KR101774611B1 - 개선된 기계적 강도를 갖는 층으로 코팅된 유리 기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 광전압 모듈의 전극을 구성할 수 있고 도핑된 산화물로 이루어진 투명 전기 전도성 층과 결합된 투명 유리 기판이며, 유리 기판과 투명 전기 전도성 층 사이에, 1종 이상의 제1 질화물 또는 옥시질화물, 또는 유리와의 접착성이 우수한 산화물 또는 옥시탄화물의 층에 이어서, 1종 이상의 제2 질화물 또는 옥시질화물, 또는 유리와의 접착성이 우수한 산화물 또는 옥시탄화물, 및 1종 이상의 제3 질화물 또는 옥시질화물, 또는 임의로 도핑된 상태에서 투명 전기 전도성 층을 구성할 수 있는 산화물 또는 옥시탄화물의 혼합 층이 개재된 것을 특징으로 하는 투명 유리 기판에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 기판의 제조 방법, 및 상기 기판을 포함하는 광전압 모듈, 성형된 전기 가열 유리, 플라즈마 스크린, 평면 램프 전극 및 저방사율 유리에 관한 것이다.
Description
본 발명은 광전압(photovoltaic) 모듈의 전면 기판, 구체적으로 투명 유리 기판에 관한 것이며, 또한 상기 기판을 포함하는 광전압 모듈에 관한 것이다.
광전압 모듈에서, 입사 방사선의 작용 하에 전기 에너지를 생성하는 광전압 물질을 함유하는 광전압 시스템이 후면 기판과 전면 기판 사이에 배치되며, 이러한 전면 기판은 입사 방사선이 광전압 물질에 도달하기 전에 통과하는 첫번째 기판이다.
광전압 물질은 예를 들면 텔루르화카드뮴, 무정형 규소, 미세결정질 규소 또는 3원 황동광(일반적으로 구리, 인듐 및 셀레늄을 함유함)으로 이루어질 수 있는 흡수제를 의미하는 것으로 이해된다. 이와 같은 흡수제의 층들은 CISe2 층들로 언급된다. 또한, 흡수제의 층은 갈륨(예: Cu(In,Ga)Se2 또는 CuGaSe2), 알루미늄 (예: Cu(In,Al)Se2) 또는 황 (예: CuIn(Se,S))을 함유할 수도 있다. 일반적으로 이들은 황동광 흡수제 층이라는 용어로 명명된다.
광전압 전지에서, 전면 기판은 일반적으로, 광전압 물질을 향하는 주요 표면 아래에, 입사 방사선이 도달하는 주요 방향이 상부를 경유하는 것으로 생각할 때 아래에 놓인 광전압 물질과 전기적으로 접촉하는 투명 전극 코팅을 포함한다.
본 발명에 있어서, "광전압 전지"라는 용어는 태양 방사선 전환에 의해 그의 전극들 사이에서 전류를 생성하는 구성성분들의 임의의 어셈블리를 의미하는 것으로 이해하여야 하며, 상기 어셈블리의 치수가 어떠한지, 생성된 전류의 강도 및 전압이 어떠한지, 특히 이러한 구성성분들의 어셈블리가 하나 이상의 내부 전기 접속(직렬 및/또는 병렬)을 갖는지 아닌지는 무방하다. 그러므로, 본 발명에 있어서 "광전압 전지"의 관념은 "광전압 모듈" 또는 "광전압 패널"의 관념과 동등한 것이다.
본 발명은 유리 기판 상에서 장점이 큰, 특히 산화물을 주성분으로 하는, 투명 전도성 층에 관한 것이다.
그의 예로서는, 주석으로 도핑된 산화인듐의 ITO(인듐 주석 산화물) 층, 플루오린으로 도핑된 산화주석의 SnO2:F 층을 들 수 있다. 이와 같은 층들은 하기와 같은 특정의 용도에서 전극을 구성한다: 평면 램프, 전계발광 글레이징, 전기발색 글레이징, 액정 디스플레이 스크린, 플라즈마 스크린, 광전압 패널 또는 모듈, 전기 가열 유리. 예를 들어 저방사율(low-emissivity) 글레이징에 대한 다른 용도에 있어서, 이러한 투명 전도성 층은 전압을 받을 필요가 없다.
