JPS62170480A - 透明な金属酸化物薄膜の蒸着方法 - Google Patents
透明な金属酸化物薄膜の蒸着方法Info
- Publication number
- JPS62170480A JPS62170480A JP619586A JP619586A JPS62170480A JP S62170480 A JPS62170480 A JP S62170480A JP 619586 A JP619586 A JP 619586A JP 619586 A JP619586 A JP 619586A JP S62170480 A JPS62170480 A JP S62170480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- metal oxide
- vapor deposition
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000003517 fume Substances 0.000 claims description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000013871 bee wax Nutrition 0.000 description 2
- 239000012166 beeswax Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001137251 Corvidae Species 0.000 description 1
- DZZDTRZOOBJSSG-UHFFFAOYSA-N [Ta].[W] Chemical compound [Ta].[W] DZZDTRZOOBJSSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical class Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013383 initial experiment Methods 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1291—Process of deposition of the inorganic material by heating of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は、透明な金属酸化物膜模のガラス基体への蒸着
方法に関する。特に本発明は、その電気抵抗率を広範囲
に亘って綿密に制御することが可能な、均一な呼ざを有
する透明な導電性金属酸化物被膜のカラス基体への蒸着
方法に関する2本発明の方法の好ましい実施態様によれ
ば、80%よりも高い光透過率と約7−1000オーム
/スクエアの範囲の電気抵抗率を有する均一な厚さのア
ンチモンドープ酸化錫膜を製造することが可能である。
方法に関する。特に本発明は、その電気抵抗率を広範囲
に亘って綿密に制御することが可能な、均一な呼ざを有
する透明な導電性金属酸化物被膜のカラス基体への蒸着
方法に関する2本発明の方法の好ましい実施態様によれ
ば、80%よりも高い光透過率と約7−1000オーム
/スクエアの範囲の電気抵抗率を有する均一な厚さのア
ンチモンドープ酸化錫膜を製造することが可能である。
(発明の技術的背景および従来技術)
種々の金属塩の熱分解による金属酸化物膜の製造は周知
である。導電性金属酸化物膜を形成するのに適した材料
および混合物として、錫、インジウムおよびカドミウム
の塩化物、臭化物、沃化物、flJ酸塩、硝酸塩、蓚酸
塩および酢酸塩、および錫とアンチモン、錫とインジウ
ムおよび錫とカドミウムの種々の組合わせが挙げられる
。亜鉛、鉄、銅めるいはクロムのような変性金属の上記
と同様のh0水分解可能な塩あるいはその他の化合物も
また任意に使用されjqる。そのような導電性金属酸化
物膜、その形成およびその特性については、米国特許第
2.546.706@および第2.546.707号を
参照されたい。
である。導電性金属酸化物膜を形成するのに適した材料
および混合物として、錫、インジウムおよびカドミウム
の塩化物、臭化物、沃化物、flJ酸塩、硝酸塩、蓚酸
塩および酢酸塩、および錫とアンチモン、錫とインジウ
ムおよび錫とカドミウムの種々の組合わせが挙げられる
。亜鉛、鉄、銅めるいはクロムのような変性金属の上記
と同様のh0水分解可能な塩あるいはその他の化合物も
また任意に使用されjqる。そのような導電性金属酸化
物膜、その形成およびその特性については、米国特許第
2.546.706@および第2.546.707号を
参照されたい。
基本的に従来の熱分解による金属酸化物l19の製造方
法は、ガラスシートのような基体を通常的400−70
0°Cの範囲の温度まで加熱し、その後この130熱さ
れた基体の表面を金属塩に暴露して該bo熱された基体
表面により金属塩を分解させて基体上に連続的な密着性
金属酸化物@を形成することからなる。通常、被膜材料
は空気流によって運ばれる蒸気おるいは霧状溶液の形で
加熱された基体表面にスプレーされる。
法は、ガラスシートのような基体を通常的400−70
0°Cの範囲の温度まで加熱し、その後この130熱さ
れた基体の表面を金属塩に暴露して該bo熱された基体
表面により金属塩を分解させて基体上に連続的な密着性
金属酸化物@を形成することからなる。通常、被膜材料
は空気流によって運ばれる蒸気おるいは霧状溶液の形で
加熱された基体表面にスプレーされる。
上記従来法は正に物理的タイミングと個人的テクニック
に依存している。ざらに重大なことに、得られる蒸@膜
の厚さは不均一である。さらにまた、非常に薄いガラス
シートが基体である場合には、スプレーにより生じる熱
勾配がガラスシート基体のそりを引き起こし、それによ
って蒸着膜にあける厚さ変動が大きくなるユ ヒーターパネルや普通の抵抗器のような用途については
