JP2002133956A - 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】透明導電膜のシート抵抗値を、簡易かつ効率よ
く所望のシート抵抗値に調整する方法、及び高い可視光
線透過率を有し、かつ均一な膜質の透明導電膜を簡易か
つ歩留り良く形成する方法を提供する。 【解決手段】（１）透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤
の存在下に加熱処理する工程を有する透明導電膜のシー
ト抵抗値の調整方法、（２）基板上に直接又はその他の
膜を介して透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電
膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する工程
を有する透明導電膜のシート抵抗値の調整方法、又は
（３）基板上に直接又はその他の膜を介して透明導電膜
を形成する工程と、前記透明導電膜を所定の濃度の有機
溶剤の存在下に加熱処理する工程とを有する透明導電膜
の形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜を所定
の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理を施すことによ
り、所定のシート抵抗値に調整する透明導電膜のシート
抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】スズがドープされた酸化インジウム膜
（ＩＴＯ膜）、フッ素がドープされた酸化スズ膜（ＦＴ
Ｏ膜）、アンチモンがドープされた酸化亜鉛膜やインジ
ウムがドープされた酸化亜鉛膜等の透明導電膜は、その
優れた透明性と導電性を利用して、液晶ディスプレイ、
エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱体、タ
ッチパネル電極、太陽電池等に広く使用されている。

【０００３】これら透明導電膜はこのように広い分野で
使用されるものであるため、使用目的によって種々のシ
ート抵抗値及び透明度を有するものが要求される。例え
ば、フラットパネルディスプレイ用の透明導電膜の場合
では低抵抗かつ高透過率のものが、タッチパネル用の透
明導電膜では、高抵抗、高透過率の膜がそれぞれ要求さ
れる。特に近年開発されて市場の伸びが期待されている
ペン入力タッチパネル用の透明導電膜は高い位置認識精
度が要求されることから、シート抵抗値が２００〜３０
００Ω／□といった高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優れ
た膜であることが求められている。ここで、シート抵抗
値は比抵抗／導電膜の膜厚で求められる値である。

【０００４】かかる透明導電膜の抵抗値の均一性を評価
する方法として、リニアリティ試験がある。この方法
は、透明導電膜の向かい合った２辺に銀ペースト等で低
抵抗の電極を作製し、両電極間に１〜１０Ｖの直流電流
を印加する。このとき、両電極の間隔をＤ、印加電圧を
Ｖとし、透明導電膜の任意の点について、マイナスの電
極からの距離をｄ、マイナスの電極とその点の電位差を
ｖとすると、（ｄ／Ｄ−ｖ／Ｖ）×１００をリニアリテ
ィ値（％）と定義される。

【０００５】また、リニアリティ値は位置と検出した電
位差から計算した位置とのずれを定義する量であり、文
字や図形を認識する目的で製作されるタッチパネルで
は、通常、リニアリティ値が±２％以内の導電膜が要求
されている。

【０００６】従来、所望の比抵抗値を有する導電膜を形
成する方法としては、（Ａ）酸処理する方法、（Ｂ）光
照射する方法、（Ｃ）還元的雰囲気で処理する方法、
（Ｄ）酸化的雰囲気で処理する方法、（Ｅ）導電膜の膜
厚を変化させる方法、及び（Ｆ）ＩＴＯ膜の成膜方法に
おいて、スズドープ量を変化させる方法等が知られてい
る。

【０００７】（Ａ）の酸処理する方法としては、例え
ば、特開昭４７−８４７１７号公報には、真空蒸着法に
より酸化インジウムの導電膜を得た後、該膜を酸処理す
ることを特徴とする透明導電膜の製造法が記載されてい
る。

【０００８】（Ｂ）の光照射する方法としては、例え
ば、特開昭６１−２６１２３４号公報には、耐熱基板上
に、インジウム化合物等を含有する有機溶媒液等を塗
布、焼成することにより、酸化インジウム等を含有する
被膜を形成せしめた後、空気を遮断して、３０ｍＷ／ｃ
ｍ²以上の強度の光を照射する透明導電膜付着基板の製
造方法が記載されている。そしてこのように処理するこ
とによって、電気抵抗の低い透明導電性膜を形成するも
のである。また、特開昭６３−３１４７１４号及び特開
昭６３−３１４７１５号公報には、基板上に導電膜を成
膜後、該導電膜に紫外線、可視光線又は赤外線を照射し
て、導電膜の抵抗値を調整する方法が記載されている。