종래 기술에서, 상기 투명 전도성 층은 일반적으로 유리 기판 상에서 투명 전도성 층 또는 투명 전도성 층들의 스택(stack)의 광학적 특성을 개선하기 위해서 하층과 결합된다. 완전한 것은 아니지만, 특히 PPG의 EP 611 733을 언급할 수 있으며, 여기서는 플루오린-도핑된 산화 주석의 투명 전도성 층에 의해 유발되는 무지개광 효과를 방지하기 위해서 산화규소와 산화주석의 혼합된 구배 층을 제안하고 있다. 또한 로이 고돈(Roy Gordon)의 특허 FR 2 419 335도 플루오린-도핑된 산화주석의 투명 전도성 층의 색상 특성을 개선하기 위한 상기 하층의 변형예를 제안하고 있다. 반면, 상기 특허에 인용된 전구체는 공업 규모에서는 사용할 수가 없다. 또한, 필킹턴(Pilkington)의 특허 EP 0 275 662 B1도 언급할 수 있으며, 여기서는 플루오린-도핑된 산화주석을 주성분으로 하는 전기 전도성 층 아래의 규소 옥시탄화물로 이루어진 하층을 제안하고 있으며, 상기 하층은 알칼리 금속이 유리로 확산하는 것에 대한 배리어 층으로서, 그리고 반사시 색상을 중화시키기 위한 무지개광 방지 층으로서 이중 역할을 제공한다. 또한, 세인트 고벵(SAINT-GOBAIN)은 이 분야에서 노하우를 가지고 있다: 특허 FR 2 736 632는 플루오린-도핑된 산화주석의 투명 전도성 층에 대한 색상방지 하층으로서 산화규소와 산화주석의 혼합된 역 지수-구배 하층을 제안하고 있다.
한편, 광전압 모듈 또는 전술한 바와 같은 모든 활성 용도에서 유리 상의 투명 전도성 층은 박리하는 경향이 있는 것으로 관찰된 바 있다. 층의 박리는 층이 유리에 대한 접착력을 손실하는 것을 의미한다. 이는 당업자가 쉽게 검출할 수 있는 균열의 형성에 의해 확인된다. 균열의 진행은 층의 탈착을 유발하므로, 당해 용도의 기능성을 제거한다.
이러한 현상이 드러나는 것을 촉진하기 위해 노화 시험을 개발하였다. 노화 시험은 유리 및 그 전극을 다양한 시간 동안 전기장의 작용 하에 두는 것으로 이루어진다. 이 시험의 목적은 알칼리 금속을 유리로부터 강제로 층에 확산시키는 것이며, 이러한 확산은 박리가 나타나는 원인 중 하나이다. 박리 시험은 하기와 같은 방식으로 수행한다. 먼저, 예를 들어 은을 주성분으로 하는 상대전극을 유리 상에서 전기 전도성 전극이 구비된 면에 대향하는 면 상에 침착시킨다. 이어서, 형성된 어셈블리를, 은-기재 표면을 핫플레이트 상에 직접 접촉시키거나, 오븐에서 어닐링함으로써 200℃로 만든다. 일단 열 평형에 도달하면, 대략 -200V의 포텐셜을 전기 전도성 전극에 인가하고, 은-기재 상대전극은 접지시킨다. 이와 같이 하면, 전기장이 형성되고, 그 전기장은 유리로부터 전기 전도성 층으로 알칼리 금속의 이동을 유발한다. 이 시험을 1분 내지 약 20분 범위의 다양한 시간 동안 수행함으로써, 예컨대 표준 온도 및 압력 조건 하에 유리의 전기 비저항 값에 따라서 0.1 내지 40 mC/㎠ 이상의 전하 변위를 유도한다. 박리가 일어난 때부터 이와 같이 변위된 전기 전하의 바닥값이 관찰된다. 이와 같은 박리 현상은 종래 기술에 언급된 하층을 사용할 경우에도 관찰된다.
유리 기판 상에 침착된 투명 전도성 산화물 층의 박리 문제를 해결하기 위해서, 본 발명자들은 유리 기판을 투명 전도성 산화물 층에 결합시켜 상기 층의 접착력을, 특히 어셈블리를 100℃ 초과, 심지어는 200℃ 초과의 고온에서 전기장 하에 배치하는 조건 하에서도 현저하게 개선시키는 하층들의 스택을 개발하였다.
따라서, 본 발명의 한 주제는 광전압 모듈의 전극을 구성할 수 있고 도핑된 산화물로 이루어진 투명 전기 전도성 층과 결합된 투명 유리 기판에 있어서, 유리 기판과 투명 전기 전도성 층 사이에, 1종 이상의 제1 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 유리와의 접착성이 우수한 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)의 층에 이어서, 1종 이상의 제2 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 유리와의 접착성이 우수한 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들), 및 1종 이상의 제3 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 임의로 도핑된 상태에서 투명 전기 전도성 층을 구성할 수 있는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)의 혼합 층이 개재된 것을 특징으로 하는 투명 유리 기판을 제공한다.
