JPH0230765A - 酸化錫被覆の形成方法 - Google Patents
酸化錫被覆の形成方法Info
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- JPH0230765A JPH0230765A JP1095463A JP9546389A JPH0230765A JP H0230765 A JPH0230765 A JP H0230765A JP 1095463 A JP1095463 A JP 1095463A JP 9546389 A JP9546389 A JP 9546389A JP H0230765 A JPH0230765 A JP H0230765A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、一般に赤外線反射性被覆ガラス製品の分野に
関し、特に虹色に見えない（ｎｏｎｉｒｒｉｄｅｓｃｅ
ｎｔ）高透過性低放射性（ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）赤外
線反射性被覆ガラス物品に関する。
関し、特に虹色に見えない（ｎｏｎｉｒｒｉｄｅｓｃｅ
ｎｔ）高透過性低放射性（ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）赤外
線反射性被覆ガラス物品に関する。
酸化錫の如き透明赤外線反射性膜はガラスのような基体
上に、加熱された表面に熱分解可能な化合物を適用する
ことを含めた種々の方法により付着させることができる
。透明赤外線反射性酸化錫膜を形成する有用な方法は、
ソンダース（Ｓａｕｎｄｅｒｓ）その他による米国特許
筒３，１０７，１７７号明細書、ギラリー（Ｇｉｌｌｅ
ｒｙ）による米国特許筒３，６７７．８１４号明細書及
びワーグナー（Ｗａｇｎｅｒ）その他による米国特許筒
４，２６３，３３５号明細書に教示されている。
上に、加熱された表面に熱分解可能な化合物を適用する
ことを含めた種々の方法により付着させることができる
。透明赤外線反射性酸化錫膜を形成する有用な方法は、
ソンダース（Ｓａｕｎｄｅｒｓ）その他による米国特許
筒３，１０７，１７７号明細書、ギラリー（Ｇｉｌｌｅ
ｒｙ）による米国特許筒３，６７７．８１４号明細書及
びワーグナー（Ｗａｇｎｅｒ）その他による米国特許筒
４，２６３，３３５号明細書に教示されている。
酸化錫膜は約１０００〜８０００人の厚さで特に効果的
な赤外線反射体になる。しかし、そのような厚さでは、
膜は干渉効果、即ち、虹色として一般に言及されている
色々な色に見える効果を示す傾向がある。これらの干渉
効果は被覆されたガラスを殆どの建築上の用途にとって
美的に受入れられないものにしている。虹色はもつと薄
い膜では観察されない。しかし、これらの膜は実際に有
用になるには不充分な赤外線反射性しかもたない。同様
に、虹色は一層厚い膜では観察されない。しかし、これ
らの膜は曇った状態になりやすく均一に作るのが難しい
。従って、干渉効果を打ち消す種々の方法が開発されて
いる。
な赤外線反射体になる。しかし、そのような厚さでは、
膜は干渉効果、即ち、虹色として一般に言及されている
色々な色に見える効果を示す傾向がある。これらの干渉
効果は被覆されたガラスを殆どの建築上の用途にとって
美的に受入れられないものにしている。虹色はもつと薄
い膜では観察されない。しかし、これらの膜は実際に有
用になるには不充分な赤外線反射性しかもたない。同様
に、虹色は一層厚い膜では観察されない。しかし、これ
らの膜は曇った状態になりやすく均一に作るのが難しい
。従って、干渉効果を打ち消す種々の方法が開発されて
いる。
スヂュア−１・（Ｓｔｅｕ＋ａｒｔ）による米国特許筒
３．７１０，０７４号明細書には、電気的に加熱される
多層窓ガラス嵌込み構造体（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｇｌａ
ｚｅｄｗｉｎｄｏｕ＋ ｕｎｉｔ）で、閉ざされた表面
上の導電性被覆及び、その構造体の熱絶縁性を改良し、
伝導性膜の虹色に見える性質を減少させるため少なくと
も０７の絶対赤外線反射率を有する選択的反応性膜を有
する窓ガラス嵌込み構造体が記載されている。
３．７１０，０７４号明細書には、電気的に加熱される
多層窓ガラス嵌込み構造体（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｇｌａ
ｚｅｄｗｉｎｄｏｕ＋ ｕｎｉｔ）で、閉ざされた表面
上の導電性被覆及び、その構造体の熱絶縁性を改良し、
伝導性膜の虹色に見える性質を減少させるため少なくと
も０７の絶対赤外線反射率を有する選択的反応性膜を有
する窓ガラス嵌込み構造体が記載されている。
チェス（Ｃｈｅｓｓ）その他による米国特許筒４．０６
９，６３０号明細書には、内側表面に熱反射性酸化錫膜
を有する着色熱吸収性外部ガラスシートと、無色又は着
色ガラスである内部ガラスシートとを有する熱反射性多
層嵌込み窓ガラスが記載されている。酸化錫膜は典型的
に一次赤色から四次赤色の干渉色を示し、その可視効果
は着色熱吸収性ガラスによって減衰されている。
９，６３０号明細書には、内側表面に熱反射性酸化錫膜
を有する着色熱吸収性外部ガラスシートと、無色又は着
色ガラスである内部ガラスシートとを有する熱反射性多
層嵌込み窓ガラスが記載されている。酸化錫膜は典型的
に一次赤色から四次赤色の干渉色を示し、その可視効果
は着色熱吸収性ガラスによって減衰されている。
ゴールトン（Ｇｏｒｄｏｎ）による米国特許筒４．１８
７，３３６号；第４，２０６，２５２号；第４，３０８
，３１６号；明細書には、赤外線反射性物質の第一被覆
を有するガラスシートを有する透明カラス窓構造体が記
載されており、その場合、第一被覆から生ずる虹色に見
える現像は、虹色を示す現像を打ち消すように光を反射
及び屈折する少なくとも二つの界面形成手段を与える特
別な屈折率及び厚さを有する第二被覆によって減少させ
ている。
７，３３６号；第４，２０６，２５２号；第４，３０８
，３１６号；明細書には、赤外線反射性物質の第一被覆
を有するガラスシートを有する透明カラス窓構造体が記
載されており、その場合、第一被覆から生ずる虹色に見
える現像は、虹色を示す現像を打ち消すように光を反射
及び屈折する少なくとも二つの界面形成手段を与える特
別な屈折率及び厚さを有する第二被覆によって減少させ
ている。
