JPH04214047A - ガラス支持体にオキシ炭化珪素層を形成する方法及び半導体層を含んでなる製品 - Google Patents
ガラス支持体にオキシ炭化珪素層を形成する方法及び半導体層を含んでなる製品Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オキシ炭化珪素層をガ
ラス支持体上に形成するための方法、この層を有するガ
ラス、ならびに特に低発光能特性を呈しさらに中性反射
色度を有する金属酸化物の透明な半導体薄層を含む板ガ
ラスに関する。
ラス支持体上に形成するための方法、この層を有するガ
ラス、ならびに特に低発光能特性を呈しさらに中性反射
色度を有する金属酸化物の透明な半導体薄層を含む板ガ
ラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】建物用の板ガラスは、有利にも厚み４ｍ
ｍに対して約９０％といった高い光及びエネルギー透過
率を呈する透明な珪素−ナトリウム−カルシウムガラス
で構成されている。建物の内部から外部に向かっての熱
量の漏れによるエネルギー損失を減少させることにより
特に冬季のユーザーの快適性を改善するため、赤外線に
おけるガラスの反射率を増大させるいわゆる低発光能の
金属酸化物の半導体層でガラスシートの片面を被覆する
ことにより一枚の板ガラスを構成することが知られてい
る。このような層で被覆されたこのような板ガラスは、
断熱二重板ガラスを構成するため間に空間を封じ込める
ように、被覆されていないもう一枚のガラス板を合わせ
ることができる。低発光能特性を呈し透明なコーティン
グを有する板ガラスはすでに知られている。
ｍに対して約９０％といった高い光及びエネルギー透過
率を呈する透明な珪素−ナトリウム−カルシウムガラス
で構成されている。建物の内部から外部に向かっての熱
量の漏れによるエネルギー損失を減少させることにより
特に冬季のユーザーの快適性を改善するため、赤外線に
おけるガラスの反射率を増大させるいわゆる低発光能の
金属酸化物の半導体層でガラスシートの片面を被覆する
ことにより一枚の板ガラスを構成することが知られてい
る。このような層で被覆されたこのような板ガラスは、
断熱二重板ガラスを構成するため間に空間を封じ込める
ように、被覆されていないもう一枚のガラス板を合わせ
ることができる。低発光能特性を呈し透明なコーティン
グを有する板ガラスはすでに知られている。
【０００３】これらの板ガラスは例えば、一枚のガラス
支持体ならびに、例えばフッ素がドープされた酸化錫又
は錫でドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）の層とい
った金属酸化物の薄層で構成されている。
支持体ならびに、例えばフッ素がドープされた酸化錫又
は錫でドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）の層とい
った金属酸化物の薄層で構成されている。
【０００４】これらの層はさまざまな方法例えば真空方
法（熱蒸発、陰極スパッタリング）又は加熱された基板
上にスプレーされる溶液又は分散、粉末又は蒸気の形で
の金属化合物の熱分解によって得ることができる。この
場合、高温ではあるもののガラスの軟化温度よりも低い
温度に加熱されたガラスと接触した時点でこれらの化合
物は分解、酸化して金属酸化物の層を形成する。
法（熱蒸発、陰極スパッタリング）又は加熱された基板
上にスプレーされる溶液又は分散、粉末又は蒸気の形で
の金属化合物の熱分解によって得ることができる。この
場合、高温ではあるもののガラスの軟化温度よりも低い
温度に加熱されたガラスと接触した時点でこれらの化合
物は分解、酸化して金属酸化物の層を形成する。
【０００５】フッ素でドープされた酸化錫の層又は Ｉ
ＴＯ層といった層は、特に発光能の低いガラス壁におい
て用いられるために充分な特性を呈している。
ＴＯ層といった層は、特に発光能の低いガラス壁におい
て用いられるために充分な特性を呈している。
【０００６】これらの層は、その光学的及び電気的特性
のため、自動車のガラス窓例えば特にフロントガラスの
デフロスタガラスを形成するため、及び特殊な製品例え
ば光電池及び液晶表示装置といったオプトエレクトロニ
クス装置における基板としても同様に使用可能なものに
なっている。
のため、自動車のガラス窓例えば特にフロントガラスの
デフロスタガラスを形成するため、及び特殊な製品例え
ば光電池及び液晶表示装置といったオプトエレクトロニ
クス装置における基板としても同様に使用可能なものに
