JPH0710601A - 亜鉛およびインジウムを含む透明な導電膜を担持したガラス基板を有する製品、その製造および使用方法 - Google Patents

亜鉛およびインジウムを含む透明な導電膜を担持したガラス基板を有する製品、その製造および使用方法

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JPH0710601A JP11035191A JP11035191A JPH0710601A JP H0710601 A JPH0710601 A JP H0710601A JP 11035191 A JP11035191 A JP 11035191A JP 11035191 A JP11035191 A JP 11035191A JP H0710601 A JPH0710601 A JP H0710601A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 導電膜で被覆したガラス基板を有する製品、
その製造および使用方法に関し、透明であって特に放射
率の低い導電膜で被覆したガラス基板を有する製品、熱
還元処理を必要としないその製法、および使用方法を目
的とする。 【構成】 有機亜鉛化合物20〜80重量％と有機インジウ
ム化合物80〜20重量％とを含む粉末混合物を高温度のガ
ラス基板に吹付けて熱分解させ、インジウム原子10〜34
％を含む亜鉛とインジウムとの混合物の酸化物からなる
導電膜を成膜するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に放射率および抵抗
率が低くて透明な金属酸化物を含む導電性薄膜を被覆し
たガラス基板を有する製品に関する。また本発明はこの
ような製品の製法、特に金属化合物粉末の熱分解による
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】建築用ガラス板は、光およびエネルギー
の透過率がたとえば厚み４mmについて約90％と高い透明
なケイ酸ナトリウムカルシウム塩ガラスで作ることが有
利とされている。建物の内部から外部に向けて逃げる熱
を減少させて、特に冬季における居住者の快適性を改良
するために、ガラス板の赤外線反射率を高めるいわゆる
放射率が低い金属酸化物の導電膜でガラス板の表面を被
覆した窓ガラスが知られている。
【０００３】このような膜で被覆されたガラス板は、被
覆されていない他のガラス板と組合せて、これらの間に
空気層を有する、分離された二重ガラス板を形成するこ
とができる。
【０００４】導電膜の放射率が低いことは、この膜の抵
抗率が低いことを伴なう。この種の導電膜を有するガラ
ス板は加熱ガラス、特に自動車の分野で前面の風防ガラ
スおよび後面ガラスを形成するためにも使用することが
できる。
【０００５】透明な導電被覆を有し、放射率および抵抗
率が低いガラス板が知られている。これはたとえばフッ
素をドープした酸化スズ膜、またはスズをドープした酸
化インジウム膜(ITO) のような金属酸化物の薄膜と、ガ
ラス基板とから形成することができる。
【０００６】これらの薄膜は多様な方法で作ることがで
きる。たとえば真空中で蒸着、もしくはマグネトロンを
使用することもあるスパッタリングによるか、または金
属化合物を溶液、粉末または気体として、加熱された基
板に吹付ける熱分解によることができる。この場合、化
合物は、高温度であるがガラスの軟化点より低い温度に
加熱されたガラス基板と接触して、分解し酸化されて金
属酸化物を形成する。
【０００７】フッ素をドープした酸化スズ膜およびＩＴ
Ｏ膜は粉末の熱分解によって得られる。フッ素をドープ
した酸化スズ膜は、ジブチルスズ酸化物（DBTO）粉末と
無水フッ化水素酸気体とから製造し、またフランス特許
2380997に記載するようにジブチルスズ二フッ化物（DB
TF）から製造することができ、これは欧州特許出願公開
Ａ−178956およびＡ−039256に記載するように、DBTOと
混合して製造してもよい。ＩＴＯ膜に関しては、たとえ
ば欧州特許出願公開Ａ−192009に記載するように、スズ
化合物たとえばDBTOとギ酸インジウムとから製造するこ
とができる。
【０００８】こうして粉末の熱分解によって得たフッ素
をドープした酸化スズの導体膜は、厚みが 180nmで、常
温における放射率が0.35であり、抵抗率が約10・10-4Ω