【０００９】（Ｃ）の還元的雰囲気下で導電膜を処理す
る方法は、主に導電膜の低抵抗化を目的とするものであ
り、例えば、特開昭６０−２４３２８０号公報には、有
機金属化合物と有機バインダーと溶媒とを含む透明電極
形成液を、基板に塗布して焼成する透明電極形成方法で
あって、焼成の前半を酸素が豊富な雰囲気下で行い、後
半を酸素の乏しい雰囲気下で行う透明電極形成方法が記
載されている。また、特開昭６１−２６１２３６号公報
には、熱分解することにより酸化物系透明導電膜を形成
する化合物溶液を基材に塗布し、２００℃以下の温度で
乾燥後、水素を２容量％以下含有する不活性ガス雰囲気
中、５００℃以下の温度で該化合物を焼成熱分解する透
明導電膜の形成方法が記載されている。さらに、特開昭
６３−１６４１１７号公報には、有機インジウム化合物
と有機錫化合物とを溶媒に溶解した塗布液を基板上に塗
布し、上記有機化合物を熱分解した後、０．６体積％以
上の水分を添加した雰囲気中で熱処理し、還元的雰囲気
中で加熱し、還元する透明導電膜の形成方法が記載され
ている。

【００１０】（Ｄ）の酸化的雰囲気で処理する方法とし
ては、例えば、特開平４６−８６７３０号公報には、真
空蒸着法によりガラス基板へ透明な導電膜を被覆する方
法において、室温にてガラス基板に真空蒸着法により酸
化インジウムに対し、重量で１０〜４０％の酸化第２ス
ズを含む被膜を形成せしめ、次いで該基板を酸素雰囲気
中で３００〜６００℃で加熱処理することにより酸化さ
せる、透明導電性ガラスの形成方法が記載されている。

【００１１】また、特開平６−１３５７４２号公報及び
特開平２２４３７４号公報には、スズのドープ量をイン
ジウムに対して０．０５〜２．０％又は１０〜４０％で
成膜し、酸素雰囲気にて２００℃以上に加熱処理するＩ
ＴＯ膜の成膜方法、及び該加熱処理後、さらに酸素雰囲
気下で冷却するＩＴＯ膜の成膜方法が記載されている。

【００１２】（Ｅ）の方法は、従来からもっとも普通に
行われている方法である。シート抵抗値＝比抵抗／膜厚
であるから、シート抵抗値の低い導電膜を得るために
は、一般的に厚い膜厚の導電膜を形成せればよく、逆に
シート抵抗値の高い導電膜を得るには薄い膜厚の導電膜
を形成しなければならないことになる。

【００１３】（Ｆ）のスズドープ量を変化させてＩＴＯ
膜の抵抗値をコントロールする方法としては、前記特開
平６−１３５７４２号公報及び特開平２２４３７４号公
報に記載された方法が知られている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記した方法のうち、
（Ａ）の方法は酸により導電膜表面がダメージを受ける
おそれがあり、また、酸による洗浄後、精製水で洗浄
し、乾燥する工程がさらに必要となり、処理操作が煩雑
となる。（Ｂ）の方法は、オゾンの発生による酸化反応
を引き起したり、光照射装置を別途必要とする。（Ｃ）
の方法は、焼成・成膜時における酸素濃度を変化させた
り、不活性ガス雰囲気下で焼成を行うものであるため、
焼成・成膜を簡便に行うことが困難である。

【００１５】（Ｄ）の酸化的雰囲気で処理する方法は、
導電膜を高抵抗化するには都合が良いが、低抵抗の導電
膜を得たい場合には適さない。また、高抵抗の導電膜を
得たい場合であっても、酸素濃度や焼成温度等の小さな
変化により抵抗値が高くなり過ぎたりする場合があり、
所望の抵抗値を有する導電膜を形成するのが難しい。

【００１６】（Ｅ）の導電膜の膜厚を変化させる方法に
よれば、抵抗値を下げたい場合には膜厚を厚くする必要
があり、膜厚を厚くするのにも限界があり、均一かつ高
い可視光線透過率を有する透明導電膜を形成するのが困
難な場合がある。一方、抵抗値を上げたい場合、例え
ば、２００〜３０００Ω／□のシート抵抗値を有する導
電膜を得たい場合には、膜厚を１ｎｍ〜３０ｎｍ程度に
する必要があるが、この場合には、膜厚が薄いため膜厚
を均一にコントロールするのが困難である。

