KR100600485B1 - 금속 산화물이 주성분인 층을 유리 기판에 증착시키는 방법과 이와 같이 코팅된 유리 기판 - Google Patents

금속 산화물이 주성분인 층을 유리 기판에 증착시키는 방법과 이와 같이 코팅된 유리 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 적어도 하나의 금속 선구물질과 적어도 하나의 플루오르 선구물질을 포함한 적어도 두 개의 선구물질을 이용한 화학 증기 증착에 의해 유리 기판에 플루오르 함유 금속 산화물을 주성분으로 한 층, 특히 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2) 층을 증착하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라, 플루오르 선구물질은 삼플루오르화 질소(NF3)를 포함한다.

Description

금속 산화물이 주성분인 층을 유리 기판에 증착시키는 방법과 이와 같이 코팅된 유리 기판{PROCESS FOR DEPOSITING A METAL-OXIDE-BASED LAYER ON A GLASS SUBSTRATE AND GLASS SUBSTRATE THUS COATED}
도 1은 4밀리미터 두께의 실리카 소다 석회 유리 기판(1)을 도시한 도면.
< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 유리 기판
2 : SiOC 주성분 층
3 : F:SnO2 주성분 층
본 발명은 유리 기판에 산화 금속을 주성분으로 한 층을 증착하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이 방법에 따른 유리 기판과 그 용도에 관한 것이다.
하나 이상의 박층으로 유리 기판을 코팅하고, 유리 기판에 특별한 특성 (특히, 전기적인 특성, 열적 특성, 기계적인 특성 등)을 부여하기 위해 "열분해"라 불리는 기술을 사용하는 것이 종래 기술에 잘 알려져 있다.
상기와 같은 테크닉에는 예를 들어 유기금속 형태와 같은 "선구물질"을 기체 형태나 분말 형태나 또는 액체 형태로의 분무 방법이 포함되는데, 분무할 때에 고온으로 가열되는 기판의 표면상에 상기의 물질을 그 자체로 분무하거나 액체 속에 용해된 상태로 분무한다.
상기 선구물질은 기판과 접촉되면 기판 위에서 분해되는데, 분해되면서 예를 들어 금속 층이나 산소 층이나 옥시질화물(oxynitride) 층이나 질화물(nitride) 층을 기판 위에 형성한다. 열분해 방법의 장점은 잘 알려져 있는데, 연속적으로 플로트형(float type)의 납작한 유리를 제조하기 위하여 유리 리본(ribbon) 위에 직접 일직선으로 층들이 증착되는 것이 허용된다는 점과, 증착된 층들이 기판에 단단히 부착된다는 점이다.
그러한 층들 중에서도 주석 산화물을 주성분으로 한 층이 특별히 유리하다고 오랫동안 알려졌는데, 왜냐하면 주석 산화물을 주성분으로 한 층의 특성, 그 중에서도 전기적 특성과 광학 특성이 매우 많은 적용에서 코팅된 유리 기판을 유용하게 하기 때문이다.
많은 주석 선구물질이 과거에 이미 성공적인 것으로 시험되었는데, 이는 특히 주석 선구물질이 앞에서 언급된 방법 중 한 가지 방법인 CVD라는 방법을 통해 고온의 유리 표면에서 휘발될 수 있기 때문이다.
앞에서 언급한 주석 산화물을 주성분으로 한 층의 전기적 특성을 개선하기 위하여, 한 가지 이상의 불순물을 산화물에 혼합시키는 시도가 여러 번 있었다. 몇몇 물질들이 이와 관련하여 광범위하게 테스트되었는데, 주석 산화물에 가장 적합한 것으로 밝혀진 성분은 플루오르이다.
그렇기 때문에, 도핑(doping)의 효율을 얻기 위하여, 특히 CVD 방법으로 증착할 때에 주어진 주석 선구물질로부터 주석 선구물질에 가장 적합한 플루오르 선구물질을 만들어 내는 노력들이 끊임없이 이루어져 왔다.
오늘날까지 만들어낸 많은 제조방법들은, 품질 면에서와 성취된 광학 및/또는 전기적 성능 수준 면에서 일반적으로 만족스러운 화학적 증착을 이용하여 유리 기판 위에 앞에서 언급한 F:SnO2로 된 층들을 코팅하는 것으로 귀결되었다.