蒸着厚のクリティカルな制御は必要とされないか、気体
放電、エレクトロクロミック、エレクトロルミネッセン
トおよび液晶ディスプレイ装置の開発においては、極め
て均一な厚さを有する透明な導電性薄膜が要求される。
に依存している。ざらに重大なことに、得られる蒸@膜
の厚さは不均一である。さらにまた、非常に薄いガラス
シートが基体である場合には、スプレーにより生じる熱
勾配がガラスシート基体のそりを引き起こし、それによ
って蒸着膜にあける厚さ変動が大きくなるユ ヒーターパネルや普通の抵抗器のような用途については
蒸着厚のクリティカルな制御は必要とされないか、気体
放電、エレクトロクロミック、エレクトロルミネッセン
トおよび液晶ディスプレイ装置の開発においては、極め
て均一な厚さを有する透明な導電性薄膜が要求される。
平板ディスプレイシステムにとって膜厚の均一性は重要
である。
である。
丁なりち、最適条件下においては、透明導電性薄膜は実
質的に光吸収損失を示さないが、膜厚の不均一性により
散乱および反!)I損失は有意なものになり冑る。
質的に光吸収損失を示さないが、膜厚の不均一性により
散乱および反!)I損失は有意なものになり冑る。
(発明の目的)
従って、本発明の主な目的は、金属塩の熱分解による、
均一な厚さを有する透明な導電性金属酸化物膜の製造方
法を提供することにある。
均一な厚さを有する透明な導電性金属酸化物膜の製造方
法を提供することにある。
より詳細には、本発明の目的は、熱分解により、杓10
00−3ooo入の範囲の均一な厚さを有し、80%よ
りも高い光透過率と杓7−1000オーム、/スクエア
の範囲の電気抵抗率を示すアンチモンかドープされた酸
化錫膜を製造することにめる3(発明の構成) 上記目的は、従来の金属酸化物膜の製造方法を改良する
ことによって達成され得ることを本発明者は見出した。
00−3ooo入の範囲の均一な厚さを有し、80%よ
りも高い光透過率と杓7−1000オーム、/スクエア
の範囲の電気抵抗率を示すアンチモンかドープされた酸
化錫膜を製造することにめる3(発明の構成) 上記目的は、従来の金属酸化物膜の製造方法を改良する
ことによって達成され得ることを本発明者は見出した。
要約すると、本発明の方法は下記の2つの基本工程から
なる; τ、1)目的とする金属酸化物の先墜物貿からなる金属
塩の霧を、該霧を気化するのに十分な温度に7JO熱さ
れたチャンバー中にスプレーする工程、および X2> 生じたホットヒユームを排気(負圧)によっ
て吸引し、チャンバーの排出端において、上記金属塩を
熱分解するのに十分な温度に加熱された基体の表面に接
触させる工程。
なる; τ、1)目的とする金属酸化物の先墜物貿からなる金属
塩の霧を、該霧を気化するのに十分な温度に7JO熱さ
れたチャンバー中にスプレーする工程、および X2> 生じたホットヒユームを排気(負圧)によっ
て吸引し、チャンバーの排出端において、上記金属塩を
熱分解するのに十分な温度に加熱された基体の表面に接
触させる工程。
チャンバーはその全体を通して実質的に均一な温度であ
ってもよいし、めるいは熱勾配を有していてもよい。従
って、ホットヒユームが基体の表面に接触せしめられる
チャンバーの領域は、金属塩の霧が気化せしめられるチ
ャンバー領域よりも高温であってもよい、とにかく、両
者間の熱勾配をなくすために、チャンバーの排出端にあ
ける温度は基体表面の温度に実質的に等しくなければな
らない。
ってもよいし、めるいは熱勾配を有していてもよい。従
って、ホットヒユームが基体の表面に接触せしめられる
チャンバーの領域は、金属塩の霧が気化せしめられるチ
ャンバー領域よりも高温であってもよい、とにかく、両
者間の熱勾配をなくすために、チャンバーの排出端にあ
ける温度は基体表面の温度に実質的に等しくなければな
らない。
本発明の上記2段階法は、極めて均一な厚さの金属酸化
物膜の蒸着を促進する2つの特徴を与える。まず第1に
、従来の熱分解法にあける熱い基体と冷たいスプレーと
の間の温度差の問題が解消される。第2に、金属塩の霧
は基体と接触する前にヒユームに変換されるので、熱分
解反応固有の結果である基体からの熱の抽出が最小にお
さえられる。
物膜の蒸着を促進する2つの特徴を与える。まず第1に
、従来の熱分解法にあける熱い基体と冷たいスプレーと
の間の温度差の問題が解消される。第2に、金属塩の霧
は基体と接触する前にヒユームに変換されるので、熱分
解反応固有の結果である基体からの熱の抽出が最小にお
さえられる。
米国特許第3□331 、702号には、金属塩の熱分
解により薄いガラス基体上に金属酸化物膜を生じさせる
ための方法および装置が開示されている。この特許の方
法は、下記の2つの基本工程からなる;tl) 限ら
れた空間内に、熱分解して金属酸化物の蒸着膜を生じる
ことが可能な金属塩の静止蒸気雰囲気を形成する工程、
および C’14 上記限られた雰囲気内に生じざぜた対流を
利用して上記金属塩蒸気をガラス基体の表面に接触ざぜ
ると同時に、ガラス基体の反対側の表面に輻射熱を供給
してガラス基体表面にあける金属酸化物蒸着膜の形成に
よる熱損失を補償する工程。
解により薄いガラス基体上に金属酸化物膜を生じさせる
ための方法および装置が開示されている。この特許の方
法は、下記の2つの基本工程からなる;tl) 限ら
れた空間内に、熱分解して金属酸化物の蒸着膜を生じる
ことが可能な金属塩の静止蒸気雰囲気を形成する工程、
および C’14 上記限られた雰囲気内に生じざぜた対流を
利用して上記金属塩蒸気をガラス基体の表面に接触ざぜ
ると同時に、ガラス基体の反対側の表面に輻射熱を供給
してガラス基体表面にあける金属酸化物蒸着膜の形成に
よる熱損失を補償する工程。
しかしながら、上記米国特許第3.331 、702号
には、チャンバー中にスプレーした金属塩の霧をその霧
か気化するのに十分な高ざの温度に加熱し、そしてチャ
ンバーの底での排気により生じる負圧を利用して加熱に
