DK175462B1 - Fremgangsmåde til afsætning en en tinoxidfilm med lav emissionsevne på et kontinuerligt glassubstrat - Google Patents

Description

DK 175462 B1 i

Den foreliggende opfindelse angår generelt fremstillingen af infrarødt reflekterende overtrukne glasprodukter, nærmere bestemt ikke-iriserende, infrarødt-reflekterende overtrukne glasprodukter med høj transmittens og lav emis-5 sionsevne.

Gennemsigtige infrarødt-reflekterende film, såsom tinoxid, kan afsættes på et substrat eller underlag, såsom glas, ved mange forskellige fremgangsmåder, herunder påføring af termisk nedbrydelige forbindelser på en opvarmet over-10 flade. Anvendelige fremgangsmåder til dannelse af gennemsigtige infrarødt reflekterende tinoxidfilm er beskrevet i US patentskrifterne nr. 3.107.177, nr. 3.677.814 og nr. 4.263.335.

* Tinoxidfilm er særligt effektive infrarøde reflektorer 15 ved tykkelser fra ca. 1000 til ca. 8000 Ångstrøm. Hvis tykkelsen ikke er tilstrækkelig ensartet, har filmene imidlertid tilbøjelighed til at vise en flerhed af interferensfarvevirk-ninger, der sædvanligvis omtales som irisering. Sådanne interferensvirkninger gør de overtrukne glas æstetisk uaccep-20 table for de fleste arkitektoniske anvendelser. Irisering iagttages ikke i tyndere film, men disse film har imidlertid utilstrækkelig infrarød reflektion til at være anvendelige i praksis. På samme måde iagttages irisering ikke i tykkere film, men disse film er tilbøjelige til at være slørede, 25 har relativt lav transmittens og er vanskelige at gøre ensartede. Derfor har man udviklet forskellige fremgangsmåder til at maskere interferensvirkninger.

I US patentskrift nr. 3.681.042 er der beskrevet overtrækning af en overflade af glas, fremstillet ved float-30 metoden, ved fordampning af et overtræksmateriale, indeslutning af dampen i en strøm af varm bæregas og dirigering af det gasbårne overtræksmateriale til den glasoverflade, der skal overtrækkes, hvilken overflade har en for overtræk modtagelig temperatur.