그러나, 플루오르 선구물질과 주석 선구물질 모두의 화학적 성질과 물리적인 형태가 어떻든지, 플루오르 및 주석을 선구물질로 사용하여 유리 기판 상에 층들이 형성되게끔 증착하는 방법 중에 그 어느 것도 충분히 효율적으로 달성되지 못했다.
이러한 것은 F:SnO2 층의 두께가 정확하게 되게 하기 위하여 주석 선구물질의 양이 많이 필요하기 때문이다.
따라서, 본 발명의 목적은 CVD 방법을 사용함으로써 특히 코팅의 품질 및 얻어지는 광학 및/또는 전기적 성능 수준이 떨어지지 않게 하면서 유리 기판 상에 플루오르 도핑 주석 산화물(F:SnO2)을 주성분으로 한 층을 증착시키는 방법의 효율을 향상시키기 위한 것이다.
이를 행하기 위해, 본 발명의 주제는, 적어도 하나의 금속 선구물질과 적어도 하나의 플루오르 선구물질을 포함한 적어도 두 개의 선구물질을 사용하는 화학 증기 증착을 통해 유리 기판에 플루오르 함유 금속 산화물을 주성분으로 한 층, 특히 플루오르 도핑 인듐 산화물 층 또는 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2) 층을 증착하는 방법이다. 본 발명에 따라, 플루오르 선구물질은 삼플루오르화 질소(NF3)를 포함한다.
본 발명의 한 가지 특징에 따라, 의도한 층이 플루오르 도핑 주석 산화물(F:SnO2)을 주성분으로 한다면, 금속 선구물질은 주석(Sn)을 함유한다.
플루오르 선구물질의 이러한 선택적인 선택을 통해, 앞에서 명시한 방법의 증착 효율은 종래 기술의 방법과 비교해서 크게 증가하였다. 본 발명의 문맥 내에서, "증착 효율"이라는 표현은 이 층을 만드는데 필요한 주석의 양에 대해, 제조된 층의 두께의 비를 의미하는 것으로 이해해야 한다는 것이 명시되어야만 한다.
더욱이, 상기의 효율에 관한 증가는 얻어진 그 층의 광학적 및 전기적 성능의 수준을 떨어 뜨려서 이루어지지 않았다.
마지막으로, 본 발명에 따른 방법은 만들어진 층의 품질을 감소시키지 않으며, 선택되어진 플루오르 선구물질의 증착은 그 층에 아무런 불순물을 남기지 않는다.
본 발명의 매우 유리한 특성으로서, 주석 선구물질은 SnRxCl4-x의 형태를 취하는데, 여기서 R은 바람직하게 1 내지 6개의 탄소 원자를 구비하는 선형 또는 가지형 탄화수소기 (linear or branched hydrocarbon radical)이다. 주석 선구물질은 Me2SnCl2이거나 또는 MeSnCl일 수 있다.
본 발명에 따른 플루오르 선구물질과 공동으로 상기와 같은 선구물질은, 종래 기술에 따라 벌써 만들어졌던 층의 전기적 성능과 다른 주석 선구물질을 사용하여 만든 층의 전기적 성능에 비교하여 그것들보다 전기적 성능이 훨씬 뛰어나게 F:SnO2 층의 전기적 성능 수준이 되도록 하는 것을 가능하게 한다.
물론, 본 발명의 범위 내에서, 주석 선구물질은 또한 SnCl4이나, 이하에서부터는 MBTCl이라고 불리우는 C4H9SnCl3로부터 선택될 수도 있다.
코팅은 본 발명에 따라 400℃ 내지 800℃, 특히 550℃ 내지 750℃의 온도에서 유리 기판에 증착되는 것이 바람직하다.
이러한 온도 범위는 플로트 라인에서의 증착에 적합한 한 특히 유리하다.
플루오르 선구물질과 금속 선구물질의 몰비(molar ratio)는 약 0.1% 내지 20%가 바람직하다.
