TW202307255A - 包裝材料及製造方法 - Google Patents

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Abstract

揭示一種包裝材料及製造方法。包裝材料包括基板表面及選自由彈性體、聚合物、無機材料及其組合所組成之群組的薄膜塗層。薄膜塗層包括第一層及第二層，第一層沉積在第二層上。第一層具有為SiO xN yC z之化學式，其中x在自1.9至2.15之範圍中，y在自0.01至0.08之範圍中，且z在自0.10至0.40之範圍中。

Description

包裝材料及製造方法
本揭示案之實施例係關於包裝材料，特定言之係關於包括薄膜塗層之包裝材料，及製造方法。
許多醫藥產品（尤其係腸胃外藥物）需要玻璃/塑膠容器及/或彈性密封件及密閉件。此些醫藥包裝材料由於多種原因而不太理想，該等原因會導致藥物損失或其功效喪失、導致免疫原性問題之污染/顆粒，且有時會導致藥物召回。玻璃容器最常見的問題為破裂、脫層、蛋白質凝聚（尤其對於大分子/生物製劑而言）及金屬浸出。另外，塑膠容器具有不良的阻障效能，其會導致藥物稀釋或功效喪失或保質期問題。
彈性體存在一系列單獨的問題，且被視為水分/氧氣進入藥物內部之最薄弱環節。作為與玻璃/塑膠非常不同之材料，彈性體導致對藥物調配物中不當之可萃取物及可浸出物的強烈擔憂。彈性部件中之一些需要矽油進行潤滑，此會引起顆粒問題並導致諸如預填充注射器及自動注入器之裝置的設計控制問題。
因此，需要一種醫藥包裝材料，其表現出高惰性、降低可萃取性、降低可浸出性或高潤滑性中之一或更多者。
本揭示案之一或更多個實施例係針對一種包裝材料。在一些實施例中，該包裝材料包括包含基板表面之基板，該基板表面包括選自由彈性體、聚合物、無機材料及其組合所組成之群組的材料；及薄膜塗層，其包括在基板表面上之第一層及在第一層上之第二層，其中第一層包括具有為SiO xN yC z之化學式的第一材料，其中x在自1.9至2.15之範圍中，y在自0.01至0.08之範圍中，且z在自0.10至0.40之範圍中，且第二層包括具有為SiO xN yC z之化學式的第二材料，其中x在自1.30至1.50之範圍中，y在自0.05至0.20之範圍中，且z在自1至2之範圍中。
本揭示案之另一態樣係針對一種在包括基板表面之包裝材料上沉積薄膜塗層的方法。在一些實施例中，該方法包括將基板表面暴露於第一前驅物以在基板表面上沉積第一層，視情況淨化第一前驅物，及將第一層暴露於第二前驅物以在第一層上沉積第二層。在一些實施例中，第一層具有為SiO xN yC z之化學式，其中x在自1.9至2.15之範圍中，y在自0.01至0.08之範圍中，且z在自0.10至0.40之範圍中。在一些實施例中，第二層具有為SiO xN yC z之化學式，其中x在自1.30至1.50之範圍中，y在自0.05至0.20之範圍中，且z在自1.0至2.0之範圍中。在一些實施例中，第一前驅物及第二前驅物中之每一者獨立地包括含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物、含碳前驅物或其組合。
在描述本揭示案之若干例示性實施例之前，應理解，實施例並不限於以下描述中所闡述之構造或製程步驟的細節。在不脫離本揭示案之範疇的情況下，可預期額外實施例。
本文中揭示針對包裝材料及製作包裝材料之製程的實施例。根據一或更多個實施例，片語「包裝材料」包括但不限於小瓶、注射器、瓶子、藥筒、安瓿、注入筆、貼片、吸塑包裝及靜脈輸液袋。在一些實施例中，包裝材料包括基板，該基板包括基板表面及在基板表面上之薄膜塗層。薄膜塗層有利地改良了包裝材料之一或更多個性質。該一或更多個性質包括但不限於與不具有薄膜塗層之包裝材料相比較而言的高惰性、降低可萃取性、降低可浸出性或高潤滑性。在一或更多個實施例中，包裝材料用於藥品及治療應用中。
如本文中所使用，術語「基板」或「基板表面」代表在其上執行薄膜處理之基板的任何部分或形成於基板上之材料表面的部分。舉例而言，可在其上執行處理之基板表面包括材料，諸如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、無機材料、塑膠、聚合物、彈性體、其組合及適合於包裝之任何其他材料。在一些實施例中，塑膠材料包括但不限於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。在一些實施例中，聚合物材料包括具有為C aH bO c的化學式之碳氫化合物，其中a、b及c中之每一者為獨立整數。在一些實施例中，碳氫材料包括聚丙烯酸酯、聚對二甲苯、聚醯亞胺、聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、全氟烷氧基共聚物樹脂、乙烯與四氟乙烯共聚物、聚對二甲苯或其他適當聚合材料。在一些實施例中，無機材料包括玻璃、石英、二氧化矽(SiO 2)、氮化矽(SiN)或氧氮化矽(SiON)。在一或更多個實施例中，彈性體包括環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、聚丙烯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯、丁基橡膠或其組合。
在一些實施例中，薄膜塗層為可撓性的。如本文中所使用，術語「可撓性」可互換地使用，以意謂具有能夠彎曲或扭曲而不會斷裂之物質的基板。
在一或更多個實施例中，薄膜塗層包括至少一個層。第1A圖繪示包裝材料100之橫截面圖，該包裝材料100包括具有基板表面110s及薄膜塗層120之基板110。在一些實施例中，薄膜塗層120包括複數個層。在一些實施例中，該複數個層堆疊在基板110上。在一些實施例中，該複數個層包括至少兩個層。在一些實施例中，該至少兩個層進一步包括第三層。在一些實施例中，所有該複數個層皆包括相同材料。在一些實施例中，所有該複數個層並非為相同材料。在一些實施例中，複數個層中之至少一者為與其餘（若干）層材料不同的材料。
在一或更多個實施例中，複數個層包括第一層及第二層。在一些實施例中，第一層及第二層並非為相同材料。在其他實施例中，第一層及第二層包括不同材料。在一些實施例中，第一層夾在第二層與基板110之間。在一些實施例中，第一層及第二層堆疊在基板110上。第1B圖繪示包括基板110、第一層130及第二層140之包裝材料100的橫截面圖，其中第一層130夾在基板110與第二層140之間。在一些實施例中，第一層130與第二層140不同。在一些實施例中，第一層130增進黏著。在一些實施例中，第二層140充當阻障層。在一些實施例中，第二層140為惰性的。在一些實施例中，第二層充當潤滑劑。
第1C圖繪示包括基板110、第一層130、第二層140及第三層150之包裝材料100的橫截面圖，其中第一層130夾在基板110與第二層140之間，第二層140夾在第一層130與第三層150之間，且第一層130及第二層140夾在基板110與第三層150之間。在一些實施例中，第一層130、第二層140及第三層150中之至少一者堆疊在基板110上，且每一層與其餘層不同。在其他實施例中，第一層130、第二層140及第三層150中之每一者包括相同材料。在一些實施例中，第一層130增進黏著。在一些實施例中，第二層140充當阻障層。在一些實施例中，第二層140為惰性的。在一些實施例中，第三層150充當潤滑劑。