なっている。
【０００７】しかしながら、有利な電子特性を得るのに
必要な厚みでは、これらの層は反射着色を受ける。従っ
て、厚み １８０ｎｍのフッ素ドーピング酸化錫層及び
ＩＴＯ層は反射して青色となり、 ３００ｎｍの厚み
のものは緑色となる。
必要な厚みでは、これらの層は反射着色を受ける。従っ
て、厚み １８０ｎｍのフッ素ドーピング酸化錫層及び
ＩＴＯ層は反射して青色となり、 ３００ｎｍの厚み
のものは緑色となる。
【０００８】この色は、考慮されている用途に好ましく
なかったり或いは又この用途に適合され得なかったりす
ることが考えられる。その上、層厚のわずかな変動が色
の不規則性（虹色光彩）をひきおこす。
なかったり或いは又この用途に適合され得なかったりす
ることが考えられる。その上、層厚のわずかな変動が色
の不規則性（虹色光彩）をひきおこす。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的は
、次に蒸着される層の着色及び／又は虹色光彩を無くす
るか又は減少させるような層をガラス支持体上に形成す
ることにある。
、次に蒸着される層の着色及び／又は虹色光彩を無くす
るか又は減少させるような層をガラス支持体上に形成す
ることにある。
【００１０】本発明のもう１つの目的は、低発光能板ガ
ラス、デフロスタガラス又は光電池及び液晶表示装置と
いったオプトエレクトロニクス装置のための基板として
有効な、前記着色防止層ならびに透明性、低発光能及び
導電層の特徴を呈する半導体透明薄膜を含むガラスを形
成することにある。
ラス、デフロスタガラス又は光電池及び液晶表示装置と
いったオプトエレクトロニクス装置のための基板として
有効な、前記着色防止層ならびに透明性、低発光能及び
導電層の特徴を呈する半導体透明薄膜を含むガラスを形
成することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は、支
持体と半導体薄膜の間の中間層として利用できる、ガラ
ス支持体上のオキシ炭化珪素層の層を形成するための方
法に関する。
持体と半導体薄膜の間の中間層として利用できる、ガラ
ス支持体上のオキシ炭化珪素層の層を形成するための方
法に関する。
【００１２】７５０℃未満の温度に加熱されたガラス支
持体上にオキシ炭化珪素の層を形成するための本発明に
基づく方法は、この支持体の上に、シラン、飽和炭化水
素及び酸化剤の気体混合物をスプレーすることから成る
。
持体上にオキシ炭化珪素の層を形成するための本発明に
基づく方法は、この支持体の上に、シラン、飽和炭化水
素及び酸化剤の気体混合物をスプレーすることから成る
。
【００１３】本発明に基づくオキシ炭化珪素層は、いわ
ゆる ＣＶＤ（化学的蒸着法）という周知の方法によっ
て得られる。
ゆる ＣＶＤ（化学的蒸着法）という周知の方法によっ
て得られる。
【００１４】シランは好ましくはモノシランであるが、
ジシラン、ジメチルシランといったその他のシランを用
いることも可能である。炭化水素は好ましくは、１〜４
個の炭素原子をもつ飽和脂肪族炭化水素、特にプロパン
又はブタンである。飽和炭化水素対シランの体積比が２
：１から５：１であるような量で、シラン及び飽和炭化
水素を用いる。酸化剤は、二酸化炭素又は亜酸化窒素Ｎ
２Ｏであってよい。二酸化炭素とシランの体積比は、好
ましくは１０：１から２０：１である。亜酸化窒素とシ
ランの体積比は、好ましくは１：１から５：１である。 二酸化炭素対飽和炭化水素の体積比は好ましくは２：１
から１０：１である。亜酸化窒素対飽和炭化水素の体積
比は好ましくは ０．５：１から３：１である。気体混
合物はさらにキャリヤガスとして窒素といった不活性ガ
スを含んでいる。オキシ炭化珪素層の形成に際して、ガ
ラス製支持体は、 ７５０℃未満の温度まで加熱される
。
ジシラン、ジメチルシランといったその他のシランを用
いることも可能である。炭化水素は好ましくは、１〜４
個の炭素原子をもつ飽和脂肪族炭化水素、特にプロパン
又はブタンである。飽和炭化水素対シランの体積比が２
：１から５：１であるような量で、シラン及び飽和炭化
水素を用いる。酸化剤は、二酸化炭素又は亜酸化窒素Ｎ
２Ｏであってよい。二酸化炭素とシランの体積比は、好
ましくは１０：１から２０：１である。亜酸化窒素とシ
ランの体積比は、好ましくは１：１から５：１である。 二酸化炭素対飽和炭化水素の体積比は好ましくは２：１
から１０：１である。亜酸化窒素対飽和炭化水素の体積
比は好ましくは ０．５：１から３：１である。気体混
合物はさらにキャリヤガスとして窒素といった不活性ガ
