JPH08109043A - 高抵抗透明導電膜付ガラス - Google Patents
高抵抗透明導電膜付ガラスInfo
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- JPH08109043A JPH08109043A JP26617494A JP26617494A JPH08109043A JP H08109043 A JPH08109043 A JP H08109043A JP 26617494 A JP26617494 A JP 26617494A JP 26617494 A JP26617494 A JP 26617494A JP H08109043 A JPH08109043 A JP H08109043A
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- film
- resistance
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- conductive film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】通電耐湿試験でリニアリティ値が増大しない、
透明ガラス基板上に透明導電膜が成膜された透明導電膜
付ガラス及び成膜する方法を提供する。 【構成】透明ガラス基板上に二酸化珪素膜が６０〜１５
０ｎｍの膜厚で形成され、その上に屈折率１．７〜２．
２の透明導電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成された透
明導電膜付ガラス。
透明ガラス基板上に透明導電膜が成膜された透明導電膜
付ガラス及び成膜する方法を提供する。 【構成】透明ガラス基板上に二酸化珪素膜が６０〜１５
０ｎｍの膜厚で形成され、その上に屈折率１．７〜２．
２の透明導電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成された透
明導電膜付ガラス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜付ガラス、及
び透明導電膜の成膜方法に関するものであり、特にタッ
チパネルの透明電極として用いられる高抵抗で均一性に
優れた透明導電膜付ガラス、及び該透明導電膜の成膜方
法に関する。
び透明導電膜の成膜方法に関するものであり、特にタッ
チパネルの透明電極として用いられる高抵抗で均一性に
優れた透明導電膜付ガラス、及び該透明導電膜の成膜方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スズをドープした酸化インジウム膜（Ｉ
ＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜（ＦＴＯ
と称す）、アンチモンをドープした酸化スズ膜（ＡＴＯ
と称す）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛膜、イン
ジウムをドープした酸化亜鉛膜はその優れた透明性と導
電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネルの電
極、太陽電池の電極等に広く使用されている。この様に
広い分野で使用されると、使用目的によって抵抗値、透
明度は種々のものが要求される。
ＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜（ＦＴＯ
と称す）、アンチモンをドープした酸化スズ膜（ＡＴＯ
と称す）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛膜、イン
ジウムをドープした酸化亜鉛膜はその優れた透明性と導
電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネルの電
極、太陽電池の電極等に広く使用されている。この様に
広い分野で使用されると、使用目的によって抵抗値、透
明度は種々のものが要求される。
【０００３】すなわち、フラットパネルディスプレイ用
の透明導電膜では低抵抗、高透過率のものが要求される
が、タッチパネル用の透明導電膜では逆に高抵抗、高透
過率の膜が要求される。特に最近開発されて市場の伸び
が期待されるペン入力タッチパネル用の導電膜は、位置
の認識精度が高くなくてはならないことから、シート抵
抗が２００〜３０００Ω／□といった高抵抗でかつ抵抗
値の均一性に優れた膜であることが要求される。
の透明導電膜では低抵抗、高透過率のものが要求される
が、タッチパネル用の透明導電膜では逆に高抵抗、高透
過率の膜が要求される。特に最近開発されて市場の伸び
が期待されるペン入力タッチパネル用の導電膜は、位置
の認識精度が高くなくてはならないことから、シート抵
抗が２００〜３０００Ω／□といった高抵抗でかつ抵抗
値の均一性に優れた膜であることが要求される。
【０００４】抵抗値の均一性を評価する方法として、リ
