ES2204080T3 - Procedimiento de deposito de una capa a base de oxido metalico sobre un sustrato de vidrio, y sustrato de vidrio asi revestido. - Google Patents
Procedimiento de deposito de una capa a base de oxido metalico sobre un sustrato de vidrio, y sustrato de vidrio asi revestido.Info
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Abstract
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSITO DE UNA CAPA CON BASE DE OXIDO METALICO QUE CONTIENE FLUOR, EN PARTICULAR UNA CAPA DE OXIDO DE ESTAÑO DOPADO CON FLUOR SNO 2 :F (3) EN UN SUSTRATO DE VIDRIO (1) POR UNA TECNICA DE PIROLISIS EN FASE GASEOSA A PARTIR DE AL MENOS DOS PRECURSORES DE LOS QUE AL MENOS UNO ES UN PRECURSOR DE METAL Y EL OTRO UN PRECURSOR DE FLUOR. SEGUN LA INVENCION EL PRECURSOR DE FLUOR DE TRIFLUORURO DE NITROGENO NF 3 .
Description
Procedimiento de depósito de una capa a base de
óxido metálico sobre un sustrato de vidrio, y sustrato de vidrio
así revestido.
La presente invención se refiere a un
procedimiento de depósito de una capa basada en un óxido metálico
sobre un sustrato de vidrio. Se refiere igualmente al sustrato de
vidrio según este procedimiento y sus aplicaciones.
Es bien conocido en el estado de la técnica
recurrir a técnicas denominadas de "pirólisis" para revestir
un sustrato de vidrio con una o varias capas delgadas, con el
objeto de conferirles propiedades particulares, particularmente
eléctricas, térmicas, mecánicas, etc.
Estas técnicas consisten en proyectar
"precursores", por ejemplo, de naturaleza
organo-metálica, en forma gaseosa o bien en forma
pulverulenta, es decir líquida en sí misma o incluso en solución en
un líquido, a la superficie del sustrato llevada a una temperatura
elevada.
Dichos precursores, por contacto, se descomponen
dejando, por ejemplo, una capa de metal, óxido, oxinitruro o
nitruro. La ventaja de la pirólisis está bien explicada: consiste
en el hecho de que permite realizar un depósito de las capas
directamente sobre la cinta de vidrio en una línea de fabricación
de vidrio liso de tipo de flotación, en continuo, e igualmente en
el hecho de que las capas pirolizadas presentan una fuerte
adherencia al sustrato.
Entre estas capas, es conocido desde hace tiempo
que las capas basadas en óxido de estaño son particularmente
interesantes ya que sus propiedades, particularmente eléctricas y
ópticas, hacen que los sustratos de vidrio revestidos puedan ser
utilizados para un buen número de aplicaciones.
Diversos precursores de estaño han sido ya
ensayados con éxito en el pasado, en particular los que pueden ser
vaporizados en la superficie del vidrio caliente según una de las
técnicas anteriormente citadas denominada pirólisis en fase gaseosa
o CVD en inglés (Chemical Vapor Depositon).
Para mejorar las propiedades eléctricas de estas
capas basadas en óxido de estaño, mencionadas con anterioridad, se
busca la incorporación de uno o varios dopantes. Diversos
materiales han sido ampliamente ensayados con esta finalidad, pero
el elemento que muestra estar más adaptado para el óxido de estaño
es el flúor.
Dentro de una preocupación permanente por la
eficacia del dopaje, se han desarrollado ahora esfuerzos para
formular, a partir de un precursor de estaño dado, un precursor de
flúor que sea el más adecuado con este último, más particularmente
cuando el depósito se efectúa por pirólisis en fase gaseosa
(CVD).
Hasta ahora, las numerosas formulaciones que han
sido producidas conducen a depósitos de capas del tipo previamente
citado SnO_{2}:F sobre sustratos de vidrio por pirólisis en fase
gaseosa, globalmente satisfactorios en términos de calidad y nivel
de rendimientos ópticos y/o eléctricos alcanzados.