本揭示案之一個態樣係針對在基板110上沉積薄膜塗層120之方法。第2圖繪示在包裝材料100上沉積薄膜塗層120之方法200的例示性實施例。在一些實施例中，方法200包括可選預處理操作205。在一或更多個實施例中，在包裝材料100上沉積薄膜塗層120之前視情況將基板110暴露於預處理製程。在一些實施例中，預處理製程包括但不限於預熱、清潔、浸泡、去除原生氧化物、研磨、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化、烘烤及/或沉積黏著層。除了直接在基板100自身（或基板表面110s）上沉積及/或處理薄膜塗層120以外，在本揭示案中，如以下更詳細地揭示，亦可在形成於基板100（或基板表面110s）上之底層上執行本文所揭示之薄膜塗層處理步驟中的任一者，且如上下文中所指示，術語「基板表面」旨在包括此些底層。因此，例如，在薄膜塗層/層或部分薄膜塗層/層已沉積在基板表面上的情況下，最新沉積之薄膜塗層/層的已暴露表面變成為基板110（或基板表面110s）。
根據一或更多個實施例，關於薄膜塗層或薄膜塗層的層之術語「在……上」包括該層直接沉積在表面（例如，基板表面）上，以及在該層與表面（例如，基板表面）之間存在一或更多個底層。因此，在一或更多個實施例中，片語「在基板表面上」旨在包括一或更多個底層。在其他實施例中，片語「直接在……上」代表與表面（例如，基板表面）接觸的層或薄膜，其中無介入層。因此，片語「層直接在基板表面上」代表層與基板表面直接接觸，其中無層在其間。
在製程操作210處，方法200包括兩個子製程。應瞭解，製程操作210中可包括多於兩個或少於兩個子製程，且本揭示案並不限於所繪示之製程。在一些實施例中，執行製程操作210以在基板110（或基板表面110s）上沉積薄膜塗層。在一些實施例中，製程操作210包括將基板110暴露於前驅物並視情況淨化前驅物。
如在本說明書及附加申請專利範圍中所使用，可互換地使用術語「反應性化合物」、「反應性氣體」、「反應性物質」、「前驅物」、「製程氣體」、「沉積前驅物」及其類似術語，以意謂具有能夠在表面反應（例如，化學吸附、氧化、還原、環加成）中與基板或基板上的材料反應之物質的物質。將基板或基板的部分依序暴露於被引入處理區域中的兩種或更多種反應性化合物。
在一些實施例中，前驅物包括含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物、含碳前驅物或其組合。本段落中所述之各種含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物、含碳前驅物及組合可用於形成本文所述之各種層（例如，第一層、第二層、第三層、第四層、第五層）中的任一者。在一些實施例中，含矽前驅物包括矽烷(SiH 4)、SiF 4、Si 2H 6或其組合。在一些實施例中，含矽前驅物包括矽烷(SiH 4)、SiF 4、Si 2H 6或其組合。在一些實施例中，含氮前驅物包括SiN x，其中x為正整數。在一些實施例中，含氮前驅物包括NH 3、N 2O、NO、N 2或其組合。在一些實施例中，含氫前驅物包括H 2或含有氫之含氮前驅物、含矽前驅物及有機含碳前驅物中的任一者。在一些實施例中，含氧前驅物包括氧氣(O 2)、二氧化碳或其組合。在一些實施例中，含碳前驅物包括有機含碳化合物。在一些實施例中，有機含碳化合物包括脂族有機化合物、環狀有機化合物或其組合。脂族有機化合物具有包括一或更多個碳原子之直鏈或支鏈結構。有機含碳化合物在有機基團中含有碳原子。有機基團可包括烷基、烯基、炔基、環己烯基及芳基以及其官能衍生物。在一些實施例中，含碳前驅物具有為C xH y的化學式，其中x在自1至8之範圍中，且y在自2至18之範圍中。在一些實施例中，含碳前驅物包括乙炔(C 2H 2)、乙烷(C 2H 6)、乙烯(C 2H 4)、甲烷(CH 4)、丙烯(C 3H 6)、丙炔(C 3H 4)、丙烷(C 3H 8)、丁烷(C 4H 10)、丁烯(C 4H 8)、丁二烯(C 4H 6)、苯(C 6H 6)、甲苯(C 7H 3)及六甲基二矽氧烷(C 6H 18OSi 2)或其組合。
在一些實施例中，如在製程操作212中所繪示，將基板110（或基板表面）暴露於前驅物中，用於沉積薄膜塗層之各種層。在一些實施例中，薄膜塗層120包括具有為SiH wO xN yC z的化學式之材料，其中w、x、y及z中之每一者獨立地具有在自0.0至2.5之範圍中的值。在一些實施例中，w在自0.0至1.2、自0.0至1.0、自0.0至0.8、自0.0至0.6、自0.0至0.4、自0.0至0.2、自0.2至1.2、自0.2至1.0、自0.2至0.8、自0.2至0.6、自0.2至0.4、自0.4至1.2、自0.4至1.0、自0.4至0.8、自0.4至0.6、自0.6至1.2、自0.6至1.0、自0.6至0.8、自0.8至1.2、自0.8至1.0或自1.0至1.2之範圍中。在一些實施例中，x在自0.0至2.5、自0.0至2.0、自0.0至1.5、自0.0至1.0、自0.0至0.5、自0.5至2.5、自0.5至2.0、自0.5至1.5、自0.5至1.0、自1.0至2.5、自1.0至2.0、自1.0至1.5、自1.5至2.5、自1.5至2.0或自2.0至2.5之範圍中。在一些實施例中，y在自0.0至1.0、自0.0至0.8、自0.0至0.6、自0.0至0.4、自0.0至0.2、自0.2至1.0、自0.2至0.8、自0.2至0.6、自0.2至0.4、自0.4至1.0、自0.4至0.8、自0.4至0.6、自0.6至0.1、自0.6至0.8或自0.8至1.0之範圍中。在一些實施例中，z在自0.0至2.0、自0.0至1.6、自0.0至1.2、自0.0至0.8、自0.0至0.4、自0.4至2.0、自0.4至1.6、自0.4至1.2、自0.4至0.8、自0.8至2.0、自0.8至1.6、自0.8至1.2、自1.2至2.0、自1.2至1.6或自1.6至2.0之範圍中。
在一些實施例中，薄膜塗層120包括具有為SiO xN yC z的化學式之材料，其中x在自0.6至2.15之範圍中，y在自0.0至0.2之範圍中，且z在自0.0至2.0之範圍中。在一些實施例中，薄膜塗層120為富有機薄膜塗層。在一些實施例中，富有機薄膜塗層包括具有為SiO xN yC z的化學式之材料，其中x在自0.6至2.15之範圍中，y在自0.0至0.2之範圍中，且z在自0.50至2.00之範圍中。在一些實施例中，薄膜塗層120為富無機薄膜。在一些實施例中，富無機薄膜塗層包括具有為SiO xN yC z的化學式之材料，其中x在自0.6至2.15之範圍中，y在自0.0至0.2之範圍中，且z在自0.00至0.50之範圍中。
在一些實施例中，薄膜塗層120包括具有為SiH wO xN y的化學式之材料，其中w在自0.0至1.2之範圍中，x在自0.0至2.5之範圍中，且y在自0.0至1.0之範圍中。