・cmである。
【０００９】また粉末の熱分解によって得たＩＴＯ膜は
厚みが 180nmで、常温における放射率が0.11であり、抵
抗率が２・10-4Ω・cmである。
【００１０】フッ素をドープした酸化スズ膜は、特定の
使用に適した興味ある特性を示すが、さらに放射率が低
い膜が求められている。
【００１１】ＩＴＯ膜は、フッ素をドープした酸化スズ
膜より放射率が低いが、この低放射率を得るには、ＩＴ
Ｏ膜を熱還元処理する必要があり、これは膜の最初の費
用を増加させる。
【００１２】そこで、透明であって、熱還元処理を必要
とせず、特に放射率の低い、新規な導体膜を被覆したガ
ラス基板を有する製品の製法が探求されてきた。
【００１３】本発明の製品は、電子的マイクロプローブ
分析による測定値がインジウム原子10〜34％である亜鉛
とインジウムとの混合酸化物からなる金属酸化物の透明
な導電膜とガラス基板とを含む。
【００１４】このような製品を製造するための本発明の
方法は、基板の温度で熱分解される、有機亜鉛化合物20
〜80重量％と有機インジウム化合物20〜80重量％とから
なる粉末混合物をキャリアガスに懸濁させて、ガラス軟
化点より低い温度のガラス基板に吹付け、粉末を基板に
接触させて熱分解し、亜鉛とインジウムとの混合酸化物
膜を形成する。
【００１５】本発明によって得られた膜は、実質的に Z
nInO混合相、たとえばZn2In2O5, Zn 5In2O8および／また
は Zn7In2O10から形成されていることを考えて、「亜鉛
とインジウムとの混合酸化物膜」と呼ぶことにする。こ
の膜のＸ線回折スペクトルは、結晶状態が良くないこと
を示す。しかし、これが含む電荷キャリアの数および易
動度は、抵抗率が10-3〜10-4Ω・cmの導電膜を得ること
ができる程度である。特に抵抗率が最も低い膜はインジ
ウム原子約20〜32％を含む。この抵抗率は10・10-4Ω・
cm未満であり、特に約７・10-4Ω・cm未満が有利であ
る。
【００１６】本発明の製品は、抵抗率がこのように低い
ほか透光率が70％を超える膜とガラス基板とを含む。抵
抗率が低いこの導電膜は、上述のように、インジウム化
合物と亜鉛化合物との粉末を、高温度に加熱された基板
と接触させる熱分解によって得ることができる。
【００１７】この膜のインジウム原子％、従って抵抗率
は、いくつかの特性因子、すなわち基板の温度、出発化
合物の純度および粒度に依存する。
【００１８】さらに、本発明によって、主要成分である
亜鉛とインジウムとの酸化物膜に、少量のスズ酸化物を
導入することが有利である。スズ酸化物の存在が、ＩＴ
Ｏの「マイクロ領域」の生成を容易にし、これが膜の特
性を改良すると考えられる。
【００１９】この実施態様において、スズ原子の含量は
最終の膜中に５％を超えてはならない、好ましくは２％
未満とする。５％を超えても付加的な改良を示さない。
【００２０】スズをこの膜に導入するには、常法によっ
て行う。特に粉末の熱分解において、DBTOを使用するこ
とが有利である。スズ含量を上記の値とするには、粉末
混合物にDBTO約10重量％未満を導入する。
【００２１】特にガラス基板は、ガラスの軟化点より低
い温度、一般に、 500〜700 ℃、好ましくは 600〜650
℃に加熱する。この温度で例１および表Ｉに示すよう
に、抵抗率がもっとも低い導電膜を得る。基板は、自動
車および建築に従来から使用されてきたケイ酸ナトリウ
ムカルシウム塩ガラス、たとえば厚み４mmで透光率が90
％を超える、透明ガラスすなわち着色されていないガラ
スで形成することができる。また内部を着色したガラス
も、部屋または車輌に取りつけて、エネルギー透過率を
減少させ快適化することができる。一般に、たとえば自
動車用ガラス板にはガラスおよび膜の組合せの透光率
（ＴL ）が法規によって少なくとも75％または70％とな
るように、基板のガラスを選ぶ。
【００２２】着色ガラスとしては、「ＴＳＡ」と呼ばれ
る、重量比でFe2O3 0.55〜0.62％、FeO 約0.11〜0.16
％、すなわちFe2+／Feの比が0.19〜0.25、 CoO 12ppm、
好ましくは 10ppm未満のガラスを使用することができ
る。たとえば厚み3.85mmに対して、透光率（ＴL ）が約
78％（参照光源Ｄ65）に対して、エネルギー透過率（Ｔ
E ）が約60％と相対的に低くて、ＴL ／ＴE の比が1.30
