JPH07257945A - 透明導電性積層体及びペン入力タッチパネル - Google Patents
透明導電性積層体及びペン入力タッチパネルInfo
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- JPH07257945A JPH07257945A JP7390694A JP7390694A JPH07257945A JP H07257945 A JPH07257945 A JP H07257945A JP 7390694 A JP7390694 A JP 7390694A JP 7390694 A JP7390694 A JP 7390694A JP H07257945 A JPH07257945 A JP H07257945A
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- Japan
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- transparent
- transparent conductive
- laminate
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Abstract
(57)【要約】
【構成】透明基板上に、酸化珪素膜、透明導電膜及び屈
折率ｎが１．６以下の低屈折率透明薄膜をこの順に形成
することを特徴とする３層積層体、及び該積層体を使用
したペン入力タッチパネル。 【効果】５５０ｎｍにおける透過率が９０％以上、４０
０ｎｍにおける透過率が８０％以上、かつ、表面抵抗値
が２００〜３０００Ω／□の高透過率の透明導電積層
体、及び該積層体を使用したペン入力タッチパネルが得
られる。
折率ｎが１．６以下の低屈折率透明薄膜をこの順に形成
することを特徴とする３層積層体、及び該積層体を使用
したペン入力タッチパネル。 【効果】５５０ｎｍにおける透過率が９０％以上、４０
０ｎｍにおける透過率が８０％以上、かつ、表面抵抗値
が２００〜３０００Ω／□の高透過率の透明導電積層
体、及び該積層体を使用したペン入力タッチパネルが得
られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高透過率でかつ高抵抗の
透明導電性積層体およびその成膜方法に関するものであ
り、特にタッチパネルの透明電極として用いられる高透
過率の透明導電性積層体に関する。
透明導電性積層体およびその成膜方法に関するものであ
り、特にタッチパネルの透明電極として用いられる高透
過率の透明導電性積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウム膜は透明導電膜であり、
スズをドープした酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜と称す）
は抵抗値が低く、例えば液晶ディスプレイ、エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネル
の電極等に広く使用されており、使用目的によってＩＴ
Ｏ膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわち、フ
ラットパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のも
のが要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に
高抵抗の膜が要求されている。
スズをドープした酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜と称す）
は抵抗値が低く、例えば液晶ディスプレイ、エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネル
の電極等に広く使用されており、使用目的によってＩＴ
Ｏ膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわち、フ
ラットパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のも
のが要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に
高抵抗の膜が要求されている。
【０００３】特に、最近開発されて市場の伸びが期待さ
れるペン入力タッチパネル用の透明導電膜は、位置の認
識精度が高くなくてはならないことから、シート抵抗値
が高く、抵抗値の均一性に優れた膜であり、また、液晶
ディスプレイの上に置くことから高透過率の膜であるこ
とが要求される。これまで、通常、透明導電膜の透過率
を高くするためには、導電膜の膜厚を薄くする方法がと
られてきた。
れるペン入力タッチパネル用の透明導電膜は、位置の認
識精度が高くなくてはならないことから、シート抵抗値
が高く、抵抗値の均一性に優れた膜であり、また、液晶
ディスプレイの上に置くことから高透過率の膜であるこ
とが要求される。これまで、通常、透明導電膜の透過率
を高くするためには、導電膜の膜厚を薄くする方法がと
られてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ、ＦＴＯ（フッ
素をドープした酸化錫膜）、ＡＴＯ（アンチモンをド−
プした酸化錫膜）、酸化亜鉛膜等の透明導電膜は、いず
れも屈折率が基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラス
では１．５２）より高く（１．７〜２．２）、透明導電
膜と基板ガラスとの界面での反射が大きくなり、可視光
透過率が低下する。高透過率の膜を得ようとする場合は
膜厚を薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知
される５５０ｎｍ波長で８５％の透過率を得ようとする
と、膜厚は３００Å以下の膜厚にする必要があり、８９
％の透過率の場合には膜厚を２００Å以下の膜厚にする
必要がある。更に９１％の透過率の場合には膜厚を１０
０Å程度まで薄くせねばならず、この場合は膜厚を均一
にコントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性
は悪くなる傾向にある。また、膜厚を１００Å程度まで
薄くすると抵抗値の安定性が悪くなり、温度変化や湿度
変化の影響を受けやすく、面内の抵抗値の均一性のみな
らず抵抗値が変動するため導電膜の膜厚コントロールに
よる高透過率化は解決すべき課題を含んでいる。
素をドープした酸化錫膜）、ＡＴＯ（アンチモンをド−
プした酸化錫膜）、酸化亜鉛膜等の透明導電膜は、いず
れも屈折率が基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラス
では１．５２）より高く（１．７〜２．２）、透明導電
膜と基板ガラスとの界面での反射が大きくなり、可視光
透過率が低下する。高透過率の膜を得ようとする場合は