No obstante, cualquiera que sea la naturaleza
química y la forma física de cada uno de los precursores de flúor y
estaño, ningún procedimiento de depósito de capas formadas sobre
sustratos de vidrio, a partir de estos, ha conseguido un rendimiento
suficiente.
En efecto, para obtener un grosor de la capa
SnO_{2}:F predeterminado, la cantidad de precursor de estaño
necesario es considerable.
Por tanto, el objetivo fijado por la invención es
mejorar el rendimiento del procedimiento de depósito de una capa
basada en óxido de estaño dopado con flúor SnO_{2}:F sobre un
sustrato de vidrio por pirólisis en fase gaseosa, particularmente
sin perjudicar la calidad del depósito ni el nivel de los
rendimientos ópticos y/o eléctricos alcanzados.
Para hacer esto, la invención tiene por objeto un
procedimiento de depósito de una capa basada en un óxido metálico
que contiene flúor, particularmente una capa de óxido de indio
dopado con flúor, o una capa de óxido de estaño dopado con flúor de
tipo SnO_{2}:F, sobre un sustrato de vidrio, por pirólisis en fase
gaseosa a partir de al menos dos precursores de los que al menos
uno es un precursor de metal y al menos uno es un precursor de
flúor. Según la invención, el precursor de flúor comprende
trifluoruro de nitrógeno NF_{3}.
Según una característica de la invención, en el
caso de que la capa prevista esté basada en óxido de estaño dopado
con flúor SnO_{2}:F, el precursor de metal contiene estaño
Sn.
Mediante la elección selectiva del precursor de
flúor, el rendimiento de depósito del procedimiento anteriormente
citado ha sido considerablemente aumentado con respecto a los
procedimientos según el estado de la técnica. Se precisa que, en el
marco de la invención, es necesario comprender por "rendimiento
de depósito" la relación entre el grosor de la capa obtenida y
la cantidad de estaño necesaria para la obtención de esta capa.
Además, este aumento no se hace con detrimento
del nivel de rendimientos ópticos y eléctricos de la capa
obtenida.
Finalmente, el procedimiento según la invención
no perjudica la calidad de la capa obtenida, de forma que la
descomposición del precursor de flúor seleccionado no deja ninguna
impureza en esta.
Según una característica muy ventajosa de la
invención, el precursor de estaño está en la forma
SnR_{x}Cl_{4-x}, en la que R es un radical
hidrocarbonado lineal o ramificado que tiene preferentemente 1 a 6
átomos de C. Se puede tratar de dimetildicloruro de estaño
Me_{2}SnCl_{2} o monobutilcloruro de estaño.
Este precursor permite en combinación con el
precursor de flúor según la invención, conseguir un nivel de
rendimientos eléctricos de la capa de SnO_{2}:F obtenida incluso
aumentado con respecto a los ya alcanzados según el estado de la
técnica o los alcanzados con otro precursor de estaño.
De forma evidente, en el marco de la invención,
el precursor de estaño puede ser igualmente escogido entre
tetracloruro de estaño SnCl_{4}, monobutiltricloruro de estaño
C_{4}H_{9}SnCl_{3}, denominado en lo sucesivo con el término
MBTCI.
Preferentemente, se efectúa el depósito según la
invención sobre el sustrato de vidrio a una temperatura comprendida
entre 400 y 800ºC, particularmente entre 550 y 750ºC.
Este intervalo de temperaturas es particularmente
ventajoso en la medida en que sea compatible con un depósito en una
línea de flotación.
Ventajosamente, la relación en moles de la
cantidad de precursor de flúor respecto a la cantidad de precursor
metálico, particularmente estaño, está comprendida entre 0,1 y
20%.
Es preferible, según la invención, en particular
cuando el precursor metálico, particularmente de estaño, no
contenga oxígeno, efectuar el depósito según la invención con al
menos un compuesto de carácter oxidante de tipo O_{2} y/o
H_{2}O.
Igualmente es preferible efectuar el depósito de
la capa basada en óxido metálico, particularmente óxido de estaño
dopado con flúor SnO_{2}:F, en continuo sobre una cinta de
flotación de vidrio.
