基体に酸化錫膜を形成する方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23037682A JPS59136477A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| US06/562,726 US4500567A (en) | 1982-12-23 | 1983-12-19 | Method for forming tin oxide coating |
| EP83402508A EP0112780A1 (fr) | 1982-12-23 | 1983-12-22 | Procédé de dépôt d'une couche d'oxyde d'étain sur un substrat à partir de composés d'étain à l'état gazeux |
| PT7787583A PT77875B (fr) | 1982-12-23 | 1983-12-22 | Procede de depot d'une couche d'oxyde d'etain sur un substrat a partir de composes d'etain a l'etat gazeux |
| DK591683A DK591683A (da) | 1982-12-23 | 1983-12-22 | Fremgangsmaade til aflejring af et tinoxidlag paa et underlag ud fra gasformige tinforbindelser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23037682A JPS59136477A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136477A true JPS59136477A (ja) | 1984-08-06 |
| JPS6214221B2 JPS6214221B2 (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16906889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23037682A Granted JPS59136477A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0112780A1 (ja) |
| JP (1) | JPS59136477A (ja) |
| DK (1) | DK591683A (ja) |
| PT (1) | PT77875B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776870A (en) * | 1985-08-05 | 1988-10-11 | Ford Motor Company | Method for improving emmissivity value of a pyrolytically applied film |
| JPS6269405A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-30 | 日本板硝子株式会社 | 光電素子用透明導電基板 |
| US4857095A (en) * | 1987-08-10 | 1989-08-15 | Ford Motor Company | Method for forming a fluorine-doped tin oxide coating on a glass substrate |
| DE3735627A1 (de) * | 1987-10-21 | 1989-05-03 | Goldschmidt Ag Th | Fluessige zubereitung zur herstellung elektrisch leitfaehiger und infrarot reflektierender fluordotierter zinnoxidschichten auf glas- oder glaskeramikoberflaechen sowie verfahren zur herstellung derartiger schichten unter verwendung dieser zubereitungen |
| DE3735574A1 (de) * | 1987-10-21 | 1989-05-03 | Goldschmidt Ag Th | Fluessige zubereitung zur herstellung elektrisch leitfaehiger und infrarot reflektierender fluordotierter zinnoxidschichten auf glas- oder glaskeramikoberflaechen sowie verfahren zur herstellung derartiger schichten unter verwendung dieser zubereitungen |
| DE3735591A1 (de) * | 1987-10-21 | 1989-05-03 | Goldschmidt Ag Th | Fluessige zubereitung zur herstellung elektrisch leitfaehiger und infrarot reflektierender fluordotierter zinnoxidschichten auf glas- oder glaskeramikoberflaechen sowie verfahren zur herstellung derartiger schichten unter verwendung dieser zubereitungen |
| FR2704848B1 (fr) * | 1993-05-03 | 1995-07-21 | Prod Chim Auxil Synthese | Précurseur liquide pour la production de revêtements d'oxyde d'étain dopé au fluor et procédé de revêtement correspondant. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1520124A (en) * | 1974-09-18 | 1978-08-02 | M & T Chemicals Inc | Process for applying stannic oxide coatings to glass |
| US4130673A (en) * | 1975-07-02 | 1978-12-19 | M&T Chemicals Inc. | Process of applying tin oxide on glass using butyltin trichloride |
| JPS6018090B2 (ja) * | 1979-10-03 | 1985-05-08 | 日本板硝子株式会社 | 導電薄膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP23037682A patent/JPS59136477A/ja active Granted
-
1983
- 1983-12-22 DK DK591683A patent/DK591683A/da not_active Application Discontinuation
- 1983-12-22 PT PT7787583A patent/PT77875B/pt unknown
- 1983-12-22 EP EP83402508A patent/EP0112780A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK591683A (da) | 1984-06-24 |
| DK591683D0 (da) | 1983-12-22 |
| EP0112780A1 (fr) | 1984-07-04 |
| PT77875B (fr) | 1986-04-09 |
| JPS6214221B2 (ja) | 1987-04-01 |
| PT77875A (fr) | 1984-01-01 |
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