본 발명에 따라, 금속 선구물질, 특히 주석 선구물질이 산소를 함유하지 않을 때, 본 발명에 따라 O2 및/또는 H2O 유형의 산화 특성이 있는 적어도 하나의 화합물을 사용해서 증착을 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 금속 산화물을 주성분으로 한 층, 특히 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)을 주성분으로 한 층이 플로트 유리의 리본에 연속 증착되는 것이 또한 바람직하다.
특히, 유리 기판이 실리카 소다 석회 유형일 때, 본 발명에 기재된 증착은 플로트 배쓰(float bath)와 유리 융해로(lehr)에서 수행하는 것이 유리하다.
유리 기판이 플라즈마 스크린 제조에 적합한 화학 조성을 갖는 경우, 본 발명에 기재된 증착은 플로트 배쓰 챔버나 유리 융해로에서 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 앞에서 명시한 방법에 따라 얻어진 플루오르 도핑 주석 산화물(F:SnO2)을 주성분으로 한 층으로 코팅된 유리 기판에 관한 것이다. 이 기핀은, 층이 스퀘어(square) 당 최대 100Ω의 저항을 갖는다는데 가치가 있고, 코팅 기판의 광 투과 (TL)는 적어도 75%이다.
한 가지 특징에 따라, 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)을 주성분으로 한 층은 다음 유형과 같은 스택(stack)의 부분을 형성할 수 있다: 유리/ SiOxNyCz/ F:SnO2.
이러한 유형의 스택(stack)에서, 하부층(sublayer)은, 특히 기판의 광학적인 현상 (특히, 반사시)을 조절하기 위해 선택된 굴절률과 기하학적인 두께를 갖는 것이 유리할 수 있다.
이를 위해, 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)을 주성분으로 한 층은 무지개 빛 방지층 (anti-iridescence layer)과 결합되는 것이 유리할 수 있다.
이러한 유형의 스택에 특히 적합한 SiOxNyCz 층은, 1997년 2월 10일자로 출원인에 의해 출원된 프랑스 특허 출원 FR 97/01468에서 기술된 것으로서, FR-2,759,362로 공개되고, 유럽 특허 EP-0,857,700과 동일하다. 이는, 이러한 층이 기계적인 관점에서 특히 강하다는 이점을 갖고 있기 때문이다.
유리한 변형예(y가 0인 경우)에 따라, 본 발명에 기재된 층과 결합된 SiOC 층은, 특허 출원서 EP-0,518,755에서 설명한 것과 같이, 특히 실란(silane)과 에틸렌을 사용하여 화학 증기 증착에 의해 얻어 질 수 있다.
이러한 변형예는, 특히 본 발명에 기재된 F:SnO2 층이 전극부를 형성하고자 할 때, 특히 방사 스크린의 전면을 코팅하고자 할 때 또한 유리하다.
앞에서 명시한 SiOxNyCz 주성분 층은 유리 중의 알칼리가 본 발명에 기재된 전도층(conducting layer)으로 확산하지 않도록 해서, 전도층을 보호한다.
앞에서 명시한 하부층은 두께가 일정할 수는 있지만, 예를 들어, 이 위에 있는 본 발명에 따라 얻어진 F:SnO 층과의 최적의 광학 및/또는 화학적인 적합성 (compatibility)을 허용하고 굴절률을 조절하기 위해, 두께를 통한 조성의 불균일도를 또한 가질 수 있다.
이러한 "그래디언트(gradient)" 층은 F:SnO2를 증착하기 위하여 본 발명에 기재된 것과 동일한 증착 방법, 즉 화학 증기 증착 방법에 의해 얻어질 수도 있고, 특허 출원서 FR-2,736,632에 기술된 것과 같이, 화학적인 변화를 일으키는데 적합한 노즐을 사용해서 얻어질 수 있다.
본 발명에 따른 F:SnO2 층의 두께에 관해서, 이는 분명하게 의도한 용도에 좌우된다.