En particular, cuando el sustrato de vidrio es de
tipo silico-sodo -cálcico, el depósito según la
invención se efectúa ventajosamente entre el baño de flotación y el
dispositivo extensor.
Cuando el sustrato de vidrio tiene una
composición química adaptada para la fabricación de pantallas de
plasma, el depósito según la invención se efectúa preferentemente en
el recinto del baño de flotación o en el dispositivo extensor.
La invención se refiere igualmente a un sustrato
de vidrio revestido con una capa basada en óxido de estaño dopado
con flúor SnO_{2}:F obtenido según el procedimiento previamente
citado. Este sustrato es destacable en cuanto que la capa presente
una resistencia por cuadrado como máximo de 100 \Omega,
presentando el sustrato revestido una transmisión luminosa T_{L}
de al menos 75%.
Según una característica, la capa basada en óxido
de estaño dopado con flúor SnO_{2}:F puede formar parte de una
acumulación de tipo:
vidrio/SiO_{x}N_{y}C_{z}/SnO_{2}:F
En este tipo de acumulación, la subcapa puede ser
ventajosamente de un índice de refracción y de un grosor
geométrico seleccionado con el fin de ajustar particularmente el
aspecto óptico del sustrato, en particular en cuanto a la
reflexión.
Con esta finalidad, la capa basada en óxido de
estaño dopado con flúor SnO_{2}:F puede estar ventajosamente
asociada a una capa anti-iridiscente.
Una capa de SiO_{x}N_{y}C_{z}
particularmente apropiada para este tipo de acumulación es la
descrita en la solicitud de patente francesa FR 97/01468 presentada
por la solicitante el 10 de Febrero de 1997 y publicada con el
número FR-2.759.362 y equivalente a la patente
europea EP-A-0.857.700. Esta capa
presenta en efecto la ventaja de ser particularmente resistente
desde el punto de vista mecánico.
Según una variante ventajosa (cuando y es cero)
la capa se SiOC asociada a la capa de la invención puede ser
obtenida por pirólisis en fase gaseosa, particularmente a partir de
silano y etileno como se describe en la solicitud de patente
EP-0.518.755.
Es igualmente ventajosa, particularmente cuando
la capa se SnO:F según la invención está destinada a formar parte de
electrodos, particularmente cuando está previsto el revestimiento
de las caras delanteras de pantallas emisoras.
La capa basada en SiO_{x}N_{y}C_{z}
anteriormente citada permite evitar la difusión de álcalis del
vidrio hacia la capa conductora según la invención y, por tanto,
proteger esta última.
Las capas inferiores mencionadas con anterioridad
pueden ser homogéneas en su grosor, pero pueden presentar
igualmente una cierta heterogeneidad en la composición en su
grosor, por ejemplo, con el fin de modular el índice de refracción y
permitir una compatibilidad óptica y/o química óptima con la capa
de SnO_{2}:F situada por encima y obtenida según la
invención.
Esta capa "gradiente" puede ser obtenida a
partir de la misma técnica de depósito según la invención de
SnO_{2}:F, es decir, por pirólisis en fase gaseosa, pero
utilizando una boquilla adecuada para crear gradientes químicos como
la que se describe en la solicitud de patente
FR-2.736.632.
En lo que se refiere al grosor de la capa de
SnO_{2}:F según la invención, depende evidentemente de las
aplicaciones previstas.
Cuando el sustrato anteriormente definido es
utilizado para fabricar acristalamientos de protección solar de
tipo filtrantes y/o de baja emisión o para fabricar partes
vitrificadas de dispositivos electrodomésticos, del tipo puertas
para hornos o refrigerador, la capa tiene preferentemente un grosor
geométrico de al menos 250 nm.