ゴールトンによる米国特許筒４，３７７．６１３号明細
書には、赤外線反射性物質の被覆を有するガラスシート
を具えた透明窓ガラス構造体が記載されており、その場
合、虹色に見える現像は、その虹色に見える現像を打ち
消すように光を反射及び屈折する赤外線反射性被覆の下
に非常に薄い被覆系を与えることによって減少させてい
る。
書には、赤外線反射性物質の被覆を有するガラスシート
を具えた透明窓ガラス構造体が記載されており、その場
合、虹色に見える現像は、その虹色に見える現像を打ち
消すように光を反射及び屈折する赤外線反射性被覆の下
に非常に薄い被覆系を与えることによって減少させてい
る。
■、Δ、ヘメリー（ＩＩ ｅ ｎ ｅ ｒ ｙ ）その
他による１９８５年８月２３日出願の米国特許出願Ｓ
ｅｒｉａｌ Ｎ ｏ、７６８．９２２には、窓ｆ１４遺
体中の赤外線反射性膜の可視干渉効果を消すための別の
方法が記載されており、それには、赤外線反射性膜の光
屈折率（ｌｕｍｉｎｏｕｓｒｅｆ Ｉｅｃｔａｎｃｅ）
よりかなり高い光屈折率と共に可視波長領域で均一な屈
折率を有する第二膜によって赤外線反射性膜の可視干渉
効果を消すことが含まれている。高透過性低放射性構造
体を製造するため、赤外線反射性膜の厚さは、反射率曲
線中の第一極小値と一致するように選択されるのが好ま
しい メンテ（Ｍｅｎｋ）による米国特許筒３，７５９，７４
３号明細書には、基体を８００′Ｆより高い温度に保ち
ながら、ｌ・リフルオロ酢酸の有機錫塩の溶液を基体に
適用することによりセラミック基体の表面上に導電性酸
化錫膜を形成する改良された方法−が記載されている。
他による１９８５年８月２３日出願の米国特許出願Ｓ
ｅｒｉａｌ Ｎ ｏ、７６８．９２２には、窓ｆ１４遺
体中の赤外線反射性膜の可視干渉効果を消すための別の
方法が記載されており、それには、赤外線反射性膜の光
屈折率（ｌｕｍｉｎｏｕｓｒｅｆ Ｉｅｃｔａｎｃｅ）
よりかなり高い光屈折率と共に可視波長領域で均一な屈
折率を有する第二膜によって赤外線反射性膜の可視干渉
効果を消すことが含まれている。高透過性低放射性構造
体を製造するため、赤外線反射性膜の厚さは、反射率曲
線中の第一極小値と一致するように選択されるのが好ま
しい メンテ（Ｍｅｎｋ）による米国特許筒３，７５９，７４
３号明細書には、基体を８００′Ｆより高い温度に保ち
ながら、ｌ・リフルオロ酢酸の有機錫塩の溶液を基体に
適用することによりセラミック基体の表面上に導電性酸
化錫膜を形成する改良された方法−が記載されている。
本発明は、ハロゲンを含まない被覆反応物、特に、トリ
ブチル錫トリメチルアセテ−■・、トリブチル錫ネオペ
ンタノエート又は１へリプチル錫ピバレートとしても知
られているトリブチル錫ジメチルプロピオネート；ビス
−１〜リブチル錫オキシド、 ｌ−リプチル錫アセテ−
１〜の如きブチル錫アセテ−１−の酸化性熱分解によっ
て曇りのない赤外線反射性酸化錫膜を製造する方法を与
える。本発明は、更に、アルキル錫フルオロアルカノエ
ート、フルオロアルキノエート、フルオロアルキノエー
ト又は多官能性フルオロアルキノエート（フルオロアル
クツニー＋−＞、特にトリブチル錫トリフルオロアセテ
ート及びトリブチル錫へブタフルオロブヂレ−１−の如
き塩素を含まないフッ素含有有機錫被覆反応物の化学的
蒸着表面触媒燃焼により曇りのない赤外線反射性酸化錫
膜を製造する方法を与える。
ブチル錫トリメチルアセテ−■・、トリブチル錫ネオペ
ンタノエート又は１へリプチル錫ピバレートとしても知
られているトリブチル錫ジメチルプロピオネート；ビス
−１〜リブチル錫オキシド、 ｌ−リプチル錫アセテ−
１〜の如きブチル錫アセテ−１−の酸化性熱分解によっ
て曇りのない赤外線反射性酸化錫膜を製造する方法を与
える。本発明は、更に、アルキル錫フルオロアルカノエ
ート、フルオロアルキノエート、フルオロアルキノエー
ト又は多官能性フルオロアルキノエート（フルオロアル
クツニー＋−＞、特にトリブチル錫トリフルオロアセテ
ート及びトリブチル錫へブタフルオロブヂレ−１−の如
き塩素を含まないフッ素含有有機錫被覆反応物の化学的
蒸着表面触媒燃焼により曇りのない赤外線反射性酸化錫
膜を製造する方法を与える。
可視干渉効果を示す赤外線反射性膜は一体的シートに有
用である。本発明による好ましい物品は、少なくとも二
つの板、好ましくは両方共ガラスである板を有する多層
嵌込み窓ガラス構造体である。
用である。本発明による好ましい物品は、少なくとも二
つの板、好ましくは両方共ガラスである板を有する多層
嵌込み窓ガラス構造体である。
慣用的ガラス組成物か有用であり、特にフロートｑＡ′
ｆｉ法で製造された典型的なソーダー・石灰・シリカガ
ラスである。熱吸収性着色ガラスを用いてもよいが、高
透過性用途のために無色透明のガラスが好ましい。
ｆｉ法で製造された典型的なソーダー・石灰・シリカガ
ラスである。熱吸収性着色ガラスを用いてもよいが、高
透過性用途のために無色透明のガラスが好ましい。
本発明による太陽エネルギー調節用に有用な種々の赤外
線反射性膜の中で酸化錫が好ましい。酸化錫膜は、熱分
解付着、粉末被覆、化学的蒸着及び陰極スパッタリング
の如き種々の方法でガラス表面に付着させることができ
る。適当な方法には、ギラリーによる米国特許節３，６
７７．８１４号明細書及びワクナーその他による米国特
許節４，２６３，３３５号明細書に教示されているよう
なアルキル錫フッ化物の熱分解；ソブコ（Ｓｏｐｋｏ）
その他による米国特許節３，８５０，６７９号明細書に
教示されているような化学的蒸着；ワグナ−による米国
特許節４．３２５，９８８号明細書及びヘネリーによる
米国特許節４，３４４，９８６号明細書に教示されてい
るような粉末被覆；及びギラリーその他による米国特許
節３．４７７．９３６号及び第３，５０６，５５６号明
細書に教示されているような陰極スパッタリ〉・グ；が
含まれる。
線反射性膜の中で酸化錫が好ましい。酸化錫膜は、熱分
解付着、粉末被覆、化学的蒸着及び陰極スパッタリング
の如き種々の方法でガラス表面に付着させることができ
る。適当な方法には、ギラリーによる米国特許節３，６
７７．８１４号明細書及びワクナーその他による米国特
許節４，２６３，３３５号明細書に教示されているよう
なアルキル錫フッ化物の熱分解；ソブコ（Ｓｏｐｋｏ）
その他による米国特許節３，８５０，６７９号明細書に
教示されているような化学的蒸着；ワグナ−による米国
特許節４．３２５，９８８号明細書及びヘネリーによる