35 I US patentskrift nr. 3.710.074 er der beskrevet en elektrisk opvarmet sammensat højglans-vinduesenhed med et

I DK 175462 B1 I

I 2 I

I elektrisk ledende overtræk på en indkapslet overflade og en I

I selektivt reflekterende film med en absolut infrarød re- I

I flektionskoefficient på mindst 0,17 til forbedring af varme- I

I isolationsegenskaberne for enheden og mindskning af den I

I 5 ledende films synlige irisering. I

I Fra US patentskrift nr. 3.850.659 kendes der afsætning I

af et metaloxidovertræk på en varm glasoverflade ved påføring I

I af en blanding af bæreluft, fordampet opløsningsmiddel og I

I fordampet metalholdig overtræksreaktant på den varme glas- I

I 10 overflade gennem en dyse ved et Reynolds tal, der overskrider I

I 2500, med en afstand mellem dyse og glas, som er mindst I

I 1,25 gange den karakteristiske dimension for dysen. I

I Fra US patentskrift nr. 3.852.098 kendes der overtræk- I

ning af et glasunderlag med en metalholdig film ved opvarm- I

I 15 ning af glasset og ved at bringe glasset i kontakt med en I

I gasblanding, fra 50 til 100% mættet med dampen af en reaktiv I

I metalforbindelse ved dens temperatur umiddelbart forud for I

kontakt med glasset. Glasblandingen opvarmes derpå ved hjælp I

I af glasset til en tilstrækkelig temperatur til at få metal- I

I 20 forbindelsen til at reagere og derved afsætte filmen. I

I Fra US patentskrift nr. 4.206.252 kendes der transpa- I

I rente glasvinduer med et første overtræk af infrarødt re- I

flekterende materiale, som viser irisering, hvilken mindskes I

påfaldende ved tilvejebringelse af et lag med kontinuerligt . I

I 25 varierende brydningsforhold mellem glasset og overtrækket. I

I Den beskrevne opfindelse omfatter ligeledes fremgangsmåder I

I til fremstilling af sådanne vinduer. I

I Fra US patentskrift nr. 4.294.193 kendes der et damp- I

I overtræksapparat til fremstilling af det ovenfor beskrevne I

I 3 0 overtrukne glas, hvori et lag mellem glasset og det infrarødt I

reflekterende overtræk har et brydningsforhold, som stiger I

I kontinuerligt fra glasset til overtrækket. Apparatet be- I

I skrives som egnet til anvendelse til fremstilling af overtræk I

I med gradvist ændrede sammensætninger ud fra gasformige reak- I

I 35 tanter i almindelighed. I

I Fra US patentskrift nr. 4.325.988 kendes der en frem- I

DK 175462 B1 3 gangsmåde og et apparat til fremstilling af en film på en underlagsoverflade ud fra en sky af partikler af en overtræksreaktant med størrelse som støvkorn, idet man fortrinsvis anvender en jetmølle.

5 Fra US patentskrift nr. 4.344.986 kendes der en frem gangsmåde til afsætning af et overtræk ud fra en pulverovertræksreaktant, idet der tilvejebringes turbulens i bæregasstrømmen.

Fra US patentskrift nr. 4.377.613 kendes der gennem-10 sigtige vinduesstrukturer omfattende en glasplade, der bærer et overtræk af- infrarødt reflekterende materiale, hvori iagttagelsen af irisering nedsættes ved tilvejebringelse af et særdeles tyndt overtrækssystem under det infrarøde reflektionsovertræk, som reflekterer og bryder lys til hin-15 dring af iagttagelsen af irisering.

Fra US patentskrift nr. 4.401.695 kendes der en fremgangsmåde og et apparat til afsætning af et overtræk fra en gasstrøm af pulverformig overtræksreaktant, hvor bæregassen tilføres ved høj volumenhastighed og lavt tryk.

20 Fra US patentskrift nr. 4.144.362 kendes der en frem gangsmåde til fremstilling af et stannioxidovertræk på en opvarmet glasgenstand ved anvendelse af findelt flydende monobutyltin-trichlorid, idet ikke-pyrolyseret reaktant udvindes til senere genanvendelse.

25 Fra US patentskrifterne nr. 4.187.366, 4.206.252 og 4.308.316 kendes der gennemsigtige gi asvi nduesstrukturer, som omfatter en glasplade, der bærer et første overtræk af infrarødt reflektionsmateriale, hvor iagttagelsen af irisering, som resulterer fra det første overtræk, nedsættes ved 30 hjælp af et andet overtræk med bestemt brydningsindeks og tykkelse, hvorved der tilvejebringes mindst to grænseflader, som danner midler til at reflektere og bryde lys til hindring af iagttagelsen af irisering.

I US patentskrift nr. 3.674.453 beskrives fremstil-35 lingen af floatglas med en oxideret metalmodificeret overflade. Metaloxidet er opløst i overfladelaget. Det varme