在一些實施例中，第一層130包括具有為SiO xN yC z的化學式之第一材料，其中x在自1.9至2.15、自1.9至2.10、自1.9至2.05、自1.9至2.00、自1.9至1.95、自1.9至2.15、自1.95至2.15、自1.95至2.10、自1.95至2.05、自1.95至2.00、自2.00至2.15、自2.00至2.10、自2.00至2.05、自2.05至2.15、自2.05至2.10或自2.10至2.15之範圍中，y在自0.01至0.08、自0.01至0.06、自0.01至0.04、自0.01至0.02、自0.02至0.08、自0.02至0.06、自0.02至0.04、自0.04至0.08、自0.04至0.06或自0.06至0.08之範圍中，且z在自0.10至0.40、自0.10至0.30、自0.10至0.20、自0.20至0.40、自0.20至0.30或自0.30至0.40之範圍中。
在一些實施例中，第二層140包括具有為SiO xN yC z的化學式之第二材料，其中x在自1.30至1.50、自1.30至1.45、自1.30至1.40、自1.30至1.35、自1.35至1.50、自1.35至1.45、自1.35至1.40、自1.40至1.50、自1.40至1.45或自1.45至1.50之範圍中，y在自0.05至0.20、自0.05至0.15、自0.05至0.10、自0.10至0.20、自0.10至0.15或自0.15至0.20之範圍中，且z在自1.0至2.0、自1.0至1.8、自1.0至1.6、自1.0至1.4、自1.0至1.2、自1.2至2.0、自1.2至1.8、自1.2至1.6、自1.2至1.4、自1.4至2.0、自1.4至1.8、自1.4至1.6、自1.6至2.0、自1.6至1.8或自1.8至2.0之範圍中。
在一些實施例中，第三層150包括具有為SiH wO xN y的化學式之材料，其中w在自0.01至1.10、自0.01至1.05、自0.01至1.00、自0.01至0.50、自0.01至0.10、自0.01至0.05、自0.05至1.10、自0.05至1.05、自0.05至1.00、自0.05至0.50、自0.05至0.10、自0.10至1.10、自0.10至1.05、自0.10至1.00、自0.10至0.50、自0.50至1.10、自0.50至1.05、自0.50至1.00、自1.00至1.10、自1.00至1.05或自1.05至1.10之範圍中，x在自0.01至2.30、自0.01至2.00、自0.01至1.50、自0.01至1.00、自0.01至0.50、自0.01至0.10、自0.10至2.30、自0.10至2.00、自0.10至1.50、自0.10至1.00、自0.10至0.50、自0.50至2.30、自0.50至2.00、自0.50至1.50、自0.50至1.00、自1.00至2.30、自1.00至2.00、自1.00至1.50、自1.50至2.30、自1.50至2.00、自2.00至2.30之範圍中，且y在自0.01至1.0、自0.01至0.5、自0.01至0.1、自0.01至0.05、自0.05至1.0、自0.05至0.5、自0.05至0.1、自0.1至1.0、自0.1至0.5或自0.5至1.0之範圍中。
在一些實施例中，薄膜塗層120包括在第二層140與第三層150之間的一或更多個額外層（例如，第四層及第五層）。在一些實施例中，該一或更多個額外層獨立地具有在自1 nm至約100 nm之範圍中的厚度。在一或更多個實施例中，該一或更多個額外層獨立地包括為SiO xN yC z的化學式，其中x在自1.30至1.50之範圍中，y在自0.05至0.20之範圍中，且z在自1至2之範圍中。在一些實施例中，該一或更多個額外層獨立地包括為SiH wO xN y的化學式，其中w在自0.01至1.1之範圍中，x在自0.01至2.3之範圍中，且y在自0.01至1.0之範圍中。
在一些實施例中，前驅物包括第一前驅物、第二前驅物及第三前驅物中之一或更多者。在一些實施例中，第一前驅物包括本文所述之含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物及含碳前驅物中的一或更多者。
在一些實施例中，第二前驅物包括本文所述之含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物及含碳前驅物中的一或更多者。在一些實施例中，第一前驅物及第二前驅物獨立地選自由本文所述之含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物及含碳前驅物所組成之群組。在一些實施例中，第一前驅物及第二前驅物為相同的。在一些實施例中，第一前驅物及第二前驅物為不同的。
在一些實施例中，第三前驅物包括本文所述之含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物及含碳前驅物中的一或更多者。在一些實施例中，第一前驅物、第二前驅物及第三前驅物中之一或更多者獨立地選自由本文所述之含矽前驅物、含氮前驅物、含氫前驅物、含氧前驅物及含碳前驅物中的任何者所組成之群組。在一些實施例中，第一前驅物、第二前驅物及第三前驅物中之至少兩者為相同的。在一些實施例中，第一前驅物、第二前驅物及第三前驅物中之至少一者與其餘前驅物不同。
在一些實施例中，前驅物或其衍生物為揮發性且熱穩定的。在一些實施例中，前驅物或其衍生物適合於氣相沉積。
在一些實施例中，前驅物包括載氣。在一些實施例中，載氣包括惰性氣體。在一些實施例中，載氣包括氦、氬、氮或其組合。
在一些實施例中，前驅物包括反應物。在一些實施例中，反應物包括還原劑、氧化劑或其組合。在一些實施例中，氧化劑包括氧氣(O 2)、臭氧(O 3)、一氧化二氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、水(H 2O)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)或其組合。在一些實施例中，還原劑包括氫氣(H 2)、矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、四矽烷(Si 4H 10)、更高階矽烷(Si xH y)、氨氣(NH 3)或其組合。在一些實施例中，反應物選自由氧氣(O 2)、臭氧(O 3)、一氧化二氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、水(H 2O)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)、氨氣(NH 3)、氮氣(N 2)、氫氣(H 2)或其組合所組成之群組。
在一些實施例中，前驅物為固體或液體。在一些實施例中，前驅物被保持在安瓿中。在一些實施例中，載體之流通過安瓿並將前驅物帶至製程區域。
在製程操作214處，製程操作210包括視情況淨化基板表面110s。淨化可為自與基板表面相鄰之製程區域移除未反應前驅物、反應產物及副產物之任何適當淨化製程。適當淨化製程包括經由氣簾將基板110移動至處理區域之不含或大體上不含反應物的部分或扇區。在一或更多個實施例中，淨化處理區域包括施加真空。在一些實施例中，淨化處理區域包括使淨化氣體在基板110（或基板表面110s）之上流動。在一些實施例中，淨化製程包括使被用作前驅物之載氣的同一惰性氣體流動。在一或更多個實施例中，淨化氣體選自氮氣(N 2)、氦氣(He)及氬氣(Ar)中之一或更多者。