米国特許節４，３４４，９８６号明細書に教示されてい
るような粉末被覆；及びギラリーその他による米国特許
節３．４７７．９３６号及び第３，５０６，５５６号明
細書に教示されているような陰極スパッタリ〉・グ；が
含まれる。
本発明による好ましい酸化錫赤外線反射性膜は約５０Ω
／スクエアーより小さな固有抵抗、−層好ましくは２０
〜３０Ω／スクエアーの範囲の固有抵抗及び好ましくは
０．４より小さな低い放射率を有する。膜の厚さは光反
射率曲線の最小値に相当するように選択される。好まし
くは膜の厚さは第一極小値に相当する。なぜなら、この
点は酸化錫膜で得られる最小の可視反射率を表している
からである。この点は約１４００人の厚さの二次青色干
渉効果に相当する。被覆方法の条件は、与えられた厚さ
に対し最小の固有抵抗を与え、最大の赤外線反射率及び
最小の放射率を与えるように調節される。
／スクエアーより小さな固有抵抗、−層好ましくは２０
〜３０Ω／スクエアーの範囲の固有抵抗及び好ましくは
０．４より小さな低い放射率を有する。膜の厚さは光反
射率曲線の最小値に相当するように選択される。好まし
くは膜の厚さは第一極小値に相当する。なぜなら、この
点は酸化錫膜で得られる最小の可視反射率を表している
からである。この点は約１４００人の厚さの二次青色干
渉効果に相当する。被覆方法の条件は、与えられた厚さ
に対し最小の固有抵抗を与え、最大の赤外線反射率及び
最小の放射率を与えるように調節される。
もし−層大きな太陽エネルギー性能のために一層低い固
有抵抗が望まれるならば、好ましくは光反射率曲線で第
二極小値に近い厚さ、最も好ましくは三次青色干渉効果
に相当する厚さ、約２７５０人の一層厚い赤外線反射性
酸化錫膜を形成させてもよい。
有抵抗が望まれるならば、好ましくは光反射率曲線で第
二極小値に近い厚さ、最も好ましくは三次青色干渉効果
に相当する厚さ、約２７５０人の一層厚い赤外線反射性
酸化錫膜を形成させてもよい。
酸化錫赤外線反射性膜の厚さがスペクトル反射率曲線で
第一極小値に相当している好ましい態様の場合、典型的
には膜は干渉効果によって青色に見え、可視反射率は約
１０％であり、固有抵抗は一般に約４５〜５０Ω／スク
エアーである。
第一極小値に相当している好ましい態様の場合、典型的
には膜は干渉効果によって青色に見え、可視反射率は約
１０％であり、固有抵抗は一般に約４５〜５０Ω／スク
エアーである。
本発明による物品は、高い赤外線反射率及び低い放射率
によって構造物内部の熱が失われないようにしながら、
大きな透過率により太陽エネルギー（光及び熱）が構造
物内へ入るようにしているため、受動的太陽熱暖房用途
に有効である。本発明の被覆反応物はハロゲンを含まな
いので、本発明の酸（ヒ錫膜はガラスからのすトリウム
と塩素との反応によって起こされる曇りを生じない。
によって構造物内部の熱が失われないようにしながら、
大きな透過率により太陽エネルギー（光及び熱）が構造
物内へ入るようにしているため、受動的太陽熱暖房用途
に有効である。本発明の被覆反応物はハロゲンを含まな
いので、本発明の酸（ヒ錫膜はガラスからのすトリウム
と塩素との反応によって起こされる曇りを生じない。
フッ素を酸化錫にドープすることにより一層性能のよい
被覆を形成させてもよい。例えば、トリフルオロ酢酸の
如きフッ素含有化合物を添加してもよく、好ましくは約
１〜１０重量％、最も好ましくは約５重量％添加しても
よい。本発明の被覆反応ｔ’ｙｙ＋の、７）るものはフ
ッ素を含んでいるので、それらによる化学的蒸着酸化錫
膜の伝導度はフッ素を含まない組成物の場合よりも高く
なっている。好ましいフルオロアルクノエートはトリブ
チル錫トリフルオロアセテートである。本発明を次の特
別の実施例により更に詳細に例示する。
被覆を形成させてもよい。例えば、トリフルオロ酢酸の
如きフッ素含有化合物を添加してもよく、好ましくは約
１〜１０重量％、最も好ましくは約５重量％添加しても
よい。本発明の被覆反応ｔ’ｙｙ＋の、７）るものはフ
ッ素を含んでいるので、それらによる化学的蒸着酸化錫
膜の伝導度はフッ素を含まない組成物の場合よりも高く
なっている。好ましいフルオロアルクノエートはトリブ
チル錫トリフルオロアセテートである。本発明を次の特
別の実施例により更に詳細に例示する。
実施例１
透明なフロート法ガラス基体を炉中で約７０４℃（１３
００°Ｆ）で約４分間加熱した６次にその熱いガラスを
約７．１ｚ（２８０ｉｎ）／分の線速度で、ガラス表面
の上約６．３５ｚｚ（０，２５ｉｎ）間隔をあけて配置
された約３．１７５ｚｚ（０，１２５ｉｎ）の幅のノズ
ルを持つスロット型ノズルの下を通過させた。ノズルに
は２０ｆｔ３／分の流量の空気をキャリヤーとして約２
５４℃（４９０’Ｆ）で蒸発させたビス−トリブチル錫
オキシドを供給した。酸化錫被覆が付着され、それは光
源” ｃ ”フィルターをつけたガードナー（Ｇａｒｄ
ｎｅｒ）Ｘ Ｌ ２１１ヘイズガード・システム（Ｈａ
ｚ＋４ｕａｒｄ Ｓｙｓｔｅｍ）を用いて分析すると、
それが示す曇りは０１０％であった。
００°Ｆ）で約４分間加熱した６次にその熱いガラスを
約７．１ｚ（２８０ｉｎ）／分の線速度で、ガラス表面
の上約６．３５ｚｚ（０，２５ｉｎ）間隔をあけて配置
された約３．１７５ｚｚ（０，１２５ｉｎ）の幅のノズ
ルを持つスロット型ノズルの下を通過させた。ノズルに
は２０ｆｔ３／分の流量の空気をキャリヤーとして約２
５４℃（４９０’Ｆ）で蒸発させたビス−トリブチル錫
オキシドを供給した。酸化錫被覆が付着され、それは光
源” ｃ ”フィルターをつけたガードナー（Ｇａｒｄ
ｎｅｒ）Ｘ Ｌ ２１１ヘイズガード・システム（Ｈａ
ｚ＋４ｕａｒｄ Ｓｙｓｔｅｍ）を用いて分析すると、
それが示す曇りは０１０％であった。
実施例２
アルドリッヒ・ケミカルズ（＾１ｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌｓ、）から人手された外囲温度のビス−トリブ
チル錫オキシド１．５ｋｇへ、ネオペンタン酸としてエ
クソン（Ｅｘｘｏｎ）から入手されたジメチルプロピオ
ン酸５８０ｇを、約４０℃の液体状態にして添加した。
ｉｃａｌｓ、）から人手された外囲温度のビス−トリブ
チル錫オキシド１．５ｋｇへ、ネオペンタン酸としてエ
クソン（Ｅｘｘｏｎ）から入手されたジメチルプロピオ
ン酸５８０ｇを、約４０℃の液体状態にして添加した。
還流凝縮器を具えた反応フラスコ中で磁気撹拌器で撹拌
しなから二相の液体を加熱した。穏やかな還流を維持し