위에서 언급한 기판이 필터링 및/또는 저 방사형의 태양광 차단 창문을 제조하거나, 또는 냉장고 문이나 오븐의 문과 같은 가전제품의 유리 부분을 제조하기 위하여 사용되고, 층의 기하학적 두께가 적어도 250nm인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 기판이 플라즈마 스크린과 같은, 평면 스크린 유형의 방사 스크린 (emissive screen)의 "전면" 및/또는 "후면"을 만드는데 사용된 경우, 중량비로 다음 성분을 포함하는 화학 조성물을 갖는 것이 바람직하다:
SiO2 55-65%
Al2O3 0-5%
ZrO2 5-10%
B2O3 0-3%
Na2O 2-6%
K2O 5-9%
MgO 0-6%
CaO 3-11%
SrO 4-12%
BaO 0-2%
이 때에, Na2O + K2O ≥10%
MgO + CaO + SrO + BaO >11%
추가적인 세부사항 및 유리한 특성은 도면 하나를 참조하여 본 발명을 설명하는 것으로서 제한성을 가하지 않는 실시예를 읽어 나가는 중에 드러날 것이다.
첫 번째로, 도면을 명료하게 하기 위하여 그 도면에서 나오는 여러 부분의 두께들이 상대적으로 스케일을 맞춰서 표현되지 않았다는 점을 지적한다.
그 유일한 도면은 4 밀리미터 두께의 투명한 실리카 소다 석회 유리 기판(1), 예를 들어 생-고뱅 비트라쥬 사에 의해 PLANILUX라는 상표명으로 판매되는 기판을 도시하고 있는데, 이 기판은 규소 옥시카바이드 (SiOC)를 주성분으로 한 굴절률이 1.7인 박층으로 코팅되고, 이 층 위에 플루오르 도핑 주석 산화물(F:SnO2)을 주성분으로 한 층(3)이 있다.
다음의 모든 예에서, 층(3)은 원래 알려져 있는 적합한 노즐에 의해 화학 증기 증착을 이용해서 증착된다.
그 노즐은 정지 기판을 갖는 노 (furnace) (예 1과 2) 또는 연속 노 (continuous furnace)(예 3 내지 예 6) 중 어느 한 가지에 위치한다.
각각의 경우 노 안의 공기, 즉 제조된 F:SnO2 층과 접하고 있는 공기는 질소(N2)가 주성분이라는 것을 명시해야 한다.
F:SnO2 층을 증착하기 전, 유리 기판은 유럽 특허 EP 0,518,755에서 설명된 방법을 사용하여 앞에서 명시한 규소 옥시카바이드 (silicon oxycarbide) 층으로 코팅되어 있음을 또한 명시해야 한다.
예 1과, 예 3 및 예 5는 본 발명에 따른 것이다.
예 2와, 예 4 및 예 6은 종래 기술에 따른 것으로서 비교하기 위한 예로서 제시되어 있다.
증착을 하기 위하여 사용되는 작용 조건은 이하에서 각각의 예에 대하여 상세하게 나타나 있다.
예 1과 예 2
유리 기판은 수정 튜브 안에 놓인 금속 서셉터(susceptor)에 놓여진다.
다음으로, 튜브의 내부는 적외선 램프에 의하여 가열되어 온도가 약 630℃로 올라가게 된다. 수정 튜브의 벽에 관해서, 이것은 훨씬 더 낮게 유지된다.
이 두 개의 예에서, 사용된 주석 선구물질은 이염화 디메틸틴 (Me2SnCl2)이다.
상기 선구물질은 소위 기포발생 방법 (bubbling technique)을 사용하여 기화한다. 주석 선구물질은 운반 기체 (이 경우, 질소 N2)가 지나는 기포 발생기 (bubbler)에 위치한다. 운반 기체 N2는 주석 선구물질을 통해 확산되고, 기포 발생기가 주석 선구물질의 증기로 포화되도록 한다.
주석 선구물질 Me2SnCl2는 기포 발생 중 약 115℃의 온도로 유지된다.
운반체 질소의 유속(flow rate)은 0.1 l/m로 일정하게 유지된다.
예 1에서, 사용된 플루오르 선구물질 (도펀트)은 본 발명에 따라 삼플루오르화 질소 (NF3)이다. 이는 질소(N2)에서 약 10%의 농도로 희석된다.
예 2에서, 사용된 플루오르 선구물질 (도펀트)은 전과 동일한 조건의 기포 발생기에 놓인 삼플루오르아세트산 (CF3COOH)이고, 기포 발생 중 약 -10℃의 온도에서 유지된다.