I DK 175462 B1 I

I 4 I

glas bringes i kontakt med metalforbindelsen på dampform I

I under oxiderende betingelser. De oxiderende betingelser I

reguleres således, at der ikke sker nogen reaktion mellem I

den oxiderende gas og metalforbindelsesdampen, inden metal- I

I 5 forbindelsesdampen når glasoverfladen. Glasset behandles i I

I et floatglaskammer understøttet på et bad af smeltet metal. I

I Fra EP-A-186.481 kendes der en fremgangsmåde til I

kemisk dampafsætning af fluor-dopede tinoxidovertræk, hvor I

I der anvendes en flydende overtrækssammensætning, som fordam- I

10 pes ind i en fugtig bæregas. Den foretrukne bæregas er luft. I

I I EP-A-305.102, der svarer til DK PA 1988 04778, be- I

skrives der overtrækning af floatglas i et kammer indehol- I

dende et glasbånd understøttet på et bad af smeltet metal I

I ved kemisk dampafsætning. Hovedrummet i floatglaskammeret I

15 indeholder en beskyttende atmosfære indeholdende nitrogen I

og hydrogen. Opbygningen af afsætningen formindskes ved at I

lede en strøm af indifferent gas over den overtrukne over- I

falde stødende op til glasset. I

I Det er formålet med opfindelsen at tilvejebringe en I

20 fremgangsmåde til afsætning af en ensartet tinoxidfilm på I

overfladen af et floatglasbånd, hvilken film har lav over- I

I fladeresistens og dermed lav emissionsevne. I

I Dette formål opnås med en fremgangsmåde til afsætning I

I af en tinoxidfilm med lav emissionsevne på et kontinuerligt I

I 25 glassubstrat fremført gennem en overtrækningsstation ved: I

I a) understøttelse af et glassubstrat på et smeltet I

I metalbad, I

b) opretholdelse af en ikke-oxiderende atmosfære over I

I det smeltede metalbad og glassubstratet, I

I 30 c) kontakt mellem glassubstratet i en overtræknings- I

I station på den overflade, der ikke er understøttet på det I

I smeltede metalbad, og en blanding af luft som bæregas og en I

I tinholdig overtræksreaktant på dampform, idet den overflade, I

I der overtrækkes, holdes fri for en reducerende atmosfære, og I

I 35 d) termisk omsætning af overtræksreaktanten til af- I

I sætning af en tinoxidfilm på glasoverfladen og I

DK 175462 B1 I

e) fjernelse af uomsat overtræksreaktant, ikke-afsat I

reaktionsprodukt og reaktionsbiprodukter og bæregas fra I

overtrækningsstedet. I

Fremgangsmåden ifølge opfindelsen kan udføres ved I

5 anvendelse af et apparat til afsætning af en metaloxidfilm I

på topoverfladen af et floatglasbånd, hvis bundoverflade er I

understøttet af et bad af smeltet metal i en ikke-oxiderende I

atmosfære, og dette apparat omfatter: I

a) midler til fordampning af en overtræksreaktant, I

10 b) midler til tilføring af den fordampede overtræks- I

reaktant på den øverste overflade, idet disse midler omfatter I

en dyse med en spalteformet åbning i det væsentlige så lang I

I som den parallelle størrelse af underlagsoverfladen, der I

I skal overtrækkes, I

I 15 c) midler til at holde disse midler til tilføring I

I ved en ensartet temperatur under overtræksreaktantens ned- I

I brydningstemperatur, og I

I d) udsugningsmidler, nabostillede til dysen, og som I

I i det væsentlige strækker sig hele længden af dysen, både I

I 2 0 opstrøms og nedstrøms, i stand til at fjerne i det væsentlige I al uomsat overtræksreaktant, uafsat reaktionsprodukt og I reaktionsbiprodukter og bæregas.

I Ved overtrækning af glasset på badet giver en højere I glasoverfladetemperatur en tinoxidovertrækssammensætning I 25 med en lavere resistens og derfor lavere emissionsevne ved I en given tykkelse.

I På tegningen illustrerer fig. 1 placeringen af en I overtræksanordning i float-glasbadet i forbindelse med den I foreliggende opfindelse.

I 30 På fig. 2 er vist en forstørret fremstilling af over- | træksanordningen fra fig. 1.

I På fig. 3 er vist et skematisk flow-diagram for bære- I gas-, overtræksreaktant-, fordamper- og varmevekslersystemet, I som føder overtræksanordningen fra fig. 2.

I 35 I fig. 4 er vist en chromaticitetsdiagram med de I målte x- og y-chromaticitetskoordinater på de tilsvarende I DK 175462 B1

