JP2000109342A - ガラス基材上に金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法及びそれによってコ―ティングされたガラス基材 - Google Patents

ガラス基材上に金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法及びそれによってコ―ティングされたガラス基材

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】ガラス基材上に金属酸化物を主成分とする層を
堆積させる方法を提供すると共に、その用途を提示す
る。 【解決手段】少なくとも１種の金属前駆体と少なくとも
１種のフッ素前駆体を含む少なくとも２種の前駆体を用
い、化学蒸着法によってガラス基材の上にフッ素含有金
属酸化物を主成分とする層、とりわけフッ素ドーピング
型酸化インジウムの層又はフッ素ドーピング型酸化錫
Ｆ：ＳｎＯ2 の層を堆積させる方法に関する。そのフッ
素前駆体が三フッ化窒素ＮＦ3 を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、ガラス基材上に金属酸化物を主
成分とする層を堆積させる方法に関する。また、本発明
は、この方法によるガラス基材とその用途に関する。従
来技術において、とりわけ電気的特性、熱的特性、機械
的特性等の一定の特性を付与する目的で、ガラス基材を
１層以上の薄層でコーティングするために、「熱分解」
と称される技術を用いることは周知である。
【０００２】これらの技術は、ガス状、粉末状又は液状
の例えば有機金属タイプの前駆体を、そのもので又は液
体中の溶液として、高温に加熱された基材の表面上にス
プレーすることからなる、この前駆体は、基材と接触す
るとその上で分解し、例えば、金属、酸化物、酸窒化物
又は窒化物の層を残存させる。この熱分解の長所はよく
知られており、即ち、フロート型の板ガラスの製造ライ
ンにおいて、ガラスリボンの上に連続的な仕方で直接的
に層を堆積させることが可能なこと、また、堆積される
層が基材に強固に接着することである。
【０００３】これらの層のうち、非常に長い間、酸化錫
を主成分とする層が、それらの特性、とりわけ電気的及
び光学的特性が数多くの用途にコーティングガラス基材
を有用なものにするため、特に有益であると認識されて
きた。従来より、多くの錫前駆体が試験されて成功を収
めており、特には、上記の技術の１つのいわゆるＣＶＤ
（化学蒸着）を用い、高温ガラスの表面付近で気体とな
り得るものである。
【０００４】上記のこのような酸化錫を主成分とする層
の電気的特性を改良する目的で、その酸化物の中に１種
以上のドーパントを含める検討がなされてきた。この目
的において、いくつかの物質が鋭意検討されてきたが、
酸化錫に最も適することが分ってきた元素はフッ素であ
る。このため、所与の錫前駆体について、ドーピング効
果を得ることを常に課題として、錫前駆体に最も適す
る、より具体的には化学蒸着（ＣＶＤ）によって堆積さ
せたときに最も適するフッ素前駆体を調製するのに検討
がなされてきた。
【０００５】現在まで確立された多くの仕方は、得られ
る品質や光学的及び／又は電気的性能のレベルに関して
ほぼ満足できる化学蒸着によって、ガラス基材上に上記
のＦ：ＳｎＯ2 型の層からなるコーティングを生成させ
る。しかしながら、各々のフッ素前駆体と錫前駆体の化
学的性質や物理的形態にかかわらず、これらの前駆体を
用いてガラス基材上に形成された層を堆積させるプロセ
スは、いずれも十分に高い効率を達成していない。
【０００６】これは、所定の厚さＦ：ＳｎＯ2 層を得る
ためには、多量の錫前駆体が必要なためである。したが
って、本発明の目的は、とりわけ得られるコーティング
品質や光学的及び／又は電気的性能のレベルを損うこと
なく、化学蒸着によってガラス基材上にフッ素ドーピン
グ型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主成分とする層を堆積させる
プロセスの効率を改良することである。
【０００７】この目的において、本発明の課題は、少な