ニアリティ試験がある。この方法は透明導電膜の向かい
合った２辺に銀ペースト等で低抵抗の電極を作成し、両
電極間に１〜１０Ｖの直流電圧を印加する。この時、両
電極の間隔をＤ、印加電圧をＶとする。透明導電膜の任
意の点について、マイナスの電極からの距離をｄ、マイ
ナスの電極とその点の電位差をｖとすると（ｄ／Ｄ−ｖ
／Ｖ）×１００をリニアリティ値（％）と定義する。
ニアリティ試験がある。この方法は透明導電膜の向かい
合った２辺に銀ペースト等で低抵抗の電極を作成し、両
電極間に１〜１０Ｖの直流電圧を印加する。この時、両
電極の間隔をＤ、印加電圧をＶとする。透明導電膜の任
意の点について、マイナスの電極からの距離をｄ、マイ
ナスの電極とその点の電位差をｖとすると（ｄ／Ｄ−ｖ
／Ｖ）×１００をリニアリティ値（％）と定義する。
【０００５】リニアリティ値は位置と、検出した電位差
から計算した位置とのずれを定義する量であり、文字や
図形を認識する目的で製作されるタッチパネルでは通常
リニアリティ値で±２％以内の抵抗値のバラツキである
ことが要求される。更に、液晶ディスプレイの上に置く
ことから高透過率の膜であることが要求される。通常、
高透過率を達成する方法は膜厚を薄くすることであっ
た。しかしながら、膜厚を薄くしすぎると抵抗の安定性
が悪くなり、種々の条件で環境試験を行うとリニアリテ
ィ値が増大するために、高透過率と抵抗の安定性を両立
することは困難なことであった。
から計算した位置とのずれを定義する量であり、文字や
図形を認識する目的で製作されるタッチパネルでは通常
リニアリティ値で±２％以内の抵抗値のバラツキである
ことが要求される。更に、液晶ディスプレイの上に置く
ことから高透過率の膜であることが要求される。通常、
高透過率を達成する方法は膜厚を薄くすることであっ
た。しかしながら、膜厚を薄くしすぎると抵抗の安定性
が悪くなり、種々の条件で環境試験を行うとリニアリテ
ィ値が増大するために、高透過率と抵抗の安定性を両立
することは困難なことであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴ
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．７〜２．２）、透明導電膜の膜厚を
厚くすると基板との界面での反射が大きくなり、可視光
透過率が低下する。高透過率の膜を得ようとする場合は
膜厚を薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知
される５５０ｎｍ波長で８５％の透過率を得ようとする
と膜厚は３０ｎｍ以下の膜厚にする必要があり、８９％
の透過率の場合には膜厚を２０ｎｍ以下の膜厚にする必
要がある。膜厚を３０ｎｍ以下まで薄くすると、温度変
化や湿度変化の影響を受けて抵抗値が変動しやすくな
り、面内の抵抗値の均一性が悪化する。従って、種々の
条件で環境試験を行うと抵抗値の均一性の悪化によりリ
ニアリティ値が増大してしまう。
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．７〜２．２）、透明導電膜の膜厚を
厚くすると基板との界面での反射が大きくなり、可視光
透過率が低下する。高透過率の膜を得ようとする場合は
膜厚を薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知
される５５０ｎｍ波長で８５％の透過率を得ようとする
と膜厚は３０ｎｍ以下の膜厚にする必要があり、８９％
の透過率の場合には膜厚を２０ｎｍ以下の膜厚にする必
要がある。膜厚を３０ｎｍ以下まで薄くすると、温度変
化や湿度変化の影響を受けて抵抗値が変動しやすくな
り、面内の抵抗値の均一性が悪化する。従って、種々の
条件で環境試験を行うと抵抗値の均一性の悪化によりリ
ニアリティ値が増大してしまう。
【０００７】一般に行われる環境試験は多く、１５０〜
２００℃で３０〜６０分といった高温−短時間試験、８
０〜１００℃で１００〜３００時間といった中温度−長
時間試験、５０〜８０℃、９０〜１００％ＲＨで１００
〜３００時間といった中温度−高湿度−長時間試験、更
に５〜１０Ｖ直流電圧を印加して３０〜８０℃、９０〜
１００％ＲＨで１００〜３００時間といった通電下−中
温度−高湿度−長時間試験や−５０〜−２０℃で１００
〜３００時間といった低温度−長時間試験がある。これ
らの環境試験によって抵抗が変動しても、面内全ての抵
抗が均一に変動するならば、リニアリティ値は変動せず
増大しないが、通電下−中温度−高湿度−長時間試験
（通電耐湿試験と称す）ではプラス電極とマイナス電極
付近での抵抗変動の仕方が異なるためにリニアリティ値
は顕著に増大する傾向を示す。すなわち、プラス電極付
近では酸化反応が起こり導電膜が高抵抗化するのに対
し、マイナス電極付近では還元反応が起こり、導電膜は
低抵抗化する。そのために、導電膜の面内抵抗は高抵抗
の部分と低抵抗の部分が生じ、その結果リニアリティ値
は±２％以上に増大してしまう。
２００℃で３０〜６０分といった高温−短時間試験、８