膜厚を薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知
される５５０ｎｍ波長で８５％の透過率を得ようとする
と、膜厚は３００Å以下の膜厚にする必要があり、８９
％の透過率の場合には膜厚を２００Å以下の膜厚にする
必要がある。更に９１％の透過率の場合には膜厚を１０
０Å程度まで薄くせねばならず、この場合は膜厚を均一
にコントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性
は悪くなる傾向にある。また、膜厚を１００Å程度まで
薄くすると抵抗値の安定性が悪くなり、温度変化や湿度
変化の影響を受けやすく、面内の抵抗値の均一性のみな
らず抵抗値が変動するため導電膜の膜厚コントロールに
よる高透過率化は解決すべき課題を含んでいる。
【０００５】ペン入力タッチパネル用導電膜の抵抗値は
液晶ディスプレー用のものと違って高抵抗値が要求さ
れ、また高透過率かつ高安定性が要求されることからそ
の膜厚は１００Å〜３００Åになる。導電膜の膜厚を更
に厚くしてゆくと、膜面での反射光と基板界面での反射
光との干渉によって５５０ｎｍでの透過率が９０％程度
に増加するが、この場合の膜厚は約１５００Å〜２００
０Åとなり、厚すぎるために抵抗値を所定の値に合わせ
ることが困難になる。従ってタッチパネル用導電膜の膜
厚は１００Å〜３００Åが実用的な範囲であるといえ
る。この場合の５５０ｎｍの透過率は９０％〜８５％と
なる。
液晶ディスプレー用のものと違って高抵抗値が要求さ
れ、また高透過率かつ高安定性が要求されることからそ
の膜厚は１００Å〜３００Åになる。導電膜の膜厚を更
に厚くしてゆくと、膜面での反射光と基板界面での反射
光との干渉によって５５０ｎｍでの透過率が９０％程度
に増加するが、この場合の膜厚は約１５００Å〜２００
０Åとなり、厚すぎるために抵抗値を所定の値に合わせ
ることが困難になる。従ってタッチパネル用導電膜の膜
厚は１００Å〜３００Åが実用的な範囲であるといえ
る。この場合の５５０ｎｍの透過率は９０％〜８５％と
なる。
【０００６】導電膜の膜厚を薄くしないで透過率を増加
する方法として多層膜化が知られており、それは導電膜
とガラス基板の間に高屈折率の膜と低屈折率の膜を新た
に設ける方法や導電膜上に低屈折率の膜を設ける反射防
止の理論の応用で達成されることがされることが示され
ている（例えば、裳華房 応用物理学選書３「薄膜」
（金原、藤原著））。
する方法として多層膜化が知られており、それは導電膜
とガラス基板の間に高屈折率の膜と低屈折率の膜を新た
に設ける方法や導電膜上に低屈折率の膜を設ける反射防
止の理論の応用で達成されることがされることが示され
ている（例えば、裳華房 応用物理学選書３「薄膜」
（金原、藤原著））。
【０００７】また、一般に、実用的な面から、ガラス基
板は安価なソーダーライムガラスが用いられ、ソーダラ
イムガラス基板からのナトリウムイオンの拡散を抑制す
るため酸化珪素膜を設ける方法が採用されており、この
方法によって液晶ディスプレ−やタッチパネルの寿命や
導電膜の安定性が増加することが知られている。しか
し、この酸化珪素膜の膜厚は、導電膜の種類、成膜の方
法、成膜温度及び使用するガラス基板の種類等によって
変化し一義的には決められない。
板は安価なソーダーライムガラスが用いられ、ソーダラ
イムガラス基板からのナトリウムイオンの拡散を抑制す
るため酸化珪素膜を設ける方法が採用されており、この
方法によって液晶ディスプレ−やタッチパネルの寿命や
導電膜の安定性が増加することが知られている。しか
し、この酸化珪素膜の膜厚は、導電膜の種類、成膜の方
法、成膜温度及び使用するガラス基板の種類等によって
変化し一義的には決められない。
【０００８】以上のような観点から、反射防止の理論を
実際に応用する場合は、導電膜の屈折率、膜厚及び酸化
珪素膜の屈折率、膜厚、更には導電膜上に低屈折率透明
薄膜を形成した３層積層体の表面抵抗値を２００〜３０
００Ω／□にコントロールする必要があるため、その中
から最適な組合せを見出すのは困難なことであった。
実際に応用する場合は、導電膜の屈折率、膜厚及び酸化
珪素膜の屈折率、膜厚、更には導電膜上に低屈折率透明
薄膜を形成した３層積層体の表面抵抗値を２００〜３０
００Ω／□にコントロールする必要があるため、その中
から最適な組合せを見出すのは困難なことであった。
【０００９】更に、多層化による積層体の透過率の増加
を、ある特定の波長に限定する場合は比較的容易に光学
設計されるが、極大値を示すため反射光に着色が生じタ
ッチパネル等を目的とする積層体には問題となる。
を、ある特定の波長に限定する場合は比較的容易に光学
設計されるが、極大値を示すため反射光に着色が生じタ
ッチパネル等を目的とする積層体には問題となる。
【００１０】そこで、本発明は、可視光域全域にわたっ
て高透過率を維持した透明導電積層体を提供することを
目的とする。
て高透過率を維持した透明導電積層体を提供することを
目的とする。
【００１１】特開昭６２−２６３６１０には、透明基板
上に形成された抵抗値の低い透明導電膜上に高抵抗の酸
化物薄膜を積層してなる透明導電性積層体タブレットを
提案している。該特許の目的は、透明導電膜表面の機械
的強度や硬度を改善するものであって、積層による透過
率の向上を目的としていない。実施例の高抵抗の酸化物
薄膜として、高屈折率のＳｎＯ2 膜を例示していること
からも明らかである。更に、低屈折率のＳｉＯ2 膜も例
示されているが、膜厚が５００Åより薄い範囲を好適と
している。実施例の下層膜／上層膜の組合せのＩＴＯ膜
（２５０Å）／ＳｉＯ2 膜（１５０Å）では、高透過率
は達成されない。
上に形成された抵抗値の低い透明導電膜上に高抵抗の酸
化物薄膜を積層してなる透明導電性積層体タブレットを
提案している。該特許の目的は、透明導電膜表面の機械
的強度や硬度を改善するものであって、積層による透過
率の向上を目的としていない。実施例の高抵抗の酸化物
薄膜として、高屈折率のＳｎＯ2 膜を例示していること
からも明らかである。更に、低屈折率のＳｉＯ2 膜も例
示されているが、膜厚が５００Åより薄い範囲を好適と
している。実施例の下層膜／上層膜の組合せのＩＴＯ膜
（２５０Å）／ＳｉＯ2 膜（１５０Å）では、高透過率
は達成されない。
【００１２】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、ペン入力タッチパネル用の透明導電性積層体とし
て、５５０ｎｍにおける透過率が９０％以上で４００ｎ
ｍにおける透過率が８０％以上、及び表面抵抗値が２０
０〜３０００Ω／□の高透過率の透明導電積層体を提供
することを目的とする。
ので、ペン入力タッチパネル用の透明導電性積層体とし
て、５５０ｎｍにおける透過率が９０％以上で４００ｎ
ｍにおける透過率が８０％以上、及び表面抵抗値が２０
０〜３０００Ω／□の高透過率の透明導電積層体を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、透明基板