くとも１種の金属前駆体と少なくとも１種のフッ素前駆
体を含む少なくとも２種の前駆体を用い、化学蒸着によ
ってガラス基材上に、フッ素含有金属酸化物を主成分と
する層とりわけフッ素ドーピング型酸化インジウム層又
はＦ：ＳｎＯ2 型のフッ素ドーピング型酸化錫層を堆積
させるプロセスである。本発明によると、フッ素前駆体
は三フッ化窒素ＮＦ3を含む。
【０００８】本発明の１つの態様によると、目的とする
層がフッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主成分と
する場合、金属前駆体は錫Ｓｎを含む。フッ素前駆体の
この選択により、上記プロセスの堆積効率は、従来技術
のプロセスに比較して大幅に増加した。本願において、
用語「堆積効率」とは、得られる層の厚さとこの層を得
るのに必要な錫の量との比を意味するものと理解された
い。
【０００９】また、この増加は、得られる層の光学的・
電気的性能レベルを犠牲にせずに得られる。さらに、本
発明によるプロセスは、得られる層の品質や選択される
フッ素前駆体の分解を損なわず、層の中に不純物を残存
させない。本発明による極めて有益な態様によると、錫
前駆体は式ＳｎＲx Ｃｌ4-x を有し、ここで、Ｒは好ま
しくは１〜６の炭素原子を有する線状又は枝分れの炭化
水素基である。これは、ジメチル錫ジクロリドＭｅ2 Ｓ
ｎＣｌ2 又はモノブチル錫クロリドであることができ
る。
【００１０】このような前駆体は、本発明によるフッ素
前駆体と組み合わされて、従来技術で得られていたもの
又は別な錫前駆体を用いて得られるものに比較して、か
なり高いＦ：ＳｎＯ2 層の電気性能レベルを得ることを
可能にする。本発明の技術的範囲の中で、前駆体が四塩
化錫ＳｎＣｌ4 又はモノブチル三塩化錫Ｃ4 Ｈ9 ＳｎＣ
ｌ3 （以降、「ＭＢＴＣｌ」と称する。）からも選択可
能なことは言うまでもない。
【００１１】好ましくは、本発明において、コーティン
グは、４００〜８００℃の温度、とりわけ５５０〜７５
０℃の温度でガラス基材の上に堆積させる。この温度範
囲は、フロートラインにおける堆積に適合する限りにお
いて特に有益である。有利には、金属前駆体（とりわけ
錫前駆体）の量に対するフッ素前駆体の量のモル比は
０．１〜２０％である。
【００１２】本発明において、とりわけ金属前駆体の中
でも錫前駆体は、Ｏ2 及び／又はＨ 2 Ｏタイプの酸化性
を有する少なくとも１種の化合物を用いて本発明にした
がって堆積を行うに際し、酸素を含まないことが好まし
い。また、金属酸化物を主成分とする層、とりわけフッ
素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 は、フロートガラス
のリボン上に連続的に堆積させることが好ましい。
【００１３】とりわけ、ガラス基材がシリカソーダライ
ム型の場合、本発明による堆積は、フロートバスとレア
の間で行うのが有利である。ガラス基材がプラズマスク
リーンの製造に適する化学組成を有する場合、本発明に
よる堆積は、フロートバスチャンバー又はレアの中で行
うのが好ましい。また、本発明は、上記プロセスによっ
て得られたフッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主
成分とする層でコーティングされたガラス基材に関す
る。この基材は、層が高さ１００Ωのスクエアあたりの
抵抗を有し、コーティングされた基材が少なくとも７５
％の光透過率ＴL を有する点で注目に値する。
【００１４】１つの態様によると、フッ素ドーピング型
酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主成分とする層は、 ガラス／ＳｉＯx Ｎy Ｃz ／Ｆ：ＳｎＯ2 のタイプの積層の一部を形成することができる。このタ
イプの積層において、一次層は、基材の光学的外観とり
わけ反射的外観を調節するように選択された屈折率と幾
何学的厚さを好適に有することができる。
【００１５】この目的において、フッ素ドーピング型酸
化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主成分とする層は、抗イリデッセン