따라서, 본 발명에 따르면 여러 관점에서 광전압 모듈에 적합한 층들의 스택을 얻을 수 있다.
상기 유리 기판의 기계적 강도는 전기장의 존재 하에 나쁜 영향을 받지 않으며, 상기 전기장의 근원은 광전압 모듈에의 전압의 인가 또는 상기 모듈 주위의 금속 프레임의 존재와 관련된 외부적이거나 내부적인 것일 수 있으며, 상기 전기장의 포텐셜은 실제 옥외 태양 노출 조건 하에 사용하기 위해 변동될 수 있다. 여기서 언급한 태양 스펙트럼은 ASTM 표준에 의해 정의된 AM 1.5 태양 스펙트럼이다. 이와 같은 현저한 개선을 대형 유리 표면(전가폭 플로트(full-width float), 프랑스어로 PLF)에 대해 얻을 수 있는데, 그 이유는 이와 같은 규모와 양립하는 침착 공정을 당해 층에 이용할 수 있기 때문이다.
또한, 확산 투과 및 헤이즈 측정기를 사용해서 측정한 헤이즈의 국소적인 변화와 같은 심미학적 결함이 해결되므로, 본 발명은 광전압 모듈의 제조에 매우 특히 적합하다.
유리하게도, 본 발명의 기판의 기계적 강도는 기판의 양면을 100V 이상, 바람직하게는 200 V 이상의 전기장 및 200℃ 이상의 온도로 처리한 지 24시간 후에도 나쁜 영향을 받지 않으며, 시험 온도에서 유리 기판의 전기 비저항 값에 따라서 2 mC/㎠ 이상, 바람직하게는 4 mC/㎠ 이상의 전기장 변위를 유발한다. 상기 기계적 강도는 스택 또는 스택의 일부분이 박리되지 않는 것으로 이해된다.
바람직하게는,
- 상기 제1 및 제2 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)는 Si, Al 및 Ti의 질화물 또는 옥시질화물, 또는 산화물 또는 옥시탄화물, 특히 SiOC, SiO2, SiON, TiO2, TiN 및 Al2O3으로부터 선택되고;
- 상기 제3 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)은 Sn, Zn 및 In의 질화물 또는 옥시질화물, 또는 산화물 또는 옥시탄화물, 특히 SnO2, ZnO 및 InO로부터 선택되며;
- 상기 투명 전기 전도성 층은 Sn, Zn 또는 In의 도핑된 산화물, 예컨대 SnO2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al, ZnO:Ga, ZnO:B, InO:Sn 또는 ZnO:In으로 이루어진다.
기판의 기계적 강도와 소정의 광학적 특성의 최적 조합을 제공하는 실시양태에 따르면,
- 상기 1종 이상의 제1 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)의 층은 규소 옥시탄화물 SiOC의 층이고;
- 상기 혼합 층은 규소 주석 산화물의 층이며;
- 상기 혼합 층에서 [Si]/[Sn] 몰비는 1 이상, 바람직하게는 2 이상이고(본 발명자들은 이러한 특징이 특히 광전압 모듈로서의 용도의 맥락에서 전술한 바와 같이 기계적 양도에 특히 우수한 효과를 갖는다는 것을 발견하였음);
- 상기 1종 이상의 제1 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)의 층의 두께는 5 nm 이상이며;
- 상기 1종 이상의 제1 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)의 층의 두께는 80 nm 이하이며(실제로, 이보다 큰 두께는 예컨대 기계적 강도의 관점에서 추가의 장점을 제공하지 못함);
- 상기 혼합 층의 두께는 3 nm 이상이고;
- 상기 혼합 층의 두께는 65 nm 이하, 바람직하게는 40 nm 이하이며(이보다 두께가 클 경우 헤이즈의 국소적인 변화가 나타나서 특히 광전압 모듈의 최종 제품의 심미학적 외관에 다소 나쁜 영향을 미칠 수 있음);
- 상기 도핑된 산화물로 이루어진 투명 전기 전도성 층은, 동일하지만 비도핑된 산화물의 층이 개재된 상태로 상기 혼합 층에 결합되고, 상기 비도핑된 산화물 및 도핑된 산화물의 두 층의 합한 두께는 특히 300 내지 1600 nm, 바람직하게는 1100 nm 이하, 특히 바람직하게는 900 nm 이하이며, 두 층의 두께의 비는 1:4 내지 4:1이다.