Cuando el sustrato según la invención es
utilizado para fabricar las superficies "anterior y/o
posterior" de pantallas emisoras del tipo de pantallas planas
como pantallas de plasma, es preferente una composición química que
comprenda los constituyentes siguientes, en proporciones en
peso:
| SiO_{2} | 55-65% |
| Al_{2}O_{3} | 0-5% |
| ZrO_{2} | 5-10% |
| B_{2}O_{3} | 0-3% |
| Na_{2}O | 2-6% |
| K_{2}O | 5-9% |
| MgO | 0-6% |
| CaO | 3-11% |
| SrO | 4-12% |
| BaO | 0-2% |
| con Na_{2}O + K_{2}O | \geq10% |
| MgO + CaO + SrO + BaO | >11% |
Otros detalles y características ventajosas
resultarán tras la lectura de los ejemplos de realización
ilustrativos de la invención, pero no limitativos, hechos en
referencia a la figura única.
Se precisa en primer lugar que para fines de
claridad, esta figura no respeta las proporciones que se refieren a
los grosores relativos a los diferentes materiales.
La figura única representa un sustrato de vidrio
único sílico-sodo-cálcico
transparente de 4 milímetros de grosor, por ejemplo, el
comercializado con la marca PLANILUX de la empresa
SAINT-GOBAIN VITRAGE, revestido con una capa delgada
2 basada en oxicarburo de silicio SiOC con un índice de refracción
igual a 1,7 recubierta con una capa 3 basada en óxido de estaño
dopado con flúor SnO_{2}:F.
En todos los ejemplos siguientes, el depósito de
esta última se efectúa mediante una técnica de pirólisis en fase
gaseosa por medio de una boquilla adaptada, conocida en sí.
Esta es colocada en un horno con un sustrato
estático (Ejemplos 1 y 2) o bien en un horno continuo (Ejemplos 3 a
6).
Se precisa que en cada uno de estos casos, la
atmósfera que predomina en el horno, es decir, aquella con la que
la capa de SnO_{2}:F obtenida se encuentra en contacto, está
basada en nitrógeno N_{2}.
Se precisa igualmente que, previamente al
depósito de la capa de SnO_{2}:F, el sustrato de vidrio está
revestido con la capa de oxicarburo de silicio previamente citada
según la técnica descrita en la patente EP 0.518.755.
Los Ejemplos 1, 3 y 5 se realizaron según la
invención.
Los Ejemplos 2, 4 y 6 según el estado de la
técnica se proporcionan como Ejemplos Comparativos.
Las condiciones operatorias aplicadas para
efectuar el depósito están detalladas con posterioridad para cada
uno de los ejemplos.
Ejemplos 1 y
2
El sustrato de vidrio se posa sobre un susceptor
metálico que se coloca en el interior de un tubo de cuarzo.
El interior de este tubo se calienta seguidamente
por medio de lámparas de infrarrojos y se lleva a una temperatura de
aproximadamente 630ºC. Las paredes de cuarzo por su parte
permanecen mucho más frías.
En estos ejemplos, el precursor de estaño
utilizado es dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2}.
Este es vaporizado según una técnica denominada
de barboteo. El precursor de estaño se coloca en un barboteador en
el interior del cual pasa un gas vector, en este caso nitrógeno
N_{2}. El gas vector N_{2} se difunde así a través del precursor
de estaño y sale del barboteador saturado de vapor de precursor de
estaño.
El precursor de estaño Me_{2}SnCl_{2} es
mantenido a una temperatura de aproximadamente 115ºC durante el
barboteo.
El caudal de nitrógeno vector se mantiene
constante a 0,1 l/minuto.
En el ejemplo 1, el precursor (dopante) de flúor
utilizado es según la invención, trifluoruro de nitrógeno NF_{3}.
Este es diluido en nitrógeno N_{2} a una concentración de
aproximadamente 10%.
En el Ejemplo 2, el precursor (dopante) de flúor
utilizado es ácido trifluoroacético CF_{3}COOH colocado en una
barbotina en las mismas condiciones que anteriormente y mantenido a
una temperatura de aproximadamente -10ºC durante el barboteo.
En cada uno de estos ejemplos, el gas vector
introducido en el precursor de estaño se mezcla con flujos de
oxígeno y vapor de agua en una barbotina mantenida a 2ºC.