上に酸化珪素膜と透明導電膜がこの順に形成された２層
積層体において、該透明導電膜上に屈折率ｎが１．６以
下の低屈折率透明薄膜を形成することにより、５５０ｎ
ｍにおける透過率が９０％以上及び表面抵抗値が２００
〜３０００Ω／□である透明導電性積層体が得られるこ
とを見出した。更に詳しくは、５５０ｎｍにおける透過
率が９０％以上で４００ｎｍにおける透過率が８０％以
上、及び表面抵抗値が２００〜３０００Ω／□の高透過
率の透明導電性積層体を形成する方法について鋭意検討
した結果、透明基板上に酸化珪素膜を膜厚２００〜１０
００Åに、屈折率ｎが１．７〜２．２で膜厚が１００〜
３００Åの透明導電膜をこの順に形成し、該透明導電膜
上に屈折率ｎが１．６以下の低屈折率透明薄膜を膜厚が
５００〜１３００Å形成することにより、高透過率の導
電性積層体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。以下、本発明を詳細に説明する。
上に酸化珪素膜と透明導電膜がこの順に形成された２層
積層体において、該透明導電膜上に屈折率ｎが１．６以
下の低屈折率透明薄膜を形成することにより、５５０ｎ
ｍにおける透過率が９０％以上及び表面抵抗値が２００
〜３０００Ω／□である透明導電性積層体が得られるこ
とを見出した。更に詳しくは、５５０ｎｍにおける透過
率が９０％以上で４００ｎｍにおける透過率が８０％以
上、及び表面抵抗値が２００〜３０００Ω／□の高透過
率の透明導電性積層体を形成する方法について鋭意検討
した結果、透明基板上に酸化珪素膜を膜厚２００〜１０
００Åに、屈折率ｎが１．７〜２．２で膜厚が１００〜
３００Åの透明導電膜をこの順に形成し、該透明導電膜
上に屈折率ｎが１．６以下の低屈折率透明薄膜を膜厚が
５００〜１３００Å形成することにより、高透過率の導
電性積層体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明に使用する透明基板は光学的に透明
であれば特に制限はないが、実用的な面から、安価なソ
ーダーライムガラスが主に用いられる。ガラス基板中の
ナトリウムを含まない石英硝子やナトリウム含量の少な
いボロシリケート硝子なども好適に用いられるが、この
場合、酸化珪素膜を省略してもよい。
であれば特に制限はないが、実用的な面から、安価なソ
ーダーライムガラスが主に用いられる。ガラス基板中の
ナトリウムを含まない石英硝子やナトリウム含量の少な
いボロシリケート硝子なども好適に用いられるが、この
場合、酸化珪素膜を省略してもよい。
【００１５】該透明基板上に成膜する酸化珪素膜は、Ｓ
ｉＯ2 を主成分とする膜でソーダライムガラス中のナト
リウムの拡散防止能があれば、特に制限はないが、積層
体の高透過率化をより高めるためには、ガラス基板の屈
折率（ｎ≒１．５）より低屈折率の膜が好ましい。但
し、ソーダライムガラスのナトリウムの拡散防止能の向
上、基板や透明導電膜との界面での密着性向上及びゾル
・ゲル法膜の硬化促進などを目的として添加するリン化
合物やホウ素化合物は１０％未満であれば好適に用いら
れる。
ｉＯ2 を主成分とする膜でソーダライムガラス中のナト
リウムの拡散防止能があれば、特に制限はないが、積層
体の高透過率化をより高めるためには、ガラス基板の屈
折率（ｎ≒１．５）より低屈折率の膜が好ましい。但
し、ソーダライムガラスのナトリウムの拡散防止能の向
上、基板や透明導電膜との界面での密着性向上及びゾル
・ゲル法膜の硬化促進などを目的として添加するリン化
合物やホウ素化合物は１０％未満であれば好適に用いら
れる。
【００１６】本発明に用いられる屈折率ｎが１．６以下
の低屈折率透明薄膜は、屈折率が低くて、更に透明導電
膜上に成膜した低屈折率透明薄膜の表面が、２００〜３
０００Ω／□の表面抵抗値を示すことが特徴である。積
層体の高透過率化の為には、無反射膜の光学理論による
と、出来るだけ低屈折率で比較的厚い膜（１２００Å程
度）が好ましい。しかし、前記の表面抵抗値を維持する
ためには１００Å以下の薄い膜が好ましいが、この場
合、積層体の透過率の増加より、むしろ透過率の減少に
なる。故に、光学設計的な膜厚に出来るだけ近づけた膜
厚で表面導電性を具現する膜が必要となる。
の低屈折率透明薄膜は、屈折率が低くて、更に透明導電
膜上に成膜した低屈折率透明薄膜の表面が、２００〜３
０００Ω／□の表面抵抗値を示すことが特徴である。積
層体の高透過率化の為には、無反射膜の光学理論による
と、出来るだけ低屈折率で比較的厚い膜（１２００Å程
度）が好ましい。しかし、前記の表面抵抗値を維持する
ためには１００Å以下の薄い膜が好ましいが、この場
合、積層体の透過率の増加より、むしろ透過率の減少に
なる。故に、光学設計的な膜厚に出来るだけ近づけた膜
厚で表面導電性を具現する膜が必要となる。
【００１７】逆な表現をすれば、絶縁性の悪い屈折率の
低い金属酸化物薄膜であり、膜中にイオン電導性の多い
膜、ポーラスで水を吸着しやすい膜などが好適に用いら
れる。一般的に、物理的蒸着法で作成した膜は、緻密で
絶縁性が高いため、絶縁性を破るドーピング剤の添加が
必要となる。有機金属化合物を用いるゾル−ゲル法や化
学気相成膜法は比較的容易に絶縁性の悪い膜を作成しや
すく好ましく、特にゾル・ゲル法が好ましい。
低い金属酸化物薄膜であり、膜中にイオン電導性の多い
膜、ポーラスで水を吸着しやすい膜などが好適に用いら
れる。一般的に、物理的蒸着法で作成した膜は、緻密で
絶縁性が高いため、絶縁性を破るドーピング剤の添加が
必要となる。有機金属化合物を用いるゾル−ゲル法や化
学気相成膜法は比較的容易に絶縁性の悪い膜を作成しや
すく好ましく、特にゾル・ゲル法が好ましい。
【００１８】本発明に用いられる低屈折率透明薄膜に用
いられる化合物の例を示す。ＳｉＯ2 ，Ｐ2 Ｏ5 ，Ｂ2
Ｏ3 、Ｎａ，Ｆ含有ＳｉＯ2 化合物及び有機ポリシラン
などが好適に用いられる。
いられる化合物の例を示す。ＳｉＯ2 ，Ｐ2 Ｏ5 ，Ｂ2
Ｏ3 、Ｎａ，Ｆ含有ＳｉＯ2 化合物及び有機ポリシラン
などが好適に用いられる。
【００１９】本発明に用いられるＳｉ化合物としては、
化学的成膜法で用いられるものとして、Si(OCH3)4 、Si
(OC2H5)4、Si(OC3H7)4等のシリコンアルコキシド、SiCH
3(OCH3)3、SiCH3(OC2H5)3 等のアルキルアルコキシシラ
ン、シリコンアルコキシド及び／又はアルキルアルコキ
シシランの縮重合物、フェニルメチルポリシラン等の有
機ポリシラン、SiCl4 、CH3SiCl3、HSiCl3等の塩化物、
SiH4等のシラン化合物、CF3(CH3)2Si(OCH3)3 ,C4F9(C
H2)2Si(OCH3)3,C4F9(CH2)2Si(OC2H5)3 , C8F17(CH2)2Si
(OC2H5)3等のＦ含有ＳｉＯ2 化合物等を例示することが
できる。また、物理蒸着法で用いられるものとして、S
i、SiO 、SiO2等を例示することができる。
化学的成膜法で用いられるものとして、Si(OCH3)4 、Si
(OC2H5)4、Si(OC3H7)4等のシリコンアルコキシド、SiCH