x- og y-akser. De iagttagne farvers bølgelængder er markerede I

rundt om periferien. C markerer koordinaterne for belys- I

ningslegemet C i overensstemmelse med Commission Interna- I

tionale de L1Eclairage (CIE). Den spiralformede kurve er en

5 kurve over chromaticitetskoordinaterne for tinoxidfilm ved I

stigende filmtykkelser. Punkterne A og B markerer tykkelserne

svarende til det foretrukne overtrækstykkelsesinterval ved I

fremgangsmåden ifølge opfindelsen. I

Den foreliggende opfindelse angår en fremgangsmåde I

10 til afsætning af en relativ tyk, ikke-iriserende, infrarødt I

reflekterende tinoxidfilm på en overflade af glas, fremstil- I

let ved float-metoden, medens glasset stadigvæk understøttes I

i tinbadet i en ikke-oxiderende overflade. Ved overtrækning I

H af glasset på badet giver en højere glasoverfladetemperatur I

15 et tinoxidovertræk med lavere modstand og derfor lavere I

emissionsevne ved en given overtrækstykkelse. I

Idet der henvises til fig. 1, transporteres et glas- I

I underlag, fortrinsvis klart natron-kalk-siliciumdioxid-glas, I

i form af et kontinuert bånd af glas, fremstillet ved float- I

20 metoden, i en vandret stilling gennem en overtræksstation,

I medens glasset understøttes på smeltet tin i et float-bad I

i en ikke-oxiderende overflade, fortrinsvis nitrogen.

Overtræksapparatet, illustreret i fig. 2, er placeret I over glasbåndet ved et punkt, hvor glasoverfladetemperaturen I 25 fortrinsvis ligger i et interval fra 621 til 677°C, især I fra 649 til 677°c. Overtræksapparatet dirigerer en gasstrøm omfattende en bæregas, fortrinsvis luft, og en overtræks- I reaktant, fortrinsvis butyltin-trichlorid, til kontakt med I den varme glasoverflade, hvorefter overtræksreaktanten ter- I 30 misk nedbrydes til dannelse af en tinoxidfilm.

Overtræksapparatet omfatter et snævert kammer med et I overtræksreaktant-tilledningsendestykke og et udgangsende- I stykke, i det væsentlige så langt som bredden af det glas- I areal, der skal overtrækkes. Kammeret forsynes med en blan- I 35 ding af bæregas og overtræksreaktantdamp. Overtræksreaktan- I ten fordampes fortrinsvis før den kommer ind i kammeret for 7 DK 175462 B1 at spare den plads, som ville være påkrævet til anbringelse af fordampningsmidler inden i kammeret. Kammeret er fortrinsvis konisk fra et cylinderformet tilledningsendestykke til et smalt spalteformet udgangsendestykke eller dyse, som 5 leder den dampformige overtræksreaktant- og gasblanding til den glasoverflade, der skal overtrækkes. Egnede dyser er beskrevet i enkeltheder i US patentskrifterne nr. 3.850.679, 3.888.649 og 3.942.469. Ved en især foretrukken udførelsesform er der anbragt en fordeler mellem kammeret og dysen 10 for at fremme ensartet fordeling af overtræksreaktantdampen langs med dysens længde. En foretrukken fordeler er konstruktionselement, anbragt over kammerets udgangsendestykke, hvilken fordeler har en flerhed af jævnt fordelte åbninger, gennem hvilke dampen passerer ind i dysen. Fortrinsvis spre-I 15 des de særskilte stråler af overtræksreaktantdamp og bæregas, I før blandingen forlader dysen. Spredning kan gennemføres I ved hjælp af spredningselementer i dysens tilledningsende- I stykke, svarende i konfiguration til de prelleplader, der I er vist i pulverovertræksanordningen fra US patentskrift I 20 nr. 4.344.986.

I Foretrukne overtræksreaktanter til kemisk dampafsæt- I ning af et overtræk med lav emissionsevne i float-badet er I organotinforbindelser. Mange organotinforbindelser, som I foreligger i fast form ved omgivelsernes temperatur, kan I 25 anvendes i opløsning til fordampning og kemisk dampafsætning.

I Mange forskellige aliphatiske og olefiniske carbonhy- I drider og halogencarbonhydrider er egnede som opløsnings- I midler ved udførelsen af den her omhandlede fremgangsmåde.

I Enkeltkomponent-opløsningsmiddelsystemer, især et opløsnings- I 30 middelsystem, hvori der anvendes methylenchlorid, anvendes I effektivt ved den her omhandlede fremgangsmåde. Opløsnings- I middel systemer, hvori der anvendes to eller flere opløsnings- I midler, viser sig ligeledes at være særligt anvendelige.