より生じたヒユームを基体の表面に強制的に接触させる
という2段階法は全く記載されていない。
には、チャンバー中にスプレーした金属塩の霧をその霧
か気化するのに十分な高ざの温度に加熱し、そしてチャ
ンバーの底での排気により生じる負圧を利用して加熱に
より生じたヒユームを基体の表面に強制的に接触させる
という2段階法は全く記載されていない。
(実 施 態 様)
第1図は、本発明の方法を実施するためのフードヒユー
マーが特定の用途に用いられる場合を示す図面である。
マーが特定の用途に用いられる場合を示す図面である。
第1図において、1および2はそれぞれ炉の天井および
床であり、3は炉の床2に沿って移動し、その上にガラ
スシートでおる基体5を載せたパレット4を運搬する金
属ベルトである。全体が6で示されるヒューミングチャ
ンバーが炉の天井1を通して設けられてあり、その一端
は基体5に近接し、他端は支持構造物6aを通して排気
フード7に接続されている。チャンバー6の上部にはス
プレーノズル8が設置されている。
床であり、3は炉の床2に沿って移動し、その上にガラ
スシートでおる基体5を載せたパレット4を運搬する金
属ベルトである。全体が6で示されるヒューミングチャ
ンバーが炉の天井1を通して設けられてあり、その一端
は基体5に近接し、他端は支持構造物6aを通して排気
フード7に接続されている。チャンバー6の上部にはス
プレーノズル8が設置されている。
第2図に示されるように、ヒューミングチャンパー6は
その間に通路11を残して互に同心関係に取付けられた
排気ユニット9および10からなり、その底部に排気口
12が位置している。第1図に示される実施態様におい
て、チャンバー6は例えばステンレススチールのような
気化せしめられる金属塩のヒユームに対して耐性を有す
る金属により製造されるのが好ましい。金属の使用は炉
からの熱がチャンバー6の壁を通して迅速に伝導するこ
とを可能にし、従ってチャンバー6内の温度は、少なく
ともその下部において、炉内の温度とほぼ等しくなる。
その間に通路11を残して互に同心関係に取付けられた
排気ユニット9および10からなり、その底部に排気口
12が位置している。第1図に示される実施態様におい
て、チャンバー6は例えばステンレススチールのような
気化せしめられる金属塩のヒユームに対して耐性を有す
る金属により製造されるのが好ましい。金属の使用は炉
からの熱がチャンバー6の壁を通して迅速に伝導するこ
とを可能にし、従ってチャンバー6内の温度は、少なく
ともその下部において、炉内の温度とほぼ等しくなる。
スプレー溶液の腐蝕性および装置稼働の際の熱のために
、単独金属のノズルは極めて迅速に劣化する。従って、
特別な機械加工が必要であるために非常に高価であるタ
ングステン−タンタル混合物のような合金が用いられね
ばならない。このような事情により、コーニンググラス
ワークス社から市販されているコーニングコード774
0のようなガラスから形成されたノズルが用いられたつ 金属塩の溶液がノズル8によりチャンバー6の上部に噴
霧される。生じた霧は、それが通路11および外フード
7を通しての上方への排気による負圧によってチャンバ
ー6内を通って下方に吸引される時にチャンバー6の壁
からの輻射熱によって気化される。基体5がチャンバー
6の下を通過する時、生じたヒユームが加熱された基体
表面に付着し、過剰のヒユームは通路11および外フー
ド7を通して上方に排気されるc1体5上に均一な蒸着
膜を生じきせるためのみならず大過剰のヒユームを避け
るためにも、チャンバー6を通って基体5上へのホット
ヒユームの移動速度は綿密に調整されねばならない。大
過剰のヒユームは不経済であり、それ自身蒸着装置の各
部材の腐蝕剤でめり、また大気汚染を引き起こす。
、単独金属のノズルは極めて迅速に劣化する。従って、
特別な機械加工が必要であるために非常に高価であるタ
ングステン−タンタル混合物のような合金が用いられね
ばならない。このような事情により、コーニンググラス
ワークス社から市販されているコーニングコード774
0のようなガラスから形成されたノズルが用いられたつ 金属塩の溶液がノズル8によりチャンバー6の上部に噴
霧される。生じた霧は、それが通路11および外フード
7を通しての上方への排気による負圧によってチャンバ
ー6内を通って下方に吸引される時にチャンバー6の壁
からの輻射熱によって気化される。基体5がチャンバー
6の下を通過する時、生じたヒユームが加熱された基体
表面に付着し、過剰のヒユームは通路11および外フー
ド7を通して上方に排気されるc1体5上に均一な蒸着
膜を生じきせるためのみならず大過剰のヒユームを避け
るためにも、チャンバー6を通って基体5上へのホット
ヒユームの移動速度は綿密に調整されねばならない。大
過剰のヒユームは不経済であり、それ自身蒸着装置の各
部材の腐蝕剤でめり、また大気汚染を引き起こす。
以下に説明する不発明の方法の一寅施態様においては、
アンチモンがドープされた酸化錫膜がその製造用として
市販されている溶液を用いることにより蒸着される。そ
の溶液は実際には塩化アンチモン溶液と塩化錫溶液の混
合物である。塩化アンチモン溶液は、37%HC免水溶
液と蒸留水の1=1溶液1威中にSb C!l!、31
SFを溶解することによりill製される。一方、塩化
錫溶液は、30%HC免水溶液と蒸留水の1:5溶液1
d中にSn C9゜4・5Hz019を溶解することに
より調製される。
アンチモンがドープされた酸化錫膜がその製造用として
市販されている溶液を用いることにより蒸着される。そ
の溶液は実際には塩化アンチモン溶液と塩化錫溶液の混
合物である。塩化アンチモン溶液は、37%HC免水溶
液と蒸留水の1=1溶液1威中にSb C!l!、31
SFを溶解することによりill製される。一方、塩化
錫溶液は、30%HC免水溶液と蒸留水の1:5溶液1
d中にSn C9゜4・5Hz019を溶解することに
より調製される。
コーニンググラスワークス社から市販されている約0.