ス層と組み合わせるのが有益なことがある。このタイプ
の積層にとって特に適切なＳｉＯx Ｎy Ｃz 層は、フラ
ンス特許出願ＦＲ９７／０１４６８（１９９７年２月１
０日出願、ＦＲ−２７５９３６２として発行、欧州特許
ＥＰ−０８５７７００に対応）に記載のものである。こ
れは、このような層が機械的見地から特に高強度という
特長を有するためである。
【００１６】有利な態様によると（ｙが０）、ＳｉＯＣ
層が本発明による層と組み合わせられて、とりわけシラ
ンとエチレンを用いた化学蒸着（特許出願ＥＰ−０５１
８７５５に記載）によって得ることができる。また、こ
の態様は、本発明によるＦ：ＳｎＯ2 層が電極の一部を
形成する目的、とりわけ放射性スクリーンの前面をコー
ティングする目的の場合に有益である。
【００１７】上記のＳｉＯx Ｎy Ｃz を主成分とする層
は、本発明による導電性層の中にガラス中のアルカリが
拡散するのを防ぎ、従って、その導電性層を保護する。
上記の一次層は、それらの厚さについて均一でよいが、
それらの屈折率を調整し、例えば、本発明によって得ら
れるその上に位置するＦ：ＳｎＯ2 層との最適な光学的
及び／又は化学的適合性を可能にするように、それらの
厚さについてある程度の組成上の不均一性を有すること
もできる。
【００１８】この「傾斜」層は、Ｆ：ＳｎＯ2 を堆積さ
せるのと同じ本発明による堆積技術を用い、即ち、化学
蒸着であるが特許出願ＦＲ−２７３６６３２に記載のよ
うな化学的傾斜を形成するのに適切なノズルを用い、形
成させることができる。本発明によるＦ：ＳｎＯ2 層の
厚さに関し、これは当然ながら目的とする用途によって
決まる。
【００１９】このような基材が、フィルター及び／又は
低輻射タイプの日除け窓の製造、又はオーブンドア又は
冷蔵庫ドアのタイプのような家庭電気製品のガラス部品
の製造に使用される場合、その層は、少なくとも２５０
ｎｍの幾何学的厚さを有することが好ましい。本発明に
よる基材が、プラズマスクリーンのようなフラットスク
リーン型の放射スクリーンの前面及び／又は背面の製造
に使用される場合、次の成分を含む化学組成（重量割
合）を有することが好ましい。
【００２０】 ＳｉＯ2 ５５〜６５％ Ａｌ2 Ｏ3 ０〜５％ ＺｒＯ2 ５〜１０％ Ｂ2 Ｏ3 ０〜３％ Ｎａ2 Ｏ ２〜６％ Ｋ2 Ｏ ５〜９％ ＭｇＯ ０〜６％ ＣａＯ ３〜１１％ ＳｒＯ ４〜１２％ ＢａＯ ０〜２％ ここで Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ≧１０％ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ＞１１％ さらなる詳細と有益な態様は、図面を参照しながら以下
の本発明の限定されない代表的な態様を吟味することに
よって明らかになるであろう。
【００２１】先ず、図面において、明瞭さに重きを置い
たため、種々の材料の相対的厚さに関する比率は、正確
ではないことに注意されたい。図面は、４ｍｍの厚さを
有する透明なシリカソーダライムのガラス基材１を示
し、これは、例えばサンゴバンビトレージ社より商品名
ＰＬＡＮＩＬＵＸとして販売されており、この基材に
１．７の屈折率を有するケイ素酸炭化物ＳｉＯＣを主成
分とする薄層２でコーティングし、その上に、フッ素ド
ーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主成分とする層３が存
在する。
【００２２】以下の全ての例において、後者の層は、公
知の適切なノズルを用いて化学蒸着技術によって堆積さ
せた。このノズルは、定置の基材を用いて炉の中に配置
する（例１と２）又は連続炉（例３〜６）の中に配置し
た。各々の場合において、炉内の雰囲気は、即ち、中に
あるＦ：ＳｎＯ2 層が接触する雰囲気は窒素Ｎ2 を主成
分とするものであった。
【００２３】また、Ｆ：ＳｎＯ2 層を堆積させる前に、
特許ＥＰ０５１８７５５に記載の技術を用い、上記のケ
イ素酸炭化層でガラス基材をコーティングした。例１，
３，５は本発明にしたがって行った。従来技術による例
２，４，６は比較例として示した。堆積を行うために用