3(OCH3)3、SiCH3(OC2H5)3 等のアルキルアルコキシシラ
ン、シリコンアルコキシド及び／又はアルキルアルコキ
シシランの縮重合物、フェニルメチルポリシラン等の有
機ポリシラン、SiCl4 、CH3SiCl3、HSiCl3等の塩化物、
SiH4等のシラン化合物、CF3(CH3)2Si(OCH3)3 ,C4F9(C
H2)2Si(OCH3)3,C4F9(CH2)2Si(OC2H5)3 , C8F17(CH2)2Si
(OC2H5)3等のＦ含有ＳｉＯ2 化合物等を例示することが
できる。また、物理蒸着法で用いられるものとして、S
i、SiO 、SiO2等を例示することができる。
【００２０】本発明に用いられるＰ化合物、Ｂ化合物及
びＮａ化合物として、P(OC2H5)3 ，PO(OCH3)3 ,PO(OC2H
5)3 ,H3PO4 , P2O5 等のＰ化合物、B(OCH3)3 , B(OC
2H5)3 ,B(OC4H9)3 , B[O(CH2)17CH3]3 , B(AcAc)3 ,B
(C4H9)3 , BBr3 ,BCl3 ,H3BO3, B2O3, (NH4)2O5B2O38H
2O ,NH4BF4 ,BF3O(C2H5)2 等のＢ化合物、及びNaOH ,Na
OCH3 , NaHCO3 , Na等のＮａ化合物を例示することがで
きる。
びＮａ化合物として、P(OC2H5)3 ，PO(OCH3)3 ,PO(OC2H
5)3 ,H3PO4 , P2O5 等のＰ化合物、B(OCH3)3 , B(OC
2H5)3 ,B(OC4H9)3 , B[O(CH2)17CH3]3 , B(AcAc)3 ,B
(C4H9)3 , BBr3 ,BCl3 ,H3BO3, B2O3, (NH4)2O5B2O38H
2O ,NH4BF4 ,BF3O(C2H5)2 等のＢ化合物、及びNaOH ,Na
OCH3 , NaHCO3 , Na等のＮａ化合物を例示することがで
きる。
【００２１】本発明に用いられる有機ポリシラン化合物
は、ジメチルジクロルシラン、フェニルメチルジクロル
シラン、ジフェニルジメチルシラン等の少なくとも１種
を原料とし、金属ナトリウムを触媒、トルエン等の溶媒
中でウルツ−カップリング反応等で合成したポリマーで
ある。反応溶液は過剰のＮａを含んでいるので、要すれ
ばメタノール等の貧溶媒中に投入してポリマーを精製し
ても良い。精製した有機ポリシラン化合物はトルエンや
キシレン等の有機溶剤に可溶であり、スピンコート法等
により成膜可能である。有機ポリシラン膜は主鎖にσ共
役を有するので、高分子材料としては高いホール移動度
やＵＶ光分解性を有する。３４０ｎｍ付近のＵＶ光照射
により、Ｓｉ−Ｓｉ連鎖の切断とＳｉ−Ｏ−Ｓｉ，Ｓｉ
ＯＨを生成するので、前記の導電性の観点から好適であ
る。
は、ジメチルジクロルシラン、フェニルメチルジクロル
シラン、ジフェニルジメチルシラン等の少なくとも１種
を原料とし、金属ナトリウムを触媒、トルエン等の溶媒
中でウルツ−カップリング反応等で合成したポリマーで
ある。反応溶液は過剰のＮａを含んでいるので、要すれ
ばメタノール等の貧溶媒中に投入してポリマーを精製し
ても良い。精製した有機ポリシラン化合物はトルエンや
キシレン等の有機溶剤に可溶であり、スピンコート法等
により成膜可能である。有機ポリシラン膜は主鎖にσ共
役を有するので、高分子材料としては高いホール移動度
やＵＶ光分解性を有する。３４０ｎｍ付近のＵＶ光照射
により、Ｓｉ−Ｓｉ連鎖の切断とＳｉ−Ｏ−Ｓｉ，Ｓｉ
ＯＨを生成するので、前記の導電性の観点から好適であ
る。
【００２２】本発明に用いられる透明導電膜は屈折率が
１．７〜２．２で膜厚が１００〜３００Åの表面抵抗値
が２００〜３０００Ω／□となれば、特に制限無く用い
られる。例えば、ＩＴＯ，ＦＴＯ，ＡＴＯ，酸化亜鉛な
どが好適に用いられ、特に酸化インジュウムまたは酸化
錫を主成分とする膜が特に好適に用いられる。
１．７〜２．２で膜厚が１００〜３００Åの表面抵抗値
が２００〜３０００Ω／□となれば、特に制限無く用い
られる。例えば、ＩＴＯ，ＦＴＯ，ＡＴＯ，酸化亜鉛な
どが好適に用いられ、特に酸化インジュウムまたは酸化
錫を主成分とする膜が特に好適に用いられる。
【００２３】酸化インジウムに添加して表面抵抗値を調
整する金属としては、Ｓｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，
Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａからなる
群より選ばれた少なくとも１種の元素が好適に用いられ
る。
整する金属としては、Ｓｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，
Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａからなる
群より選ばれた少なくとも１種の元素が好適に用いられ
る。
【００２４】酸化錫に添加して表面抵抗値を調整する金
属としては、Ｆ，Ｓｂ，及びＩｎからなる群から選ばれ
た少なくとも１種の元素が好適に用いられる。
属としては、Ｆ，Ｓｂ，及びＩｎからなる群から選ばれ
た少なくとも１種の元素が好適に用いられる。
【００２５】本発明の透明導電膜を成膜する方法として
は、一般に知られている方法が採用できる。即ち、スパ
ッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング
法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法、スプ
レー法、ディップ法等が好適に用いられる。
は、一般に知られている方法が採用できる。即ち、スパ
ッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング
法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法、スプ
レー法、ディップ法等が好適に用いられる。
【００２６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
【００２７】（比較例１）厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソ
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセットし
４８０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5
ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波により
２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、２．５分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．４６、膜厚４００Åの
ＳｉＯ2 膜であった。引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ
溶液（濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎ（ＯＣ
4 Ｈ9 ）4のアセチルアセトン溶液及びＢ（ＯＣＨ3 ）
3 のアセチルアセトン溶液を、Ｓｎ／Ｉｎ＝５．０原子
％及びＢ／Ｉｎ＝５．０原子％添加した溶液を超音波に
より２．４ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ、基板に導入し、２分
間成膜した。得られた膜はｎ＝１．９５、膜厚２００Å
のＢドープのＩＴＯ結晶膜であり、シート抵抗値Ｒ0＝
５２０±２５Ω／□、４００ｎｍでの透過率Ｔ400=８
３．２％、５５０ｎｍでの透過率Ｔ550=８９．６％、及
び加熱変化率Ｈ（２００℃×３０分、空気中加熱後の抵
抗値の変化率）＝１．１５倍であった。（この透明導電
膜を導電膜Ａと称する。）
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセットし
４８０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5
ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波により
２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、２．５分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．４６、膜厚４００Åの
ＳｉＯ2 膜であった。引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ
溶液（濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎ（ＯＣ
4 Ｈ9 ）4のアセチルアセトン溶液及びＢ（ＯＣＨ3 ）
3 のアセチルアセトン溶液を、Ｓｎ／Ｉｎ＝５．０原子
％及びＢ／Ｉｎ＝５．０原子％添加した溶液を超音波に
より２．４ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ、基板に導入し、２分
間成膜した。得られた膜はｎ＝１．９５、膜厚２００Å
のＢドープのＩＴＯ結晶膜であり、シート抵抗値Ｒ0＝
５２０±２５Ω／□、４００ｎｍでの透過率Ｔ400=８
３．２％、５５０ｎｍでの透過率Ｔ550=８９．６％、及
び加熱変化率Ｈ（２００℃×３０分、空気中加熱後の抵
抗値の変化率）＝１．１５倍であった。（この透明導電
膜を導電膜Ａと称する。）
【００２８】（実施例１）テトラエトキシシラン：１８
６ｇ，エタノール：６４３ｇ，酢酸：２０６ｇ及び濃塩
酸：０．３ｇを混合し、還流下に４５時間反応後、更に
Ｐ2 Ｏ5 ：２．５ｇを添加混合し、ＳｉＯ2 換算濃度
５．０ｗｔ％及びＳｉＯ2 基準のＰ2 Ｏ5 濃度５．０ｗ
ｔ％のアルコキシシラン縮合体溶液からなるＳｉＯ2 薄
膜形成用組成物Ｓ−１を調整した。
６ｇ，エタノール：６４３ｇ，酢酸：２０６ｇ及び濃塩
酸：０．３ｇを混合し、還流下に４５時間反応後、更に
Ｐ2 Ｏ5 ：２．５ｇを添加混合し、ＳｉＯ2 換算濃度
５．０ｗｔ％及びＳｉＯ2 基準のＰ2 Ｏ5 濃度５．０ｗ
ｔ％のアルコキシシラン縮合体溶液からなるＳｉＯ2 薄
膜形成用組成物Ｓ−１を調整した。
【００２９】比較例１で作成した導電膜Ａ基板の硝子側
をマスクし、ＳｉＯ2 薄膜形成用組成物Ｓ−１中に浸積
後、１６ｃｍ／ｍｉｎで引き上げ、１００℃×１５分及
び５００℃×３０分焼成後、冷却してＳＬＧ／ＳｉＯ2
／ＩＴＯ（Ｂ）／ＳｉＯ2 （Ｐ）からなる透明導電性積
層体を作成した。（ＳＬＧはソーダーライムガラスを示
す）。浸積引き上げ法で作成したＳｉＯ2 （Ｐ）膜はｎ
＝１．４６，膜厚ｔ＝１１００Åであり、透明導電性積
層体としての、特性は次のようであった。
をマスクし、ＳｉＯ2 薄膜形成用組成物Ｓ−１中に浸積
後、１６ｃｍ／ｍｉｎで引き上げ、１００℃×１５分及
び５００℃×３０分焼成後、冷却してＳＬＧ／ＳｉＯ2
／ＩＴＯ（Ｂ）／ＳｉＯ2 （Ｐ）からなる透明導電性積
層体を作成した。（ＳＬＧはソーダーライムガラスを示
す）。浸積引き上げ法で作成したＳｉＯ2 （Ｐ）膜はｎ
＝１．４６，膜厚ｔ＝１１００Åであり、透明導電性積
層体としての、特性は次のようであった。
【００３０】シート抵抗値Ｒ0=５４０±２５Ω／□、４
００ｎｍでの透過率Ｔ400=８８．８％、５５０ｎｍでの
透過率Ｔ550=９５．１％、加熱変化率Ｈ= １．０１倍。
００ｎｍでの透過率Ｔ400=８８．８％、５５０ｎｍでの
透過率Ｔ550=９５．１％、加熱変化率Ｈ= １．０１倍。
【００３１】ＳｉＯ2 （Ｐ）膜を積層することにより、
導電膜Ａに比べ、４００ｎｍ，５５０ｎｍの透過率の増
加と加熱変化率の減少が認められた。この透明導電性積
層体の分光特性を図１に示した。
導電膜Ａに比べ、４００ｎｍ，５５０ｎｍの透過率の増
加と加熱変化率の減少が認められた。この透明導電性積
層体の分光特性を図１に示した。
【００３２】（実施例２、３）実施例１において、浸積
引き上げ速度を１０ｃｍ／ｍｉｎ（実施例２）及び７ｃ
ｍ／ｍｉｎ（実施例３）に変更した他は、実施例１と同
様に行い透明導電性積層体を作成した。ＳｉＯ2 （Ｐ）
膜は、実施例２では、ｎ＝１．４６，膜厚ｔ＝９００
Å、実施例３では、ｎ＝１．４６，膜厚ｔ= ７９０Åで
あった。積層体としての特性は表１に示した。
引き上げ速度を１０ｃｍ／ｍｉｎ（実施例２）及び７ｃ
ｍ／ｍｉｎ（実施例３）に変更した他は、実施例１と同
様に行い透明導電性積層体を作成した。ＳｉＯ2 （Ｐ）
膜は、実施例２では、ｎ＝１．４６，膜厚ｔ＝９００
Å、実施例３では、ｎ＝１．４６，膜厚ｔ= ７９０Åで
あった。積層体としての特性は表１に示した。
【００３３】（比較例２）実施例１において、ＳｉＯ2
薄膜形成用組成物のＳｉＯ換算濃度を１／１０に希釈し
た溶液Ｓ−２を用いた他は、実施例１と同様に行い透明
導電性積層体を作成した。ＳｉＯ2 （Ｐ）膜は、ｎ＝
１．４６，膜厚ｔ＝１５０Åであった。積層体としての
特性は表１に示した。この比較例は適正膜厚を薄い方に
外れた例であり、特開昭６２−２６３６１０の実施例で
ＳｉＯ2 の膜厚が１５０Åと同じで透過率に関してはマ
イナス効果であった。
薄膜形成用組成物のＳｉＯ換算濃度を１／１０に希釈し
た溶液Ｓ−２を用いた他は、実施例１と同様に行い透明
導電性積層体を作成した。ＳｉＯ2 （Ｐ）膜は、ｎ＝
１．４６，膜厚ｔ＝１５０Åであった。積層体としての
特性は表１に示した。この比較例は適正膜厚を薄い方に
外れた例であり、特開昭６２−２６３６１０の実施例で
ＳｉＯ2 の膜厚が１５０Åと同じで透過率に関してはマ
イナス効果であった。
【００３４】（比較例３）実施例１において、浸積引き
上げ速度を３０ｃｍ／ｍｉｎにした他は、実施例１と同
様に行い透明導電性積層体を作成した。ＳｉＯ2 （Ｐ）
膜は、ｎ＝１．４６、膜厚ｔ＝１５００Åであった。積
層体としての特性は表−１に示した。この比較例は適正
膜厚を厚い方に外れた例であり、透過率は向上するが、