I Nogle repræsentative opløsningsmidler, der kan anvendes ved I 35 udførelse af den foreliggende opfindelse, er: methylenbromid, I carbontetrachlorid, carbontetrabromid, chloroform, bromoform, -------- I - 11^—i I DK 175462 B1

I I

I 1,1,l-trichlorethan, perchlorethylen, 1,1,1-trichlorethan, I

I dichloriodmethan, 1,1,2-tribromethan, trichlorethylen, tri- I

I bromet hyl en, trichlormonof luorethan, hexachlorethan, 1,1,1,2- I

I -tetrachlor-2-fluorethan, 1,1,2-trichlor-l,2-difluorethan, I

I 5 tetrafluorbromethan, hexachlorbutadien og tetrachlorethan, I

og blandinger, deraf. Man kan ligeledes anvende andre opløs- I

ningsmidler, især som blandinger af et eller flere organiske I

I polære opløsningsmidler, såsom en alkohol indeholdende 1-4 I

carbonatomer og en hydroxylgruppe og en eller flere ikke- I

I 10 polære forbindelser, som benzen, toluen eller xylen. Flyg- I

I tigheden af disse materialer gør anvendelsen deraf mindre I

I foretrukket end anvendelsen af de ovenfor foretrukne halo- I

generede carbonhydrider og halogencarbonhydrider, men de I

I har særlig økonomisk nytteværdi. I

I 15 En opløsning af reaktivt organotinsalt i et organisk I

I opløsningsmiddel kan dirigeres hen til et fordampningskammer. I

I Fordampningskammeret er konstrueret til tilvejebringelse af I

et varmeelement, som opvarmer rummet, der omgiver elementet, I

I til en temperatur, som er tilstrækkelig til at fordampe I

I 20 overtræksopløsningen i dette rum, snarere end kun at fordampe I

I den væske, der er i kontakt med selve varmeelementet. En I

I bæregas dirigeres tværs over og væk fra opvarmningsanord- I

I ningen til opvarmning af overtrækssammensætningen for at I

I blande sig med den, hvorved fordampningshastigheden deraf I

25 øges, og for at bære dampene gennem varmeanordningen til I

det underlag, der skal overtrækkes. Dampe af opløsningsmidlet I

I og den organiske overtræksreaktant dirigeres fra fordamperen I

I til overtræksanordningen, vist på tegningen. I

I Nogle foretrukne organotinforbindelser er væsker ved I

I 30 omgivelsernes temperatur og kan anvendes uden anvendelse af I

I opløsningsmidler. En særligt foretrukken organotinforbindelse I

I er monobutyltin-trichlorid, en farveløs væske, karakteriseret I

I ved et kogepunkt ved atmosfæretryk på 221°C, et partialtryk I

I på 0,1 atmosfære ved 154,4°C, fordampningsvarme på 60,69 kJ I

35 og fordampningsentropi på 29,4 Clausius pr. mol. Monobutyl- I

tin-trichlorid fordampes fortrinsvis ved kontakt med'varm I

9 I

DK 175462 B1 I

bæregas, typisk luft, fortrinsvis holdt ved en temperatur I

på under 204°C for at undgå nedbrydning, typisk på ca. 196°C. I

Egnede fordampningsanordninger er beskrevet i enkeltheder i I

US patentskrifterne nr. 3.970.037 og 4.297.971. I

5 I en foretrukken udførelsesform for den foreliggende I

opfindelse blandes en fraktion af det samlede rumfang opvar- I

met bæregas med monobutyl-tinchloridet i en fordamper om- I

fattende en rørspiral, neddyppet i varm olie. Den meget mæt- I

tede blanding af overtræksreaktantdamp i bæregas fortyndes I

10 derpå med yderligere opvarmet bæregas i kammeret på vej I

til dysen, som afgiver overtræksreaktanten til glasoverfla- I

I den. Fortrinsvis doteres monobutyltin-trichlorid med en I

I fluor-holdig forbindelse for at øge ledningsevnen for den I

I tinoxidfilm, der dannes deraf. Et foretrukkent doteringsmid- I

I 15 del er trifluoreddikesyre, fortrinsvis i et interval fra 1 I