또한, 본 발명의 또 다른 주제는 전술한 바와 같은 기판의 제조 방법을 제공하며, 본 발명의 방법에서는 상기 1종 이상의 제1 질화물(들) 또는 옥시질화물(들), 또는 산화물(들) 또는 옥시탄화물(들)의 층, 상기 혼합 층, 이어서 상기 투명 전기 전도성 층을 연속적인 화학 증기 침착에 의해서 수득한다.
화학 증기 침착(CVD)은 대형 유리 표면 상에서, 특히 전가폭 플로트(프랑스어로 PLF) 상에서 공업적인 규모로 용이하게 수행할 수 있다. 진공 설비는 불필요하다.
구체적으로 하기와 같다.
- SiO2(SiOC-SiOSn)의 전구체로서: 테트라에톡시실란(TEOS), 헥사메틸디실록산(HMDSO), 실란(SiH4);
- SnO2(SiOSn, SnO2, SnO2:F)의 전구체로서: 모노부틸주석 트리클로라이드(MBTCl), 디부틸주석 디아세테이트(DBTA), 주석 테트라클로라이드(SnCl4); 디부틸주석 디클로라이드(DBTCl);
- 기타 탄소-기재 전구체(SiOC)로서: 에틸렌, 이산화탄소;
- 기타 산소-기재 전구체(SiOC, SiOSn, SnO2, SnO2:F)로서: 이산화탄소, 산소, 물;
- 플루오린-기재 전구체(SnO2:F)로서: 테트라플루오로메탄(CF4), 옥타플루오로프로판(C3F8), 헥사플루오로에탄(C2F6), 플루오린화수소(HF), 디플루오로클로로메탄(CHClF2), 디플루오로클로로에탄(CH3CClF2), 트리플루오로메탄(CHF3), 디클로로디플루오로메탄(CF2Cl2), 트리플루오로클로로메탄(CF3Cl), 트리플루오로브로모메탄(CF3Br), 트리플루오로아세트산(TFA, CF3COOH), 트리플루오린화질소(NF3).
상기 연속적인 침착은 500℃ 이상의 기판 온도에서 수행하는 것이 유리하며, 그 온도는 650℃ 이상의 값에 이를 수 있다.
예를 들면, SiOC 층을 유리 기판 제조 라인 상에서 침착시키고, 상기 제조 라인 밖에서 SiOSn 층을 침착시키거나, 다른 예로서 상기 두 층을 모두 상기 제조 라인 밖에서 침착시킬 수 있다.
그러나, 본 발명의 방법의 바람직한 실시양태에 따르면, 이와 같은 연속적인 화학 증기 침착을 유리 기판 제조 라인 상에서, 예를 들면 플로트, 배출구 및 레어(lehr) 개시점을 포함하는 영역 내의 연속적인 리본 상에서 수행한다.
이외에도 본 발명의 다른 주제는 하기를 제공한다.
- 전술한 바와 같은 기판을 포함하는 광전압 모듈;
- 전술한 바와 같은 기판을 포함하는 성형된 전기 가열 유리;
- 본 발명에 따른 기판을 포함하는 플라즈마 스크린(플라즈마 디스플레이 패널용 PDP);
- 상기 기판을 포함하는 평면 램프 전극; 및
- 상기 기판을 포함하는 저 방사율(로이(low-e))유리.
이하에서는 실시예에 의거하여 본 발명을 설명하고자 한다.
비교 실시예 1
이하의 모든 실시예에서, 소다라임 플로트 유리의 5 cm x 5 cm x 3.2 mm 샘플 상에 층들을 화학 증기 침착에 의해 침착시켰다. 샘플을 600℃에서 가열하였다.
실시예의 나머지 부분에서 제시된 분율은 몰퍼센트이다.
하기로부터 출발하여 SiOC의 25 nm 층을 침착시켰다.
SiH4 7.8%;
C2H4 26.6%;
N2 47.8%; 및
CO2 17.7%.
이어서, 하기로부터 출발하여 SnO2:F의 1 ㎛ 층을 침착시켰다.
모노-n-부틸주석 트리클로라이드(MBTCl) 3.63%;
트리플루오로아세트산(TFA) 0.45%;
물 20%;
N2 57%; 및
O2 19%.