シート抵抗値が高くなり、絶縁膜になり本用途には不適
当であった。
上げ速度を３０ｃｍ／ｍｉｎにした他は、実施例１と同
様に行い透明導電性積層体を作成した。ＳｉＯ2 （Ｐ）
膜は、ｎ＝１．４６、膜厚ｔ＝１５００Åであった。積
層体としての特性は表−１に示した。この比較例は適正
膜厚を厚い方に外れた例であり、透過率は向上するが、
シート抵抗値が高くなり、絶縁膜になり本用途には不適
当であった。
【００３５】（比較例４）厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソ
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセットし
４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5
ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波により
２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、３．０分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．４６、膜厚６００Åの
ＳｉＯ2 膜であった。引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ
溶液（濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＧｅ（ＯＣ
4 Ｈ9 ）4のアセチルアセトン溶液及びＢ（ＯＣＨ3 ）
3 のアセチルアセトン溶液を、Ｇｅ／Ｉｎ＝１０原子％
及びＢ／Ｉｎ＝８．０原子％添加した溶液を超音波によ
り２．４ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ、基板に導入し、２分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．９３、膜厚２３０Åの
Ｇｅ，Ｂドープの酸化インジウム結晶膜であり、シート
抵抗値Ｒ0=９５０±４０Ω／□、４００ｎｍでの透過率
Ｔ400=８２．１％、５５０ｎ透過率Ｔ550=８８．９％、
及び加熱変化率Ｈ= １．１０倍であった。（この透明導
電膜を導電膜Ｂと称する。）
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセットし
４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5
ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波により
２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、３．０分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．４６、膜厚６００Åの
ＳｉＯ2 膜であった。引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ
溶液（濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＧｅ（ＯＣ
4 Ｈ9 ）4のアセチルアセトン溶液及びＢ（ＯＣＨ3 ）
3 のアセチルアセトン溶液を、Ｇｅ／Ｉｎ＝１０原子％
及びＢ／Ｉｎ＝８．０原子％添加した溶液を超音波によ
り２．４ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ、基板に導入し、２分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．９３、膜厚２３０Åの
Ｇｅ，Ｂドープの酸化インジウム結晶膜であり、シート
抵抗値Ｒ0=９５０±４０Ω／□、４００ｎｍでの透過率
Ｔ400=８２．１％、５５０ｎ透過率Ｔ550=８８．９％、
及び加熱変化率Ｈ= １．１０倍であった。（この透明導
電膜を導電膜Ｂと称する。）
【００３６】（実施例４）比較例３の導電膜Ｂ上に引き
続き、パイロゾル法でＳｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5
ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を湿潤空気（２５
℃の水中をバブルした）をキャリヤーガスとして導入し
てＳｉＯ2 膜を成膜した。得られたＳｉＯ2 膜はｎ＝
１．４５，膜厚ｔ＝８００Åであり、透明導電性積層体
としての特性は次のようであった。
続き、パイロゾル法でＳｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2 Ｈ5
ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を湿潤空気（２５
℃の水中をバブルした）をキャリヤーガスとして導入し
てＳｉＯ2 膜を成膜した。得られたＳｉＯ2 膜はｎ＝
１．４５，膜厚ｔ＝８００Åであり、透明導電性積層体
としての特性は次のようであった。
【００３７】シート抵抗値Ｒ0=１０００±５０Ω／□、
４００ｎｍでの透過率Ｔ400=８８．２％、５５０ｎｍで
の透過率Ｔ550=９０．５％、加熱変化率Ｈ= １．０１
倍。
４００ｎｍでの透過率Ｔ400=８８．２％、５５０ｎｍで
の透過率Ｔ550=９０．５％、加熱変化率Ｈ= １．０１
倍。
【００３８】（実施例５）比較例３の導電膜Ｂ上に引き
続き、パイロゾル法でＳｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 ／Ｃ4 Ｆ9
（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 （１／１）のＣ2 Ｈ
5 ＯＨ溶液（濃度０．５ｍｏｌ／ｌ）を湿潤空気（２５
℃の水中をバブルした）をキャリヤーガスとして導入し
てＳｉＯ2 膜を成膜した。得られたＳｉＯ2 膜はｎ＝
１．４２、膜厚ｔ＝９００Åであり、透明導電性積層体
としての特性は次のようであった。
続き、パイロゾル法でＳｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 ／Ｃ4 Ｆ9
（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 （１／１）のＣ2 Ｈ
5 ＯＨ溶液（濃度０．５ｍｏｌ／ｌ）を湿潤空気（２５
℃の水中をバブルした）をキャリヤーガスとして導入し
てＳｉＯ2 膜を成膜した。得られたＳｉＯ2 膜はｎ＝
１．４２、膜厚ｔ＝９００Åであり、透明導電性積層体
としての特性は次のようであった。
【００３９】シート抵抗値Ｒ0=１５００±５０Ω／□、
４００ｎｍでの透過率Ｔ400=９２．２％、５５０ｎｍで
の透過率Ｔ550=９４．５％、加熱変化率Ｈ= １．０１
倍。
４００ｎｍでの透過率Ｔ400=９２．２％、５５０ｎｍで
の透過率Ｔ550=９４．５％、加熱変化率Ｈ= １．０１
倍。
【００４０】（実施例６）テトラエトキシシラン：１８