ながら約１時間以内で穏やかな発熱反応が完了した。次
に還流凝縮器を蒸留器で置き換え、それに水を通し、幾
らかの過剰のジメチルプロピオン酸を蒸留除去した。反
応／蒸留フラスコの内容物が沸騰し始めた時、低い圧力
で蒸留を継続した。大気圧での操作は１５０℃に近い液
体温度て終わった。初留物質を除去した後、主なる留分
であるｌ・リプチル錫ジメチルプロピオネートか１５４
／１℃及び７トールケージ圧（フラスコ中の圧力約９ト
ール）で水のように透明な液体として鮮明に蒸留された
。収量は約１．８〜１．９に、であった６外囲状態で長
い間装置するか、又は冷凍温度で短時間放置すると、液
体反応生成物は固化してワックス状の結晶物になった。
しなから二相の液体を加熱した。穏やかな還流を維持し
ながら約１時間以内で穏やかな発熱反応が完了した。次
に還流凝縮器を蒸留器で置き換え、それに水を通し、幾
らかの過剰のジメチルプロピオン酸を蒸留除去した。反
応／蒸留フラスコの内容物が沸騰し始めた時、低い圧力
で蒸留を継続した。大気圧での操作は１５０℃に近い液
体温度て終わった。初留物質を除去した後、主なる留分
であるｌ・リプチル錫ジメチルプロピオネートか１５４
／１℃及び７トールケージ圧（フラスコ中の圧力約９ト
ール）で水のように透明な液体として鮮明に蒸留された
。収量は約１．８〜１．９に、であった６外囲状態で長
い間装置するか、又は冷凍温度で短時間放置すると、液
体反応生成物は固化してワックス状の結晶物になった。
新しく合成されたトリブチル錫ビバレートの蒸気圧曲線
を沸騰還流法により得た。それを第１図として添付する
。これらのデーターから蒸発のエンタルピー及びエント
ロピーを計算すると、夫々１８．７ｋｃａ１１モル及び
３４．４１ｃａ１１モルＸになった。
を沸騰還流法により得た。それを第１図として添付する
。これらのデーターから蒸発のエンタルピー及びエント
ロピーを計算すると、夫々１８．７ｋｃａ１１モル及び
３４．４１ｃａ１１モルＸになった。
実施例３
化学的蒸着法により上述のトロブチル錫ピバレートを用
いて次のようにして酸化錫膜を付着させた。１へリプチ
ル錫ビバレートを蒸発し、１トールの濃度で空気をキャ
リヤーとして運んだ。その蒸気を古典的な壁冷却反応器
中で２ＣＩ／秒の速度で約５１０℃（９５０°Ｆ）の温
度のガラス基体へ送った。
いて次のようにして酸化錫膜を付着させた。１へリプチ
ル錫ビバレートを蒸発し、１トールの濃度で空気をキャ
リヤーとして運んだ。その蒸気を古典的な壁冷却反応器
中で２ＣＩ／秒の速度で約５１０℃（９５０°Ｆ）の温
度のガラス基体へ送った。
１２００Ωの抵抗を有する薄膜が形成された。
実施例４
トリブチル錫とバレートにより付着させた酸化錫膜の伝
導度を向上させるため、トリフルオロ酢酸を５重量％添
加した。ガラス基体を約６８５℃（１２６５°Ｆ）の炉
中で４１７２分間加熱した。約７．６ｍ（３００ｉｎ）
／分の速度で移動するガラスは被覆用ノズルの所では約
６３２℃（１１６９°Ｆ）の温度になっていた。そのノ
ズルは被覆されるガラスの表面から６．３５ｚｚ（０，
２５ｉｎ）隔たっていた。被覆用反応物の流量は９７．
５ＣＪｌ’／分で、蒸発器への空気供給流量は１６ｆｔ
’／分であった。蒸発器へ供給された空気は約２７°Ｃ
（８１°Ｆ）〜約１９１℃（３７５°Ｆ）に加熱された
。
導度を向上させるため、トリフルオロ酢酸を５重量％添
加した。ガラス基体を約６８５℃（１２６５°Ｆ）の炉
中で４１７２分間加熱した。約７．６ｍ（３００ｉｎ）
／分の速度で移動するガラスは被覆用ノズルの所では約
６３２℃（１１６９°Ｆ）の温度になっていた。そのノ
ズルは被覆されるガラスの表面から６．３５ｚｚ（０，
２５ｉｎ）隔たっていた。被覆用反応物の流量は９７．
５ＣＪｌ’／分で、蒸発器への空気供給流量は１６ｆｔ
’／分であった。蒸発器へ供給された空気は約２７°Ｃ
（８１°Ｆ）〜約１９１℃（３７５°Ｆ）に加熱された
。
その高温空気・被覆用反応物混合物は蒸発器中で加熱し
、被覆用蒸気は約１９０℃（３７４°Ｆ）の温度で出た
。熱いガラス表面と接触すると、被覆用蒸気は反応して
フッ素ドープ酸化錫膜を形成し、それは均一な琥珀色を
持ち、９００〜１０００人の厚さ及び８６Ω／スクエア
ーの固有抵抗を示していた。
、被覆用蒸気は約１９０℃（３７４°Ｆ）の温度で出た
。熱いガラス表面と接触すると、被覆用蒸気は反応して
フッ素ドープ酸化錫膜を形成し、それは均一な琥珀色を
持ち、９００〜１０００人の厚さ及び８６Ω／スクエア
ーの固有抵抗を示していた。
実施例５
前の実施例の如く、酸化錫膜を付着させた。但しガラス
の速度は約６．１ｘ／分（２４０ｉｎ）であり、ガラス
は約６９３℃（１２８０’Ｆ）の炉中で５分間加熱し、
被覆用ノズルの所でのガラス温度を約６４１℃（１１８
６’Ｆ）にした。約２９℃（８５°Ｆ）のキャリヤー空
気を１２ｆｔ３７分で蒸発器へ供給した。被覆用蒸気温
度は約１８６℃（３６７°Ｆ）であった。僅かに一層厚
い酸化錫膜が形成された。−次赤色干渉色は約１２００
〜１３００人のｒＴ！Ａ厚を示しており、抵抗は４２Ω
／スクエアーであった。
の速度は約６．１ｘ／分（２４０ｉｎ）であり、ガラス
は約６９３℃（１２８０’Ｆ）の炉中で５分間加熱し、
被覆用ノズルの所でのガラス温度を約６４１℃（１１８
６’Ｆ）にした。約２９℃（８５°Ｆ）のキャリヤー空
気を１２ｆｔ３７分で蒸発器へ供給した。被覆用蒸気温
度は約１８６℃（３６７°Ｆ）であった。僅かに一層厚
い酸化錫膜が形成された。−次赤色干渉色は約１２００
〜１３００人のｒＴ！Ａ厚を示しており、抵抗は４２Ω
／スクエアーであった。
上記実施例は本発明を単に例示するために与えたもので
ある。被覆装置、処理条件及び組成を最適にすれば、更
に低い抵抗の曇りのない膜を与えることができると考え
られ、それも本発明の範囲内に入る。透過率、反射率及
び固有抵抗の値は、種々の既知の被覆方法に従い相対的
被覆厚さを変えるか、又は被覆処理条件を調節すること
により変えることができる。本発明の範囲は特許請求の
範囲によって定められる。
ある。被覆装置、処理条件及び組成を最適にすれば、更
に低い抵抗の曇りのない膜を与えることができると考え
られ、それも本発明の範囲内に入る。透過率、反射率及
び固有抵抗の値は、種々の既知の被覆方法に従い相対的
被覆厚さを変えるか、又は被覆処理条件を調節すること
により変えることができる。本発明の範囲は特許請求の
範囲によって定められる。
実施例６
