JPH01187713A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH01187713A JPH01187713A JP63010357A JP1035788A JPH01187713A JP H01187713 A JPH01187713 A JP H01187713A JP 63010357 A JP63010357 A JP 63010357A JP 1035788 A JP1035788 A JP 1035788A JP H01187713 A JPH01187713 A JP H01187713A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、酸化錫を主成分とする透明導電膜の製造方法
に関し、詳しくは低抵抗でかつ高透過性を有する透明導
電膜の製造方法に関する。
に関し、詳しくは低抵抗でかつ高透過性を有する透明導
電膜の製造方法に関する。
［従来の技術］
近年、透明導電膜は、太陽電池、あるいは液晶表示素子
、エレク１〜ロルミネッセンス素子、プラズマデイスプ
レーパネルなどの透明電極、あるいは面発熱体などに広
く利用ざれている。
、エレク１〜ロルミネッセンス素子、プラズマデイスプ
レーパネルなどの透明電極、あるいは面発熱体などに広
く利用ざれている。
透明導電膜を形成する材料としては、フッ素やアンチモ
ンをドープした酸化錫膜や錫をドープした酸化インジウ
ム（ＩＴ’Ｏ）膜などがよく知られている。これらの透
明導電性材料の中で、酸化錫系の膜は、耐薬品性に優れ
、かつ安価な原料で形成できるという特長を有している
。
ンをドープした酸化錫膜や錫をドープした酸化インジウ
ム（ＩＴ’Ｏ）膜などがよく知られている。これらの透
明導電性材料の中で、酸化錫系の膜は、耐薬品性に優れ
、かつ安価な原料で形成できるという特長を有している
。
このような酸化錫系の薄膜は、錫化合物およびフッ素を
含む化合物を、加熱した透明基体に接触させて、熱分解
酸化反応により形成される。
含む化合物を、加熱した透明基体に接触させて、熱分解
酸化反応により形成される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、このような従来の透明導電膜の製造方法
により製造された酸化錫系の膜は、ＩＴＯ膜よりｂ比抵
抗が大きいため、膜厚の等しい酸化錫系の膜とＩＴＯ膜
の面積抵抗を比べると、酸化錫系の膜の方が面積抵抗が
大きいという問題点があった。
により製造された酸化錫系の膜は、ＩＴＯ膜よりｂ比抵
抗が大きいため、膜厚の等しい酸化錫系の膜とＩＴＯ膜
の面積抵抗を比べると、酸化錫系の膜の方が面積抵抗が
大きいという問題点があった。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、このような従来の問題点を解決するためにな
されたものであって、酸化錫系の透明導電膜の面積抵抗
を小さくするのに好適な透明導電ＩＱの製造方法を提供
することを目的としている。
されたものであって、酸化錫系の透明導電膜の面積抵抗
を小さくするのに好適な透明導電ＩＱの製造方法を提供
することを目的としている。
この目的を達成するために、本発明は、高温に加熱した
透明基体に、錫化合物およびフッ素を含む化合物を接触
させ、熱分解酸化反応によりフッ素ドープ酸化錫膜（以
下ＳｎＯ２：Ｆ膜と記す）を形成し、その複核５ｎ０２
：Ｆ膜をＮ２雰囲気の減圧下で、Ｓｎ ０２ ： Ｆ肱
を形成した温度（成膜温度）よりも低い温度でプラズマ
に曝す（プラズマ処理する）ものである。
透明基体に、錫化合物およびフッ素を含む化合物を接触
させ、熱分解酸化反応によりフッ素ドープ酸化錫膜（以
下ＳｎＯ２：Ｆ膜と記す）を形成し、その複核５ｎ０２
：Ｆ膜をＮ２雰囲気の減圧下で、Ｓｎ ０２ ： Ｆ肱
を形成した温度（成膜温度）よりも低い温度でプラズマ
に曝す（プラズマ処理する）ものである。
ここで、本発明に用いることのできる錫化合物としては
、Ｃ４Ｈｇ Ｓｎ Ｃ１０、Ｓｎ Ｃｆ１．４ 。
、Ｃ４Ｈｇ Ｓｎ Ｃ１０、Ｓｎ Ｃｆ１．４ 。
（ＣＩ−ｌ ） Ｓｎ（、Ｌ 、
（ＣｎＨ２ｏ、１）、ｌ５ｎ（但し、ｎ＝ １〜４
） 、 （ＣＨ３＞ ２ Ｓｎ ｔ−１２。
（ＣｎＨ２ｏ、１）、ｌ５ｎ（但し、ｎ＝ １〜４
） 、 （ＣＨ３＞ ２ Ｓｎ ｔ−１２。
（Ｃ４Ｎ９）３ Ｓｎ Ｈ及び
（Ｃ４Ｎ９ ）２ Ｓｎ （ＣＯＯＣＨ３＞２などがあ
り、また、フッ素を含む化合物としては、ＣＨ３ＣＨＦ
２ 、 ＣＨ３ＣＣｌＦ２ 。
り、また、フッ素を含む化合物としては、ＣＨ３ＣＨＦ
２ 、 ＣＨ３ＣＣｌＦ２ 。
ＣトＩ Ｃ止 ｒ２ 、 ＣＨＦ３ 、 ｃ
「２ Ｃ岬 。
「２ Ｃ岬 。
ＣＦ３０Ｌ ＣＦ３ Ｂｒ、などがある。
これらの錫化合物およびフッ素を含む化合物を加熱した