이들 각각의 예에서, 주석 선구물질을 포함한 운반 기체는 2℃에서 유지된 기포발생기에서 산소 및 수증기 흐름과 혼합된다.
아래 표 1은 사용된 주석과 플루오르 선구물질의 성질을 반복한다.
예 1 예 2
주석 선구물질의 성질(A) 이염화 디메틸틴(Me2SnCl2) 이염화 디메틸틴(Me2SnCl2)
플루오르 선구물질의 성질(B) 삼플루오르화 질소 (NF3) 삼플루오르 아세트산(CF3COOH)
아래 표 2는, 각각 예 1과 예 2에 대하여, 수증기 (H2O)를 통한 산소(O2)와 운반체 질소의 흐름의 유속 (l/m 단위), 플루오르 선구물질의 유속 (l/m 단위), 얻어진 F:SnO2 층의 두께(th) (나노미터 단위), 앞에서 명시한 층의 두께 (th)를 증착하는데 사용된 증착 시간 (분 단위)을 나타낸다. 또한, 표 2는 발광체 D65 에서 측정된 광 투과 (TL) 값 (퍼센트 단위) 뿐만 아니라, 고유 저항(ρ) 값 (ohm.cm 단위)을 나타낸다.
예 1 예 2
O2의 유속(리터/분) 0.4 0.4
수증기를 통한 운반체 질소의 유속(리터/분) 0.1 0.1
플루오르 선구물질의 유속(리터/분) 0.05 0.1
증착 시간 1분 30초 4분 30초
F:SnO2 층의 두께(th) 300 315
TL(%) 82.9 83.5
고유저항 ρ(옴.센티미터) 3.9×10-4 4.0×10-4
상기 표로부터 본 발명에 따른 예 1에서의 증착 효율이 예 2에서보다 훨씬 우수하고, 이에 따라, 사용된 주석 선구물질이 이염화 디메틸틴 Me2SnCl2일 때 삼플루오르화 질소 NF3가 증착 효율을 크게 향상시킨다는 것이 분명히 드러난다.
이는, 증착 속도 (증착 시간에 대해 얻어진 F:SnO2 층의 두께(th) 사이의 비)가 Me2SnCl2 을 통한 질소의 유속이 0.1 리터/분인 경우, 약 2.85의 비로 증가하기 때문이다.
증착 속도의 이러한 증가는 앞에서 명시한 두 가지 예와 매우 동일한 광학 및 전기적 특성의 희생으로 이루어지지 않았다.
예 3 내지 예 6
유리 기판은 연속 노에 놓이고, 약 40 센티미터/분의 속도로 움직인다. 또한, 유리의 온도는 620℃의 영역에서 유지된다.
기포발생 방법은 예 1 및 예 2에서 사용된 것과 동일하다.
예 3
사용된 주석 선구물질은 기포발생 중 약 120℃의 온도에서 유지된 이염화 디메틸틴 Me2SnCl2이다.
본 발명에 따라, 사용된 플루오르 선구물질은 약 10%의 농도로 질소(N2)에서 희석된 삼플루오르화 질소(NF3)이다. 이염화 디메틸틴(Me2SnCl2)을 함유한 운반 기체(N2)는 산소(O2)의 흐름과 수증기의 흐름과 혼합된다.
예 4
사용된 주석 선구물질은 예 3과 동일한 온도 조건에서 유지된 이염화 디메틸틴 (Me2SnCl2)이다.
사용된 플루오르 선구물질은 약 40℃의 온도에서 유지된 삼플루오르아세트산 (CF3COOH)이다. 이염화 디메틸틴(Me2SnCl2)을 함유한 운반 기체(N2)와, 산소(O2) 및 수증기(H2O)의 흐름은 예 3과 매우 동일하다.
예 5
사용된 주석 선구물질은 기포 발생 중 145℃의 온도에서 유지된 삼염화 모노부틸틴 (MBTCl)이다. 사용된 플루오르 선구물질은 본 발명에 따라 10%의 농도로 질소(N2)에서 희석된 삼플루오르화 질소(NF3)이다. MBTCl을 함유한 운반 기체(N2)는 40℃에서 유지된 산소(O2)의 흐름과 수증기(H2O)의 흐름과 혼합된다.