トリブチル錫アセテートを次のようにしてビス−トリブ
チル錫オキシドから合成するのが好ましい。アルドリッ
ヒ・ケミカルズから入手された外囲温度のビス−トリブ
チル錫オキシドを４５°Ｃに加熱した。そのビストリブ
チル錫オキシド５９６Ｊ（１モル）に、氷酢酸１２２．
４ｙ（２モル）をゆっくり添加した。混合物の温度は、
固体反応生成物が形成されるに従い、約７０℃へ上昇し
た。混合物を約１２５℃へ加熱し、反応生成物を溶融し
、反応中に形成された水を除去した。３０分後、反応混
合物を冷却させ、固化しな。粉末反応生成物を真空乾燥
皿中で乾燥した。このようにして生成したトリブチル錫
アセテートの融点は約７９〜８１℃であった。
チル錫オキシドから合成するのが好ましい。アルドリッ
ヒ・ケミカルズから入手された外囲温度のビス−トリブ
チル錫オキシドを４５°Ｃに加熱した。そのビストリブ
チル錫オキシド５９６Ｊ（１モル）に、氷酢酸１２２．
４ｙ（２モル）をゆっくり添加した。混合物の温度は、
固体反応生成物が形成されるに従い、約７０℃へ上昇し
た。混合物を約１２５℃へ加熱し、反応生成物を溶融し
、反応中に形成された水を除去した。３０分後、反応混
合物を冷却させ、固化しな。粉末反応生成物を真空乾燥
皿中で乾燥した。このようにして生成したトリブチル錫
アセテートの融点は約７９〜８１℃であった。
分解温度は窒素中２８０℃、空気中１４０’Ｃであるこ
とが決定された。蒸発のエンタルピーを計算すると１５
．４５０ｃａ１１モル、蒸発のエントロピーは２７．５
９０ｃａ１１モル玉であった。透明なフロート法ガラス
基俸を約７０４℃（１３００°Ｆ）の炉中で約４分間加
熱した。
とが決定された。蒸発のエンタルピーを計算すると１５
．４５０ｃａ１１モル、蒸発のエントロピーは２７．５
９０ｃａ１１モル玉であった。透明なフロート法ガラス
基俸を約７０４℃（１３００°Ｆ）の炉中で約４分間加
熱した。
基体を約７．１ｚ（２８０ｉｎ）／分の線速度で、ガラ
ス表面の１約６．３５ｉｚ（０，２５ｉｎ）の間隔をあ
けて配置された約３．１７５１ｊ！（０，１２５ｉｎ）
の幅のノズルを持つスロット型ノズルの下を通過させた
。５００ｚ１のメタノール中に２５０ｇのトリブチル錫
アセテートを入れたものからなる被覆用溶液を約１６５
〜１７５℃の温度で蒸発させ、２０ｆｔ’、／分の流量
の空気をキャリヤーとしてガラス表面へ供給した。酸化
錫膜が約５８２℃（１０８０″Ｆ）の温度でガラス表面
上に形成された。被覆は１２％の光り反射率を有し、Ｘ
・０．２９０６、ｙ−０，２９９９の色度座標（ｃｈｒ
ｏｌｌａｔｉｃｉｔｙ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）をもっ
ていた。
ス表面の１約６．３５ｉｚ（０，２５ｉｎ）の間隔をあ
けて配置された約３．１７５１ｊ！（０，１２５ｉｎ）
の幅のノズルを持つスロット型ノズルの下を通過させた
。５００ｚ１のメタノール中に２５０ｇのトリブチル錫
アセテートを入れたものからなる被覆用溶液を約１６５
〜１７５℃の温度で蒸発させ、２０ｆｔ’、／分の流量
の空気をキャリヤーとしてガラス表面へ供給した。酸化
錫膜が約５８２℃（１０８０″Ｆ）の温度でガラス表面
上に形成された。被覆は１２％の光り反射率を有し、Ｘ
・０．２９０６、ｙ−０，２９９９の色度座標（ｃｈｒ
ｏｌｌａｔｉｃｉｔｙ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）をもっ
ていた。
実施例７
透明フロート法ガラス基体に前の実施例と同様にして被
覆した。但し被覆用反応物の流量を大きくした。形成さ
れた被覆は、１６％の光透過率及び、ｘ−０，２８５２
、ｙ＝ ０．２９２６の色度座標をもっていた。
覆した。但し被覆用反応物の流量を大きくした。形成さ
れた被覆は、１６％の光透過率及び、ｘ−０，２８５２
、ｙ＝ ０．２９２６の色度座標をもっていた。
実施例８
透明フローｌ−法カラス試料に実施例６と同様にして被
覆した。但しガラスを約４１７２分間加熱して約５９８
℃（１１０９°Ｆ）の表面温度を与え、蒸気温度を１３
５〜１５０℃へ低下させた。形成された酸化錫膜は、１
３％の光り透過率及び、ｘ＝０．２８９０、ｙ＝ ０．
２９６５の色度座標号もっていた。
覆した。但しガラスを約４１７２分間加熱して約５９８
℃（１１０９°Ｆ）の表面温度を与え、蒸気温度を１３
５〜１５０℃へ低下させた。形成された酸化錫膜は、１
３％の光り透過率及び、ｘ＝０．２８９０、ｙ＝ ０．
２９６５の色度座標号もっていた。
実施例９
透明ガラス基体を、空気をキャリヤーとしたトリブチル
錫アセテート蒸気を用いて標準的（ｂｅｎｃｈｓｃａｌ
ｅ）規模の動的被覆機で被覆した。ｌ・リプチル錫アセ
テートの濃度は０．２３％であり、蒸気流の流速は５ｃ
ｘ／秒であった。ガラスの表面温度は約５６６℃（１０
５０’Ｆ）であり、基体は蒸気流に３分間曝した。曇り
のない酸化錫膜が形成された。
錫アセテート蒸気を用いて標準的（ｂｅｎｃｈｓｃａｌ
ｅ）規模の動的被覆機で被覆した。ｌ・リプチル錫アセ
テートの濃度は０．２３％であり、蒸気流の流速は５ｃ
ｘ／秒であった。ガラスの表面温度は約５６６℃（１０
５０’Ｆ）であり、基体は蒸気流に３分間曝した。曇り
のない酸化錫膜が形成された。
実施例１０
透明なガラス基体を前の実施例の場合のように被覆した
。但し流速は１０ｃｚ／秒であった。−層厚い曇りのな
い酸化錫膜が形成された。
。但し流速は１０ｃｚ／秒であった。−層厚い曇りのな
い酸化錫膜が形成された。
実施例１１
透明なガラス基体を前の実施例の場合のように被覆した
。但し流速は１５ｃｚ／秒であり、トリブチル錫アセテ
−Ｉ・の濃度は０．２２％てあった。−層厚い曇りのな
い酸化錫膜が形成された。
。但し流速は１５ｃｚ／秒であり、トリブチル錫アセテ
−Ｉ・の濃度は０．２２％てあった。−層厚い曇りのな
い酸化錫膜が形成された。
実施例１２
透明なガラス基体を前の実施例の場合のように被覆した
。但し流速は２０ｃｚ／秒であり、Ｉ・リプチル錫アセ
テートの濃度は０．２１％であった。−層厚い曇りのな
い酸化錫膜が形成された。
。但し流速は２０ｃｚ／秒であり、Ｉ・リプチル錫アセ
テートの濃度は０．２１％であった。−層厚い曇りのな
い酸化錫膜が形成された。
実施例１３
透明なガラス基体を前の実施例の場合のように被覆した
。但し蒸気流の流速は２５ｃｚ／秒であった。
。但し蒸気流の流速は２５ｃｚ／秒であった。
−層厚い曇りのない酸化錫膜が形成された。
実施例１４