程度となる。
【００２３】また着色ガラスとして、特に法規による透
光率が70％であるときは、「ＴＳＡ」より着色度が少し
強くて透光率がこれより僅かに小さい「TSA2+ 」といわ
れるガラスを、使用することができる。
【００２４】この「TSA2+ 」ガラスは、上記と同一の酸
化物で着色されているが、その比は少し異なる。金属酸
化物の比は次のとおりである、 Fe2O3 ：約0.75〜0.90％ FeO ：約0.15〜0.22％、 Fe2+／Feの比＝約0.20 CoO ： 17ppm未満、好ましくは 10ppm未満 この「TSA2+ 」ガラスは厚み3.85mmで次の特性を示す、 ＴL ：72％程度 ＴE ：50％程度 ＴL ／ＴE の比＝1.40または1.50程度
【００２５】本発明で使用し得る、基板の温度で分解す
る有機亜鉛化合物として、たとえばジエチル亜鉛、酢酸
亜鉛およびアセチルアセトン酸亜鉛を挙げることがで
き、有機インジウム化合物として、アセチルアセトン酸
インジウムおよびギ酸インジウムを挙げることができ
る。なかでも酢酸亜鉛とギ酸インジウムとを使用するこ
とが好ましく、これによって熱分解収率を上げ、抵抗率
がより小さい膜を得ることができる。
【００２６】特に、本発明に適するギ酸インジウムは、
欧州特許出願公開Ａ−192009およびＡ−324664に記載さ
れている。
【００２７】本発明で使用するインジウム化合物および
亜鉛化合物は純度が少なくとも99％であることが有利で
ある。実際、成膜条件がすべて同一である場合は、例２
に示すように、原料化合物の純度が高ければ、抵抗率の
小さい膜を得ることが認められた。
【００２８】本発明で使用する有機インジウム化合物お
よび有機亜鉛化合物の粉末は、実質的に同一の粒度、た
とえばｄ90が21μｍ未満とすることができる。しかし抵
抗率の低い膜を得るには、インジウム化合物が亜鉛化合
物より小さい粒度を有する方が好ましいことを見出し
た。それ故、インジウム化合物の粒度ｄ90を21μｍより
小さく、亜鉛化合物の粒度ｄ90を70μｍより大きくする
ことが好ましい。周知のように、「ｄ90」は粒子の90％
が表示の値より小さい直径を有するという意味である。
しかし粉末が小さすぎると、熱分解収率を低下させる、
この収率は化合物の量と粒子とに依存する。
【００２９】本発明による導電膜は、インジウム化合物
を20〜80重量％含む粉末混合物を原料として得られる。
インジウム化合物の料が20重量％より少なくても、80重
量％より多くても、亜鉛とインジウムとの混合酸化物の
膜を得ることができないこと、さらに膜の抵抗率を増加
させることが認められた。抵抗率が10・10-4Ω・cm未満
の膜を得るのに使用するインジウム化合物の量は35〜70
重量％とすることが好ましい。使用する粉末の量は、前
述のように熱分解収率をできるだけ高めるように調節す
る。本発明によって、粉末を熱分解して導電膜をガラス
基板上に成膜するには、欧州特許出願公開Ａ−6064, 12
5153, 130919, 188962, 189709, 191258, 329519に記載
されている公知の多様な方法を使用することができる。
【００３０】一般的な方法として、処理すべきガラス基
板、特にフロートガラスのように移動するガラス帯の上
方で分配ノズルを使用する。ガラス帯は５〜25ｍ／分で
引き出すことができる。ノズルは、全長にわたって延在
する内腔を有し、スリットで終る。この内腔の全長にわ
たって均一になるように、粉末または粉末の混合物をキ
ャリアガスに懸濁させて供給する。ノズルのスリットか
ら、移動する高温度のガラス表面に粉末を吹き付けて熱
分解する。
【００３１】次に実施例を示すが、これは本発明を限定
するものではない。実施例において、本発明の導電膜を
成膜するために、キャリアガスとして空気を使用する。
ガラス帯は５ｍ／分で移動させた。実施例に記載する膜
は同じ厚み 400nmとして、放射率および抵抗率の測定を
比較できるようにした。
【００３２】化合物は粉砕機「Alpine 160Z 」を使用し
て粉砕した。膜の抵抗率は式ρ＝R × e（式中、Ｒ で
表すシート抵抗は四点法により測定し、厚みｅは反射ス
ペクトルの干渉ピークから測定）によって測定した。
【００３３】例１ けい酸ナトリウムカルシウム塩のフロートガラス基板
を、 500〜680 ℃の多様な温度に加熱し、この上に、酢