【００１７】また、（Ｆ）のスズドープ量を変化させる
ＩＴＯ膜の成膜方法は、主に高抵抗のＩＴＯ膜を成膜す
る方法であり、ＩＴＯ膜の成膜に際し、酸素雰囲気下で
２００℃以上の温度での加熱処理と組み合わせて用いら
れるものである。

【００１８】このように、従来の透明導電膜の形成方法
では、所望の抵抗値、特に１００〜３０００Ω／□とい
った比較的高抵抗で、かつ均一性に優れた透明導電膜を
簡便に形成することが困難であった。

【００１９】本発明は、かかる実状に鑑みてなされたも
のであり、透明導電膜のシート抵抗値を、簡易かつ効率
よく所望のシート抵抗値に調整する方法、及び高い可視
光線透過率を有し、かつ均一な膜質の透明導電膜を簡易
かつ歩留り良く形成する方法を提供することを課題とす
る。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決すべく、
本発明者らは鋭意検討した結果、透明導電膜を所定の濃
度の有機溶剤の存在下に加熱処理することにより、極め
て簡便に透明導電膜を所望の抵抗値に調整できることを
見い出し、本発明を完成するに至った。

【００２１】すなわち、本発明は第１に、透明導電膜を
所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する工程を有
する透明導電膜のシート抵抗値の調整方法を提供する。

【００２２】本発明は第２に、基板上に直接又はその他
の膜を介して透明導電膜を形成する工程と、前記透明導
電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する工
程を有する透明導電膜のシート抵抗値の調整方法を提供
する。

【００２３】また、本発明は第３に、基板上に直接又は
その他の膜を介して透明導電膜を形成する工程と、前記
透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理
する工程とを有する透明導電膜の形成方法を提供する。

【００２４】前記第１〜第３の発明において、前記透明
導電膜としては、スズがドープされた酸化インジウム膜
（ＩＴＯ膜）、フッ素がドープされた酸化スズ膜（ＦＴ
Ｏ膜）、アンチモンがドープされた酸化亜鉛膜及びイン
ジウムがドープされた酸化亜鉛膜等を好ましく例示する
ことができる。また、かかる透明導電膜の膜厚は１０〜
２５ｎｍであるのが好ましい。

【００２５】前記第１〜第３の発明において、前記透明
導電膜を形成する工程は、スパッター法、電子ビーム
法、イオンプレーテイング法又は化学的気相成長法（Ｃ
ＶＤ法）のいずれかの成膜方法により透明導電膜を形成
するのが好ましい。

【００２６】前記第１〜第３の発明において、前記透明
導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する
工程は、前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在
下に１００〜８００℃に加熱処理する工程を有するのが
好ましく、３００〜５００℃に加熱処理する工程を有す
るのがより好ましい。

【００２７】前記第１〜第３の発明において、前記透明
導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する
工程は、前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在
下に加熱処理することにより、前記透明導電膜のシート
抵抗値を２００〜３０００Ω／□に調整する工程を有す
るのが好ましい。

【００２８】前記第１〜第３の発明において、前記透明
導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する
工程は、前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在
下に加熱処理することにより、リニアリティ値が±２％
以内の透明導電膜を形成する工程を有するのが好まし
い。また、前記有機溶剤としては、前記透明導電膜を還
元する作用を有する有機溶剤を用いるのが好ましい。

【００２９】さらに、前記第２又は第３の発明において
は、前記基板としてガラス基板を用いるのが好ましい。
また、前記第３の発明は、これら二つの工程を全く別々
に実施することもできるし、連続的に実施することもで
きる。

【００３０】第１及び第２の発明の透明導電膜のシート
抵抗値の調整方法によれば、有機溶媒の存在下に加熱処
理するという簡便な操作により、該透明導電膜のシート
抵抗値を所望の抵抗値に調整、設定することができる。

【００３１】また、第３の発明である透明導電膜の形成
方法によれば、透明導電膜を形成する工程と、前記透明
導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する
工程とを組み合わせることにより、所定の抵抗値を有す
る透明導電膜を、効率良く、極めて簡便に、かつ、均一
な膜質（即ち、リニアリティに優れた）の所望のシート
抵抗値を有する透明導電膜を形成することができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】上述したように、本発明は、
（１）透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加
熱処理する工程を有する透明導電膜のシート抵抗値の調
整方法、（２）基板上に直接又はその他の膜を介して透
明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜を所定の濃
度の有機溶剤の存在下に加熱処理する工程を有する透明
導電膜のシート抵抗値の調整方法、及び（３）基板上に
直接又はその他の膜を介して透明導電膜を形成する工程
と、前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に
加熱処理する工程とを有する透明導電膜の形成方法であ
る。