I til 10 vægtprocent, især ca. 5 vægtprocent. I

I For at minimere muligheden for kontaminering af den I

I afsatte film med uomsat eller uafsat overtræksreaktant eller I

I reaktionsbiprodukter omfatter overtræksapparatet nødvendige I

I 20 udsugningsmidler. Nabostillet til dysen i det væsentlige I

I langs med hele længden deraf er en åbning, der holdes ved I

I et undertryk for at tilvejebringe udsugningsmidler til fjer- I

I nelse af uomsat overtræksreaktant, uafsat reaktionsprodukt I

I og reaktionsbiprodukter fra overtræksstedet således, at I 25 hverken den nyligt overtrukne overflade eller den overflade, I der snarligt skal overtrækkes, bliver kontaminerede. Eftersom I den kemiske dampafsætningsfremgangsmåde ifølge opfindelsen I ikke afhænger af diffusion af overtræksreaktantdampen gennem I de normale grænselag, er den ikke begrænset til overtræks-

I 30 reaktanter med høje fordampningsentropier som kendt fra US

I patentskrift nr. 3.852.098.

I Foretrukne infrarødt reflekterende tinoxidfilm frem- I stillet ifølge den foreliggende opfindelse har en specifik I modstand på mindre end ca. 40 Ohm pr. kvadrat, fortrinsvis I 35 25 Ohm pr. kvadrat eller mindre, og lav emissionsevne, for- trinsvis mindre end 0,2. Filmens tykkelse vælges til at I DK 175462 B1 svare til et minimum i den lys-reflektionskoefficientkurve, som er en kurve, over lys-reflektionskoefficienter som en funktion af filmtykkelse. Den foretrukne tykkelse af en oxidfilm, afsat på et glas, fremstillet ved float-metoden, 5 i badet ligger i et interval fra 2500 til 3200 Ångstrøm, H især fra ca. 3200 Ångstrøm. En tinoxidfilm med denne tykkelse viser en tredje ordens blå interferensfarve, som vist i fig. 4, og en emissionsevne så lav som 0,15, når den frem- H stilles ifølge den foreliggende opfindelse.

10 Fordelene ved afsætning af tinoxidovertræk i float- badet er ikke kun filmens mindskede modstand og lavere emis- sionsevne, men ligeledes den forbedrede overtræksensartethed, som er et resultat af temperaturensartet af underlaget, der fås ved kontakt af glasset med det smeltede tin i badet, og 15 mindsket reflektionsforvrængning, hvilket er et resultat af højere underlags-overtrækstemperaturer, der er tilgængelige uden yderligere opvarmning af glasset.

Idet der henvises til fig. 3, forvarmes overtræksreak- tanten i det recirkulerende pumpesystem 10 til ca. 167°C.

I 20 Bæreluft forvarmes i en luftvarmer 20, ligeledes til ca.

I 177°C. Bæreluften tilføres med 0,566 m-^ (ved standardbe- tingeiserne) pr. minut pr. 76,2 cm spaltelængde ved en spal- tebredde på 4,8 mm. Bærelufthastigheden er fortrinsvis fra ca. 290 til ca. 351 m pr. minut. Bæreluften optager over- 25 træksreaktant fra forsyningen 30, indtil luften er i det I væsentlige mættet. Blandingen af bæreluft og overtræksreak- I tantdamp går videre til overtræksfordamperen 40, som lige- I ledes holdes ved en temperatur på ca. 177°C, hvori over- træksreaktanten fordamper fuldstændigt. Blandingen af damp- I 30 formig overtræksreaktant og bæreluft går videre gennem op- I varmede transportledninger 50 til overtrækdampfordelings- I hulhederne 5, vist i fig. 2. Den dampformige overtræksreak- tant fordeles gennem åbningerne 6 til damphulheden 7, hvorfra I den ledes gennem dysen 8 til glasoverfladen, som vist i I 35 fig. 1. Efter at overtræksreaktanten termisk reagerer med den varme glasoverflade til dannelse af en tinoxidfilm