모든 실시예에서, 샘플을 샘플의 양면 상에서 200 V의 전기 전압으로, 그리고 다양한 시간 동안 200℃의 온도로 처리하였다. 이러한 작업을 수행한지 24 시간 후에 박리가 발생하는 변동된 전기 전하의 바닥값이 관찰되었다(상기 노화 시험의 상세한 설명 참조).
여기서 바닥값은 0.5 mC/㎠ 미만이며, 이것은 많은 용도에서, 특히 광전압 모듈로서는 불충분한 비교적 낮은 기계적 강도에 해당하는 것으로 생각된다.
또한, 헤이즈의 실질적인 국소 변화가 관찰되지 않았다.
비교
실시예
2
하기로부터 출발하여 SiOSn의 40 nm 층을 침착시켰다.
MBTCl 0.08%;
테트라에톡시실란(TEOS) 0.04%;
물 0.17%;
N2 93.1%; 및
O2 6.6%.
상기 층에서 Si/Sn 몰비는 0.5이다.
이어서, 실시예 1과 같이 SnO2:F의 1 ㎛ 층을 침착시켰다.
0.5 mC/㎠ 미만의 변위된 전기 전하 값부터 시작해서 박리가 관찰되었으며, 이는 불충분한 값이다.
더욱이, 이 샘플은 제품의 심미학적 외관에 나쁜 영향을 미치는 헤이즈의 국소 변화를 나타내었다.
실시예
3
하기를 침착시켰다.
- 실시예 1과 같은 SiOC의 25 nm 층;
- 실시예 2와 같은 SiOSn의 40 nm 층(Si/Sn 몰비 0.5); 및
- 상기 실시예들과 같은 SnO2:F의 1 ㎛ 층.
1 mC/㎠ 미만의 변위된 전기 전하 값부터 시작해서 박리가 관찰되었으며, 이것은 상기 실시예들에 비해서 실질적으로 개선된 것이지만, 특정의 의도하는 용도에서는 여전히 불충분할 수 있다.
헤이즈의 국소 변화는 관찰되지 않았다.
실시예 4
하기를 침착시켰다.
- 실시예 3과 같은 SiOC의 25 nm 층;
- 하기로부터 출발하여 수득된 Si/Sn 몰비가 1.4인 SiOSn의 40 nm 층:
MBTCl 0.08%;
TEOS 0.11%;
물 0.17%;
N2 93%; 및
O2 6.6%; 및
- 실시예 3과 같은 SnO2:F의 층.
4-5 mC/㎠의 변위된 전기 전하 값부터 시작해서 박리가 발생하였으며, 이것은 많은 의도하는 용도에 적합한 값이다.
헤이즈의 국소 변화는 관찰되지 않았다.
실시예 5
본 실시예에서는 SiOSn 층이 단지 그의 Si/Sn 몰비가 2.7이고 하기로부터 수득된다는 것을 제외하고는, 실시예 4를 반복하였다.
MBTCl 0.08%;
TEOS 0.23%;
물 0.17%;
N2 92.9%; 및
O2 6.6%.
10 mC/㎠의 변위된 전기 전하의 바닥값부터 시작해서 박리가 발생하였으며, 이것은 매우 우수한 값이다.
헤이즈의 국소 변화는 관찰되지 않았다.
실시예 6
SiOSn 층이 그의 Si/Sn 몰비가 2.7이고 두께가 80 nm이며 하기로부터 수득되는 것으로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 3-5를 반복하였다.
MBTCl 0.14%;
TEOS 0.37%;
물 0.26%;
N2 86.8%; 및
O2 12.4%.
15 mC/㎠의 변위된 전기 전하의 바닥값부터 시작해서 박리가 발생하였으며, 이것은 매우 우수한 값이다.
그러나, 헤이즈의 국소 변화가 관찰되었다.
실시예 7
SiOSn 층의 Si/Sn 몰비가 0.5이고 하기로부터 수득된다는 것을 제외하고는, 실시예 6을 반복하였다.
MBTCl 0.14%;
TEOS 0.07%;
물 0.26%;
N2 87.1%; 및
O2 12.4%.
1 mC/㎠의 변위된 전기 전하의 바닥값부터 시작해서 박리가 발생하였으며, 이것은 용도에 따라서는 적당하거나 적당하지 않을 수 있지만, 비교적 낮은 값이다.
헤이즈의 국소 변화가 관찰되었다. 실시예 6과 같이 비교적 큰 SiOSn 층의 두께(80 nm)가 그 원인이라고 해석할 수 있다.