在一些實施例中，在存在電漿的情況下執行製程操作210。在一些實施例中，電漿包括高密度電漿。在一些實施例中，電漿包括電容耦合電漿(capacitively coupled plasma; CCP)。在一些實施例中，CCP係在13.56 MHz之射頻下形成。在一些實施例中，電漿包括定向電漿。在一些實施例中，在不向基板110施加偏置電壓的情況下產生定向電漿。在一些實施例中，使用基板110產生定向電漿，且基板110為自偏置基板。
在製程操作220處，考慮薄膜塗層120之厚度或製程循環210的數目。若薄膜塗層120已達到預定厚度或已執行了預定數目個製程循環，則方法200移至製程操作230。若薄膜塗層120之厚度或空循環之數目尚未達到預定厚度閾值，則方法200返回至製程操作212，並繼續，直至實現預定厚度為止。
在一或更多個實施例中，預定厚度在自1 nm至1000 nm、自1 nm至800 nm、自1 nm至600 nm、自1 nm至400 nm、自1 nm至200 nm、自1 nm至100 nm、自1 nm至50 nm、自50 nm至1000 nm、自50 nm至800 nm、自50 nm至600 nm、自50 nm至400 nm、自50 nm至200 nm、自50 nm至100 nm、自100 nm至1000 nm、自100 nm至800 nm、自100 nm至600 nm、自100 nm至400 nm、自100 nm至200 nm、自200 nm至1000 nm、自200 nm至800 nm、自200 nm至600 nm、自200 nm至400 nm、自400 nm至1000 nm、自400 nm至800 nm、自400 nm至600 nm、自600 nm至1000 nm、自600 nm至800 nm或自800 nm至1000 nm之範圍中。
在一或更多個實施例中，空循環之數目在自1至1000、自10至1000、自100至1000、自200至1000、自400至1000、自600至1000、自800至1000、自1至800、自10至800、自100至800、自200至800、自400至800、自600至800、自1至600、自10至600、自100至600、自200至600、自400至600、自1至400、自10至400、自100至400、自200至400、自1至200、自10至200、自100至200、自1至100、自10至100或自1至10之範圍中。
在一或更多個實施例中，薄膜塗層120具有在自0.9 g/cm 3至2.6 g/cm 3、自0.9 g/cm 3至2.3 g/cm 3、自0.9 g/cm 3至1.9 g/cm 3、自0.9 g/cm 3至1.7 g/cm 3、自0.9 g/cm 3至1.4 g/cm 3、自0.9 g/cm 3至1.1 g/cm 3、自1.1 g/cm 3至2.6 g/cm 3、自1.1 g/cm 3至2.3 g/cm 3、自1.1 g/cm 3至1.9 g/cm 3、自1.1 g/cm 3至1.7 g/cm 3、自1.1 g/cm 3至1.4 g/cm 3、自1.4 g/cm 3至2.6 g/cm 3、自1.4 g/cm 3至2.3 g/cm 3、自1.4 g/cm 3至1.9 g/cm 3、自1.4 g/cm 3至1.7 g/cm 3、自1.7 g/cm 3至2.6 g/cm 3、自1.7 g/cm 3至2.3 g/cm 3、自1.7 g/cm 3至1.9 g/cm 3、自1.9 g/cm 3至2.6 g/cm 3、自1.9 g/cm 3至2.3 g/cm 3或自2.3 g/cm 3至2.6 g/cm 3之範圍中的密度。在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.9 g/cm 3至1.9 g/cm 3之範圍中的密度。在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自1.9 g/cm 3至2.6 g/cm 3之範圍中的密度。
在一或更多個實施例中，薄膜塗層120具有在自1.35至2.2、自1.35至2.0、自1.35至1.80、自1.35至1.65、自1.35至1.5、自1.5至2.2、自1.5至2.0、自1.5至1.8、自1.5至1.65、自1.65至2.2、自1.65至2.0、自1.65至1.8、自1.8至2.2、自1.8至2.0或自2.0至2.2之範圍中的折射率。在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自1.35至1.5之範圍中的折射率。在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自1.8至2.2之範圍中的折射率。
在一或更多個實施例中，薄膜塗層120具有小於0.04 g/m 2/天的水蒸汽透過率，該水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下如在塑膠（環狀烯烴聚合物）片材樣本基板上所量測那樣進行量測的。在一或更多個實施例中，薄膜塗層120具有小於0.006 g/m 2/天的水蒸汽透過率，該水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下如在塑膠（環狀烯烴聚合物）片材樣本基板上所量測那樣進行量測的。在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.00001至0.04 g/m 2/天、自0.00001至0.02 g/m 2/天、自0.00001至0.01 g/m 2/天、自0.00001至0.008 g/m 2/天、自0.00001至0.006 g/m 2/天、自0.006至0.04 g/m 2/天、自0.006至0.02 g/m 2/天、自0.006至0.01 g/m 2/天、自0.006至0.008 g/m 2/天、自0.008至0.04 g/m 2/天、自0.008至0.02 g/m 2/天、自0.008至0.01 g/m 2/天、自0.01至0.04 g/m 2/天、自0.01至0.02 g/m 2/天或自0.02至0.04g/m 2/天之範圍中的水蒸汽透過率，且該水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下如在塑膠（環狀烯烴聚合物）片材樣本基板上所量測那樣進行量測的。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.00001至0.04 g/m 2/天、自0.00001至0.02 g/m 2/天、自0.00001至0.01 g/m 2/天、自0.00001至0.008 g/m 2/天、自0.00001至0.006 g/m 2/天、自0.006至0.04 g/m 2/天、自0.006至0.02 g/m 2/天、自0.006至0.01 g/m 2/天、自0.006至0.008 g/m 2/天、自0.008至0.04 g/m 2/天、自0.008至0.02 g/m 2/天、自0.008至0.01 g/m 2/天、自0.01至0.04 g/m 2/天、自0.01至0.02 g/m 2/天或自0.02至0.04g/m 2/天之範圍中的水蒸汽透過率，且該水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下量測的，其中基板係根據本揭示案中所述實施例中之任一者。