DK 175462 B1 I

11 I

derpå, suges bæreluften, den uomsatte overtræksreaktantdamp I

og vilkårlige nedbrydningsbiprodukter straks ud på en kon- I

trolleret måde gennem udsugningsåbningerne 9 i vakuumpla- I

derne 10. Transportledningerne, fordelingshulhederne, damp- I

5 hulrummet, udsugningsåbningerne og vakuumpladerne holdes I

alle ved' en konstant temperatur på ca. 177°C ved hjælp af I

et cirkulerende olie-varmeoverføringssystem 11. I

Undertryk, tilstrækkeligt til at udsuge bæreluften, I

den uomsatte overtræksreaktant og reaktionsbiprodukterne, I

10 opnås ved hjælp af udsugningsmidler. Opstrømsudsugningsåb- I

ningen er fortrinsvis ca. 22,2 mm bred, og nedstrømsåbningen I

er ca. 25,4 mm bred. Begge løber i overtræksanordningsdysens I

fulde længde. Ved overtræksreaktant- og bæregasstrømnings- I

hastighederne i de følgende eksempler er tryktabene, målt I

15 i mm vandsøjle ca. 109 mm for opstrømsudsugningsåbningen og I

ca. 94 mm for nedstrømsudsugningsåbningerne. Afstanden mellem I

overtræksanordningsdysen og glasset ligger fortrinsvis i et I

interval fra ca. 9,5 til ca. 19,1 mm, især på ca. 1,3 cm, I

I som i de følgende eksempler. Badatmosfæren er fortrinsvis I

I 20 rent nitrogen ved et let overtryk, fortrinsvis i et interval I

I fra ca. 1,27 til ca. 1,78 mm vandsøjle, især på ca. 1,5 mm I vandsøjle. Blandingen af bæreluft og dampformig overtræks- I reaktant som i de følgende eksempler omfatter fortrinsvis I ca. 18 cm3 reaktant i 0,708 m3 (ved standardbetingelserne) I 25 bæregas pr. minut pr. 0,305 m og tilføres fortrinsvis ved I et tryk på 27,6-103 Pa ved laminær strømning. Glaslinieha- stighederne kan variere over et bredt interval, for 2,5 mm I glas eksempelvis i et interval fra 0,76 til ca. 7,9 m I pr. minut.

I 30 Den foreliggende opfindelse belyses yderligere ved I hjælp af de følgende eksempler.

Sammenligninaseksemoel 1

Til belysning af virkningen af hydrogen i badatmos- I 35 færen på den specifikke modstand af en tinoxidfilm, frem- stillet ifølge den foreliggende opfindelse, fremstilles I DK 175462 B1 Η H film med omtrent den samme tykkelse, ca. 2600 Ångstrøm, i H forskellige badatmosfærer. Et 3,3 mm tykt natron-kalk-sili- H ciumdioxid-glasbånd, fremstillet ved float-metoden, over- H trækkes, medens det er understøttet på smeltet tin i float- H 5 badet i den normale badatmosfære af nitrogen indeholdende ca. 7% hydrogen. Den øverste overflade af glasbåndet bringes H i kontakt ved en temperatur på ca. 664°C med bæreluft, i H det væsentlige mættet med dampformigt monobutyltin-trichlo- H rid, der holdes ved en temperatur på ca. 177°C ved hjælp H 10 af et cirkulerende olievarmevekslersystem. En tinoxidfilm, H afsat med en tykkelse på ca. 2600 Ångstrøm, har en specifik modstand på 900 Ohm pr. kvadrat.

Sammenligninoseksempel 2

H

15 Et glasbånd, fremstillet ved hjælp af float-metoden, overtrækkes som i det tidligere eksempel med den undtagelse, at mængden af hydrogen i float-badatmosfæren nedsættes til 2%. Ved en tinoxidovertrækstykkelse på 2600 Ångstrøm er den specifikke modstand for tinoxidfilmen 125 Ohm pr. kvadrat.

20

Eksempel I

Et glasbånd, fremstillet ved float-metoden, overtræk- I kes som i de ovenstående eksempler med en tinoxidfilm med H den undtagelse, at float-badatmosfæren er rent nitrogen. En I 25 tinoxidfilm, afsat med en tykkelse på 2600 Ångstrøm, har en specifik modstand på 2500 Ohm pr. kvadrat. Ved en specifik modstand på 25 Ohm pr. kvadrat er emissionsevnen af tinoxid- I filmen 0,20.