030インチ厚の光学品質のコーニングコード02)1
ガラスマイクロシートより約4インチ×4インチのサン
プル複数枚を切り取った。次いで、コーニンググラスワ
ークス社から市販されているコーニングコード9608
ガラスセラミツクシートより切り取った12インチ×1
6インチx O,25インチの寸法を有するパレット上
に各ガラスサンプルを載せた。予めパレット表面をサン
ドブラスティングにより粗面化し、マイクロシートサン
プル中に熱勾配を生じせしめるパレットの表面模様を除
去した。
030インチ厚の光学品質のコーニングコード02)1
ガラスマイクロシートより約4インチ×4インチのサン
プル複数枚を切り取った。次いで、コーニンググラスワ
ークス社から市販されているコーニングコード9608
ガラスセラミツクシートより切り取った12インチ×1
6インチx O,25インチの寸法を有するパレット上
に各ガラスサンプルを載せた。予めパレット表面をサン
ドブラスティングにより粗面化し、マイクロシートサン
プル中に熱勾配を生じせしめるパレットの表面模様を除
去した。
次いで、ガラスサンプルがヒューミングチセンハーの中
心の真下を該チャンバーの底より約0.5インチ以内で
通過するように炉の予熱領域の金属ベルト上にパレット
を載せた。ヒューミングチャンバー領域において炉の温
度が安定化すると同時に金属ベルトを作動させた。しか
しながら、ガラス基体がヒューミングチャンバーの下を
通過する前に、ノズルへの空気流量と溶液流量を空気排
気速度と同じとなるように調整してガラス基体がヒュー
ミングチャンバーの下に到達しないうちにシステムを安
定化させた。ガラス基体への蒸着の後、スプレーノズル
を止め、特にガラスノズルを用いた場合には過去を防止
するために該ノズルをヒューミングチャンバーより除去
する。一方、パネットは金属ベルトにより炉の出口へと
運ばれる。
心の真下を該チャンバーの底より約0.5インチ以内で
通過するように炉の予熱領域の金属ベルト上にパレット
を載せた。ヒューミングチャンバー領域において炉の温
度が安定化すると同時に金属ベルトを作動させた。しか
しながら、ガラス基体がヒューミングチャンバーの下を
通過する前に、ノズルへの空気流量と溶液流量を空気排
気速度と同じとなるように調整してガラス基体がヒュー
ミングチャンバーの下に到達しないうちにシステムを安
定化させた。ガラス基体への蒸着の後、スプレーノズル
を止め、特にガラスノズルを用いた場合には過去を防止
するために該ノズルをヒューミングチャンバーより除去
する。一方、パネットは金属ベルトにより炉の出口へと
運ばれる。
蒸着を行った各サンプルについて、以下のようにして電
気抵抗率、光透過率および蒸着膜厚の測定を行なった。
気抵抗率、光透過率および蒸着膜厚の測定を行なった。
(1)一定の距M@れた2つの接触点からなるプローブ
を用いて蒸着膜の表面抵抗を測定した。まず既知の抵抗
率を有する幌の表面抵抗を測定し、次いでその既知の抵
抗率を測定した表面抵抗で除することにより比例定数(
K)を求めた。すなわち、抵抗率 に=□ 表面抵抗 比例定数の計算に用いられる対照映の抵抗率が試験され
る幌の抵抗率に比較的近い値を有するならば、この方法
により良好な抵抗率の近似を得ることがでざる。
を用いて蒸着膜の表面抵抗を測定した。まず既知の抵抗
率を有する幌の表面抵抗を測定し、次いでその既知の抵
抗率を測定した表面抵抗で除することにより比例定数(
K)を求めた。すなわち、抵抗率 に=□ 表面抵抗 比例定数の計算に用いられる対照映の抵抗率が試験され
る幌の抵抗率に比較的近い値を有するならば、この方法
により良好な抵抗率の近似を得ることがでざる。
(′2) 光透過率の測定は、チクロン社(T ec
hronCorporation)から市販されている
J−16デイジタル光度g1を用いて行なった。最初に
白色光源を用いて光度計を100%に佼正し、光電管の
前にサンプルを置くことによりサンプルのパーセント透
過率を読み取った。光度計の波長感度範囲は4?5O−
yoooAでめり、そのピークは5sooAでめった。
hronCorporation)から市販されている
J−16デイジタル光度g1を用いて行なった。最初に
白色光源を用いて光度計を100%に佼正し、光電管の
前にサンプルを置くことによりサンプルのパーセント透
過率を読み取った。光度計の波長感度範囲は4?5O−
yoooAでめり、そのピークは5sooAでめった。
13)蒸@摸の厚さの測定においては、まず最初にサン
プルの一部にみつろうのマスクを施した。その後、サン
プルのみつろうマスク領域に隣接する領域において、エ
ツチングによりガラス基体より蒸着膜を除去したくアン
チモンh1゛下−プされた酸化錫膜については、このエ
ツチングは亜鉛とHC免の水溶液により達成される)8
その結果、自記あらざ計を用いて膜厚測定を行なうのに
極めて良好な段のついたエツジが生じた。以下に示す膜
厚を測定するのに、1ミクロインチ未満の厚さの測定が
可能な表面分析器を用いた。
プルの一部にみつろうのマスクを施した。その後、サン
プルのみつろうマスク領域に隣接する領域において、エ
ツチングによりガラス基体より蒸着膜を除去したくアン
チモンh1゛下−プされた酸化錫膜については、このエ
ツチングは亜鉛とHC免の水溶液により達成される)8
その結果、自記あらざ計を用いて膜厚測定を行なうのに