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.00001至0.04 g/m 2/天、自0.00001至0.02 g/m 2/天、自0.00001至0.01 g/m 2/天、自0.00001至0.008 g/m 2/天、自0.00001至0.006 g/m 2/天、自0.006至0.04 g/m 2/天、自0.006至0.02 g/m 2/天、自0.006至0.01 g/m 2/天、自0.006至0.008 g/m 2/天、自0.008至0.04 g/m 2/天、自0.008至0.02 g/m 2/天、自0.008至0.01 g/m 2/天、自0.01至0.04 g/m 2/天、自0.01至0.02 g/m 2/天或自0.02至0.04g/m 2/天之範圍中的水蒸汽透過率，且該水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下量測的，且基板包括根據本揭示案中所述實施例中之任一者的彈性體材料。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0至0.04 g/m 2/天、自0至0.02 g/m 2/天、自0至0.01 g/m 2/天、自0至0.008 g/m 2/天、自0至0.006 g/m 2/天、自0.006至0.04 g/m 2/天、自0.006至0.02 g/m 2/天、自0.006至0.01 g/m 2/天、自0.006至0.008 g/m 2/天、自0.008至0.04 g/m 2/天、自0.008至0.02 g/m 2/天、自0.008至0.01 g/m 2/天、自0.01至0.04 g/m 2/天、自0.01至0.02 g/m 2/天或自0.02至0.04g/m 2/天之範圍中的水蒸汽透過率，且該水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下量測的，且基板包括根據本揭示案中所述實施例中之任一者的塑膠材料。
在一或更多個實施例中，薄膜塗層120具有小於30 cc/m 2/天的氧透過率，且該氧透過率係在50%相對濕度及37.8℃下量測的。在一或更多個實施例中，薄膜塗層120具有小於0.4 cc/m 2/天的氧透過率，且該氧透過率係在50%相對濕度及37.8℃下量測的。在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.01至30 cc/m 2/天、自0.01至25 cc/m 2/天、自0.01至20 cc/m 2/天、自0.01至15 cc/m 2/天、自0.01至10 cc/m 2/天、自0.01至5 cc/m 2/天、自0.01至1 cc/m 2/天、自0.01至0.4 cc/m 2/天、自0.4至30 cc/m 2/天、自0.4至25 cc/m 2/天、自0.4至20 cc/m 2/天、自0.4至15 cc/m 2/天、自0.4至10 cc/m 2/天、自0.4至5 cc/m 2/天、自0.4至1 cc/m 2/天、自1至30 cc/m 2/天、自1至25 cc/m 2/天、自1至20 cc/m 2/天、自1至15 cc/m 2/天、自1至10 cc/m 2/天、自1至5 cc/m 2/天、自5至30 cc/m 2/天、自5至25 cc/m 2/天、自5至20 cc/m 2/天、自5至15 cc/m 2/天、自5至10 cc/m 2/天、自10至30 cc/m 2/天、自10至25 cc/m 2/天、自10至20 cc/m 2/天、自10至15 cc/m 2/天、自15至30 cc/m 2/天、自15至25 cc/m 2/天、自15至20 cc/m 2/天、自20至30 cc/m 2/天、自20至25 cc/m 2/天或自25至30 cc/m 2/天之範圍中的氧透過率，且氧透過率係在50%相對濕度及37.8℃下如在塑膠（環狀烯烴聚合物）片材樣本基板上所量測那樣進行量測的。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.01至30 cc/m 2/天、自0.01至25 cc/m 2/天、自0.01至20 cc/m 2/天、自0.01至15 cc/m 2/天、自0.01至10 cc/m 2/天、自0.01至5 cc/m 2/天、自0.01至1 cc/m 2/天、自0.01至0.4 cc/m 2/天、自0.4至30 cc/m 2/天、自0.4至25 cc/m 2/天、自0.4至20 cc/m 2/天、自0.4至15 cc/m 2/天、自0.4至10 cc/m 2/天、自0.4至5 cc/m 2/天、自0.4至1 cc/m 2/天、自1至30 cc/m 2/天、自1至25 cc/m 2/天、自1至20 cc/m 2/天、自1至15 cc/m 2/天、自1至10 cc/m 2/天、自1至5 cc/m 2/天、自5至30 cc/m 2/天、自5至25 cc/m 2/天、自5至20 cc/m 2/天、自5至15 cc/m 2/天、自5至10 cc/m 2/天、自10至30 cc/m 2/天、自10至25 cc/m 2/天、自10至20 cc/m 2/天、自10至15 cc/m 2/天、自15至30 cc/m 2/天、自15至25 cc/m 2/天、自15至20 cc/m 2/天、自20至30 cc/m 2/天、自20至25 cc/m 2/天或自25至30 cc/m 2/天之範圍中的氧透過率，且氧透過率係在50%相對濕度及37.8℃下量測的，且基板係根據本揭示案中所述實施例中之任一者。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.01至30 cc/m 2/天、自0.01至25 cc/m 2/天、自0.01至20 cc/m 2/天、自0.01至15 cc/m 2/天、自0.01至10 cc/m 2/天、自0.01至5 cc/m 2/天、自0.01至1 cc/m 2/天、自0.01至0.4 cc/m 2/天、自0.4至30 cc/m 2/天、自0.4至25 cc/m 2/天、自0.4至20 cc/m 2/天、自0.4至15 cc/m 2/天、自0.4至10 cc/m 2/天、自0.4至5 cc/m 2/天、自0.4至1 cc/m 2/天、自1至30 cc/m 2/天、自1至25 cc/m 2/天、自1至20 cc/m 2/天、自1至15 cc/m 2/天、自1至10 cc/m 2/天、自1至5 cc/m 2/天、自5至30 cc/m 2/天、自5至25 cc/m 2/天、自5至20 cc/m 2/天、自5至15 cc/m 2/天、自5至10 cc/m 2/天、自10至30 cc/m 2/天、自10至25 cc/m 2/天、自10至20 cc/m 2/天、自10至15 cc/m 2/天、自15至30 cc/m 2/天、自15至25 cc/m 2/天、自15至20 cc/m 2/天、自20至30 cc/m 2/天、自20至25 cc/m 2/天或自25至30 cc/m 2/天之範圍中的氧透過率，且氧透過率係在50%相對濕度及37.8℃下量測的，且基板包括根據本揭示案中所述實施例中之任一者的彈性體材料。