예 6
사용된 주석 선구물질은 동일한 온도 조건에서 예 5에서 사용된 것이다. 사용된 플루오르 선구물질은 약 40℃의 온도에서 유지된 삼플루오르아세트산 (CF3COOH)이다.
주석 선구물질을 함유한 운반 기체(N2)는 40℃에서 유지된 산소(O2)의 흐름과 수증기의 흐름과 혼합된다.
아래의 표 3은 예 3 내지 예 6에서 사용되는 주석 선구물질 및 플루오르 선구물질의 성질에 대하여 다시 말하고 있다.
예 3 예 4 예 5 예 6
주석 선구물질의 성질 Me2SnCl2 Me2SnCl2 MBTCl MBTCl
플루오르 선구물질의 성질 NF3 CF3COOH NF3 CF3COOH
아래의 표 4는, 예 3 내지 예 6 각각에 대해, 수증기(H2O)를 통한 산소(O2)의 흐름과 운반체 질소의 흐름의 유속 (l/m 단위), 플루오르 선구물질의 유속 (l/m 단위), 주석 선구물질의 유속 (l/m 단위), 제조된 F:SnO2 층의 두께(th) (나노미터 단위)를 나타낸다.
표 4는 또한 발광체 D65 에서 측정된 광 투과 (TL) 값 (퍼센트 단위) 뿐만 아니라, 고유 저항(ρ) 값 (ohm.cm 단위)을 나타낸다.
한편으로 예 4를 본 발명에 따른 예 3과 비교해 보고, 또 다른 한 편으로는 예 6을 본 발명에 따른 예 5와 각각 비교해 보면, 다음과 같은 사실을 알 수 있게 된다 :
- 본 발명에 따른 선구물질인 NF3은 증착 효율을 증가시키는데, 이는 F:SnO2 층의 소정 두께(330nm)에 대하여 사용된 주석 선구물질의 양 (유속에 비례함)이 훨씬 적기 때문이다;
- 증착 효율이 이렇게 증가하는 것은 광학적 및 전기적 성능을 떨어뜨려서 얻어진 것이 아니다.
또한, 본 발명에 따른 예 3과 예 5에 사용된 노즐의 막힘은 일반적으로 발견된 것보다 훨씬 덜 하다는 것이 밝혀졌다.
본 발명에 따라 얻어진 층은, 동일 두께에 대해, 종래 기술에 따라 얻어진 층보다 흡수성이 떨어지는 것으로 관찰되었다. 따라서, 예 5의 광 투과는 예 6보다 약간 우수한데, 이것은 흡수가 더 낮다는 것을 의미한다.
더욱이, 본 발명에 따라 만들어진 층들의 전기적 특성은 종래 기술에 따라 만들어진 층들과 동일하거나 심지어 더 우수하다는 것도 발견되었다.
마지막으로, 예 3 내지 6이 반복되었고, 기판의 이동 속도가 1 l/m로 증가되어, 산업 라인에서 플로트 유리 리본의 이동 속도 (run speed)에 접근했다. 본 발명에 따른 층들은 동일한 장점, 즉 동일하거나 심지어 우수한 광학 및 전기적 성능을 갖는 보다 우수한 효율을 유지한 것으로 밝혀졌다.
예 3 예 4 예 5 예 6
O2 유속 (l/m) 1.7 2.3 3.0 3.2
H2O 증기를 통한 운반체 (N2)의 유속 (l/m) 0.5 0.5 0.4 0.5
플루오르 선구물질의 유속 (l/m) 0.05 0.075 0.1 0.05
주석 선구물질의 유속 (l/m) 1.1 1.9 1.6 2.7
제조된 F:SnO2 층 두께(th) (nm) 330 330 330 330
TL (%) 82.6 82.8 83.1 82.5
ρ(ohm.cm) 4.7×10-4 4.9×10-4 5.2×10-4 5.3×10-4
결론적으로, 본 발명은 층의 전기 및 광학적 성능을 손상시키지 않으면서 향상된 효율로 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)을 주성분으로 한 층을 증착시키는 방법을 개발했다.