透明基体に接触させて熱分解酸化反応をさせるには、錫
化合物蒸気とフッ素を含む化合物および酸化性ガスを高
温の透明基体に接触させる気相化学反応法（ＣＶＤ法）
か、あるいは錫化合物などの溶液をスプレーで加熱され
た基体に吹き付けるスプレー法等により行なうことがで
きる。
透明基体に接触させて熱分解酸化反応をさせるには、錫
化合物蒸気とフッ素を含む化合物および酸化性ガスを高
温の透明基体に接触させる気相化学反応法（ＣＶＤ法）
か、あるいは錫化合物などの溶液をスプレーで加熱され
た基体に吹き付けるスプレー法等により行なうことがで
きる。
これらのうち、４００〜６００ ’Ｃに加熱された透明
基体に錫化合物の蒸気及びフッ素を含む化合物などを接
触させて、ＳｎＯ２：Ｆ膜を形成するＣＶＤ法が好んで
用いられる。゛ 次に、透明基体上に形成された透明導電膜に対してブラ
ズ千処理を行なうが、このプラズマ処理は、例えば誘導
結合型高周波グロー放電装置により行なう。このプラズ
マ処理は、減圧下、例えばＮ２雰囲気中の１５０Ｐ、ａ
程度の減圧下で行なう。
基体に錫化合物の蒸気及びフッ素を含む化合物などを接
触させて、ＳｎＯ２：Ｆ膜を形成するＣＶＤ法が好んで
用いられる。゛ 次に、透明基体上に形成された透明導電膜に対してブラ
ズ千処理を行なうが、このプラズマ処理は、例えば誘導
結合型高周波グロー放電装置により行なう。このプラズ
マ処理は、減圧下、例えばＮ２雰囲気中の１５０Ｐ、ａ
程度の減圧下で行なう。
そして、このプラズマ処理は、５ｎ０２：Ｆ膜の成膜温
度より低い温度で行なうが、約３００ ’Ｃの温度で行
なうことが好ましい。
度より低い温度で行なうが、約３００ ’Ｃの温度で行
なうことが好ましい。
［作用］
本発明においては、透明導電膜を成膜温度より低い温度
で、Ｎ２雰囲気減圧下１こおいてプラズマ処理すること
により、膜の透過性をそこなうことなく、かつ面積抵抗
を小きりすることができる。
で、Ｎ２雰囲気減圧下１こおいてプラズマ処理すること
により、膜の透過性をそこなうことなく、かつ面積抵抗
を小きりすることができる。
［実施例］
以下、本発明をさらに具体的に明らかにするために、本
発明の詳細な説明するが、本発明がかかる実施例の記載
により何等の制約を受けるものではない。
発明の詳細な説明するが、本発明がかかる実施例の記載
により何等の制約を受けるものではない。
面積が２５ （ｍｍ）ｘ ３０ （ｍｍ）、厚みが１．
１（ｍｍ）の酸化珪素被膜付ソーダライムガラスを十分
に洗浄、屹燥し、ガラス基板とした。このガラス基板上
に以下のようにして透明導電膜を形成した。
１（ｍｍ）の酸化珪素被膜付ソーダライムガラスを十分
に洗浄、屹燥し、ガラス基板とした。このガラス基板上
に以下のようにして透明導電膜を形成した。
四塩化錫（無水）の蒸気、水蒸気、酸素ガス、１．１−
ジフルオロエタンカスおよび窒素ガスの調整された混合
気体を用い、ＣＶＤ法により５５ｏ’ｃに加熱されたガ
ラス基板上にｓｎ ｏ２： ｎｐａを形成し、これを試
料とした。得られた試ｉｔの膜厚は８００人であり、面
積抵抗（Ｒｏ ）は、１１０．００７口であった。
ジフルオロエタンカスおよび窒素ガスの調整された混合
気体を用い、ＣＶＤ法により５５ｏ’ｃに加熱されたガ
ラス基板上にｓｎ ｏ２： ｎｐａを形成し、これを試
料とした。得られた試ｉｔの膜厚は８００人であり、面
積抵抗（Ｒｏ ）は、１１０．００７口であった。
これらの試料を、誘導結合型高周波グロー放電装置によ
りＮ２雰囲気中”１５０Ｐａ程度の圧力下で２３０，２
６０，２９０，３２０ （’Ｃ）とそれぞれ温度を変え
、１分間プラズマ処理を行なった。
りＮ２雰囲気中”１５０Ｐａ程度の圧力下で２３０，２
６０，２９０，３２０ （’Ｃ）とそれぞれ温度を変え
、１分間プラズマ処理を行なった。
各温度下でプラズマ処理を行なった試料について、それ
ぞれプラズマ処理後の面積抵抗（Ｒ１〉を測定し、比抵
抗Ｒ１／Ｒｏを求めた。得られた結果を表−１に示ｖａ 一方、本実施例と比較するため、比較例として実施例と
同一の試料を用い、同一条件下でプラズマ処理を行なう
ことなく、５分間の熱処理を行なった。２３０，２６０
，２９０，３２０ （’Ｃ）の各温度下で熱処理を行な
った試料について、それぞれ熱処理１変の面積抵抗（Ｒ
２）を測定し、比抵抗Ｒ２／ＲＯを求めた。得られた結
果を表−２に示す。
ぞれプラズマ処理後の面積抵抗（Ｒ１〉を測定し、比抵
抗Ｒ１／Ｒｏを求めた。得られた結果を表−１に示ｖａ 一方、本実施例と比較するため、比較例として実施例と
同一の試料を用い、同一条件下でプラズマ処理を行なう
ことなく、５分間の熱処理を行なった。２３０，２６０
，２９０，３２０ （’Ｃ）の各温度下で熱処理を行な
った試料について、それぞれ熱処理１変の面積抵抗（Ｒ
２）を測定し、比抵抗Ｒ２／ＲＯを求めた。得られた結