６ｇ，エタノ−ル：６４３ｇ，酢酸：２０６ｇ及び濃塩
酸：０．３ｇを混合し、還流下に４５時間反応後、更に
ホウ酸：４．３ｇを添加混合し、ＳｉＯ2 換算濃度５．
０ｗｔ％及びＳｉＯ2 基準のＢ2 Ｏ3 濃度１０ｗｔ％の
アルコキシシラン縮合体溶液からなるＳｉＯ2 薄膜形成
用組成物Ｓ−３を調整した。
６ｇ，エタノ−ル：６４３ｇ，酢酸：２０６ｇ及び濃塩
酸：０．３ｇを混合し、還流下に４５時間反応後、更に
ホウ酸：４．３ｇを添加混合し、ＳｉＯ2 換算濃度５．
０ｗｔ％及びＳｉＯ2 基準のＢ2 Ｏ3 濃度１０ｗｔ％の
アルコキシシラン縮合体溶液からなるＳｉＯ2 薄膜形成
用組成物Ｓ−３を調整した。
【００４１】比較例４で作成した導電膜Ｂ基板の硝子側
をマスクし、ＳｉＯ2 薄膜形成用組成物Ｓ−３中に浸積
後、１４ｃｍ／ｍｉｎで引き上げ、１００℃×１５分及
び３００℃×３０分焼成後、冷却してＳＬＧ／ＳｉＯ2
／ＩＴＯ（Ｇｅ，Ｂ）／ＳｉＯ2 （Ｂ）からなる透明導
電性積層体を作成した。浸積引き上げ法で作成したＳｉ
Ｏ2 （Ｂ）膜はｎ＝１．４７，膜厚ｔ＝１１００Åであ
り、透明導電性積層体としての特性は次のようであっ
た。
をマスクし、ＳｉＯ2 薄膜形成用組成物Ｓ−３中に浸積
後、１４ｃｍ／ｍｉｎで引き上げ、１００℃×１５分及
び３００℃×３０分焼成後、冷却してＳＬＧ／ＳｉＯ2
／ＩＴＯ（Ｇｅ，Ｂ）／ＳｉＯ2 （Ｂ）からなる透明導
電性積層体を作成した。浸積引き上げ法で作成したＳｉ
Ｏ2 （Ｂ）膜はｎ＝１．４７，膜厚ｔ＝１１００Åであ
り、透明導電性積層体としての特性は次のようであっ
た。
【００４２】シート抵抗値Ｒ0=９００±２５Ω／□、４
００ｎｍでの透過率Ｔ400=８８．３％、５５０ｎｍでの
透過率Ｔ550=９４．７％、加熱変化率Ｈ= １．０１倍。
００ｎｍでの透過率Ｔ400=８８．３％、５５０ｎｍでの
透過率Ｔ550=９４．７％、加熱変化率Ｈ= １．０１倍。
【００４３】（実施例７）フェニルメチルジクロルシラ
ン０．８５モル、ジフェニルジクロルシラン０．１５モ
ル、触媒の金属Ｎａを１．３倍当量および溶媒としての
トルエンを還流下で反応させた。反応終了後、大過剰の
メタノール中に投入して精製した有機ポリシラン化合物
を得た（分子量は約１７０００であった）。精製した有
機ポリシラン化合物をトルエン／テトラハイドロフラン
（５０／５０）の混合溶液に溶解して固形分濃度５．０
％の溶液８５ｇを作製し、実施例１のＳｉＯ2 薄膜形成
用組成物Ｓ−１を濃縮してＳｉＯ2 換算濃度で２０ｗｔ
％とした溶液を１５ｇを加えて均一溶液とし薄膜形成組
成物Ｓ−４を調製した。比較例４で作製した導電膜Ｂ基
板上に薄膜形成組成物Ｓ−４をスピンコート法で塗布
し、１２０℃×１５分硬化した。この有機ポリシラン化
合物を含有する薄膜は、ｎ＝１．６，膜厚ｔ＝９００Å
であり、透明導電性積層体としての特性を表１に示し
た。
ン０．８５モル、ジフェニルジクロルシラン０．１５モ
ル、触媒の金属Ｎａを１．３倍当量および溶媒としての
トルエンを還流下で反応させた。反応終了後、大過剰の
メタノール中に投入して精製した有機ポリシラン化合物
を得た（分子量は約１７０００であった）。精製した有
機ポリシラン化合物をトルエン／テトラハイドロフラン
（５０／５０）の混合溶液に溶解して固形分濃度５．０
％の溶液８５ｇを作製し、実施例１のＳｉＯ2 薄膜形成
用組成物Ｓ−１を濃縮してＳｉＯ2 換算濃度で２０ｗｔ
％とした溶液を１５ｇを加えて均一溶液とし薄膜形成組
成物Ｓ−４を調製した。比較例４で作製した導電膜Ｂ基
板上に薄膜形成組成物Ｓ−４をスピンコート法で塗布
し、１２０℃×１５分硬化した。この有機ポリシラン化
合物を含有する薄膜は、ｎ＝１．６，膜厚ｔ＝９００Å
であり、透明導電性積層体としての特性を表１に示し
た。
【００４４】（比較例４）Ｉｎに対して８ｗｔ％のＳｎ
を含有するＩｎ2 Ｏ3 焼結体ターゲット及びＳｉＯ2 タ
ーゲットを用いて、スパッター成膜装置にて、ソーダラ
イムガラス上に４００ÅのＳｉＯ2 膜がコートされた基
板上に３００℃で、ＩＴＯ膜（ｎ＝2.0 ，膜厚ｔ＝２５
０Å）及びＳｉＯ2 膜（ｎ＝１．４５，膜厚ｔ＝１５０
Å）をこの順に成膜した。透明導電性積層体としての５
５０ｎｍにおける透過率は、８５．４％であった。この
比較例は、特開昭６２−２６３６１０の実施例の中の１
例であるが、明らかに透過率に関して劣っている。
を含有するＩｎ2 Ｏ3 焼結体ターゲット及びＳｉＯ2 タ
ーゲットを用いて、スパッター成膜装置にて、ソーダラ
イムガラス上に４００ÅのＳｉＯ2 膜がコートされた基
板上に３００℃で、ＩＴＯ膜（ｎ＝2.0 ，膜厚ｔ＝２５
０Å）及びＳｉＯ2 膜（ｎ＝１．４５，膜厚ｔ＝１５０
Å）をこの順に成膜した。透明導電性積層体としての５
５０ｎｍにおける透過率は、８５．４％であった。この
比較例は、特開昭６２−２６３６１０の実施例の中の１
例であるが、明らかに透過率に関して劣っている。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、透明基板上に酸化珪素
膜、透明導電膜及び屈折率ｎが１．６以下の低屈折率膜
を５００〜１３００Åをこの順に形成せしめた３層積層
体において、該積層体の５５０ｎｍにおける透過率が９
０％以上、４００ｎｍにおける透過率が８０％以上、か
つ、表面抵抗値が２００〜３０００Ω／□の高透過率の
透明導電積層体を得ることが出来る。
膜、透明導電膜及び屈折率ｎが１．６以下の低屈折率膜
を５００〜１３００Åをこの順に形成せしめた３層積層
体において、該積層体の５５０ｎｍにおける透過率が９
０％以上、４００ｎｍにおける透過率が８０％以上、か
つ、表面抵抗値が２００〜３０００Ω／□の高透過率の
透明導電積層体を得ることが出来る。
【００４７】本発明になる透明導電積層体をペン入力タ
ッチパネルに適用することにより、入力精度が高く、見
え映えの良いパネルを提供できるので、その実用的価値
は極めて大きい。
ッチパネルに適用することにより、入力精度が高く、見
え映えの良いパネルを提供できるので、その実用的価値
は極めて大きい。
【図１】実施例１の透明導電性積層体の分光特性を示し
た。
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 徳良 千葉県市原市五井南海岸12−54 日本曹達 株式会社機能製品研究所内
Claims (12)
- 【請求項１】透明基板上に、酸化珪素膜、透明導電膜及
び屈折率ｎが１．６以下の低屈折率透明薄膜をこの順に
形成してなる３層積層体において、該積層体の５５０ｎ
ｍにおける透過率が９０％以上、かつ、表面抵抗値が２
００〜３０００Ω／□であることを特徴とする透明導電
性積層体。 - 【請求項２】透明基板上に、酸化珪素膜、透明導電膜及
び屈折率ｎが１．６以下の低屈折率透明薄膜をこの順に
形成してなる３層積層体において、該積層体の５５０ｎ
ｍにおける透過率が９０％以上、４００ｎｍにおける透
過率が８０％以上、かつ、表面抵抗値が２００〜３００
０Ω／□であることを特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項３】請求項１及び２に記載の低屈折率透明薄膜