La tabla 1 siguiente recoge la naturaleza de los
precursores de estaño y flúor utilizados:
| EJEMPLO 1 | EJEMPLO 2 | |
| Naturaleza del precursor de | Dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2} | Dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2} |
| estaño (A) | ||
| Naturaleza del precursor de | Trifluoruro de nitrógeno NF_{3} | Ácido trifluoroacético CF_{3}COOH |
| flúor (B) |
La tabla 2 siguiente precisa para los Ejemplos 1
y 2, respectivamente, los caudales de flujo de oxígeno O_{2} y
vector de nitrógeno en vapor de agua H_{2}O en l/min, el caudal
de precursor de flúor en l/min, el grosor (e) en nanómetros de la
capa SnO_{2}:F obtenida, el tiempo de depósito en minutos
utilizado para depositar el grosor (e) de la capa anteriormente
citada. Proporciona igualmente el valor de la transmisión luminosa
T_{L} en porcentajes medida según el iluminante D_{65} así como
el valor de la resistividad \rho en ohmios.cm.
| EJEMPLO 1 | EJEMPLO 2 | |
| Caudal de O_{2} (l/min) | 0,4 | 0,4 |
| Caudal de nitrógeno vector en el vapor de agua (l/min) | 0,1 | 0,1 |
| Caudal de precursor de flúor (l/min) | 0,05 | 0,1 |
| Tiempo de depósito | 1 min 30 s | 4 min 30 s |
| Grosor (e) de la capa de SnO_{2}:F | 300 | 315 |
| T_{L} (%) | 82,9 | 83,5 |
| Resistividad \rho (Ohm.cm) | 3,9\cdot10^{-4} | 4,0\cdot10^{-4} |
En esta tabla, resulta claramente que el
rendimiento de depósito es bastante mejor para el Ejemplo 1 según
la invención que el Ejemplo 2 y, por tanto, que el trifluoruro de
nitrógeno NF_{3} mejora considerablemente este ya que el precursor
de estaño utilizado es dimetilcloruro de estaño
Me_{2}SnCl_{2}.
En efecto, la velocidad de depósito (relación
entre el grosor de la capa de SnO_{2}:F obtenida y el tiempo de
depósito) es aumentado en una relación de aproximadamente 2,85 para
un mismo caudal de nitrógeno en Me_{2}SnCl_{2} igual a 0,1
l/min.
Este aumento de la velocidad de depósito no se
hace en perjuicio de los rendimientos ópticos y eléctricos, que son
en todo caso iguales a los dos ejemplos previamente citados.
Ejemplos 3 a
6
El sustrato de vidrio se coloca en un horno
continuo y se desplaza a una velocidad de aproximadamente 40
cm/min. Además, la temperatura del vidrio se mantiene en las
proximidades de 620ºC.
La técnica de barboteo es la misma que la
utilizada en los Ejemplos 1 y 2.
El precursor de estaño utilizado es
dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2} mantenido a una
temperatura de aproximadamente 120ºC durante el barboteo.
El precursor de flúor utilizado, según la
invención, es trifluoruro de nitrógeno MF_{3} diluido en
nitrógeno N_{2} a una concentración de aproximadamente 10%. El gas
vector N_{2} con contenido de dimetildicloruro de estaño
Me_{2}SnCl_{2} se mezcla con flujos de oxígeno O_{2} y vapor
de agua.
El precursor de estaño utilizado es
dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2} mantenido en
condiciones de temperatura iguales a las del Ejemplo 3.
El precursor de flúor utilizado es ácido
trifluoroacético CF_{3}COOH mantenido a una temperatura de
aproximadamente 40ºC. El gas vector N_{2} con contenido de
dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2} con flujos de O_{2}
y vapor de agua H_{2}O son exactamente iguales a los del Ejemplo
3.
El precursor de estaño utilizado es
monobutiltricloruro de estaño MBPCI mantenido a una temperatura de
145ºC durante el barboteo. El precursor de flúor utilizado, según
la invención, es trifluoruro de nitrógeno NF_{3} diluido en
nitrógeno N_{2} a una concentración de 10%. El gas vector N_{2}
con contenido de MBTCI se mezcló con flujos de oxígeno O_{2} y
vapor de agua H_{2}O mantenidos a 40ºC.