極めて良好な段のついたエツジが生じた。以下に示す膜
厚を測定するのに、1ミクロインチ未満の厚さの測定が
可能な表面分析器を用いた。
蒸着膜の特性に影響を及ぼすいくつかの変動要因を調べ
るために、1つの変動要因を除いてすべての変動要因を
一定に保った一連の実験において、複数のマイクロシー
トサンプルを炉に通して蒸着を行なった。例えば、最初
の実験においては、炉のヒューミングチャンバー領域の
温度をそれぞれ515℃、600°C,615℃および
630℃と変化させて蒸着を行なった。その他の変動要
因は以下に示すように一定に保った。
るために、1つの変動要因を除いてすべての変動要因を
一定に保った一連の実験において、複数のマイクロシー
トサンプルを炉に通して蒸着を行なった。例えば、最初
の実験においては、炉のヒューミングチャンバー領域の
温度をそれぞれ515℃、600°C,615℃および
630℃と変化させて蒸着を行なった。その他の変動要
因は以下に示すように一定に保った。
ベルト速喰:13インチ/分
空気排気速度ニー05ゴンチH20
ノズルの空気流量: 850Cc、/分容器流量:
25.46o、7分 各温度におけるサンプルについて測定した電気抵抗率の
範囲を以下に示す。
25.46o、7分 各温度におけるサンプルについて測定した電気抵抗率の
範囲を以下に示す。
温度 抵抗率
±追上 (オーム/スクエア〉
℃表から明らかなように、温度が高くなればなるほど抵
抗率は低下する。しかしながら、615℃においてマイ
クロシートサンプルにそりの徴候か見られ、630’C
においてそりは著しく悪化する(コーニングコード02
)1ガラスの軟化点は720℃であり、徐冷点は550
°Cである)。従って、蒸着の最高安全温度は約600
°Cであると思われる。勿論、例えば870″Cの軟化
点と622°Cの徐冷点を有するコーニングコード03
17ガラスヤ844°Cの軟化点と639°Cの徐冷点
を有するコーニングコード7059のような耐熱性のよ
り高いガラス基体については、より高い温、度の使用か
可能でおる。
抗率は低下する。しかしながら、615℃においてマイ
クロシートサンプルにそりの徴候か見られ、630’C
においてそりは著しく悪化する(コーニングコード02
)1ガラスの軟化点は720℃であり、徐冷点は550
°Cである)。従って、蒸着の最高安全温度は約600
°Cであると思われる。勿論、例えば870″Cの軟化
点と622°Cの徐冷点を有するコーニングコード03
17ガラスヤ844°Cの軟化点と639°Cの徐冷点
を有するコーニングコード7059のような耐熱性のよ
り高いガラス基体については、より高い温、度の使用か
可能でおる。
炉のベルトの移動速度が蒸着膜に及ぼす影響を調べるた
めに、サンプルを下表に示すような速7度で移動させ、
他の変動要因は下記の水準に保った。
めに、サンプルを下表に示すような速7度で移動させ、
他の変動要因は下記の水準に保った。
空気排気速度:〜05インチHzO
空気流量: 850cc/分
溶液流量:254ooZ分
ベルト速度が蒸着膜の電気抵抗率に及ぼす影響は下表の
通りでおる。
通りでおる。
ベルト速度 抵 抗 率
±ヱ之±ff上 (オーム/スクエア)23、25
975 16.5320 13、125 125 上表から明らかなように、ベルト速度が遅いほど抵抗率
の低い膜が生じる。しかしながら、ベルト速度が9イン
チ/分の場合に得られた膜は、未反応のSn (4を塩
からなる多数の表面欠陥を示した。炉のベルトを低速で
作動する場合には、マイクロシート基体の表面に接触す
るヒユームの量およびマイクロシート基体表面での反応
に必要とされるエネルギーによってマイクロシート基体
の表面温度が低下するユこのような低い基体表面温度は
反応速度を低下ざゼ、そのため基体表面に未反応Sn
C;9.sの斑点が生じる。従って、上記の実験に関し
て言えば、ベルト速度を上記の表面欠陥の発生を避ける
のに十分な速さにしなければならないことは明らかであ
る。従って、他の変動要因が上記水準において一定に保
たれる場合には、10インチ、7分よりも通いヘルド速
度が適当のようである。
975 16.5320 13、125 125 上表から明らかなように、ベルト速度が遅いほど抵抗率
の低い膜が生じる。しかしながら、ベルト速度が9イン
チ/分の場合に得られた膜は、未反応のSn (4を塩
からなる多数の表面欠陥を示した。炉のベルトを低速で
作動する場合には、マイクロシート基体の表面に接触す
るヒユームの量およびマイクロシート基体表面での反応
に必要とされるエネルギーによってマイクロシート基体
の表面温度が低下するユこのような低い基体表面温度は
反応速度を低下ざゼ、そのため基体表面に未反応Sn
C;9.sの斑点が生じる。従って、上記の実験に関し
て言えば、ベルト速度を上記の表面欠陥の発生を避ける
のに十分な速さにしなければならないことは明らかであ
る。従って、他の変動要因が上記水準において一定に保
たれる場合には、10インチ、7分よりも通いヘルド速
度が適当のようである。
予想されるように、空気排気速度の効果はヒユーミング
チャンバーの底とマイクロシート基体の表面との間の距
離に依存するユここで説明する実験においては、両者間
の距離を0.5インチに保ち、空気排気速度を下表に示
すように4段階に変化させ、他の変!ll要囚は下記の
本邸に保った。