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自0.01至30 cc/m 2/天、自0.01至25 cc/m 2/天、自0.01至20 cc/m 2/天、自0.01至15 cc/m 2/天、自0.01至10 cc/m 2/天、自0.01至5 cc/m 2/天、自0.01至1 cc/m 2/天、自0.01至0.4 cc/m 2/天、自0.4至30 cc/m 2/天、自0.4至25 cc/m 2/天、自0.4至20 cc/m 2/天、自0.4至15 cc/m 2/天、自0.4至10 cc/m 2/天、自0.4至5 cc/m 2/天、自0.4至1 cc/m 2/天、自1至30 cc/m 2/天、自1至25 cc/m 2/天、自1至20 cc/m 2/天、自1至15 cc/m 2/天、自1至10 cc/m 2/天、自1至5 cc/m 2/天、自5至30 cc/m 2/天、自5至25 cc/m 2/天、自5至20 cc/m 2/天、自5至15 cc/m 2/天、自5至10 cc/m 2/天、自10至30 cc/m 2/天、自10至25 cc/m 2/天、自10至20 cc/m 2/天、自10至15 cc/m 2/天、自15至30 cc/m 2/天、自15至25 cc/m 2/天、自15至20 cc/m 2/天、自20至30 cc/m 2/天、自20至25 cc/m 2/天或自25至30 cc/m 2/天之範圍中的氧透過率，且水蒸汽透過率係在90%相對濕度及37.8℃下如在塑膠片材上所量測那樣進行量測的，且基板包括根據本揭示案中所述實施例中之任一者的塑膠材料。
可藉由熟習此項技術者所已知之已知技術中的任一者來量測薄膜之潤滑性/表面粗糙度。在一些實施例中，藉由動態摩擦係數測試來量測潤滑性/表面粗糙度。在一些實施例中，第二層具有小於0.4、小於0.3、小於0.2或小於0.1之摩擦係數。在一些實施例中，第二層具有在大於0至小於0.4、自大於0至小於0.3、自大於0至小於0.2、自大於0至小於0.1、自大於0.1至小於0.4、自大於0.1至小於0.3、自大於0.1至小於0.2、自大於0.2至小於0.4、自大於0.2至小於0.3或自大於0.3至小於0.4之範圍中的摩擦係數。
在一些實施例中，第三層具有小於0.4、小於0.3、小於0.2或小於0.1之摩擦係數。在一些實施例中，第三層具有在大於0至小於0.4、自大於0至小於0.3、自大於0至小於0.2、自大於0至小於0.1、自大於0.1至小於0.4、自大於0.1至小於0.3、自大於0.1至小於0.2、自大於0.2至小於0.4、自大於0.2至小於0.3或自大於0.3至小於0.4之範圍中的摩擦係數。
可藉由熟習此項技術者所已知之已知技術中的任一者來量測薄膜塗層之可萃取性/可浸出性。在一些實施例中，藉由決定跨薄膜塗層120之污染物釋放來量測薄膜塗層120之可萃取性/可浸出性。在一些實施例中，藉由使用氣相/液相層析(GCMS/LCMS)來決定污染物釋放。在一些實施例中，與不包括薄膜塗層之包裝材料相比較而言，薄膜塗層120使污染物釋放減少了20%以上、40%以上、60%以上或80%以上。在一些實施例中，與不包括薄膜塗層之包裝材料相比較而言，薄膜塗層120使污染物釋放減少的範圍為自20%至小於100%、自20%至小於80%、自20%至小於60%、自20%至小於40%、自40%至小於100%、自40%至小於80%、自40%至小於60%、自60%至小於100%、自60%至小於80%或自80%至小於100%。在一些實施例中，例如，當基板包括丁基橡膠時，與不包括薄膜塗層之包裝材料相比較而言，薄膜塗層120使污染物釋放減少了20%以上、40%以上、60%以上或80%以上。類似地，在其他實施例中，當基板包括丁基橡膠時，與不包括薄膜塗層之包裝材料相比較而言，薄膜塗層120使污染物釋放減少的範圍為自20%至小於100%、自20%至小於80%、自20%至小於60%、自20%至小於40%、自40%至小於100%、自40%至小於80%、自40%至小於60%、自60%至小於100%、自60%至小於80%或自80%至小於100%。
在一或更多個實施例中，前驅物包括複數種前驅物。在一些實施例中，該複數種前驅物包括至少兩種前驅物。在一些實施例中，該至少兩種前驅物進一步包括第三前驅物。在一些實施例中，所有複數種前驅物皆相同。在其他實施例中，所有複數種前驅物彼此不同。在另外實施例中，複數種前驅物中之至少一者與其餘（若干）前驅物不同。
在一或更多個實施例中，將操作210重複至少一次以上以沉積複數個層。在一或更多個實施例中，將基板110（或基板表面）依序暴露於複數種前驅物以沉積複數個層。
在一些實施例中，薄膜塗層120具有在自大於0至小於0.4之範圍中的摩擦係數。在一些實施例中，第二層140具有在自大於0至小於0.4之範圍中的摩擦係數。在一些實施例中，第三層150具有在自大於0至小於0.4之範圍中的摩擦係數。
在操作230處，考慮層數。若薄膜塗層120具有預定層數，則方法200移動至可選後處理操作250。若薄膜塗層120不具有該預定層數，則方法200返回至操作210，且繼續進行至操作220。在一些實施例中，該預定數目大於一、大於二或大於三。在一些實施例中，該預定數目至少為二或至少為三。在一些實施例中，該預定數目為正整數。在一些實施例中，該預定層數為二。在一些實施例中，該預定數目為三。
在一些實施例中，薄膜塗層120使污染物釋放減少了20%以上或等於20%。在一些實施例中，薄膜塗層120使污染物釋放減少的範圍為自20%至小於100%。
可選後處理操作250可為（例如）用以修改薄膜性質之製程（例如，退火）或用以生長額外薄膜之另一膜沉積製程（例如，額外ALD或CVD製程）。在一些實施例中，可選後處理操作230可為修改已沉積薄膜之性質的製程。在一些實施例中，可選後處理操作230包括退火剛沉積之薄膜塗層。在一些實施例中，退火係在自約250℃至約300℃、至約400℃、至約500℃、至約600℃、至約700℃、至約800℃、至約900℃或至約1000℃之範圍中的溫度下進行。一些實施例之退火環境包括惰性氣體（例如，分子氮(N 2)、氬氣(Ar)）或還原氣體（例如，分子氫(H 2)或氨氣(NH 3)）或氧化劑（諸如但不限於氧氣(O 2)、臭氧(O 3)或過氧化物）中之一或更多者。可執行退火歷時任何適當的時長。在一些實施例中，薄膜退火歷時在自約15秒至約90分鐘之範圍中或在自約1分鐘至約60分鐘之範圍中的預定時間。在一些實施例中，退火剛沉積之薄膜會增大密度，降低電阻率及/或增大薄膜塗層的純度。
在一或更多個實施例中，本揭示案提供在基板上之兩層薄膜塗層，該基板包括小瓶/注射器，其中薄膜塗層提供藥物惰性、潤滑性及優異的阻障效能中之一或更多者。在一些實施例中，該兩層薄膜塗層包括六甲基二矽氧烷層及矽烷層。在一些實施例中，矽烷層將六甲基二矽氧烷層夾在基板與矽烷層之間。在一些實施例中，該兩層薄膜塗層包括六甲基二矽氧烷層及矽烷層。在一些實施例中，六甲基二矽氧烷層及矽烷層係根據本揭示案中所述實施例中之任一者沉積在小瓶/注射器上。在一些實施例中，塗佈有該兩層之小瓶/注射器具有與矽油之潤滑性等同或比其更佳的潤滑性。
在一或更多個實施例中，本揭示案提供在基板上之兩層薄膜塗層，且基板包括彈性塞及注射器柱塞，其中薄膜塗層提供得以提高的阻障性、減少的可萃取物與可浸出物中之一或更多者並具有更潤滑的表面（例如，用於柱塞）。在一些實施例中，該兩層薄膜塗層包括六甲基二矽氧烷層及矽烷層。在一些實施例中，六甲基二矽氧烷層夾在矽烷層與基板之間。在一些實施例中，六甲基二矽氧烷層及矽烷層係根據本揭示案中所述實施例中之任一者沉積在彈性塞及/或注射器柱塞上。在一些實施例中，根據氦(He)洩漏測試規範，塗佈有兩層之彈性塞符合密閉容器密封完整性。在一些實施例中，塗佈有兩層之注射器柱塞具有與矽油的潤滑性等同或比其更佳之潤滑性。