【００３３】透明導電膜 本発明の対象とする透明導電膜としては、例えば、スズ
がドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）、フッ素
がドープされた酸化スズ膜（ＦＴＯ膜）、アンチモンが
ドープされた酸化亜鉛膜、インジウムがドープされた酸
化亜鉛膜及びアルミニウムがドープされた酸化亜鉛膜等
を挙げることができる。これらの中でも、前記透明導電
膜はＩＴＯ膜であるのが特に好ましい。

【００３４】これら透明導電膜の膜厚は、用途によって
異なるが、一般的にはシート抵抗値が３０Ω／□以下の
透明導電膜の場合には、８０ｎｍ以上であり、シート抵
抗値が６０〜２００Ω／□程度の透明導電膜の場合に
は、３０ｎｍ前後であり、シート抵抗値が２００〜３０
００Ω／□程度の透明導電膜の場合には、通常１０〜２
５ｎｍ程度である。

【００３５】透明導電膜を成膜する方法としては、基板
上に透明導電膜を成膜する方法であれば特に制限はない
が、例えば、スパッター法、電子ビーム法、イオンプレ
ーテイング法又は化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等が挙
げられる。

【００３６】スパッター法によれば、金属（インジウ
ム、亜鉛等）及びドープされる金属（スズ、フッ素、フ
ッ素化合物、アルミニウム）の混合物及び酸素ガス、或
いは金属酸化物（酸化インジウム、酸化亜鉛）を焼結さ
せたもの等をターゲットとして用いることにより透明導
電膜を成膜することができる。また、電子ビーム法やイ
オンプレーテイング法によれば、金属（インジウム、亜
鉛等）及びドープされる金属（スズ、フッ素、フッ素化
合物、アルミニウム）の混合物及び酸素ガス、或いは金
属酸化物（酸化インジウム、酸化亜鉛）を焼結させたも
の等を蒸発物質として用いることにより、前記透明導電
膜を成膜することができる。

【００３７】ＩＴＯ膜を成膜する場合には、インジウム
化合物及びスズ化合物を成膜原料として用いることがで
きる。インジウム化合物としては、熱分解して酸化イン
ジウムになるものが好ましい。かかるインジウム化合物
として、例えば、インジウムトリスアセチルアセトナー
ト（Ｉｎ（ＣＨ₃ＣＯＣＨＣＯＣＨ₃）₃）、インジウム
トリスベンゾイルメタネート（Ｉｎ（Ｃ₆Ｈ₅ＣＯＣＨＣ
ＯＣ₆Ｈ₅）₃）、三塩化インジウム（ＩｎＣｌ₃）、硝酸
インジウム（Ｉｎ（ＮＯ₃）₃）、インジウムトリイソプ
ロポキシド（Ｉｎ（ＯＰｒｉ）₃）等を例示することが
できる。これらのうち、特にインジウムトリスアセチル
アセトナートを好ましく使用することができる。

【００３８】また、スズ化合物としては、熱分解して酸
化第２スズになるものを好ましく用いることができる。
かかるスズ化合物として、例えば、塩化第２スズ、ジメ
チルスズジクロライド、ジブチルスズジクロライド、テ
トラブチルスズ、スタニアスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣ
ＯＣ₇Ｈ₁₅）₂）、ジブチルスズマレエート、ジブチルス
ズズアセテート、ジブチルスズビスアセチルアセトナー
ト等を挙げることができる。

【００３９】なお、前記インジウム化合物及びスズ化合
物に加えて、第３成分として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
等の周期律表第２族元素、Ｓｃ、Ｙ等の第３族元素、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ等のランタノイド、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ等の第４族元素、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等の第５族
元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の第６族元素、Ｍｎ等の第７族
元素、Ｃｏ等の第９族元素、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ等の第１
０族元素、Ｃｕ、Ａｇ等の第１１族元素、Ｚｎ、Ｃｄ等
の第１２族元素、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ等の第１３族元素、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の第１４族元素、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等の
第１５族元素、Ｓｅ、Ｔｅ等の第１６族元素等の単体若
しくはこれらの化合物を添加してＩＴＯ膜を形成するこ
とも好ましい。