０〜１００℃で１００〜３００時間といった中温度−長
時間試験、５０〜８０℃、９０〜１００％ＲＨで１００
〜３００時間といった中温度−高湿度−長時間試験、更
に５〜１０Ｖ直流電圧を印加して３０〜８０℃、９０〜
１００％ＲＨで１００〜３００時間といった通電下−中
温度−高湿度−長時間試験や−５０〜−２０℃で１００
〜３００時間といった低温度−長時間試験がある。これ
らの環境試験によって抵抗が変動しても、面内全ての抵
抗が均一に変動するならば、リニアリティ値は変動せず
増大しないが、通電下−中温度−高湿度−長時間試験
（通電耐湿試験と称す）ではプラス電極とマイナス電極
付近での抵抗変動の仕方が異なるためにリニアリティ値
は顕著に増大する傾向を示す。すなわち、プラス電極付
近では酸化反応が起こり導電膜が高抵抗化するのに対
し、マイナス電極付近では還元反応が起こり、導電膜は
低抵抗化する。そのために、導電膜の面内抵抗は高抵抗
の部分と低抵抗の部分が生じ、その結果リニアリティ値
は±２％以上に増大してしまう。
【０００８】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、１０〜３０ｎｍの膜厚の透明導電膜の通電耐湿試
験でリニアリティ値が増大しないタッチパネル用の導電
膜付ガラス及び、リニアリティ値を増大させない方法を
提供することを目的とする。
ので、１０〜３０ｎｍの膜厚の透明導電膜の通電耐湿試
験でリニアリティ値が増大しないタッチパネル用の導電
膜付ガラス及び、リニアリティ値を増大させない方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは通電耐湿試
験でリニアリティ値を増大させない方法について鋭意検
討した結果、透明ガラス基板上に二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）の膜を６０〜１５０ｎｍの膜厚で形成し、その上
に屈折率１．７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍ
の膜厚で形成した２層構造の膜とすることにより、抵抗
安定性の良好な透明導電膜付ガラスが得られることを見
出し、本発明を完成するに至った。
験でリニアリティ値を増大させない方法について鋭意検
討した結果、透明ガラス基板上に二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）の膜を６０〜１５０ｎｍの膜厚で形成し、その上
に屈折率１．７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍ
の膜厚で形成した２層構造の膜とすることにより、抵抗
安定性の良好な透明導電膜付ガラスが得られることを見
出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち本発明は、（１）透明ガラス基板上に
二酸化珪素膜が６０〜１５０ｎｍの膜厚で形成され、そ
の上に屈折率１．７〜２．２の透明導電膜が１０〜３０
ｎｍの膜厚で形成された透明導電膜付ガラス、（２）二
酸化珪素の膜中にリンを二酸化珪素に対して０．０１〜
１０重量％及び、または、ホウ素を二酸化珪素に対して
０．０１〜１０重量％含有する高抵抗透明導電膜付ガラ
ス、（３）透明導電膜のシート抵抗値が、２００〜３０
００Ω／□、リニアリティ値が±２％以内である高抵抗
透明導電膜付ガラス、およびその成膜方法であり、それ
を用いたタッチパネルである。以下、本発明を詳細に説
明する。
二酸化珪素膜が６０〜１５０ｎｍの膜厚で形成され、そ
の上に屈折率１．７〜２．２の透明導電膜が１０〜３０
ｎｍの膜厚で形成された透明導電膜付ガラス、（２）二
酸化珪素の膜中にリンを二酸化珪素に対して０．０１〜
１０重量％及び、または、ホウ素を二酸化珪素に対して
０．０１〜１０重量％含有する高抵抗透明導電膜付ガラ
ス、（３）透明導電膜のシート抵抗値が、２００〜３０
００Ω／□、リニアリティ値が±２％以内である高抵抗
透明導電膜付ガラス、およびその成膜方法であり、それ
を用いたタッチパネルである。以下、本発明を詳細に説
明する。
【００１１】本発明の基板上に形成される第１層膜はＳ
ｉＯ2 膜であり、透明導電膜としては、ＩＴＯ、ＦＴ
Ｏ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、ＩｎドープＺｎＯ等が
用いられるが、本発明の範囲はこれに限定されるもので
はない。
ｉＯ2 膜であり、透明導電膜としては、ＩＴＯ、ＦＴ
Ｏ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、ＩｎドープＺｎＯ等が
用いられるが、本発明の範囲はこれに限定されるもので
はない。
【００１２】通常一般的に用いられている安価なソーダ
ライムガラス（ＳＬＧと称す）を基板とした場合、シー
ト抵抗が２００〜３０００Ω／□の導電膜で実用的な膜
厚は１０〜３０ｎｍであり、この膜厚での抵抗安定性は