I 30 Eksempel II

I Et 3,3 mm tykt natron/kalk/siliciumdioxidglasbånd, I fremstillet ved float-metoden, overtrækkes, medens det er I understøttet på smeltet tin i et float-bad i en atmosfære I af rent nitrogen. Den øverste overflade af båndet bringes i 35 kontakt med en temperatur på ca. 664°C med luft, i det væsentlige mættet med dampformigt monobutyltin-trichlorid,

DK 175462 B1 I

medens det holdes ved en temperatur på ca. 177°C ved hjælp I

af et cirkulerende olievarmevekslersystem. Udsugningsmidler, nabostillede til overtræksanordningsdysen, fjerner luft,

uomsat monobutyl-trichlorid, og vilkårlige biprodukter ved I

5 termisk dekomponering fra overtræksstationen uden forurening I

af den omgivende nitrogenatmosfære. En tinoxidfilm afsættes I

med en tykkelse på 3200 Ångstrøm. Tykkelsen har en specifik I

overflademodstand på ca. 20 Ohm pr. kvadrat. Overtrækket har I

en tredje ordens blågrøn farve og 16% lysreflektionskoeffi-10 cient. 'Lystransmittansen for det overtrukne glas er 72% og emissionsevnen er 0,17.

De ovenstående eksempler er anført for at illustrere den foreliggende opfindelse og vise vigtigheden af at holde overfladen, der skal overtrækkes, fri for en reducerende 15 atmosfære. Med det apparat, der anvendes i de ovennævnte eksempler, foretrækker man at fjerne hydrogen fra badatmosfæren. Imidlertid kan forskellige overtræksreaktanter, overtræksanordningsudformninger, procesparametre osv. også anvendes. Selvom man kan foretrække en hydrogenfri badatmos-20 fære, kan man ligeledes modificere overtræksapparatet til kun at udelukke hydrogen i badatmosfæren fra den glasoverflade, ved hvilken overtræksreaktantomsætningen sker, eksempelvis ved hjælp af en nitrogenblæsning rundt om overtræksanordningens omkreds.

Claims (8)

1. Fremgangsmåde til afsætning af en tinoxidfilm med I H lav emissionsevne på et kontinuerligt glassubstrat fremført I gennem en overtrækningsstation ved: I 5a) understøttelse af et glassubstrat på et smeltet I metalbad, I I b) opretholdelse af en ikke-oxiderende atmosfære over I I det smeltede metalbad og glassubstratet, * I c) kontakt mellem glassubstratet i en overtræksstation I 10 på den overflade, der ikke er understøttet på det smeltede I I metalbad, og en blanding af luft som bæregas og en tinholdig I overtræksreaktant på dampform, idet den overflade, der over- I I trækkes, holdes fri for en reducerende atmosfære, og I I d) termisk omsætning af overtræksreaktanten til af- I 15 sætning af en tinoxidfilm på glasoverfladen og I e) fjernelse af uomsat overtræksreaktant, ikke-afsat I I reaktionsprodukt og reaktionsbiprodukter og bæregas fra I overtrækningsstedet. I

2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendete g- I I 20 n e t ved, at det smeltede metalbad indeholder tin. I

3. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendete g- I I net ved, at det smeltede metalbad i det væsentlige består I af tin. I

4. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendete g- I 25. e t ved, at atmosfæren over det smeltede metalbad i det I væsentlige består af nitrogen. I

5. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendete g- I I net ved, at der anvendes en organotinforbindelse som I I reaktant. I I 30

6. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendete g- I I net ved, at organotinforbindelsen er monobutyltin-tri- I I chlorid. I

7. Fremgangsmåde ifølge krav l, kendete g- I I net ved, at glasoverfladens temperatur er 621-677°C. I I 35

8. Fremgangsmåde ifølge krav 7, k e n d e tl e g- I I net ved, at glasoverfladens temperatur er 635-663°C. I