酸亜鉛とギ酸インジウムとを吹付けて、亜鉛とインジウ
ムとの混合酸化物Ａ〜Ｄからなる導電膜を成膜した。
【００３４】基板の各温度について、ギ酸インジウムの
量を増加させた粉末混合物を使用して成膜し、抵抗率を
測定した。いずれの場合も所定の温度において抵抗率が
もっとも低い膜を得るのに必要な粉末の量を測定した。
【００３５】表１に、抵抗率がもっとも低い膜を得るこ
とができるときの酢酸亜鉛とギ酸インジウムとの粉末の
特性を示す。酢酸亜鉛とギ酸インジウムとを3500回／分
の割合で粉砕して、粒度を酢酸亜鉛はｄ90約21μｍ、ギ
酸インジウムはｄ90約15μｍとした。表２は膜の特性と
して、電荷キャリアの数、電荷キャリアの易動度および
抵抗率を示す。
【００３６】抵抗率は同一の程度であるが、温度 600〜
650 ℃においてもっとも低いことが認められ、その他、
基板の温度が高いと、抵抗率がもっとも低い膜を得るの
に必要なギ酸インジウムの量が少なくなることを見出し
た。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】例２ 酢酸亜鉛の純度を例１の膜Ｂの98％の代りに99％と高く
したことの他は、例１の膜Ｂと同一条件で、ギ酸インジ
ウムおよび酢酸亜鉛を原料として、亜鉛とインジウムと
の混合酸化物からなる導電膜Ｅを成膜した。
【００４０】表３および４は、例１の膜Ｂと例２の膜Ｅ
との粉末および膜の特性を示す。膜Ｅは、酢酸亜鉛の純
度を99％と高くしたことの他は、膜Ｂと同一条件で成膜
し、膜Ｂより抵抗率を低くすることができた。
【００４１】
【表３】
【００４２】
【表４】
【００４３】例３ この例は、純度99％の酢酸亜鉛の粒度を変えて温度 600
℃で、本発明によって導電膜Ｆを成膜した。ギ酸インジ
ウムは、膜Ｅと同様に、3500回／分で粉砕し、粒度ｄ90
約15μｍの粉末とした。酢酸亜鉛は2000回／分で粉砕し
て、ｄ90約74μｍの粉末とした。
【００４４】表５および６は、使用した粉末および得ら
れた膜の特性を示す。原料化合物の酢酸亜鉛およびギ酸
インジウムの量は、各粉砕の型について、抵抗率がもっ
とも低い膜を与える量とした。膜Ｅの場合より粒度の大
きい粉末とした純度99％の酢酸亜鉛を使用すると、抵抗
率がさらに改良されることが認められる。
【００４５】
【表５】
【００４６】
【表６】
【００４７】例４ この例は、純度99％の酢酸亜鉛を2000回／分で粉砕した
粒度ｄ90約74μｍの粉末と、粒度を変えたギ酸インジウ
ムとを 600℃で成膜した。膜Ｆは、例３と同様に3500回
／分で粉砕したギ酸インジウムを使用して成膜した。膜
ＧおよびＨは、粒度ｄ90を、それぞれ約11μｍ、約８μ
ｍと細かく粉砕したギ酸インジウムを使用して成膜し
た。
【００４８】表７および８は、使用した粉末および得ら
れた膜Ｆ，Ｇ，Ｈの特性を示す。化合物の使用量は、各
粉砕の型について、膜の抵抗率がもっとも低くなる量と
した。もっとも細かい粉末のギ酸インジウムで抵抗率が
もっとも低い膜を得た。膜Ｆ，ＧおよびＨは、厚みがそ
れぞれ420nm, 360nmおよび 385nmであった。この膜を有
する製品は、透光率がそれぞれ73％、76％および70％で
あり、放射率がそれぞれ0.18, 0.18および0.15であっ
て、特に低放射性のガラス板の製造に適している。
【００４９】
【表７】
【００５０】
【表８】
【００５１】例５ ギ酸インジウムを20重量％使用したことの他は、例３お
よび４の膜Ｆと同一の条件で導電膜を成膜した。この条
件において、インジウム原子を10〜11重量％含む亜鉛と
インジウムとの混合酸化物膜を得た。膜中のインジウム
原子率は、亜鉛とインジウムとの混合酸化物を得るより
少ない限度の量に対応すると考えられる。この膜は厚み
440nmについて放射率が0.35で抵抗率が19・10-4Ω・cm
である。
【００５２】粉末の粒度、すなわち粉砕の回転数が酢酸
亜鉛3500回／分およびギ酸インジウム2000回／分である
ことを考慮して、ギ酸インジウムを膜Ｆの45重量％まで
高めると、熱分解収率が向上して、膜中のインジウム原
子の百分率を高め、抵抗率および放射率を低下した膜を
得ることができる。
【００５３】例６ この例では、ガラス基板を 650℃に加熱して導電膜Ｊを
成膜した。その特性を９および10に示す。
【００５４】
【表９】
【００５５】
【表10】