El precursor de estaño utilizado es el usado para
el ejemplo 5, en las mismas condiciones de temperatura. El
precursor de flúor utilizado es ácido trifluoroacético CF_{3}COOH
mantenido a una temperatura de 40ºC.
El gas vector N_{2} con contenido de precursor
de estaño se mezcló con los flujos de oxígeno O_{2} y vapor de
agua mantenidos a 40ºC.
La tabla 3 siguiente recoge la naturaleza de los
precursores de estaño y flúor utilizados en los diferentes ejemplo
3 a 6:
| EJEMPLO 3 | EJEMPLO 4 | EJEMPLO 5 | EJEMPLO 6 | |
| Naturaleza del precursor de estaño | Me_{2}SnCl_{2} | Me_{2}SnCl_{2} | MBTCI | MBTCI |
| Naturaleza del precursor de flúor | NF_{3} | CF_{3}COOH | NF_{3} | CF_{3}COOH |
La tabla 4 siguiente indica para cada uno de los
ejemplos 3 a 6, respectivamente, los caudales de flujos de oxígeno
O_{2} y nitrógeno vector en vapor de agua H_{2}O en l/min, el
caudal de precursor de flúor en l/min, el caudal de precursor de
estaño en l/min y el grosor (e) en nanómetros de la capa de
SnO_{2}:F obtenida.
Igualmente proporciona el valor de la transmisión
luminosa T_{L} en porcentajes medidos según el iluminante
D_{65} así como el valor de la resistividad \rho en
ohmios.cm.
| EJEMPLO 3 | EJEMPLO 4 | EJEMPLO 5 | EJEMPLO 6 | |
| Caudal de O_{2} | 1,7 | 2,3 | 3,0 | 3,2 |
| Caudal de nitrógeno vector en el vapor de H_{2}O | 0,5 | 0,5 | 0,4 | 0,5 |
| (l/min) | ||||
| Caudal de precursor de flúor (l/min) | 0,005 | 0,075 | 0,1 | 0,05 |
| Caudal de precursor de estaño (l/min) | 1,1 | 1,9 | 1,6 | 2,7 |
| Grosor (e) de la capa de SnO_{2}:F obtenida (nm) | 330 | 330 | 330 | 330 |
| T_{L} (%) | 82,6 | 82,8 | 83,1 | 82,5 |
| \rho (Ohm\cdotcm) | 4,7\cdot10^{-4} | 4,9\cdot10^{-4} | 5,2\cdot10^{-4} | 5,3\cdot10^{-4} |
Comparando respectivamente, por una parte, el
ejemplo 3 según la invención con el ejemplo 4 y, por otra parte, el
ejemplo 5 según la invención con el ejemplo 6, se comprueba
que:
- el precursor según la invención NF_{3}
aumenta el rendimiento de depósito, ya que para un grosor de capa
de SnO_{2}:F dado (330 nm) la cantidad de precursor de estaño
utilizado (proporcional al caudal) es bastante menor;
- este aumento del rendimiento de depósito no se
hace en perjuicio de los rendimientos ópticos y eléctricos.
Además, se ha comprobado que los ejemplos 3 y 5
según la invención conducen a un ensuciamiento de la boquilla
utilizada bastante menor que los habitualmente comprobados.
Se observó que las capas obtenidas según la
invención eran, para grosores iguales, menos absorbentes que las
capas obtenidas según la técnica anterior. Así la transmisión
luminosa del ejemplo 5 es un poco superior a la del ejemplo 6, lo
que se plasma en una absorción más baja.
Además de ello, se observó también que las capas
obtenidas según la invención tenían propiedades eléctricas iguales
e incluso a veces superiores a las obtenidas según la técnica
anterior.
En último lugar, los ejemplos 3 a 6 se realizaron
aumentando la velocidad de desplazamiento del sustrato hasta 1
m/min con el fin de aproximar las velocidades de desplazamiento de
la cinta de vidrio de una línea industrial; se verificó que las
capas según la invención conservaban las mismas ventajas, es decir,
una eficacia mejor con rendimientos ópticos y eléctricos similares o
incluso mejores.
