JP2000109342A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも１種の金属前駆体と少なくとも１種のフッ素前駆体を含む少なくとも２種の前駆体を用い、化学蒸着法によってガラス基材の上にフッ素含有金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法であって、そのフッ素前駆体が三フッ化窒素ＮＦ３を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 フッ素含有金属酸化物を主成分とする層が、フッ素ドーピング型酸化インジウムの層又はフッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ ２ の層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】 その層がフッ素ドーピング型酸化錫からなり、その金属前駆体がとりわけＳｎＲｘＣｌ４−ｘ（Ｒは、１〜６の炭素原子を有する線状又は枝分かれ炭化水素基）の形態で錫Ｓｎを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】 その錫前駆体がジメチル錫ジクロリドＭｅ２ＳｎＣｌ２又はモノブチル錫トリクロリドであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】 そのコーティングが、ガラス基材上に４００〜８００℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】 そのコーティングが、ガラス基材上に５５０〜７５０℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】 その錫タイプの金属前駆体の量に対するフッ素前駆体の量がモル比として０．１〜２０％であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２のタイプの酸化物を主成分とする層が、Ｏ２及び／又はＨ２Ｏのタイプの酸化性を有する少なくとも１種の化合物を用いて堆積されることを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２のタイプの酸化物を主成分とする層が、とりわけフロートバスチャンバー又はレアの中のフロートガラスのリボン上に連続的に堆積されることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】 フッ素ドーピング型酸化錫を主成分とする層が、スクエアあたり１００Ω以下の抵抗を有し、そのコーティングされた基材が少なくとも７５％の光透過率ＴＬを有することを特徴とする請求項２〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層が、ガラス／ＳｉＯｘＣｙＮｚ／Ｆ：ＳｎＯ２のタイプの積層の一部を形成することを特徴とする請求項２〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層が、抗イリデッセンス層と組み合わされたことを特徴とする請求項２〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層が、少なくとも２５０ｎｍの幾何学的厚さを有することを特徴とする請求項２〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】 基材が次の成分（重量割合）：
ＳｉＯ２ ５５〜６５％
Ａｌ２Ｏ３ ０〜５％
ＺｒＯ２ ５〜１０％
Ｂ２Ｏ３ ０〜３％
Ｎａ２Ｏ ２〜６％
Ｋ２Ｏ ５〜９％
ＭｇＯ ０〜６％
ＣａＯ ３〜１１％
ＳｒＯ ４〜１２％
ＢａＯ ０〜２％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ≧１０％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ＞１１％
を含んでなる化学組成を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】 フィルター及び／又は低放射タイプの日除け窓を製造するための請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項１６】 家庭電気製品のオーブンのドア又は冷蔵庫ドアのタイプのガラス部品を製造するための請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項１７】 プラズマスクリーンのようなフラットスクリーン型の放射スクリーンの前面及び／又は背面を製造するための請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項１】 少なくとも１種の金属前駆体と少なくとも１種のフッ素前駆体を含む少なくとも２種の前駆体を用い、化学蒸着法によってガラス基材の上にフッ素含有金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法であって、そのフッ素前駆体が三フッ化窒素ＮＦ３を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 フッ素含有金属酸化物を主成分とする層が、フッ素ドーピング型酸化インジウムの層又はフッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ ２ の層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】 その層がフッ素ドーピング型酸化錫からなり、その金属前駆体がとりわけＳｎＲｘＣｌ４−ｘ（Ｒは、１〜６の炭素原子を有する線状又は枝分かれ炭化水素基）の形態で錫Ｓｎを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】 その錫前駆体がジメチル錫ジクロリドＭｅ２ＳｎＣｌ２又はモノブチル錫トリクロリドであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】 そのコーティングが、ガラス基材上に４００〜８００℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】 そのコーティングが、ガラス基材上に５５０〜７５０℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】 その錫タイプの金属前駆体の量に対するフッ素前駆体の量がモル比として０．１〜２０％であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２のタイプの酸化物を主成分とする層が、Ｏ２及び／又はＨ２Ｏのタイプの酸化性を有する少なくとも１種の化合物を用いて堆積されることを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２のタイプの酸化物を主成分とする層が、とりわけフロートバスチャンバー又はレアの中のフロートガラスのリボン上に連続的に堆積されることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】 フッ素ドーピング型酸化錫を主成分とする層が、スクエアあたり１００Ω以下の抵抗を有し、そのコーティングされた基材が少なくとも７５％の光透過率ＴＬを有することを特徴とする請求項２〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層が、ガラス／ＳｉＯｘＣｙＮｚ／Ｆ：ＳｎＯ２のタイプの積層の一部を形成することを特徴とする請求項２〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層が、抗イリデッセンス層と組み合わされたことを特徴とする請求項２〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層が、少なくとも２５０ｎｍの幾何学的厚さを有することを特徴とする請求項２〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】 基材が次の成分（重量割合）：
ＳｉＯ２ ５５〜６５％
Ａｌ２Ｏ３ ０〜５％
ＺｒＯ２ ５〜１０％
Ｂ２Ｏ３ ０〜３％
Ｎａ２Ｏ ２〜６％
Ｋ２Ｏ ５〜９％
ＭｇＯ ０〜６％
ＣａＯ ３〜１１％
ＳｒＯ ４〜１２％
ＢａＯ ０〜２％
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ≧１０％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ＞１１％
を含んでなる化学組成を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】 フィルター及び／又は低放射タイプの日除け窓を製造するための請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項１６】 家庭電気製品のオーブンのドア又は冷蔵庫ドアのタイプのガラス部品を製造するための請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項１７】 プラズマスクリーンのようなフラットスクリーン型の放射スクリーンの前面及び／又は背面を製造するための請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法によって調製された基材の使用。
本発明において、とりわけ金属前駆体が、中でも錫前駆体が酸素を含まない場合は、Ｏ２及び／又はＨ２Ｏタイプの酸化性を有する少なくとも１種の化合物を用いて本発明にしたがって堆積を行うことが好ましい。また、金属酸化物を主成分とする層、とりわけフッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２は、フロートガラスのリボン上に連続的に堆積させることが好ましい。
とりわけ、ガラス基材がシリカソーダライム型の場合、本発明による堆積は、フロートバスとレアの間で行うのが有利である。ガラス基材がプラズマスクリーンの製造に適する化学組成を有する場合、本発明による堆積は、フロートバスチャンバー又はレアの中で行うのが好ましい。また、本発明は、上記プロセスによって得られたフッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ２を主成分とする層でコーティングされたガラス基材に関する。この基材は、層がスクエアあたり１００Ω以下の抵抗を有し、コーティングされた基材が少なくとも７５％の光透過率ＴＬを有する点で注目に値する。
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