【００４０】これらの元素の添加割合は、インジウムに
対して、０．０５〜２０原子％程度が好ましく、添加元
素によって添加割合は異なり、目的とする抵抗値にあっ
た元素及び添加量を適宜選定することができる。

【００４１】前記ＩＴＯ膜は、基板上に超音波霧化によ
る常圧ＣＶＤ法（パイロゾル法）により形成するのが特
に好ましい。実際にパイロゾル法によりＩＴＯ膜を成膜
する場合には、上に列記したインジウム化合物及びスズ
化合物のそれぞれ一種以上を、所定の割合で混合し、適
当な有機溶媒に溶解させたものを成膜材料として用い
る。

【００４２】かかる有機溶媒としては、アセチルアセト
ン、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケト
ン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール
系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、
メチルセルソルブ、テトラヒドロフラン等のエーテル系
溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン
等の脂肪族炭化水素類等を挙げることができる。

【００４３】次いで、基板をパイロゾル成膜装置の成膜
室内に設置し、空気中で、前記インジウム化合物及びス
ズ化合物が熱分解を起こして酸化インジウム及び酸化第
２スズを形成し得る温度、例えば、３００〜８００℃程
度に加熱する。さらに、前記インジウム化合物及びスズ
化合物を含有する有機溶液を超音波により霧化させ、前
記成膜室内に導入することにより、ＩＴＯ膜を成膜する
ことができる。

【００４４】基板 本発明に用いられる基板としては、後工程で用いる有機
溶媒が熱分解を起こす温度で耐熱性を有するものであれ
ば特に制限はないが、例えば、ガラス基板、セラミック
ス基板、金属基板等を挙げることができる。これらのう
ち、本発明ではガラス基板を用いるのが好ましい。ガラ
ス基板としては、例えば、ケイ酸ガラス（石英ガラ
ス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ
石灰ガラス、鉛ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガ
ラス等を挙げることができる。

【００４５】また、本発明においては、前記基板と前記
透明導電膜の間に他の膜を介在させることもできる。か
かる膜としては、例えば、酸化シリコン膜、有機ポリシ
ラン化合物から形成されるポリシラン膜、ＭｇＦ₂膜、
ＣａＦ₂膜、ＳｉＯ₂とＴｉＯ₂の複合酸化物膜等を挙げ
ることができる。

【００４６】これらの膜は、例えば、基板としてソーダ
ーガラスを用いる場合のＮａイオンの拡散防止の為に形
成される。また、透明導電膜と異なる屈折率、好ましく
は低屈折率の下地膜を形成することによって、反射防止
或いは透明性を向上させることもできる。これらの膜
は、一般に知られている成膜方法、例えば、スパッター
法、ＣＶＤ法、スプレー法、ディップ法等により、膜厚
が２０〜２００ｎｍ程度で形成することができる。

【００４７】透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在
下に加熱処理を行う場合の加熱温度としては、用いる有
機溶剤の種類等により異なるが、通常１００〜８００
℃、好ましくは３００〜５００℃である。

【００４８】この工程に用いることができる有機溶媒と
しては、常温で蒸気圧を有し、適当な温度で熱分解する
有機化合物であれば特に制限はない。かかる有機有機溶
媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、イソプロパノール、ブタノール、アセチルアセ
トン等を挙げることができる。

【００４９】これらの有機溶媒の種類及び添加量は、前
記透明導電膜のシート抵抗値の設定値に依存し、透明導
電膜の種類、透明導電膜の膜厚、用いる有機溶媒の種
類、加熱温度、加熱時間等により適宜定めることができ
る。例えば、他の条件を同一にして、より熱分解しやす
い有機溶媒を多量に添加することにより、シート抵抗値
をより低くすることができる。

【００５０】加熱処理は、導電膜を形成した基板を加熱
処理室内に設置した後、所定濃度の有機溶媒を霧化させ
て加熱処理室内に導入しながら加熱することにより行わ
れる。

【００５１】加熱温度は用いられる有機溶媒が透明導電
膜中の酸化成分（酸素等）と反応し、自らが酸化される
のに必要な温度以上であれば十分であるが、通常１００
〜８００℃、より好ましくは、３００〜５００℃の範囲
の温度に設定する。還元性の有機溶媒を用いる場合、こ
の加熱処理によって透明導電膜は還元され、そのシート
抵抗値は小さくなる。