在一或更多個實施例中，本揭示案提供在基板上之三層薄膜塗層，該基板包括小瓶/注射器，其中薄膜塗層提供藥物惰性、潤滑性及優異的阻障效能中之一或更多者。在一些實施例中，該三層薄膜塗層包括黏著層、六甲基二矽氧烷層及矽烷層。在一些實施例中，黏著層、六甲基二矽氧烷層及矽烷層堆疊在基板上。在一些實施例中，矽烷層及基板夾住黏著層及六甲基二矽氧烷層。在一些實施例中，基板及六甲基二矽氧烷層夾住黏著層。在一些實施例中，矽烷層及六甲基二矽氧烷層夾住黏著層。在一些實施例中，黏著層、六甲基二矽氧烷層及矽烷層係根據本揭示案中所述實施例中之任一者沉積在小瓶/注射器上。在一些實施例中，塗佈有該三層之小瓶/注射器具有與矽油的潤滑性等同或比其更佳之潤滑性。
在一或更多個實施例中，本揭示案提供在基板上塗覆三層薄膜塗層，且基板包括彈性塞及注射器柱塞，其中薄膜塗層提供得以提高的阻障性、減少的可萃取物與可浸出物中之一或更多者並具有更潤滑的表面（例如，用於柱塞）。在一些實施例中，該三層薄膜塗層包括黏著層、六甲基二矽氧烷層及矽烷層。在一些實施例中，矽烷層及基板夾住黏著層及六甲基二矽氧烷層。在一些實施例中，基板及六甲基二矽氧烷層夾住黏著層。在一些實施例中，矽烷層及六甲基二矽氧烷層夾住黏著層。在一些實施例中，黏著層、六甲基二矽氧烷層及矽烷層係根據本揭示案中所述實施例中之任一者沉積在彈性塞及/或注射器柱塞上。在一些實施例中，根據氦(He)洩漏測試規範，塗佈有三層之彈性塞符合密閉容器密封完整性。在一些實施例中，塗佈有三層之注射器柱塞具有與矽油的潤滑性等同或比其更佳之潤滑性。
在一或更多個實施例中，六甲基二矽氧烷前驅物及矽烷前驅物中之一或更多者為揮發性的且熱穩定，且因此適合於氣相沉積。在一些實施例中，藉由氣相沉積技術來沉積六甲基二矽氧烷前驅物及矽烷前驅物中之一或更多者。在一些實施例中，氣相沉積技術包括化學氣相沉積(CVD)。
在一或更多個實施例中，方法200包括化學氣相沉積(CVD)方法、電漿增強化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PE-CVD)方法、高密度電漿化學氣相沉積(high density plasma chemical vapor deposition; HDPCVD)方法、微波化學氣相沉積（微波CVD）方法、原子層沉積(atomic layer deposition; ALD)方法、電漿增強原子層沉積(plasma-enhanced atomic layer deposition; PE-ALD)方法或其組合。
該方法可進一步經調適以沉積一或更多個額外功能性塗層。在一些實施例中，該額外功能性塗層包括黏著層。在一些實施例中，黏著層有利地提高了薄膜塗層對基板110之黏著性。在一些實施例中，黏著層經配置以充當氧阻障層及/或水阻障層。在一些實施例中，該額外功能性塗層經配置以符合對醫藥包裝之未來要求。該等未來要求包括但不限於增加細胞/基因治療藥物的採用。
在一些實施例中，包裝材料100在無菌化製程期間為穩定的。無菌化製程包括但不限於高壓滅菌、電漿處理、電子束輻照、伽馬輻照、二氧化乙烯處理或其組合。在一些實施例中，高壓滅菌包括濕式無菌化循環及乾式無菌化循環。濕式無菌化製程包括在121℃的溫度下無菌化歷時30分鐘之時間週期。乾式無菌化製程包括在150℃的溫度下無菌化歷時150分鐘之時間週期、在160℃的溫度下歷時120分鐘之時間週期或在170℃的溫度下歷時60分鐘之時間週期。
在一或更多個實施例中，在真空下執行方法200，例如，在基板處理腔室中。可在任何基於真空平臺之系統中執行方法200。在一或更多個實施例中，基板在真空腔室內部呈個別單元之陣列或呈組或面板的形式放置。在一或更多個實施例中，在基板處理腔室中執行方法，諸如，化學氣相沉積(CVD)基板處理腔室、電漿增強化學氣相沉積(PE-CVD)基板處理腔室、高密度電漿化學氣相沉積(HDPCVD)基板處理腔室、微波化學氣相沉積（微波CVD）基板處理腔室、原子層沉積(ALD)基板處理腔室及電漿增強原子層沉積(PE-ALD)基板處理腔室。
在一或更多個實施例中，方法200有利地為醫藥包裝操作提供更清潔及/或更無菌之環境。在一些實施例中，方法200有利地消除了對無菌化處理的需要，在下游製程流程中需要該無菌化處理。在一些實施例中，在存在高密度電漿的情況下執行方法200。根據一或更多個實施例，高密度電漿可用以無菌化部分塗層。使用高密度電漿之無菌化製程符合並用以縮短藥包包裝製造流程。
除非本文中另有指示或明顯上下文相矛盾，否則在描述本文所論述之材料及方法的上下文中（尤其是在以下申請專利範圍的上下文中），術語「一(a)」及「一(an)」以及「該」及類似代表詞之使用應解釋為涵蓋單數形式以及複數形式。除非本文中另外指定，否則本文中值範圍的列舉僅旨在用作單獨代表在該範圍內之每個單獨值的簡寫方法，且每個單獨值皆被併入本說明書中，就如同其在本文中被單獨敘述一樣。本文所述之各種參數的實例範圍表示基於當前實驗及/或建模之例示性範圍。與此些例示性範圍不同之範圍可涵蓋在本揭示案之範疇內。除非本文中另外指出或明顯與上下文矛盾，否則本文所述之所有方法可以任何適當次序執行。除非另有要求，否則本文所提供之任何及所有實例或例示性語言（例如，「諸如」）的使用僅旨在更佳地闡明材料及方法，且不對範疇構成限制。說明書中之語言皆不應被解釋為指示任何未要求的要素對於所揭示材料及方法的實踐係必不可少的。
貫穿本說明書對「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」或「一實施例」之引用意謂結合實施例描述之特定特徵、結構、材料或特性被包括在本揭示案之至少一個實施例中。因此，貫穿本說明書各處出現的諸如「在一或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」之片語未必代表本揭示案之同一實施例。另外，可在一或更多個實施例中以任何適當方式組合特定特徵、結構、材料或特性。
儘管已參考特定實施例描述了本文中之揭示內容，但應理解，此些實施例僅說明本揭示案之原理及應用。熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下對本揭示案之方法及設備作出各種修改及變化。因此，預期本揭示案包括在附加申請專利範圍及其等效物之範疇內的修改及變化。
100:包裝材料 110:基板 110s:基板表面 120:薄膜塗層 130:第一層 140:第二層 150:第三層 200:方法 205:可選預處理操作 210:製程操作 212:製程操作 214:製程操作 220:製程操作 230:製程操作 250:可選後處理操作
因此，可詳細理解本揭示案之上述特徵的方式，可藉由參考實施例來獲得以上簡要概述的本揭示案之更特定描述，實施例中之一些在附加圖式中加以繪示。然而，應注意，附加圖式僅繪示本揭示案之典型實施例，且因此不應將其視為對本揭示案之範疇的限制，因為本揭示案可允許其他同等有效的實施例。
第1A圖至第1C圖示出根據本揭示案之一或更多個實施例的包裝材料之示意圖。