スを含んでいる。オキシ炭化珪素層の形成に際して、ガ
ラス製支持体は、 ７５０℃未満の温度まで加熱される
。
【００１５】ＣＶＤ法により本発明に基づく層を形成す
るために有効な装置は例えば、フランス特許第 ２２７
４５７２号に記されている。
るために有効な装置は例えば、フランス特許第 ２２７
４５７２号に記されている。
【００１６】層の形成は、ガラス生産ライン上特にフロ
ート炉において起こりうる。この場合、ガラス支持体は
高温特に炉内のガラステープの寸法的安定性に相当する
温度つまり ７００℃以下の温度にされる。ガラスの移
動速度は ６ ｍ／分から ２４ ｍ／分の間であって
よい。
ート炉において起こりうる。この場合、ガラス支持体は
高温特に炉内のガラステープの寸法的安定性に相当する
温度つまり ７００℃以下の温度にされる。ガラスの移
動速度は ６ ｍ／分から ２４ ｍ／分の間であって
よい。
【００１７】本発明に基づく方法の使用条件は、予定さ
れている用途により異なる厚みをもつ層を得るべく調整
される。例えば、光の干渉による着色を呈する厚み１０
ｎｍから ８００ｎｍでフッ素でドーピングされた酸化
錫の半導体と結びつけられると、本発明に基づくオキシ
炭化珪素層は有利にも、５０ｎｍから １００ｎｍの間
の厚み及び １．６から １．９の間の屈折率を有する
。本発明に基づく層は着色防止層の役目を果たし、半導
体層及び着色防止層の２つの層の結びつきが中性色の構
造を形成する。
れている用途により異なる厚みをもつ層を得るべく調整
される。例えば、光の干渉による着色を呈する厚み１０
ｎｍから ８００ｎｍでフッ素でドーピングされた酸化
錫の半導体と結びつけられると、本発明に基づくオキシ
炭化珪素層は有利にも、５０ｎｍから １００ｎｍの間
の厚み及び １．６から １．９の間の屈折率を有する
。本発明に基づく層は着色防止層の役目を果たし、半導
体層及び着色防止層の２つの層の結びつきが中性色の構
造を形成する。
【００１８】本発明に基づくオキシ炭化珪素層の上には
さまざまな半導体層を蒸着させることができる。これら
の層は特に前述のとおり、フッ素でドープされた酸化錫
層、錫でドープされた酸化インジウム層（ＩＴＯ） で
あってもよいし、或いは又、インジウム又はアルミニウ
ムでドープされた酸化亜鉛層であってもよい。層は、さ
まざまな方法例えば真空方法（熱蒸発、陰極スパッタリ
ング）又は溶液又は分散、粉末又は蒸気の形での金属化
合物に基づく熱分解によって得ることができる。熱分解
の場合、金属化合物は高温（化合物の熱分解温度よりも
高いがガラスの軟化温度より低い）に加熱された支持体
の上にスプレーされ、高温ガラスと接触した時点で金属
化合物は分解、酸化して金属酸化物層を形成する。フッ
素でドープされた酸化錫の層は、例えばヨーロッパ特許
第１７８９５６号に記されているように二フッ化ジブチ
ル錫（ＤＢＴＦ）或いは又ヨーロッパ特許第０３９２５
６号に記されているようにＤＢＴＦと酸化ジブチル錫（
ＤＢＴＯ）の混合物からの粉末熱分解によって得ること
ができる。同様に、特にヨーロッパ特許第０２７４０３
号に記述されているように（ＣＨ３）２ＳｎＣｌ２，（
Ｃ４Ｈ９）２ＳｎＣｌ２， Ｓｎ（Ｃ２Ｈ５）４ とい
った錫化合物と ＣＣｌ２Ｆ２，ＣＨＣｌ２Ｆ２ 及び
ＣＨ３ＣＨＦ２といった有機フッ素化合物の混合物、
或いは又ヨーロッパ特許第１２１４５９号に記述されて
いるクロロジフロロメタンといった×ＣＨＦ２で表され
る化学式の化合物とモノブチルトリクロロ錫に基づき、
蒸気状態の化合物の熱分解によりこれらを形成すること
も可能である。
さまざまな半導体層を蒸着させることができる。これら
の層は特に前述のとおり、フッ素でドープされた酸化錫
層、錫でドープされた酸化インジウム層（ＩＴＯ） で
あってもよいし、或いは又、インジウム又はアルミニウ
ムでドープされた酸化亜鉛層であってもよい。層は、さ
まざまな方法例えば真空方法（熱蒸発、陰極スパッタリ
ング）又は溶液又は分散、粉末又は蒸気の形での金属化
合物に基づく熱分解によって得ることができる。熱分解
の場合、金属化合物は高温（化合物の熱分解温度よりも
高いがガラスの軟化温度より低い）に加熱された支持体
の上にスプレーされ、高温ガラスと接触した時点で金属
化合物は分解、酸化して金属酸化物層を形成する。フッ
素でドープされた酸化錫の層は、例えばヨーロッパ特許
第１７８９５６号に記されているように二フッ化ジブチ
ル錫（ＤＢＴＦ）或いは又ヨーロッパ特許第０３９２５
６号に記されているようにＤＢＴＦと酸化ジブチル錫（
ＤＢＴＯ）の混合物からの粉末熱分解によって得ること