いた操作条件は、各例において下記に詳細に示した。例１と２ ガラス基材を金属サスセプターの上に載置し、それを石
英チューブの中に配置した。
【００２４】次いで、このチューブの中を赤外線ランプ
で加熱し、約６３０℃の温度とした。石英壁について
は、これよりもかなり低く保った。これらの例におい
て、使用した錫前駆体はジメチル錫ジクロリドＭｅ2 Ｓ
ｎＣｌ2 である。この後者は、いわゆるバブリング技術
を用いて気化させた。この錫前駆体をバブラーの中に入
れ、その中に、この場合窒素Ｎ2 のキャリヤーガスを通
過させた。このようにしてキャリヤーガスＮ2 は錫前駆
体の中を拡散し、錫前駆体の蒸気で飽和されてバブラー
を出る。
【００２５】バブリングの際、錫前駆体は約１１５℃の
温度に維持した。キャリヤー窒素の流量は０．１リット
ル／分の一定に維持した。例１において、本発明にした
がって使用したフッ素前駆体（ドーパント）は、三フッ
化窒素ＮＦ3 であった。これは、約１０％の濃度まで窒
素Ｎ2 で希釈した。
【００２６】例２において、使用したフッ素前駆体（ド
ーパント）は、上記と同じ条件下でバブラーの中に入れ
てバブリングの間に約−１０℃の温度に維持したトリフ
ルオロ酢酸ＣＦ3 ＣＯＯＨであった。これらの例の各々
において、錫前駆体を含むキャリヤーに、２℃に維持し
たバブラーの中で酸素の流れと水蒸気の流れを混合させ
た。
【００２７】下記の表１に、使用した錫前駆体とフッ素
前駆体の性質を再度示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】下記の表２は、それぞれ例１と２につい
て、上記の厚さの層（ｔｈ）を堆積させるために用いた
酸素Ｏ2 の流れと水蒸気Ｈ2 Ｏを含むキャリヤー窒素の
流量（リットル／分）、フッ素前駆体の流量（リットル
／分）、得られたＦ：ＳｎＯ2層の厚さ（ｔｈ、ナノメ
ートル）、堆積時間（分）を示す。また、光源Ｄ65の下
で測定した光透過率ＴL の値、及び抵抗率ρ（Ω・ｃ
ｍ）の値を示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】この表より、本発明による例１の堆積効率
は例２のそれよりもはるかに高く、したがって、三フッ
化窒素ＮＦ3 が、使用される錫前駆体がジメチル錫ジク
ロリドＭｅ2 ＳｎＣｌ2 の場合に効率を大きく改良する
ことが明らかである。このことは、堆積速度（得られる
Ｆ：ＳｎＯ2 層の厚さｔｈと堆積時間の比）が、Ｍｅ2
ＳｎＣｌ2 を含む窒素流量０．１リットル／分の場合
に、約２．８５倍増加するためである。
【００３２】光学的・電気的特性が上記の２つの例で殆
ど同じといったようにこれらの特性を犠牲にせずに堆積
速度の増加を得ている。例３〜６ ガラス基材を、連続炉の中に配置し、約４０ｃｍ／分の
速度で移動させた。また、ガラスの温度を６２０℃付近
に維持した。
【００３３】バブリング技術は例１と２で用いたものと
同じにした。例３ 使用した錫前駆体は、バブリング中に約１２０℃の温度
に維持したジメチル錫ジクロリドＭｅ2 ＳｎＣｌ2 であ
った。使用したフッ素前駆体は、本発明においては、窒
素Ｎ2 で約１０％の濃度に希釈した三フッ化窒素ＮＦ3
であった。ジメチル錫ジクロリドＭｅ2 ＳｎＣｌ2 を同
伴するキャリヤーガスＮ2 を、酸素Ｏ2 の流れと水蒸気
の流れに混合した。例４ 使用した錫前駆体は、例３と同じ温度条件下に維持した
ジメチル錫ジクロリドＭｅ2 ＳｎＣｌ2 であった。
【００３４】使用したフッ素前駆体は、約４０℃の温度
に維持したトリフルオロ酢酸ＣＦ3ＣＯＯＨであった。
ジメチル錫ジクロリドＭｅ2 ＳｎＣｌ2 を同伴し、酸素
Ｏ2と水蒸気Ｈ2 Ｏの流れを含むキャリヤーガスＮ
2 は、例３のそれらと全く同じとした。例５ 使用した錫前駆体は、バブリングの際に１４５℃の温度
に維持したモノブチル錫トリクロリドＭＢＴＣｌであっ
た。本発明にしたがって使用したフッ素前駆体は、１０
％の濃度まで窒素Ｎ2 で希釈した三フッ化窒素ＮＦ3 で
あった。ＭＢＴＣｌを同伴したキャリヤーガスＮ2 に、
４０℃に維持した水蒸気Ｈ2 Ｏの流れと酸素Ｏ2 の流れ
を混合した。例６ 錫前駆体は、例５で使用したものを同じ温度条件下で用