Claims (20)

  1. 금속 선구물질과 플루오르 선구물질을 포함하는 선구물질을 이용한 화학 증기 증착법 (chemical vapour deposition technique)을 통한 열분해 (pyrolysis)에 의해, 유리 기판 위에 플루오르 함유 금속 산화물을 주성분으로 한 층을 증착시키는 방법으로서,
    상기 플루오르 선구물질은 삼플루오르화 질소(NF3)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 층은 플루오르 도핑 인듐 산화물 또는 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)인 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 층은 플루오르 도핑 주석 산화물이고, 상기 금속 선구물질은 주석(Sn)을 함유한 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 금속 선구물질은 SnRxCl4-x의 형태로, R은 1개 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 가지형 탄화수소 기인 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  5. 삭제
  6. 제 3항에 있어서, 상기 주석 선구물질은 이염화 이메틸주석 (Me2SnCl2) 또는 삼염화 부틸주석 (monobutyltin trichloride)인 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  7. 제 1항 내지 제 4항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코팅은 400℃ 내지 800℃의 온도에서 상기 유리 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 코팅은 550℃ 내지 750℃의 온도에서 상기 유리 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  9. 제 1항 내지 제 4항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 주석 유형의 금속 선구물질(들)의 양에 대한 플루오르 선구물질의 양의 비는 0.1% 내지 20%인 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  10. 제 1항 내지 제 4항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2) 유형의 산화물 주성분 층 (oxide-based layer)은, O2 또는 H2O 유형 또는 O2와 H2O 유형의 산화 특성을 갖는 화합물을 이용해서 증착되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  11. 제 1항 내지 제 4항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2) 유형의 산화물 주성분 층은 플로트 유리의 리본에 연속 증착되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2) 유형의 산화물 주성분 층은 플로트 배쓰 챔버 (float bath chamber) 또는 유리 융해로 (lehr)에서 플로트 유리의 리본에 연속 증착되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  13. 제 1항 내지 제 4항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 얻어진, 플루오르 도핑 주석 산화물을 주성분으로 한 층(3)으로 코팅된 유리 기판(1)으로서,
    상기 층(3)의 스퀘어 당 저항은 0보다 크고 100Ω이하이며, 상기 코팅 기판의 광 투과(TL)는 75% 이상 100% 미만인 것을 특징으로 하는, 유리 기판.
  14. 제 13항에 있어서, 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)을 주성분으로 한 층(3)은, 유리/SiOxNyCz/F:SnO2 유형의 스택부(part of a stack)를 형성하는 것을 특징으로 하는, 유리 기판.
  15. 제 13항에 있어서, 플루오르 도핑 주석 산화물 (F:SnO2)을 주성분으로 한 층(3)은, 무지개 빛 방지층 (anti-iridescence layer)과 결합된 것을 특징으로 하는, 유리 기판.
  16. 제 13항에 있어서, 플루오르 도핑 주석 산화물(F:SnO2)을 주성분으로 한 층(3)의 기하학적인 두께는 250nm 내지 기판의 두께인 4mm 미만인 것을 특징으로 하는, 유리 기판.
  17. 제 13항에 있어서, 중량비로, 다음 성분
    SiO2 55 - 65%
    Al2O3 0 - 5%
    ZrO2 5 - 10%
    B2O3 0 - 3%
    Na2O 2 - 6%
    K2O 5 - 9%
    MgO 0 - 6%
    CaO 3 - 11%
    SrO 4 - 12%
    BaO 0 - 2%
    Na2O + K2O ≥10%
    MgO + CaO + SrO + BaO > 11%을
    포함하는 화학 조성을 갖는 것을 특징으로 하는, 유리 기판.
  18. 제 13항에 기재된 기판을 포함하는, 필터링형 또는 저 방사형 (low-emissivity type) 또는 필터링형과 저 방사형의 태양광선 차단 창문.
  19. 제 13항에 기재된 기판을 포함하는, 오븐의 문 또는 냉장고 문 유형의 가전 제품의 유리 부분.
  20. 전면 또는 후면으로 제 13항에 기재된 기판을 포함하는 평면 스크린 유형의 방사 스크린 (emissive screen).
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