【００５２】以上のようにして、用いる有機溶媒の種
類、添加量及び加熱温度を適宜選択・設定することによ
り、所望のシート抵抗値を有する透明導電膜とすること
ができる。

【００５３】従来は、透明導電膜のシート抵抗値を所定
の値に調整すること、特に所定の値にシート抵抗値を所
定の値に低下させることは困難であった。また、例え調
整できたとしても特別な装置を必要としたり、煩雑な処
理工程が必要であった。

【００５４】本発明によれば、光照射装置や酸洗浄装
置、乾燥装置等の他の特別な装置を必要とせず、また、
処理室内を真空系にしたり、不活性ガス雰囲気にする必
要もなく、有機溶媒を系内に導入して加熱処理すればよ
く、簡便かつ効率よく、透明導電膜のシート抵抗値を所
定の値に調整することができる。

【００５５】

【００５６】また、透明導電膜を高温で成膜し、シート
抵抗値の調整を連続的に行う場合には、膜表面が十分に
高温に保持されているので、新たに加熱処理を施すこと
なく、冷却工程時に所定量の有機溶媒を系内に添加する
だけで、シート抵抗値を所定の値に調整することができ
る。

【００５７】本発明によれば、透明導電膜を形成する工
程と、前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下
に加熱処理する工程とを組み合わせることにより、所定
の抵抗値を有する透明導電膜を、効率良く、極めて簡便
に、かつ、均一な膜質（即ち、リニアリティ値が±２％
以内であるリニアリティに優れた）の所望のシート抵抗
値を有する透明導電膜を形成することができる。

【００５８】特に本発明は、超音波霧化による常圧ＣＶ
Ｄ法（パイロゾル法）によりＩＴＯ膜等を形成するのに
好ましく適用することができ、連続的に同一ライン上で
加熱処理を行うことができるため、作業効率上も好まし
いものとなっている。

【００５９】また、本発明の透明導電膜の形成方法によ
れば、高い可視光線透過率及びリニアリティに優れた導
電膜を形成することができる。

【００６０】

【実施例】次に、実施例により、本発明を更に詳細に説
明する。実施例１ スパッタ法あるいは超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パ
イロゾル法）により、下記第１表に示すような種々の膜
厚（１００〜３００Å）及びシート抵抗値（２００〜２
０００Ω／□）のＩＴＯ膜をガラス基板上に成膜した。

【００６１】次いで、外気との循環を可能にした加熱処
理室内にこのＩＴＯ膜付ガラス基板を設置し、空気中で
気化させたエタノールを、下記第１表に示すような濃度
（６００ｐｐｍ，１２００ｐｐｍ，１８００ｐｐｍ）に
なるように添加して、４００℃、１０分間の加熱処理を
施した。

【００６２】加熱処理後のＩＴＯ膜のシート抵抗値の測
定結果を第１表にまとめて示す。なお、シート抵抗値
は、四探針法を用いて測定した。

【００６３】

【表１】

【００６４】第１表から明らかなように、いずれのＩＴ
Ｏ膜も加熱処理後においてはシート抵抗値が低くなって
おり、エタノールの添加濃度、加熱温度、加熱時間等を
適宜変更・設定することによって、ＩＴＯ膜のシート抵
抗値を所望の値に調整することができることが分かっ
た。また、加熱処理後のいずれのＩＴＯ膜もリニアリテ
ィ値は±２％以内となっており、均一性にも優れたもの
であった。

【００６５】実施例２ スパッタ法あるいは超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パ
イロゾル法）により、下記第２表に示すような種々の膜
厚（１００〜３００Å）及びシート抵抗値（２００〜２
０００Ω／□）のＩＴＯ膜をガラス基板上に成膜した。

【００６６】次いで、外気との循環を可能にした加熱処
理室内にこのＩＴＯ膜付ガラス基板を設置し、空気中で
気化させたアセチルアセトンを下記第２表に示すような
濃度（２８ｐｐｍ，１４０ｐｐｍ，２８０ｐｐｍ）にな
るように添加して、４００℃、１０分間の加熱処理を施
した。