ができる。同様に、特にヨーロッパ特許第０２７４０３
号に記述されているように（ＣＨ３）２ＳｎＣｌ２，（
Ｃ４Ｈ９）２ＳｎＣｌ２， Ｓｎ（Ｃ２Ｈ５）４ とい
った錫化合物と ＣＣｌ２Ｆ２，ＣＨＣｌ２Ｆ２ 及び
ＣＨ３ＣＨＦ２といった有機フッ素化合物の混合物、
或いは又ヨーロッパ特許第１２１４５９号に記述されて
いるクロロジフロロメタンといった×ＣＨＦ２で表され
る化学式の化合物とモノブチルトリクロロ錫に基づき、
蒸気状態の化合物の熱分解によりこれらを形成すること
も可能である。
【００１９】ＩＴＯ の半導体層は例えば、ヨーロッパ
特許公開第１９２００９号に記載のとおりＤＢＴＯとい
った錫の化合物とギ酸インジウムから得ることができる
。
特許公開第１９２００９号に記載のとおりＤＢＴＯとい
った錫の化合物とギ酸インジウムから得ることができる
。
【００２０】インジウム又はアルミニウムでドープされ
た酸化亜鉛の層は、ヨーロッパ特許公開第３８５７６９
号に記されているとおり、ジエチル亜鉛又は酢酸亜鉛及
びトリエチルインジウム、塩化インジウム又はトリエチ
ルアルミニウム、塩化アルミニウムから、蒸気相熱分解
により得ることができる。
た酸化亜鉛の層は、ヨーロッパ特許公開第３８５７６９
号に記されているとおり、ジエチル亜鉛又は酢酸亜鉛及
びトリエチルインジウム、塩化インジウム又はトリエチ
ルアルミニウム、塩化アルミニウムから、蒸気相熱分解
により得ることができる。
【００２１】本発明を以下の例によって説明するが本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
【００２２】
【実施例】例１
フロート浴内部で ７００℃の温度にされ、１２ ｍ／
分の速度で移動するフロートタイプのガラステープ上に
、 ＣＶＤ法によって、シラン、プロパン、二酸化炭素
及びキャリヤガスとしての窒素を含む気体混合物をガラ
スに対しスプレーしてオキシ炭化珪素の層を形成する。 プロパン対シランの体積比は３：１、二酸化炭素対シラ
ンの体積比は１５：１、二酸化炭素対プロパンの体積比
は６：１である。キャリヤガスは混合物の体積の１８％
を占めている、厚み８０ｎｍ、屈折率１．７４のオキシ
炭化珪素の層が得られた。
分の速度で移動するフロートタイプのガラステープ上に
、 ＣＶＤ法によって、シラン、プロパン、二酸化炭素
及びキャリヤガスとしての窒素を含む気体混合物をガラ
スに対しスプレーしてオキシ炭化珪素の層を形成する。 プロパン対シランの体積比は３：１、二酸化炭素対シラ
ンの体積比は１５：１、二酸化炭素対プロパンの体積比
は６：１である。キャリヤガスは混合物の体積の１８％
を占めている、厚み８０ｎｍ、屈折率１．７４のオキシ
炭化珪素の層が得られた。
【００２３】例２
例１と同じ条件の下で、シラン、プロパン、亜酸化窒素
及びキャリヤガスとしての窒素の気体混合物を用いて、
ガラスの上にオキシ炭化珪素の層を形成する。プロパン
対シランの体積比は３：１、亜酸化窒素対シランの体積
比は２：１、亜酸化窒素対プロパンの体積比は１：１で
ある。キャリヤガスは気体混合物の体積の４４％を占め
ている。厚み９０ｎｍ、屈折率１．７２のオキシ炭化珪
素の層が得られた。例１及び２で得られたガラスの上に
、二フッ化ジブチル錫ＤＢＴＦを用いた粉末熱分解によ
りフッ素ドーピング酸化錫の半導体層を形成した。この
層の厚みは ３００ｎｍ、屈折率は２である。２つのケ
ースにおいて、８０％の光透過率を有し反射時に中性色
を呈する板ガラスが得られた。
及びキャリヤガスとしての窒素の気体混合物を用いて、
ガラスの上にオキシ炭化珪素の層を形成する。プロパン
対シランの体積比は３：１、亜酸化窒素対シランの体積
比は２：１、亜酸化窒素対プロパンの体積比は１：１で
ある。キャリヤガスは気体混合物の体積の４４％を占め
ている。厚み９０ｎｍ、屈折率１．７２のオキシ炭化珪
素の層が得られた。例１及び２で得られたガラスの上に
、二フッ化ジブチル錫ＤＢＴＦを用いた粉末熱分解によ
りフッ素ドーピング酸化錫の半導体層を形成した。この
層の厚みは ３００ｎｍ、屈折率は２である。２つのケ
ースにおいて、８０％の光透過率を有し反射時に中性色
を呈する板ガラスが得られた。
【００２４】本発明に従って得られた板ガラスすなわち
ガラス製支持体、厚み５０〜１００ｎｍ のオキシ炭化
珪素層ならびにドープされた酸化錫又はＩＴＯ の層と
いった厚み １００ｎｍ〜８００ｎｍ の半導体層を含
む板ガラスは、特に建物用の低発光能の板ガラスとして
用いることができる。このような板ガラスは特に、ガラ
ス支持体、厚み８０ｎｍのオキシ炭化珪素層及び厚み約