En conclusión, la invención ha desarrollado un
procedimiento de depósito de una capa basada en óxido de estaño
dopado con flúor SnO_{2}:F de rendimiento mejorado, sin que esto
perjudique los rendimientos eléctricos y ópticos de la capa.
Claims (17)
1. Procedimiento de depósito sobre un sustrato de
vidrio de una capa basada en un óxido metálico que contiene flúor,
siendo dicha capa una capa de óxido de indio dopado con flúor o una
capa de óxido de estaño dopado con flúor SnO_{2}:F, mediante una
técnica de pirólisis en fase gaseosa a partir de al menos dos
precursores de los que al menos uno es un precursor de metal y al
menos uno es un precursor de flúor, caracterizado porque
dicho precursor de flúor comprende trifluoruro de nitrógeno
NF_{3}.
2. Procedimiento según la reivindicación
anterior, caracterizado porque el precursor de flúor
consiste esencialmente en trifluoruro de nitrógeno NF_{3}.
3. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque es
depositada la capa de óxido de estaño dopado con flúor SnO_{2}:F y
porque el precursor de metal contiene estaño Sn.
4. Procedimiento según la reivindicación
anterior, caracterizado porque el precursor de estaño es de
fórmula SnR_{x}Cl_{4-x}, en la que R representa
un radical hidrocarbonado lineal o ramificado que tiene 1 a 6
átomos de C y x tiene un valor en el intervalo de 0 a 2.
5. Procedimiento según la reivindicación
anterior, caracterizado porque el precursor de estaño es
dimetildicloruro de estaño Me_{2}SnCl_{2}.
6. Procedimiento según la reivindicación 4,
caracterizado porque el precursor de estaño es
monobutiltricloruro de estaño.
7. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque se efectúa
el depósito a una temperatura comprendida entre 400 y 800ºC.
8. Procedimiento según la reivindicación
anterior, caracterizado porque se efectúa el depósito a una
temperatura comprendida entre 550ºC y 750ºC.
9. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a 8, caracterizado porque la relación en
moles de la cantidad de precursor de flúor sobre la cantidad de
precursor(es) de estaño está comprendida entre 0,1% y
20%.
10. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a 9, caracterizado porque se efectúa el
depósito de la capa basa en óxido de estaño dopado con flúor
SnO_{2}:F con al menos un compuesto de carácter oxidante de tipo
O_{2} y/o H_{2}O.
11. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque se efectúa
el depósito en continuo sobre una cinta de sustrato de vidrio,
particularmente en un recinto de baño de flotación o en el
dispositivo extensor.
12. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a la anterior, caracterizado porque dicha
capa presenta una resistencia por cuadrado como máximo 100 \Omega
y porque dicho sustrato revestido presenta una transmisión luminosa
T_{L} de la menos 75%.
13. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a la anterior, caracterizado porque dicha
capa basada en óxido de estaño dopado con flúor SnO_{2}:F forma
parte de una acumulación de tipo
vidrio/SiO_{x}N_{y}C_{z}/SnO_{2}:F, y la capa de
SiO_{x}N_{y}C_{z} comprende los elementos Si, O, N, C en las
proporciones atómicas siguientes:
- Si: de 30 a 60%
- N: de 10 a 56%
- O: de 1 a 40%
- C: de 1 a 40.
14. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a 12, caracterizado porque dicha capa
basada en óxido de estaño dopado con flúor SnO_{2}:F forma parte
de una acumulación de tipo vidrio/SiOC/SnO_{2}:F.
15. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a la anterior, caracterizado porque la
capa basada en óxido estaño dopado con flúor SnO_{2}:F tiene un
grosor geométrico de al menos 250nm.
\newpage
16. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 3 a la anterior, caracterizado porque el
sustrato tiene una composición química que comprende los
constituyentes siguientes, en proporciones en peso:
17. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 1 y 2, caracterizado porque se efectúa el
depósito de una capa de óxido indio dopado con flúor.
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