いた。使用したフッ素前駆体は、４０℃の温度に維持し
たトリフルオロ酢酸ＣＦ3 ＣＯＯＨであった。
【００３５】錫前駆体を同伴したキャリヤーガスＮ
2 に、４０℃に維持した水蒸気の流れと酸素Ｏ2 の流れ
を混合した。下記の表３は、各々の例３〜６で使用した
錫前駆体とフッ素前駆体の性質を再度示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】下記の表４は、それぞれ各々の例３〜６に
ついての酸素の流量と水蒸気Ｈ2 Ｏを含むキャリヤー窒
素の流量（リットル／分）、フッ素前駆体の流量（リッ
トル／分）、錫前駆体の流量（リットル／分）、及び得
られたＦ：ＳｎＯ2 層の厚さ（ｔｈ、ナノメートル）を
示す。また、光源Ｄ65の下で測定した光透過率Ｔ
L （％）の値と抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の値を示す。
【００３８】
【表４】
【００３９】一方で、本発明による例３と例４とを比較
し、他方で、本発明による例５と例６を比較すると、本
発明による前駆体ＮＦ3 は、所定の厚さのＦ：ＳｎＯ2
層（３３０ｎｍ）について、使用される錫前駆体の量
（流量に比例）がはるかに少ないことから堆積効率が高
く、この堆積効率の増加は、光学的・電気的性能を犠牲
にすることなく得られることが分る。
【００４０】また、本発明にしたがった例３と５で用い
たノズルの付着物は、通常見られるよりもはるかに少な
いことが分った。本発明にしたがって得られた層は、同
じ厚さについて、従来技術にしたがって得られた層より
も吸光性が低いことが観察された。即ち、例５の光透過
率は例６のそれよりも若干高く、これは、吸光性がより
低いことを意味する。
【００４１】また、本発明にしたがって得られた層は、
従来技術にしたがって得られたものと同等又はかなり優
れた電気特性を有することが分った。さらに、工業ライ
ンのフロートガラスのリボン走行速度に近づけるべく基
材の走行速度を１ｍ／分に高めて例３〜６を繰り返し、
本発明による層が同じ特長を維持すること、即ち、同等
又はそれ以上の光学的・電気的性能を有してより高い効
率を維持することが分った。
【００４２】まとめとして、本発明は、層の電気的・光
学的性能を損うことなく、改良された効率を備える、フ
ッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2 を主成分とする層
の堆積プロセスを開発した。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、透明なシリカソーダライムのガラスを
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０３Ｃ 3/089 Ｃ０３Ｃ 3/089 3/093 3/093 Ｅ０６Ｂ 9/24 Ｅ０６Ｂ 9/24 Ａ

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１種の金属前駆体と少なくと
    も１種のフッ素前駆体を含む少なくとも２種の前駆体を
    用い、化学蒸着法によってガラス基材の上にフッ素含有
    金属酸化物を主成分とする層、とりわけフッ素ドーピン
    グ型酸化インジウムの層又はフッ素ドーピング型酸化錫
    Ｆ：ＳｎＯ2 の層を堆積させる方法であって、そのフッ
    素前駆体が三フッ化窒素ＮＦ3 を含むことを特徴とする
    方法。
  2. 【請求項２】 その層がフッ素ドーピング型酸化錫から
    なり、その金属前駆体がとりわけＳｎＲx Ｃｌ4-x （Ｒ
    は、好ましくは１〜６の炭素原子を有する線状又は枝分
    かれ炭化水素基）の形態で錫Ｓｎを含むことを特徴とす
    る請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 その錫前駆体がジメチル錫ジクロリドＭ
    ｅ2 ＳｎＣｌ2 又はモノブチル錫トリクロリドであるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 そのコーティングが、ガラス基材上に４