チャンバーの底とマイクロシート基体の表面との間の距
離に依存するユここで説明する実験においては、両者間
の距離を0.5インチに保ち、空気排気速度を下表に示
すように4段階に変化させ、他の変!ll要囚は下記の
本邸に保った。
炉のヒユーミングチャンバー
領域の温度=600°C
ベルト速度:13インチ/分
空気流量: 850cc/分
溶液流量:25.4cc/分
空気排気速度が蒸着膜の電気抵抗率に及ぼす影響は下表
の通りである。
の通りである。
空気排気速度 抵 抗 率
エヱ2工旦、旦上 (オーム/スクエア)−0,25
140 −0,50110 −1,0090 −1,50 −0,25インチHzOの排気速度はヒューミングチャ
ンバーよりすべての蒸気を除去するのには不十分でめっ
た。一方、−1,5インチHzOの排気速度においては
、マイクロシート基体がパレットより持ち上げられ、ヒ
ューミングチャンバーに吸い付けられた。従って、上記
の条件(05インチの基体−ヒューミングチャンバー間
距離も含む)下においては、約−125インチHzO以
下の排気速度が使用可能でめる。
140 −0,50110 −1,0090 −1,50 −0,25インチHzOの排気速度はヒューミングチャ
ンバーよりすべての蒸気を除去するのには不十分でめっ
た。一方、−1,5インチHzOの排気速度においては
、マイクロシート基体がパレットより持ち上げられ、ヒ
ューミングチャンバーに吸い付けられた。従って、上記
の条件(05インチの基体−ヒューミングチャンバー間
距離も含む)下においては、約−125インチHzO以
下の排気速度が使用可能でめる。
次に、ノズルの空気流量が蒸着膜の特性に及ぼす影響を
調へる実験を行なった。ノズルはコーニングコード77
40カラスより製造した。空気流量を下表に示すように
6段階に変化させ、他の変動要因は下記の水準に固定さ
せた。
調へる実験を行なった。ノズルはコーニングコード77
40カラスより製造した。空気流量を下表に示すように
6段階に変化させ、他の変動要因は下記の水準に固定さ
せた。
炉のとューミングチャンバー
領域の温度二600°C
空気排気速度ニー1インチH20
ベルト速度:13インチ/分
溶液流量:25.46.、/分
空気流量(標準大気温度および圧力における)の変化が
蒸着膜の電気抵抗率に及ぼす影響は下表の通りである。
蒸着膜の電気抵抗率に及ぼす影響は下表の通りである。
空気流量 抵 抗 率
±泣乙光上 工土二ムZ区ヱエヱ上ノズルの空気流
速は空気排気速度と共に作用してヒユームを基体の表面
へ運、S″Xのに十分な速さでなければならないが、反
応速度に悪影響を及ぼす程にヒユームを冷却するような
速さでめってはならないので、ノズルの空気′a量の制
御には注意を払わなければならない。また、ノズルオリ
フィスのサイズの変化は最適空気流量に影響を及ぼす。
速は空気排気速度と共に作用してヒユームを基体の表面
へ運、S″Xのに十分な速さでなければならないが、反
応速度に悪影響を及ぼす程にヒユームを冷却するような
速さでめってはならないので、ノズルの空気′a量の制
御には注意を払わなければならない。また、ノズルオリ
フィスのサイズの変化は最適空気流量に影響を及ぼす。
@後に、ノズルの溶液流量が蒸着膜の特性に及ぼす影響
を調べる実験を行なった。
を調べる実験を行なった。
上述のノズルの空気流量が蒸@幌の特性に及ぼす影響を
調べるための実験において使用したノズルと同じノズル
を用いて実験を行なった。基体ガラスはコーニングコー
ド0317であった。溶液流量(標準大気温度および圧
力における)を下表に示すように5段階に変化させ、残
りの変動要因は下記の水準に保った。
調べるための実験において使用したノズルと同じノズル
を用いて実験を行なった。基体ガラスはコーニングコー
ド0317であった。溶液流量(標準大気温度および圧
力における)を下表に示すように5段階に変化させ、残
りの変動要因は下記の水準に保った。
炉のヒューミングチャンバー
領域の温度:600°C
ベルト速度:13インチ/分
空気排気速度ニー1インチHzO
空気流量: 850cc/分
下表は各サンプルについて測定した蒸着膜の電気抵抗率
、厚さ、および光透過率を示すものである。透過率測定
に使用した白色光は5sooAの波長に最大透過率を有
していた。
、厚さ、および光透過率を示すものである。透過率測定
に使用した白色光は5sooAの波長に最大透過率を有
していた。
サンプルNα 溶液流量 抵 抗 率 模
厚 光透過率(己 (オーム/スクエア) 」λと
(%)1 16.7 450
1145 83.52 16.7
325 1145 83.63
19.6 150 146
0 89.84 19.6 16
0 1420 88.65 2
2.6 125 1650,92.
16 22.6 120
1610 90.37 25.4
89 1890 88.4F3
25.4 74 2070
86.59 2&、6 5&
2475 B3.010
2E1.8 60 2555
82.9上表から明らかなように、蒸着、嗅の抵抗
率が減少するに従うて蒸着膜の厚さは指数的割合で増加
するようである。また、最大透過率は膜厚が約1700
人の時に得られ、膜厚が約2500人である場合に透過
率は最小になるようである。
厚 光透過率(己 (オーム/スクエア) 」λと
(%)1 16.7 450
1145 83.52 16.7