３００ｎｍで発光能が０．１７〜０．２０のフッ素ド
ーピングされた酸化錫層を含む。本発明に基づくもう一
つの低発光能板ガラスは、ガラス支持体、厚み８０ｎｍ
のオキシ炭化珪素層及び０．１１という発光能を呈する
厚み １８０ｎｍの ＩＴＯ層を含んでいる。
ガラス製支持体、厚み５０〜１００ｎｍ のオキシ炭化
珪素層ならびにドープされた酸化錫又はＩＴＯ の層と
いった厚み １００ｎｍ〜８００ｎｍ の半導体層を含
む板ガラスは、特に建物用の低発光能の板ガラスとして
用いることができる。このような板ガラスは特に、ガラ
ス支持体、厚み８０ｎｍのオキシ炭化珪素層及び厚み約
３００ｎｍで発光能が０．１７〜０．２０のフッ素ド
ーピングされた酸化錫層を含む。本発明に基づくもう一
つの低発光能板ガラスは、ガラス支持体、厚み８０ｎｍ
のオキシ炭化珪素層及び０．１１という発光能を呈する
厚み １８０ｎｍの ＩＴＯ層を含んでいる。
【００２５】本発明に基づく層はその上、アルカリイオ
ンの拡散に対する障害層を構成する。従ってこれらの層
を支持するガラスは、アルカリイオン特にナトリウムイ
オンの拡散を避けなくてはならない液晶表示装置といっ
たオプトエレクトロニクス装置において基板として有効
であり得る。
ンの拡散に対する障害層を構成する。従ってこれらの層
を支持するガラスは、アルカリイオン特にナトリウムイ
オンの拡散を避けなくてはならない液晶表示装置といっ
たオプトエレクトロニクス装置において基板として有効
であり得る。
【００２６】本発明に基づくオキシ炭化珪素及び半導体
層を含み、しかも美的観点及び可視光線の透過の観点か
らみてわずらわしい着色を呈さないガラスは同様に、特
にフロントガラスを形成するためのデフロスタガラスな
どの自動車用ガラスとしても有効である。この場合、こ
れらのガラスは、単一のガラス支持体をもつ合わせガラ
スを構成すべく半導体層と接触して配置されたポリウレ
タンなどのプラスチック重合体シートに結びつけること
もできるし、或いは又、２枚のガラス板を含む合わせガ
ラスを形成すべく、ポリビニルブチラル、ポリウレタン
又はポリ塩化ビニルといったプラスチック重合体シート
を介してもう一枚のガラス板に結びつけられる。半導体
層への給電のために、これらの板ガラスには、板ガラス
の上縁部及び下縁部に沿って配置された銅の薄箔及び／
又はシルクスクリーン加工された帯といった導電路が含
まれている。
層を含み、しかも美的観点及び可視光線の透過の観点か
らみてわずらわしい着色を呈さないガラスは同様に、特
にフロントガラスを形成するためのデフロスタガラスな
どの自動車用ガラスとしても有効である。この場合、こ
れらのガラスは、単一のガラス支持体をもつ合わせガラ
スを構成すべく半導体層と接触して配置されたポリウレ
タンなどのプラスチック重合体シートに結びつけること
もできるし、或いは又、２枚のガラス板を含む合わせガ
ラスを形成すべく、ポリビニルブチラル、ポリウレタン
又はポリ塩化ビニルといったプラスチック重合体シート
を介してもう一枚のガラス板に結びつけられる。半導体
層への給電のために、これらの板ガラスには、板ガラス
の上縁部及び下縁部に沿って配置された銅の薄箔及び／
又はシルクスクリーン加工された帯といった導電路が含
まれている。
Claims (19)
- 【請求項１】 化学的蒸着法（ＣＶＤ） による、
７５０℃未満の温度に加熱されたガラス製支持体の上に
オキシ炭化珪素層を形成する方法であって、支持体の上
にシラン（珪化水素）、飽和炭化水素及び酸化剤を含む
気体混合物をスプレーすることを特徴とする形成方法。 - 【請求項２】 炭化水素は１〜４個の炭素原子を有す
る飽和脂肪族炭化水素であることを特徴とする、請求項
１記載の方法。 - 【請求項３】 炭化水素はプロパン又はブタンである
ことを特徴とする、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 酸化剤は二酸化炭素又は亜酸化窒素で
あることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に
記載の方法。 - 【請求項５】 飽和炭化水素対シランの体積比が２：
１〜５：１であることを特徴とする、請求項１〜４のい
ずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 二酸化炭素対シランの体積比が１０：
１〜２０：１であることを特徴とする、請求項１〜５の
いずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 亜酸化窒素対シランの体積比が１：１