透明なガラス基体を前の実施例の場合のように被覆した
。但し流速は３４．５ｃｚ／秒であり、１〜リブチル錫
アセテートの濃度は０．２０％であった。−層厚い曇り
のない酸化錫膜が形成された。
。但し流速は３４．５ｃｚ／秒であり、１〜リブチル錫
アセテートの濃度は０．２０％であった。−層厚い曇り
のない酸化錫膜が形成された。
実施例４〜１４の被覆ガラス試料は、厚さが５００〜５
０００Å以上の範囲にある。−層大きな流速で形成した
一層厚い膜は一層均一である。フッ素が存在しないので
、これらの試料の伝導度はあまり高くなく、厚さの変動
により３０００〜ｔｏｏｏΩ／スクエアーの範囲の固有
抵抗をもっていた。伝導度を５０Ω／スクエアーより低
い希望の範囲へもっていくにはフッ素をドーピングする
ことが好ましい。
０００Å以上の範囲にある。−層大きな流速で形成した
一層厚い膜は一層均一である。フッ素が存在しないので
、これらの試料の伝導度はあまり高くなく、厚さの変動
により３０００〜ｔｏｏｏΩ／スクエアーの範囲の固有
抵抗をもっていた。伝導度を５０Ω／スクエアーより低
い希望の範囲へもっていくにはフッ素をドーピングする
ことが好ましい。
実施例１５
透明なフロートガラス基体を約７０４℃（１３００°Ｆ
）に加熱し、約６０５℃（１１２１°Ｆ）の表面温度を
与えた。
）に加熱し、約６０５℃（１１２１°Ｆ）の表面温度を
与えた。
その基体を前の実施例の場合のように被覆した。
但し被覆用組成物は窒素をキャリヤーとしたジブチル錫
ジアセテートであった。曇りのない酸化錫膜が形成され
、それは１３％の光反射率及びｘ＝０．２８９２、ｙ＝
０．２９６８の色度座標をもっていた。
ジアセテートであった。曇りのない酸化錫膜が形成され
、それは１３％の光反射率及びｘ＝０．２８９２、ｙ＝
０．２９６８の色度座標をもっていた。
実施例１６
透明フロート法カラス試料を前の実施例と同様にしてＡ
製した。但しジブチル錫ジアセテートの′ａ、腋を大き
くした。曇りのない酸化錫膜が形成され、それは、１８
％の光反射率及び、Ｘ・０．２８７３、ｙＯ，２９５４
の色度座標をもっていた。
製した。但しジブチル錫ジアセテートの′ａ、腋を大き
くした。曇りのない酸化錫膜が形成され、それは、１８
％の光反射率及び、Ｘ・０．２８７３、ｙＯ，２９５４
の色度座標をもっていた。
実施例１７
透明フロー１−ガラス基体を実施例１０と同様にして被
覆した。但しガラスの表面は約６０３°Ｃ（１１，１７
°Ｆ）であり、ジブチル錫ジアセテートは空気をキャリ
ヤーとして運んだ。曇りのない酸化錫膜が形成され、そ
れは、１４％の光透過率及び、Ｘ・０．２８７５、ｙＯ
，２９４９の色度座標をもっていた。
覆した。但しガラスの表面は約６０３°Ｃ（１１，１７
°Ｆ）であり、ジブチル錫ジアセテートは空気をキャリ
ヤーとして運んだ。曇りのない酸化錫膜が形成され、そ
れは、１４％の光透過率及び、Ｘ・０．２８７５、ｙＯ
，２９４９の色度座標をもっていた。
実施例１８
透明フロートガラス基体を実施例６と同様にして被覆し
た。但しガラスの表面は実施例５の場合と同様に約６０
５℃（１，１２１°Ｆ）であり、ジブチル錫ジアセテー
トの流量は実施例５及び実施例６の場合より大きくした
。曇りのない酸化錫膜が形成され、それは、２０％の光
反射率及び、Ｘ・０．２８９２、ｙＯ，２９６８の色度
座標をもっていた。
た。但しガラスの表面は実施例５の場合と同様に約６０
５℃（１，１２１°Ｆ）であり、ジブチル錫ジアセテー
トの流量は実施例５及び実施例６の場合より大きくした
。曇りのない酸化錫膜が形成され、それは、２０％の光
反射率及び、Ｘ・０．２８９２、ｙＯ，２９６８の色度
座標をもっていた。
実施例１９
撹拌器及び還流凝縮器を具えた３１フラスコに入れた外
囲温度のトリフルオロ酢酸０．５ｋｇに、１．３ｋｇの
ビス−トリブチル錫オキシドを１０〜１５分間以内で添
加し、穏やかな還流を起こさせ、維持した。
囲温度のトリフルオロ酢酸０．５ｋｇに、１．３ｋｇの
ビス−トリブチル錫オキシドを１０〜１５分間以内で添
加し、穏やかな還流を起こさせ、維持した。
更に１０〜１５分間加熱して還流をさせた後、撹拌器を
取り外した。液体副生成物を分離するためフルオロの内
容物を外囲温度へ冷却することは任意である。粗製トリ
ブチル錫トリフルオロアセテートを最初大気圧で。次に
減圧で約１５０℃まで加熱することにより揮発物を除去
した。純粋なトリブチル錫トリフルオロアセテートは１
２４±２℃／２トールで留出し、８０℃近くで白色ワッ
クス状の長い針状結晶の物体へ固化した。凝縮器中で蒸
留物の固化が起きないようにするのがよい。トリブチル
錫トリフルオロアセテートの分解温度は窒素中では２８
０℃、空気中では１５０℃であることが決定された。計
算により蒸発のエンタルピーは１５，２４８ｃａ１１モ
ルであり、蒸発のエントロピーは２６．７８９ｃａ１モ
ルＸであった。トリブチル錫ペンタフルオロプロピオネ
−１〜、ヘプタフルオロブチレート等の如き高級同族体
も同様にして合成された。それらの性質は同様であり、
例えば、トリブチル錫ペルフルオロブチレートは１２４
±２℃／１．３トールで沸騰する。ガラス基体を、被覆
反応物として！・リブデルｆｌ ｌ−リフルオロアセテ
ートを用い、標準的規模の動的被覆機で被覆した。トリ
ブチル錫Ｉ・リフルオロアセテートを蒸発させ、空気を
キャリヤーとして運んだ。空気中のトリブチル錫トリフ
ルオロアセテートの濃度は０．００５％であった。被覆
用反応物蒸気・キャリヤー空気混合物を２ＣＩ！／秒の
流速でガラス表面へ送った。ガラス基体を蒸気流に９分
間曝した。ガラス表面温度は約６３２℃（１１７０°Ｆ
）であった。曇りのない酸化錫膜が形成された。
取り外した。液体副生成物を分離するためフルオロの内
容物を外囲温度へ冷却することは任意である。粗製トリ
ブチル錫トリフルオロアセテートを最初大気圧で。次に
減圧で約１５０℃まで加熱することにより揮発物を除去
した。純粋なトリブチル錫トリフルオロアセテートは１
２４±２℃／２トールで留出し、８０℃近くで白色ワッ
クス状の長い針状結晶の物体へ固化した。凝縮器中で蒸
留物の固化が起きないようにするのがよい。トリブチル
錫トリフルオロアセテートの分解温度は窒素中では２８
０℃、空気中では１５０℃であることが決定された。計
算により蒸発のエンタルピーは１５，２４８ｃａ１１モ
ルであり、蒸発のエントロピーは２６．７８９ｃａ１モ
ルＸであった。トリブチル錫ペンタフルオロプロピオネ