실시예 8
하기를 침착시켰다.
- 하기로부터의 SiOC의 50 nm 층:
SiH4 10.2%;
C2H4 35%;
N2 31.5%; 및
CO2 23.3%;
- 하기로부터 수득된 Si/Sn 몰비가 0.6인 SiOSn의 20 nm 층:
MBTCl 0.04%;
TEOS 0.02%;
물 0.11%;
N2 96.2%; 및
O2 3.6%; 및
- 상기 실시예들과 같은 SnO2:F의 층.
2 mC/㎠ 미만의 변위된 전기 전하 값부터 시작해서 박리가 발생하였으며, 이것은 특정의 용도에서는 충분할 수 있지만, 개선의 여지가 있는 값이다.
헤이즈의 국소 변화는 관찰되지 않았다.
실시예 9
본 실시예에서는 SiOSn 층이 그의 두께가 50 nm이고 Si/Sn 몰비가 2.7이며 하기로부터 수득된다는 것을 제외하고는, 실시예 8을 반복하였다.
MBTCl 0.10%;
TEOS 0.27%;
물 0.22%;
N2 91.3%; 및
O2 8.1%.
박리가 일어나는 변위된 전하의 바닥값이 본 실시예에서는 12 mC/㎠으로 높았다.
헤이즈의 국소 변화는 관찰되지 않았다.
실시예 10
SiOSn 층이 그의 두께가 70 nm이고 Si/Sn 몰비가 2.7이며 하기로부터 수득된다는 것을 제외하고는, 실시예 8 및 9를 반복하였다.
MBTCl 0.13%;
TEOS 0.37%;
물 0.31%;
N2 88.1%; 및
O2 11.1%.
본 실시예에서는 박리가 관찰되기 시작하는 변위된 전하의 바닥값이 가장 높은 값인 20 mC/㎠이었다.
그러나, 비교적 큰 SiOSn 층의 두께에 기인한 헤이즈의 국소 변화에 의해 심미학적인 외관이 약간 나쁜 영향을 받았다.
따라서, 본 발명에 의해 요구되는 용도, 특히 광전압 모듈에 대하여 완전하게 적합한 높은 기계적 강도와 고도의 조정가능한 광학적 특성을 제공하는 층들의 스택을 이용할 수 있다. 이러한 스택은 물론 현재 예상되는 가장 높은 수준의 광전압 모듈의 기능성 획득과도 양립한다.
Claims (20)
- 광전압 모듈의 전극을 구성할 수 있고 도핑된 산화물로 이루어진 투명 전기 전도성 층과 결합된 투명 유리 기판이며,
유리 기판과 투명 전기 전도성 층 사이에, 규소 옥시탄화물의 층에 이어서, 규소 주석 산화물의 층이 개재된 것을 특징으로 하는 투명 유리 기판. - 제1항에 있어서, 상기 투명 전기 전도성 층이 플루오린으로 도핑된 주석 산화물 SnO2:F 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 규소 주석 산화물의 층에서 [Si]/[Sn] 몰비가 1 이상인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 규소 옥시탄화물의 층의 두께가 5 nm 이상인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 규소 옥시탄화물의 층의 두께가 80 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 규소 주석 산화물의 층의 두께가 3 nm 이상인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 규소 주석 산화물의 층의 두께가 65 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판.
- 제2항에 있어서, 상기 플루오린으로 도핑된 주석 산화물 SnO2:F 층으로 이루어진 투명 전기 전도성 층이, 비도핑된 주석 산화물 SnO2의 층이 개재된 상태로 상기 규소 주석 산화물의 층에 결합된 것을 특징으로 하는 기판.
- 제8항에 있어서, 비도핑된 주석 산화물 SnO2 및 플루오린으로 도핑된 주석 산화물 SnO2:F의 두 층의 합한 두께는 300 내지 1600 nm이고, 두 층의 두께의 비는 1:4 내지 4:1인 것을 특징으로 하는 기판.
- 상기 규소 옥시탄화물의 층, 상기 규소 주석 산화물의 층, 이어서 상기 투명 전기 전도성 층을 연속적인 화학 증기 침착에 의해서 수득하는 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판의 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 침착을 유리 기판의 제조 라인 상에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판을 포함하는 광전압 모듈.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판을 포함하는 성형된 전기 가열 유리.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판을 포함하는 플라즈마 스크린.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판을 포함하는 평면 램프 전극.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판을 포함하는 저방사율(low-emissivity) 유리.
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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