〜５：１であることを特徴とする、請求項１〜５のいず
れか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 二酸化炭素対飽和炭化水素の体積比が
２：１〜１０：１であることを特徴とする、請求項１〜
６のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 亜酸化窒素対飽和炭化水素の体積比が
０．５：１〜３：１であることを特徴とする、請求項
１〜５及び７のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】 オキシ炭化珪素層の形成はフロート
炉内で起こることを特徴とする、請求項１〜９のいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１１】 ガラス製支持体及び １．６から１
．９ の屈折率を有し厚みが５０ｎｍから １００ｎｍ
のオキシ炭化珪素の層を含む、請求項１〜１０のいずれ
か１項に記載の方法によって得られたガラス。 - 【請求項１２】 該オキシ炭化珪素層の上に形成され
た厚み １００ｎｍから ８００ｎｍの半導体透明薄層
がさらに含まれていることを特徴とする、請求項１１記
載のガラス。 - 【請求項１３】 該半導体層はフッ素でドープされた
酸化錫の層、錫でドープされた酸化インジウムの層又は
インジウムかアルミニウムでドープされた酸化亜鉛の層
であることを特徴とする、請求項１２記載のガラス。 - 【請求項１４】 約 ３００ｎｍの厚みについて０．
１７から０．２０の発光能を呈するフッ素でドープされ
た酸化錫の半導体層を含む、低発光能板ガラスとしての
請求項１３記載のガラス。 - 【請求項１５】 約 １８０ｎｍの厚みについて０．
１１の発光能の呈する錫でドープされた酸化インジウム
の半導体層を含む、低発光能板ガラスとしての請求項１
３記載のガラス。 - 【請求項１６】 オプトエレクトロニクス装置用の基
板としての請求項１２〜１３のいずれか１項に記載のガ
ラス。 - 【請求項１７】 液晶表示装置のためのアルカリイオ
ンに対する障壁特性をもつ基板としての、請求項１２〜
１３のいずれか１項に記載のガラス。 - 【請求項１８】 該半導体層と接する形でプラスチッ
ク重合体特にポリウレタンのシートならびに板ガラスの
上縁及び下縁に沿って配置された導電路を含む合わせデ
フロスタガラスとしての、請求項１２〜１３のいずれか
１項に記載のガラス。 - 【請求項１９】 該半導体層と接触した形で ＰＶＢ
， ＰＶＣ 又はＰＵタイプのプラスチック重合体の挿
入シートならびに板ガラスの上縁及び下縁に沿って配置
された導電路を含む、合わせデフロスタガラスとしての
、請求項１２〜１３のいずれか１項に記載のガラス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9001390 | 1990-02-07 | ||
| FR9001390A FR2657866A1 (fr) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Procede de formation d'une couche d'oxycarbure de silicium sur du verre, verre obtenu et son utilisation dans des vitrages a couche semi-conductrice. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214047A true JPH04214047A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=9393450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3015408A Pending JPH04214047A (ja) | 1990-02-07 | 1991-02-06 | ガラス支持体にオキシ炭化珪素層を形成する方法及び半導体層を含んでなる製品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0441705A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04214047A (ja) |
| KR (1) | KR910015503A (ja) |