−１〜、ヘプタフルオロブチレート等の如き高級同族体
も同様にして合成された。それらの性質は同様であり、
例えば、トリブチル錫ペルフルオロブチレートは１２４
±２℃／１．３トールで沸騰する。ガラス基体を、被覆
反応物として！・リブデルｆｌ ｌ−リフルオロアセテ
ートを用い、標準的規模の動的被覆機で被覆した。トリ
ブチル錫Ｉ・リフルオロアセテートを蒸発させ、空気を
キャリヤーとして運んだ。空気中のトリブチル錫トリフ
ルオロアセテートの濃度は０．００５％であった。被覆
用反応物蒸気・キャリヤー空気混合物を２ＣＩ！／秒の
流速でガラス表面へ送った。ガラス基体を蒸気流に９分
間曝した。ガラス表面温度は約６３２℃（１１７０°Ｆ
）であった。曇りのない酸化錫膜が形成された。
実施例２０
ガラス基体を実施例１９の場合のようにして被覆した。
但し流速は１３．５ｃｚ／秒であり、ガラス表面温度は
約６７７℃（１２５０°Ｆ）であった。曇りのない酸化
錫膜か形成された。
約６７７℃（１２５０°Ｆ）であった。曇りのない酸化
錫膜か形成された。
実施例２１
カラス基体を実施例１９及び２０の場合のようにして被
覆した。但し流速は２５ｃｚ／秒であり、ガラス表面温
度は約６９９℃（１２９０°Ｆ）であった。曇りのない
酸化錫膜が形成された。
覆した。但し流速は２５ｃｚ／秒であり、ガラス表面温
度は約６９９℃（１２９０°Ｆ）であった。曇りのない
酸化錫膜が形成された。
実施例２２
ガラス基体を前の実施例の場合のようにして被覆した。
但し流速は５０ｃｚ／秒であり、ガラス表面温度は約６
４９℃（１２００°Ｆ）であった。曇りのない酸化錫膜
が形成された。
４９℃（１２００°Ｆ）であった。曇りのない酸化錫膜
が形成された。
実施例２３
ガラス基体を前の実施例の場合のようにして被覆した。
但し流速は７５ＣＪＩ／秒であり、ガラス表面温度は約
７１６℃（１３２０°Ｆ）であった。曇りのない酸化錫
膜が形成された。
７１６℃（１３２０°Ｆ）であった。曇りのない酸化錫
膜が形成された。
実施例２４
ガラス基体を前の実施例の場合のようにして被覆した。
但し流速は２５ｃｘ／秒であり、ガラス表面温度は約６
８２℃（１２６０°Ｆ）であった。曇りのない酸化錫膜
が形成された。
８２℃（１２６０°Ｆ）であった。曇りのない酸化錫膜
が形成された。
上記実施例の被覆は５００〜３０００人の範囲の厚さに
なっていた。膜の伝導度は厚さと共に変化し、１２０〜
ｌＯΩ／スクエアーの範囲にあった。次の表は上記実施
例の反応条件を要約したものである。
なっていた。膜の伝導度は厚さと共に変化し、１２０〜
ｌＯΩ／スクエアーの範囲にあった。次の表は上記実施
例の反応条件を要約したものである。
表Ｉ
実施例 流 速 反応物濃度 ガラス温度番 号 （ｃ
ｚ／秒） （空気中％） （’Ｃ） （°Ｆ）
１９ ２．０ ０．００５ ６３２ １１
７０２０ １３．５ ０．００５ ６７７
１２５０２１ ２５．０ ０．００５
６９９ ］、２９０２２ ５０．０ ０．０
０５ ６４９ １２００２３ ７５．０
０．００５ ７１６ １３２０２４ ２５．０
０．０１ ６８２ １．２６０
ｚ／秒） （空気中％） （’Ｃ） （°Ｆ）
１９ ２．０ ０．００５ ６３２ １１
７０２０ １３．５ ０．００５ ６７７
１２５０２１ ２５．０ ０．００５
６９９ ］、２９０２２ ５０．０ ０．０
０５ ６４９ １２００２３ ７５．０
０．００５ ７１６ １３２０２４ ２５．０
０．０１ ６８２ １．２６０
第１図は、本発明によるトリブチル錫ジメチルプロピオ
ネートの蒸気圧曲線を示すグラフである。 第２図は、本発明によるＩ・リプチル錫アセテ−■・の
蒸気圧曲線を示すグラフである。 第３図は、本発明によるトリブチル錫トリフルオロアセ
テートの蒸気圧曲線を示すグラフである。 図面の浄書（内容、ニ変更なし） 圧力（気圧） 代 理 人 浅 村 皓 圧力（気圧） 圧力（気圧） 手 続 補 正 置方式） 事件の表示 モ成Ｏ１年 特許願第０９５４６３号 発明の名称 酸化錫被覆の形成方法 ８゜ 補正をする者 事件との関係 氏名（名称）
ネートの蒸気圧曲線を示すグラフである。 第２図は、本発明によるＩ・リプチル錫アセテ−■・の
蒸気圧曲線を示すグラフである。 第３図は、本発明によるトリブチル錫トリフルオロアセ
テートの蒸気圧曲線を示すグラフである。 図面の浄書（内容、ニ変更なし） 圧力（気圧） 代 理 人 浅 村 皓 圧力（気圧） 圧力（気圧） 手 続 補 正 置方式） 事件の表示 モ成Ｏ１年 特許願第０９５４６３号 発明の名称 酸化錫被覆の形成方法 ８゜ 補正をする者 事件との関係 氏名（名称）
Claims (10)
- （１）基体表面を酸化性雰囲気中で塩素を含まない有機
錫化合物と、その塩素を含まない有機錫化合物を熱反応
させるのに充分な温度で接触させ、前記表面上に酸化錫
膜を付着させることからなり、然も、前記塩素を含まな
い有機錫化合物がトリブチル錫ジメチルプロピオネート
、ビス−トリブチル錫オキシド、ブチル錫アセテート及
びアルキル錫フルオロアルクノエートからなる群から選
択される酸化錫被覆の形成方法。 - （２）基体がガラスである請求項１に記載の方法。
- （３）塩素を含まない有機錫化合物が蒸気状態になって
いる請求項２に記載の方法。 - （４）蒸気がキャリヤーガスと一緒にされて混合物を形
成している請求項３に記載の方法。 - （５）キャリヤーガスが空気である請求項４に記載の方
法。 - （６）アルキル錫フルオロアルクノエートがアルキル錫
フルオロアルカノエート、アルキル錫フルオロアルケノ
エート、アルキル錫フルオロアルキノエート及びそれら
の混合物からなる群から選択される請求項５に記載の方
法。 - （７）塩素を含まない有機錫化合物が、トリブチル錫ジ
メチルプロピオネート、ビス−トリブチル錫オキシド、
トリブチル錫アセテート、及びジブチル鍋アセテートか
らなる群から選択されたハロゲンを含まない有機錫化合
物からなる請求項５に記載の方法。 - （８）混合物が更にフッ素含有化合物を含む請求項７に
記載の方法。 - （９）フッ素含有化合物がトリフルオロ酢酸である請求
項８に記載の方法。 - （１０）混合物が塩素を含まない有機錫化合物の重量に
基づいて約１〜１０重量％のトリフルオロ酢酸を合む請
求項９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US219692 | 1980-12-24 | ||
| US182643 | 1988-04-18 | ||