【００６７】加熱処理後のＩＴＯ膜のシート抵抗値の測
定結果を第２表にまとめて示す。なお、シート抵抗値は
実施例１と同様にして測定した。

【００６８】

【表２】

【００６９】第２表から明らかなように、いずれのＩＴ
Ｏ膜も加熱処理後においてはシート抵抗値が低くなって
おり、アセチルアセトンの添加濃度、加熱温度、加熱時
間等を適宜変更・設定することによって、ＩＴＯ膜のシ
ート抵抗値を所望の値に調整することができることが分
かった。また、加熱処理後のいずれのＩＴＯ膜もリニア
リティ値は±２％以内となっており、均一性にも優れた
ものであった。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の透明導電
膜のシート抵抗値の調整方法によれば、有機溶媒の存在
下に、該有機溶媒の熱分解される温度で加熱処理すると
いう簡便な操作により、該透明導電膜のシート抵抗値を
所望の抵抗値に調整、設定することができる。また、本
発明によれば、リニアリティ値が±２％以内の均一性に
優れた透明導電膜とすることができる。

【００７１】本発明の透明導電膜の形成方法によれば、
透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜を所定の
濃度の有機溶剤の存在下に、該有機溶剤が熱分解を起こ
す温度で加熱処理する工程とを組み合わせることによ
り、所定の抵抗値を有する透明導電膜を、効率良く、極
めて簡便に、かつ、均一な膜質（即ち、リニアリティに
優れた）の所望のシート抵抗値を有する透明導電膜を形
成することができる。また、本発明によれば、均一な膜
質（即ち、リニアリティ値が±２％以内であるリニアリ
ティに優れた）の透明導電膜を形成することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/56 Ｃ２３Ｃ 16/56 Ｇ０６Ｆ 3/033 ３６０ Ｇ０６Ｆ 3/033 ３６０Ｈ (72)発明者 瀬田 康弘 千葉県市原市五井南海岸12−８ 日本曹達 株式会社千葉工場内 (72)発明者 山田 茂男 千葉県市原市五井南海岸12−８ 日本曹達 株式会社千葉工場内 Ｆターム(参考） 4K029 BA45 BA47 BA49 BC09 CA01 CA03 CA05 EA01 GA00 GA01 4K030 AA11 AA14 BA11 BA42 BA45 BA47 DA08 DA09 LA01 5B087 AA00 CC13 CC16 5G323 BA02 BB03 BB05 BB06 BC03

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在
   下に加熱処理する工程を有する透明導電膜のシート抵抗
   値の調整方法。
2. 【請求項２】基板上に直接又はその他の膜を介して透明
   導電膜を形成する工程と、 前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱
   処理する工程を有する透明導電膜のシート抵抗値の調整
   方法。
3. 【請求項３】前記透明導電膜を形成する工程は、スパッ
   ター法、電子ビーム法、イオンプレーテイング法又は化
   学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、透明導電膜を形成
   する工程を有する、 請求項２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整方法。
4. 【請求項４】前記有機溶剤として、熱分解により前記透
   明導電膜を還元する作用を有する有機溶剤を用いる、 請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整
   方法。
5. 【請求項５】前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の
   存在下に加熱処理する工程は、 前記透明導電膜を、所定の濃度の有機溶剤の存在下に、
   １００〜８００℃に加熱処理する工程を有する、 請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整
   方法。
6. 【請求項６】前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の
   存在下に加熱処理する工程は、 前記透明導電膜を、所定の濃度の有機溶剤の存在下に加
   熱処理することにより、前記透明導電膜のシート抵抗値
   を２００〜３０００Ω／□に調整する工程を有する、 請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整
   方法。
7. 【請求項７】前記透明導電膜は、スズがドープされた酸
   化インジウム膜（ＩＴＯ膜）、フッ素がドープされた酸
   化スズ膜（ＦＴＯ膜）、アンチモンがドープされた酸化
   亜鉛膜又はインジウムがドープされた酸化亜鉛膜であ
   る、 請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整
   方法。
8. 【請求項８】前記基透明導電膜は、膜厚が１０〜２５ｎ
   ｍの透明導電膜である、する、 請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整
   方法。
9. 【請求項９】前記基板はガラス基板である、 請求項２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整方法。
10. 【請求項１０】前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤
    の存在下に加熱処理する工程は、前記透明導電膜を所定
    の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理することにより、
    リニアリティ値が±２％以内の透明導電膜を形成する工
    程を有する、 請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整
    方法。
11. 【請求項１１】基板上に直接又はその他の膜を介して透
    明導電膜を形成する工程と、 前記透明導電膜を、所定の濃度の有機溶剤の存在下に加
    熱処理する工程とを有する透明導電膜の形成方法。