    ００〜８００℃、とりわけ５５０〜７５０℃の温度で堆
    積されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項
    に記載の方法。
  5. 【請求項５】 その錫タイプの金属前駆体の量に対する
    フッ素前駆体の量がモル比として０．１〜２０％である
    ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の
    方法。
  6. 【請求項６】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2
    のタイプの酸化物を主成分とする層が、Ｏ2 及び／又は
    Ｈ2 Ｏのタイプの酸化性を有する少なくとも１種の化合
    物を用いて堆積されることを特徴とする請求項１〜５の
    いずれか１項に記載の方法。
  7. 【請求項７】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2
    のタイプの酸化物を主成分とする層が、とりわけフロー
    トバスチャンバー又はレアの中のフロートガラスのリボ
    ン上に連続的に堆積されることを特徴とする請求項１〜
    ６のいずれか１項に記載の方法。
  8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の方
    法によって得られたフッ素ドーピング型酸化錫を主成分
    とする層(3) でコーティングされたガラス基材(1) であ
    って、その層(3) が、スクエアあたり高々１００Ωの抵
    抗を有し、そのコーティングされた基材が少なくとも７
    ５％の光透過率ＴL を有することを特徴とするガラス基
    材(1) 。
  9. 【請求項９】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ2
    を主成分とする層(3) が、ガラス／ＳｉＯx Ｃy Ｎz ／
    Ｆ：ＳｎＯ2 のタイプの積層の一部を形成することを特
    徴とする請求項８に記載の基材(1) 。
  10. 【請求項１０】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ
    2 を主成分とする層(3) が、抗イリデッセンス層と組み
    合わされたことを特徴とする請求項８又は９に記載の基
    材(1) 。
  11. 【請求項１１】 フッ素ドーピング型酸化錫Ｆ：ＳｎＯ
    2 を主成分とする層(3) が、少なくとも２５０ｎｍの幾
    何学的厚さを有することを特徴とする請求項８〜１０の
    いずれか１項に記載の基材(1) 。
  12. 【請求項１２】 次の成分（重量割合）： ＳｉＯ2 ５５〜６５％ Ａｌ2 Ｏ3 ０〜 ５％ ＺｒＯ2 ５〜１０％ Ｂ2 Ｏ3 ０〜 ３％ Ｎａ2 Ｏ ２〜 ６％ Ｋ2 Ｏ ５〜 ９％ ＭｇＯ ０〜 ６％ ＣａＯ ３〜１１％ ＳｒＯ ４〜１２％ ＢａＯ ０〜 ２％ Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ≧１０％ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ＞１１％ を含んでなる化学組成を有することを特徴とする請求項
    ８〜１１のいずれか１項に記載の基材(1) 。
  13. 【請求項１３】 フィルター及び／又は低放射タイプの
    日除け窓を製造するための請求項８〜１２のいずれか１
    項の基材(1) の使用。
  14. 【請求項１４】 家庭電気製品のオーブンのドア又は冷
    蔵庫ドアのタイプのガラス部品を製造するための請求項
    ８〜１２のいずれか１項の基材(1) の使用。
  15. 【請求項１５】 プラズマスクリーンのようなフラット
    スクリーン型の放射スクリーンの前面及び／又は背面を
    製造するための請求項８〜１２のいずれか１項の基材
    (1) の使用。
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