325 1145 83.63
19.6 150 146
0 89.84 19.6 16
0 1420 88.65 2
2.6 125 1650,92.
16 22.6 120
1610 90.37 25.4
89 1890 88.4F3
25.4 74 2070
86.59 2&、6 5&
2475 B3.010
2E1.8 60 2555
82.9上表から明らかなように、蒸着、嗅の抵抗
率が減少するに従うて蒸着膜の厚さは指数的割合で増加
するようである。また、最大透過率は膜厚が約1700
人の時に得られ、膜厚が約2500人である場合に透過
率は最小になるようである。
また、波長が蒸着膜の透過率に及ぼす影響についても3
つの異なったサンプルについて調べた。
つの異なったサンプルについて調べた。
その結果を下表に示すっ
サンプル 嗅 厚 抵抗¥A 透 過 率〜α
(入) (オーム/ □ スクエア) 1 1510 120 〜5500人で最
大2 1890 89 〜4100人で
最小3 2070 74 〜5000人
で最小上表に示されるように波長が異なれば透過率が変
化するのは、ガラス基体とは異なった屈折率を有する4
横にお′Gブる干渉作用のためである。
(入) (オーム/ □ スクエア) 1 1510 120 〜5500人で最
大2 1890 89 〜4100人で
最小3 2070 74 〜5000人
で最小上表に示されるように波長が異なれば透過率が変
化するのは、ガラス基体とは異なった屈折率を有する4
横にお′Gブる干渉作用のためである。
基体に適用される溶液の儂は、主としてノズルからの溶
液の噴霧速度の関数である。しかしながら、基体への溶
液の適用量は、多かれ少なかれ空気排気速度、炉のベル
ト速度、および基体上のヒューミングチャンバーの高さ
によってもまた影響される。基体の温度を制御するため
の主な方法は、炉の温度を調整することである。しかし
ながら、先に述べたように、基体温度は炉のベルト速度
、ヒューミンクチャンバー中にスプレーされる空気およ
び/または溶液の量、および空気排気速度によってもま
た影響されるC基体に接触せしめられるヒユームの温度
は主として炉の温度に依存するが、ノズルから基体まで
の距離、およびノズルを通過する空気の温度および流速
によっても影響される。ざらに、反応の間にガラスから
のイオンが膜に移るので、蒸着膜の特性は基体のガラス
組成によっても変わり得る。なお、以上の説明は基体の
ヒューミングチャンバーからのヒユームへの単一暴露に
ついてであるが、多重暴露によっても透過率、厚さ、お
よび抵抗率が種々変化した蒸着膜を得ることができる。
液の噴霧速度の関数である。しかしながら、基体への溶
液の適用量は、多かれ少なかれ空気排気速度、炉のベル
ト速度、および基体上のヒューミングチャンバーの高さ
によってもまた影響される。基体の温度を制御するため
の主な方法は、炉の温度を調整することである。しかし
ながら、先に述べたように、基体温度は炉のベルト速度
、ヒューミンクチャンバー中にスプレーされる空気およ
び/または溶液の量、および空気排気速度によってもま
た影響されるC基体に接触せしめられるヒユームの温度
は主として炉の温度に依存するが、ノズルから基体まで
の距離、およびノズルを通過する空気の温度および流速
によっても影響される。ざらに、反応の間にガラスから
のイオンが膜に移るので、蒸着膜の特性は基体のガラス
組成によっても変わり得る。なお、以上の説明は基体の
ヒューミングチャンバーからのヒユームへの単一暴露に
ついてであるが、多重暴露によっても透過率、厚さ、お
よび抵抗率が種々変化した蒸着膜を得ることができる。
特に多重膜については、7オーム/スクエアよりも低い
電気抵抗率を示す蒸着膜を得ることが可能でおるが、こ
の場合光透過率を幾分犠牲にしなければならない。
電気抵抗率を示す蒸着膜を得ることが可能でおるが、こ
の場合光透過率を幾分犠牲にしなければならない。
第1図は本発明の方法を実施するための蒸着装置の一例
の概略側面断面図、 第2図は第1図に示されるヒューミングチャンバーの概
略側面断面図である。 1・・・炉の天井 2・・・炉 の 床3・
・・金属ベルト 4・・・パレット5・・・ガ
ラス基体
の概略側面断面図、 第2図は第1図に示されるヒューミングチャンバーの概
略側面断面図である。 1・・・炉の天井 2・・・炉 の 床3・
・・金属ベルト 4・・・パレット5・・・ガ
ラス基体
Claims (5)
- (1)少なくとも1種の金属塩の熱分解による均一な厚
さを有する透明な金属酸化物薄膜の蒸着方法であつて、
該方法は、 a)前記金属塩の霧を、該霧を気化するのに十分な温度
に加熱されたヒユーミングチャンバー中にスプレーする
工程、および b)生じたヒュームを前記チャンバーの外に引き出し、
前記チャンバーの排出端において、前記金属塩を熱分解
して基体上に金属酸化物の膜を蒸着するのに十分な温度
であつて実質的に前記ヒユームの温度に等しい温度の基
体の表面に接触させる工程 からなることを特徴とする透明な金属酸化物薄膜の蒸着
方法。 - (2)前記金属酸化物膜かアンチモンがドープされた酸
化錫からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の蒸着方法。 - (3)前記金属酸化物膜が、約1000−3000Åの