果を表−２に示す。
表−１と表−２の比較から明らかなように、本発明品は
、プラズマ処理により５ｎ０２：ｆ−膜の面積抵抗が比
較品のそれより小さくなる。また、本発明品は、プラズ
マ処理の前後において、透過率の変化は全く認められな
かった。
、プラズマ処理により５ｎ０２：ｆ−膜の面積抵抗が比
較品のそれより小さくなる。また、本発明品は、プラズ
マ処理の前後において、透過率の変化は全く認められな
かった。
［発明の効果］
以上説明してきたように、本発明によれば、低抵抗で、
かつ高透過性を右する透明導電膜を得ることかできる。
かつ高透過性を右する透明導電膜を得ることかできる。
表−２
特許出願人 日本板硝子株式会社
代理人 弁理士 宮 内 佐一部
Claims (6)
- （１） 透明基体上に透明導電膜を形成した後、後処理
としてプラズマに曝すようにしたことを特徴とする透明
導電膜の製造方法。 - （２） 前記透明導電膜は酸化錫を主成分とする薄膜で
あることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の
透明導電膜の製造方法。 - （３） 前記透明導電膜を熱分解酸化反応により形成し
たものであることを特徴とする前記特許請求の範囲第１
項、または第２項記載の透明導電膜の製造方法。 - （４） 前記後処理を減圧下で行なうことを特徴とする
前記特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の製造方法
。 - （５） 前記後処理をＮ＿２雰囲気中で行なうことを特
徴とする前記特許請求の範囲第４項記載の透明導電膜の
製造方法。 - （６） 前記後処理を透明導電膜の形成される温度より
低い温度で行なうことを特徴とする前記特許請求の範囲
第４項、または第５項記載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010357A JPH01187713A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010357A JPH01187713A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187713A true JPH01187713A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11747920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010357A Pending JPH01187713A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187713A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853819A (en) * | 1994-08-30 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically conductive layer formed by a glow discharge process |
| JP2006324105A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
| KR101028017B1 (ko) * | 2007-10-01 | 2011-04-13 | 현대자동차주식회사 | 폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 ｆｔｏ 전도막제조 방법 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63010357A patent/JPH01187713A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853819A (en) * | 1994-08-30 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically conductive layer formed by a glow discharge process |
| JP2006324105A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
| KR101028017B1 (ko) * | 2007-10-01 | 2011-04-13 | 현대자동차주식회사 | 폴리머 후처리 공정을 이용한 무색 투명 ｆｔｏ 전도막제조 방법 |
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