| FR (1) | FR2657866A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523776A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-08-23 | サン−ゴバン グラス フランス | 疎水性表面を有し、当該疎水性の耐久性が改良されたガラス基材などの基材 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2684095B1 (fr) * | 1991-11-26 | 1994-10-21 | Saint Gobain Vitrage Int | Produit a substrat en verre muni d'une couche a basse emissivite. |
| NO931606L (no) * | 1992-05-26 | 1993-11-29 | Saint Gobain Vitrage | Vindusplate med en funksjonell film |
| FR2701474B1 (fr) * | 1993-02-11 | 1995-03-31 | Saint Gobain Vitrage Int | Vitrage muni d'une couche fonctionnelle. |
| FR2704545B1 (fr) * | 1993-04-29 | 1995-06-09 | Saint Gobain Vitrage Int | Vitrage muni d'une couche fonctionnelle conductrice et/ou basse-émissive. |
| US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
| US5723172A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Dan Sherman | Method for forming a protective coating on glass |
| PL3319915T3 (pl) * | 2015-07-07 | 2020-06-15 | Agc Glass Europe | Szklane podłoże o podwyższonej odporności na warunki atmosferyczne i środki chemiczne |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2545983B1 (fr) * | 1980-09-10 | 1987-10-30 | Air Liquide | Procede d'opalisation d'ampoules d'eclairage par voie gazeuse |
| JPS60166471A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-29 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
| GB8630918D0 (en) * | 1986-12-24 | 1987-02-04 | Pilkington Brothers Plc | Coatings on glass |
| GB8814922D0 (en) * | 1988-06-23 | 1988-07-27 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
-
1990
- 1990-02-07 FR FR9001390A patent/FR2657866A1/fr active Pending
-
1991
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- 1991-02-07 EP EP91400287A patent/EP0441705A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523776A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-08-23 | サン−ゴバン グラス フランス | 疎水性表面を有し、当該疎水性の耐久性が改良されたガラス基材などの基材 |
Also Published As
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