【００５６】この膜Ｊを、例４の膜Ｆと比較すると、こ
れら２つの膜は、粉末の粒度が同一、すなわち酢酸亜鉛
は2000回／分、ギ酸インジウムは3500回／分で粉砕して
おり、温度は膜Ｊが 650℃、膜Ｆが 600℃と異なり、原
料化合物の量は異なって膜Ｊが膜Ｆより少ないが、抵抗
率は近似している膜を得ることが認められる。以上の例
から、抵抗率がもっとも低い膜は、インジウム原子の重
量％を、28〜31％とするときに得られることが認められ
る。
【００５７】例７ 導電膜Ｋは、酢酸亜鉛、ギ酸インジウムおよびDBTOの混
合粉末を原料として成膜した。この混合物は、酢酸亜鉛
59.8重量％、ギ酸インジウム38.2重量％およびDBTO２重
量％であった。
【００５８】各成分の粒度分布をμｍで表すと、次のと
おりであった。 熱分解は 600℃で行い、厚み 520nmの膜を得た。ガラス
の放射率Ｅは 0.145、透光率は70％を超え、抵抗率は5.
４・10-4Ω・cmであった。
【００５９】上記の膜は、還元性雰囲気中で熱処理を行
わない抵抗率を示す。このような処理は膜の抵抗率の改
良に必要でないようである。本発明の製品は、光学的お
よび電気的特性を必要とする分野、たとえば建築および
自動車の分野において使用することができるが、特に光
起電力電池のような光電子的装置、および液晶ディスプ
レーの分野でも使用することができる。
【００６０】特に、本発明の製品は加熱ガラス、たとえ
ば1988年７月27日出願のフランス特許出願88-10138, 88
-10139および88-10140ならびに1989年９月19日出願のフ
ランス特許出願89-12170に記載するように、たとえば自
動車の風防ガラスとして使用することができる。ポリマ
ー膜、たとえばポリウレタンと組合せて、ガラス板を作
るのに使用することができる。また本発明の製品は、ポ
リビニルブチラール、ポリ塩化ビニルまたはポリウレタ
ン、および同一であってもよい他のガラス板と組合せ
て、ポリマー膜を２枚のガラス板の中間層とすることが
できる。電流の供給は、金属はく、たとえば銅、および
／またはスクリーン印刷銀ストリップをガラス板の上縁
および下縁に沿って配置して、導電膜と接触させること
ができる。
【００６１】また本発明の製品は、低放射性のガラス、
特にたとえば厚みが４mmの建築用ガラスとして使用する
ことができる。本発明の製品は、たとえば分離した２枚
のガラス板となるように、他のガラス板との間に空気層
があるように組合せることができる。特に低放射性の本
発明の導電膜は、インジウム原子約20〜32重量％を含
む。たとえば、上記膜Ｇは、インジウム原子31重量％を
含み、抵抗率が5.８・10 -4Ω・cmで、厚み 360nmについ
て放射率が0.18であり、また膜Ｈはインジウム原子29重
量％を含み、抵抗率が4.４・10-4Ω・cmで、厚み 380nm
について放射率が0.15である。
【００６２】本発明の製品は、その他に、ガラス基板と
導電膜との間に中間膜を有することができる。この中間
膜は、シリカ、シリコンの窒化酸化物、もしくは炭化酸
化物、またはナトリウムイオンに対する障壁となるすべ
ての膜であり、これは屈折率および厚みの結果として、
導電膜とともに無色の組合せを構成する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベルトラン テストゥラ フランス国，エフ 95200 サルセル，リ ュ デュ ドクトゥール ルベ，７ (72)発明者 ジャン−フランソワ ウーダル フランス国，エフ 60310 ティエクール, グランド リュ，34 (72)発明者 ジャン−ミシェル グリマル フランス国，エフ 78300 ポワシャ，ア ブニュ モーリス ベルトー，69

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 特にガラスの基板と金属酸化物の透明な
    導電膜とを有する製品であって、導電膜が電子的マイク
    ロプローブ分析によって測定したインジウム原子10〜34
    ％を含む、亜鉛とインジウムとの混合物の酸化物から構
    成されていることを特徴とする製品。
  2. 【請求項２】 導電膜がインジウム原子20〜32％を含
    む、請求項１記載の製品。
  3. 【請求項３】 混合酸化物膜が、原子比で５％以下のス
    ズ酸化物をさらに含む、請求項１または２記載の製品。