範囲の厚さ、80%よりも高い光透過率、および約7−
1000オーム/スクエアの範囲の電気抵抗率を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の蒸着方法
。 - (4)前記ヒュームか前記チャンバーの排出端における
負圧によって該チャンバーから引き出されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の蒸着方法。 - (5)前記基体がガラスであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の蒸着方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/653,156 US4571350A (en) | 1984-09-24 | 1984-09-24 | Method for depositing thin, transparent metal oxide films |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62170480A true JPS62170480A (ja) | 1987-07-27 |
Family
ID=24619715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP619586A Pending JPS62170480A (ja) | 1984-09-24 | 1986-01-14 | 透明な金属酸化物薄膜の蒸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62170480A (ja) |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP619586A patent/JPS62170480A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4571350A (en) | Method for depositing thin, transparent metal oxide films | |
CA1337165C (en) | Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath | |
US4859499A (en) | Method for coating a substrate with an electrically conductive layer | |
US4584206A (en) | Chemical vapor deposition of a reflective film on the bottom surface of a float glass ribbon | |
KR101464061B1 (ko) | 기재 상에 니오븀-도핑된 티타니아 필름을 침착시키는 방법 및 이로써 제조된 코팅된 기재 | |
US4900110A (en) | Chemical vapor deposition of a reflective film on the bottom surface of a float glass ribbon | |
US3961120A (en) | Coating glass sheets on both surfaces | |
GB2054659A (en) | Sputter depositing transparent electrically conductive indium oxide layers | |
ES8404299A1 (es) | Aparato para el revestimiento de hojas o cintas vitreas. | |
EP0390150B1 (en) | Method for forming a metal oxide film | |
JPH0530907B2 (ja) | ||
JPS6236046A (ja) | 酸化錫膜の形成方法 | |
JPS58105111A (ja) | ガラス光導波膜の製造方法および製造装置 | |
JPS62170480A (ja) | 透明な金属酸化物薄膜の蒸着方法 | |
WO1985005292A1 (en) | Color suppressing process | |
EP0232434A1 (en) | Method for depositing thin, transparent metal oxide films | |
US3331702A (en) | Iridizing method | |
JPH0230765A (ja) | 酸化錫被覆の形成方法 | |
JPH0450683B2 (ja) | ||
JPH0390580A (ja) | 霧化薄膜形成方法 | |
SU914525A1 (ru) | Способ получения пленочного нагревателя 1 | |
JPH03274279A (ja) | 金属酸化物膜の製造方法 | |
JPH01132003A (ja) | 透明導電基板およびその製造方法 | |
JPH0436585B2 (ja) | ||
JPH0723236B2 (ja) | 基体上に薄層を形成する方法 |