が酸化珪素を含有する薄膜であることを特徴とする透明
導電性積層体。 - 【請求項４】請求項１及び２に記載の低屈折率透明薄膜
が酸化珪素、及びＰ又はＢのうち少なくとも１種を含有
する薄膜であることを特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項５】請求項１及び２に記載の低屈折率透明薄膜
が、有機ポリシランを含有する薄膜であることを特徴と
する透明導電性積層体。 - 【請求項６】請求項１及び２に記載の低屈折率透明薄膜
の膜厚が５００〜１３００Åであることを特徴とする透
明導電性積層体。 - 【請求項７】請求項１及び２に記載の透明導電膜が酸化
インジウムを含有し、屈折率ｎが１．７〜２．２、膜厚
が１００〜３００Åであることを特徴とする透明導電性
積層体。 - 【請求項８】透明導電膜が酸化錫を含有し、屈折率ｎが
１．７〜２．２、膜厚が１００〜３００Åであることを
特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項９】請求項１、２及び７に記載の透明導電膜
が、酸化インジウム及び、Ｓｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａ
ｌ，Ｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから
なる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含有元素を
含有することを特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項１０】請求項１、２及び８に記載の透明導電膜
が、酸化錫及び、Ｆ，Ｓｂ及びＩｎからなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする
透明導電性積層体。 - 【請求項１１】請求項１及び２に記載の透明基板がソー
ダライム硝子であり、該基板に接した酸化珪素膜の膜厚
が２００〜１０００Åであることを特徴とする透明導電
性積層体。 - 【請求項１２】請求項１〜１１に記載の透明導電性積層
体を使用することを特徴とするペン入力のタッチパネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7390694A JPH07257945A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 透明導電性積層体及びペン入力タッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7390694A JPH07257945A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 透明導電性積層体及びペン入力タッチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07257945A true JPH07257945A (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13531706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7390694A Pending JPH07257945A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 透明導電性積層体及びペン入力タッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07257945A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078274A (en) * | 1996-12-27 | 2000-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Touch panel |
| JP2002133956A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 |
| JP2005055899A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Merck Patent Gmbh | 反射防止特性を有する光学層システム |
| JP2006202741A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 耐熱性透明電極とその製造方法，および色素増感太陽電池 |
| JP2012114041A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Asahi Glass Co Ltd | 電波透過部材、調光素子、および調光窓材 |
| JP2012187806A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電層積層基材 |
| JP2013113941A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Mitsubishi Materials Corp | 反射防止膜付きガラス基材 |
| JP2020011858A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜方法、及び、半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP7390694A patent/JPH07257945A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8053664B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-11-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same |
| JP2012114041A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Asahi Glass Co Ltd | 電波透過部材、調光素子、および調光窓材 |
| JP2012187806A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電層積層基材 |
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| JP2020011858A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜方法、及び、半導体装置の製造方法 |
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