  4. 【請求項４】 導電膜は、抵抗率が10・10-4Ω・cm以下
    である、請求項２または３記載の製品。
  5. 【請求項５】 参照光源Ｄ65を使用したときの透光率
    が、70％以上である、請求項１〜４のいずれかに記載の
    製品。
  6. 【請求項６】 基板が透明または着色のケイ酸ナトリウ
    ムカルシウム塩ガラスである、請求項１〜５のいずれか
    に記載の製品。
  7. 【請求項７】 透光率が76％であり、導電膜は、抵抗率
    が5.８・10-4Ω・cmで、厚み 360nmについての放射率が
    0.18である、請求項２〜５のいずれかに記載の製品。
  8. 【請求項８】 透光率が70％であり、導電膜は、抵抗率
    が4.４・10-4Ω・cmで、厚み 385nmについての放射率が
    0.15である、請求項１〜６のいずれかに記載の製品。
  9. 【請求項９】 キャリアガスに懸濁させた有機金属化合
    物粉末をガラスの軟化点より低い温度に加熱したガラス
    基板の表面に吹付けて接触させ、この化合物を熱分解す
    る、ガラス基板および透明な金属酸化物膜を有する製品
    の製法であって、 有機亜鉛化合物20〜80重量％と有機インジウム化合物80
    〜20重量％とを含み、基板の温度で熱分解できる粉末の
    混合物を基板に吹付けて、粉末を基板と接触させて熱分
    解し、亜鉛とインジウムとの混合酸化物を形成すること
    を特徴とする方法。
  10. 【請求項10】 有機亜鉛化合物が酢酸亜鉛である、請求
    項９記載の方法。
  11. 【請求項11】 有機インジウム化合物がギ酸インジウム
    である、請求項９記載の方法。
  12. 【請求項12】 粉末混合物がギ酸インジウム35〜70％を
    含む、請求項９〜11のいずれかに記載の方法。
  13. 【請求項13】 混合物合量に対して10重量％以下の有機
    スズ化合物を導入する、請求項９〜12のいずれかに記載
    の方法。
  14. 【請求項14】 スズ化合物がジブチルスズ酸化物（DBT
    O）である、請求項13記載の方法。
  15. 【請求項15】 基板は温度が 500〜700 ℃である、請求
    項９〜14のいずれかに記載の方法。
  16. 【請求項16】 粉末化合物は純度が少なくとも99％であ
    る、請求項９〜15のいずれかに記載の方法。
  17. 【請求項17】 化合物が実質的に同一の粒度を有する、
    請求項９〜16のいずれかに記載の方法。
  18. 【請求項18】 粉末は粒度ｄ90が21μｍ未満である、請
    求項17記載の方法。
  19. 【請求項19】 インジウム化合物は粒度が亜鉛化合物よ
    り小さい、請求項９〜16のいずれかに記載の方法。
  20. 【請求項20】 インジウム化合物粉末はｄ90が21μｍ未
    満であり、亜鉛化合物粉末はｄ90が70μｍを超える、請
    求項19記載の方法。
  21. 【請求項21】 請求項１〜８のいずれかに記載の製品
    を、 この製品と他のガラス板とが空気層によって隔てられて
    分離された低放射性の二重ガラス板として使用する方
    法。
  22. 【請求項22】 ガラス基板は厚みが４mmである、請求項
    21記載の使用方法。
  23. 【請求項23】 請求項１〜８のいずれかに記載の製品
    を、 この製品からなるガラス板と、 この製品の導電膜に接着するポリウレタン型のポリマー
    膜と、 前記ガラス板の上縁と下縁に沿って導電膜と接触して配
    置された電流供給手段とを含む、加熱される積層ガラス
    板として使用する方法。
  24. 【請求項24】 請求項１〜８のいずれかに記載された製
    品を、 少なくとも１板のガラス板がこの製品から構成されてい
    る、２枚のガラス板を有し、 これらのガラス板が、ポリビニルブチラール、ポリ塩化
    ビニルまたはポリウレタンの型のポリマー膜で分離され
    ており、かつ導電膜に接触して前記ガラス板の上縁と下
    縁に沿って配置された電流供給手段を有する加熱された
    積層ガラス板として使用する方法。
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