| US07/182,643 US4857361A (en) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Haze-free infrared-reflecting coated glass |
| US21514188A | 1988-07-05 | 1988-07-05 | |
| US21969288A | 1988-07-05 | 1988-07-05 | |
| US07/219,691 US4954367A (en) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | Vapor deposition of bis-tributyltin oxide |
| US215141 | 1988-07-05 | ||
| US219691 | 1994-06-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230765A true JPH0230765A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=27497516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1095463A Pending JPH0230765A (ja) | 1988-04-18 | 1989-04-17 | 酸化錫被覆の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0338417A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0230765A (ja) |
| KR (1) | KR920001372B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532819A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | ピルキントン グループ リミテッド | 蒸着法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3915232C2 (de) * | 1989-05-10 | 1995-09-21 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender, IR-reflektierender fluordotierter Zinnoxidschichten auf der Oberfläche von Gegenständen aus Glas oder Keramik oder von Emailbeschichtungen und Zubereitung zum Aufbringen solcher Schichten |
| FR2704848B1 (fr) * | 1993-05-03 | 1995-07-21 | Prod Chim Auxil Synthese | Précurseur liquide pour la production de revêtements d'oxyde d'étain dopé au fluor et procédé de revêtement correspondant. |
| JP3821963B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2006-09-13 | 麒麟麦酒株式会社 | ガラス用コーティング剤、およびそれを用いたガラス材料のコーティング方法 |
| US6602606B1 (en) * | 1999-05-18 | 2003-08-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3949146A (en) * | 1973-08-24 | 1976-04-06 | Rca Corporation | Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate |
| JPS59190219A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| IN164438B (ja) * | 1984-12-28 | 1989-03-18 | M & T Chemicals Inc | |
| US4548836A (en) * | 1985-02-25 | 1985-10-22 | Ford Motor Company | Method of making an infrared reflective glass sheet-II |
| US4857095A (en) * | 1987-08-10 | 1989-08-15 | Ford Motor Company | Method for forming a fluorine-doped tin oxide coating on a glass substrate |
-
1989
- 1989-04-13 EP EP89106576A patent/EP0338417A3/en not_active Withdrawn
- 1989-04-17 JP JP1095463A patent/JPH0230765A/ja active Pending
- 1989-04-17 KR KR1019890005033A patent/KR920001372B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532819A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | ピルキントン グループ リミテッド | 蒸着法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0338417A2 (en) | 1989-10-25 |
| EP0338417A3 (en) | 1990-03-07 |
| KR900016061A (ko) | 1990-11-12 |
| KR920001372B1 (ko) | 1992-02-11 |
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