第2圖為根據本揭示案之實施例之示出一種方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:包裝材料
110:基板
110s:基板表面
120:薄膜塗層

Claims (20)

  1. 一種包裝材料，該包裝材料包括： 一基板，包括一基板表面，該基板表面包括選自由一彈性體、一聚合物、一無機材料及其組合組成之群組的一材料；以及 一薄膜塗層，包括在該基板表面上之一第一層及在該第一層上之一第二層，其中該第一層包括具有為SiO xN yC z之一化學式的一第一材料，其中x在自1.9至2.15之一範圍中，y在自0.01至0.08之一範圍中，且z在自0.10至0.40之一範圍中，且該第二層包括具有為SiO xN yC z之一化學式的一第二材料，其中x在自1.30至1.50之一範圍中，y在自0.05至0.20之一範圍中，且z在自1至2之一範圍中。
  2. 如請求項1所述之包裝材料，其中該包裝材料選自由一小瓶、一注射器、一瓶子、一藥筒、一安瓿、一注入筆、一貼片、一吸塑包裝及一靜脈輸液袋組成之群組。
  3. 如請求項1所述之包裝材料，其中該基板表面包括一玻璃、一彈性體、一聚合物或其一組合。
  4. 如請求項1所述之包裝材料，其中該第一層及該第二層中之每一者獨立地具有在自1 nm至1000 nm之一範圍中的一厚度。
  5. 如請求項1所述之包裝材料，其中該薄膜塗層具有一或更多個性質，選自由在37.8℃及90%相對濕度下在自0.00001 g/m 2/天至小於0.04 g/m 2/天之一範圍中的一水蒸汽透過率及在37.8℃及50%相對濕度下在自0.01 cc/m 2/天至小於30 cc/m 2/天之一範圍中的一氧透過率組成之群組。
  6. 如請求項1所述之包裝材料，其中該薄膜塗層具有一或更多個性質，選自由如在90%相對濕度及37.8℃下所量測之小於0.006 g/m 2/天的水蒸汽透過率及如在50%相對濕度及37.8℃下所量測之小於0.4 cc/m 2/天的一氧透過率組成之群組。
  7. 如請求項1所述之包裝材料，其中該第二層具有在自大於0至小於0.40之一範圍中的一摩擦係數。
  8. 如請求項1所述之包裝材料，其中該薄膜塗層包括在該第二層上之一第三層，且該第三層包括具有為SiH wO xN y之一化學式的一材料，其中w在自0.01至1.1之一範圍中，x在自0.01至2.3之一範圍中，且y在自0.01至1.0之一範圍中。
  9. 如請求項8所述之包裝材料，其中該第一層、該第二層及該第三層中之每一者具有在自1 nm至1000 nm之一範圍中的一厚度。
  10. 如請求項8所述之包裝材料，其中該第三層具有在自大於0至小於0.40之一範圍中的一摩擦係數。
  11. 如請求項8所述之包裝材料，其中與不具有一塗層之一包裝材料相比較而言，該薄膜塗層使可浸出性/可萃取性減少的一範圍為自大於20%至小於100%。
  12. 如請求項8所述之包裝材料，其中該薄膜塗層具有一或更多個性質，選自由在37.8℃及90%相對濕度下在自0 g/m 2/天至小於0.04 g/m 2/天之一範圍中的一水蒸汽透過率及在37.8℃及50%相對濕度下在自0.30 cc/m 2/天至小於30 cc/m 2/天之一範圍中的一氧透過率組成之群組。
  13. 如請求項8所述之包裝材料，其中該薄膜塗層進一步包括在該第二層與該第三層之間的一或更多個額外層，該一或更多個額外層具有在自1 nm至100 nm之一範圍中的一厚度，且該一或更多個額外層獨立地包括為SiO xN yC z之一化學式，其中x在自1.30至1.50之一範圍中，y在自0.05至0.20之一範圍中，且z在自1至2之一範圍中，或為SiH wO xN y之一化學式，其中w在自0.01至1.1之範圍中，x在自0.01至2.3之一範圍中，且y在自0.01至1.0之一範圍中。
  14. 一種在包括一基板表面之一包裝材料上沉積一薄膜塗層的方法，該方法包括以下步驟： 將該基板表面暴露於一第一前驅物以在該基板表面上沉積一第一層，該第一層具有為SiO xN yC z之一化學式，其中x在自1.9至2.15之一範圍中，y在自0.01至0.08之一範圍中，且z在自0.10至0.40之一範圍中； 視情況淨化該第一前驅物；以及 將該第一層暴露於一第二前驅物以在該第一層上沉積一第二層，該第二層具有為SiO xN yC z之一化學式，其中x在自1.30至1.50之一範圍中，y在自0.05至0.20之一範圍中，且z在自1.0至2.0之一範圍中， 其中該第一前驅物及該第二前驅物中之每一者獨立地包括選自由SiH 4、SiF 4、Si 2H 6或其一組合所組成之群組的一含矽前驅物、選自由氨氣(NH 3)、一氧化二氮(N 2O)、氧化氮(NO)、氮氣(N 2)及其組合所組成之一群組的一含氮前驅物、選自由乙炔(C 2H 2)、乙烷(C 2H 6)、乙烯(C 2H 4)、甲烷(CH 4)、丙烯(C 3H 6)、丙炔(C 3H 4)、丙烷(C 3H 8)、丁烷(C 4H 10)、丁烯(C 4H 8)、丁二烯(C 4H 6)、苯(C 6H 6)、甲苯(C 7H 3)及六甲基二矽氧烷(C 6H 18OSi 2)及其組合所組成之群組的一含碳前驅物，或該含矽前驅物、該含氮前驅物及該含碳前驅物的組合。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該基板表面暴露於該第一前驅物直至該第一層具有在自1 nm至1000 nm之一範圍中的一厚度為止。
  16. 如請求項14所述之方法，其中該基板表面暴露於該第二前驅物直至該第二層具有在自1 nm至1000 nm之一範圍中的一厚度為止。
  17. 如請求項14所述之方法，其中該第一前驅物及該第二前驅物中之每一者獨立地包括一反應物，該反應物選自由氧氣(O 2)、臭氧(O 3)、一氧化二氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、水(H 2O)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)、氨氣(NH 3)、氮氣(N 2)、氫氣(H 2)或其組合所組成之群組。
  18. 如請求項14所述之方法，進一步包括以下步驟：視情況淨化該第二前驅物，及將該第二層暴露於一第三前驅物以沉積一第三層，該第三前驅物包括一含矽前驅物、一含氮前驅物、一含氫前驅物、一含氧前驅物、一含碳前驅物或其組合。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該基板表面暴露於該第三前驅物直至該第三層具有在自1 nm至1000 nm之一範圍中的一厚度為止。
  20. 如請求項18所述之方法，其中該第一前驅物、該第二前驅物及該第三前驅物中之每一者獨立地包括一反應物，該反應物選自由氧氣(O 2)、臭氧(O 3)、一氧化二氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、水(H 2O)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)、氨氣(NH 3)、氮氣(N 2)、氫氣(H 2)或其組合所組成之該群組。
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