良いとは言えず種々の環境試験を行うと、抵抗値が変動
する。特に通電耐湿試験では面内の抵抗分布が高い部分
と低い部分が生じるためにリニアリティ値が増大し、ペ
ン入力タッチパネル用の透明導電膜付ガラスとしては望
ましくないことである。通電耐湿試験を行うと、プラス
電極付近は高抵抗化し、マイナス電極付近は低抵抗化す
るが、この現象は基板にアルカリ分を殆ど含有しないガ
ラス（例：コーニング＃７０５９ガラス）を用いると２
０ｎｍ以下の膜厚の場合でも電極付近の抵抗は変動せ
ず、リニアリティ値も通電耐湿試験前の値と同じであ
り、変化しない。ＳＬＧ基板では、±１％以内のリニア
リティ値を示す抵抗の均一性に優れた膜でも、通電耐湿
試験後ではリニアリティ値は４％以上に増大してしま
う。すなわち、リニアリティ値の増大に基板から拡散し
てきたアルカリ分が関与している可能性が示唆されたの
で、基板に含まれるアルカリをバリアーする膜を透明導
電膜の下地に形成することで、リニアリティ値増大を防
止出来ると考えられる。
ライムガラス（ＳＬＧと称す）を基板とした場合、シー
ト抵抗が２００〜３０００Ω／□の導電膜で実用的な膜
厚は１０〜３０ｎｍであり、この膜厚での抵抗安定性は
良いとは言えず種々の環境試験を行うと、抵抗値が変動
する。特に通電耐湿試験では面内の抵抗分布が高い部分
と低い部分が生じるためにリニアリティ値が増大し、ペ
ン入力タッチパネル用の透明導電膜付ガラスとしては望
ましくないことである。通電耐湿試験を行うと、プラス
電極付近は高抵抗化し、マイナス電極付近は低抵抗化す
るが、この現象は基板にアルカリ分を殆ど含有しないガ
ラス（例：コーニング＃７０５９ガラス）を用いると２
０ｎｍ以下の膜厚の場合でも電極付近の抵抗は変動せ
ず、リニアリティ値も通電耐湿試験前の値と同じであ
り、変化しない。ＳＬＧ基板では、±１％以内のリニア
リティ値を示す抵抗の均一性に優れた膜でも、通電耐湿
試験後ではリニアリティ値は４％以上に増大してしま
う。すなわち、リニアリティ値の増大に基板から拡散し
てきたアルカリ分が関与している可能性が示唆されたの
で、基板に含まれるアルカリをバリアーする膜を透明導
電膜の下地に形成することで、リニアリティ値増大を防
止出来ると考えられる。
【００１３】下地膜の種類、膜厚、添加物等について検
討したところ、下地膜としてＳｉＯ2 膜を６０ｎｍ以上
の厚さで形成することにより、ソーダライムガラス基板
からのアルカリの拡散を抑制することが可能であること
を見出した。ＳｉＯ2 膜を成膜する方法としては、スパ
ッター法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、パイロゾル
法、ディップ法等一般的な成膜法を採用できる。
討したところ、下地膜としてＳｉＯ2 膜を６０ｎｍ以上
の厚さで形成することにより、ソーダライムガラス基板
からのアルカリの拡散を抑制することが可能であること
を見出した。ＳｉＯ2 膜を成膜する方法としては、スパ
ッター法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、パイロゾル
法、ディップ法等一般的な成膜法を採用できる。
【００１４】また、膜中にリン（Ｐ）やホウ素（Ｂ）を
添加するとアルカリ分の拡散を防止する効果が更に大き
いことを見出した。リンやホウ素の添加方法としては、
ＳｉＯ2 膜の成膜時に添加すれば良い。例えば、スパッ
ター法でＳｉＯ2 成膜する場合はターゲット中にリンや
ホウ素の化合物（Ｐ2 Ｏ5 、Ｂ2 Ｏ3 等）を添加し、Ｃ
ＶＤ法で成膜する場合は気化し易い有機リン化合物や有
機ホウ素化合物（リン酸エステル類、ホウ酸エステル類
等）を原料に添加し、ディップ法では原料溶液中にリン
化合物やホウ素化合物（リン酸、リン酸エステル類、ホ
ウ酸、ホウ酸エステル類等）を添加してやればよい。
添加するとアルカリ分の拡散を防止する効果が更に大き
いことを見出した。リンやホウ素の添加方法としては、
ＳｉＯ2 膜の成膜時に添加すれば良い。例えば、スパッ
ター法でＳｉＯ2 成膜する場合はターゲット中にリンや
ホウ素の化合物（Ｐ2 Ｏ5 、Ｂ2 Ｏ3 等）を添加し、Ｃ
ＶＤ法で成膜する場合は気化し易い有機リン化合物や有
機ホウ素化合物（リン酸エステル類、ホウ酸エステル類
等）を原料に添加し、ディップ法では原料溶液中にリン
化合物やホウ素化合物（リン酸、リン酸エステル類、ホ
ウ酸、ホウ酸エステル類等）を添加してやればよい。
【００１５】本発明に用いられるリン化合物としては、
PO(OC2H5)3,PO(OCH3)3,H3PO4,P2O5、ホウ素化合物とし
ては、B(OCH3)3,B(OC2H5)3,B(OC4H9)3,B(C4H9)3,H3BO3,
B2O3,NH4BF4 を挙げることができる。添加量はＳｉＯ2
に対してリンとして０．０１〜１０重量％、望ましくは
０．１〜５重量％、ホウ素の場合は０．０１〜１０重量
％、望ましくは０．５〜５重量％である。リンとホウ素
は単独で添加しても、両方を同時に添加しても良く、同
時添加ではアルカリバリアー能が更に増進し、望まし
い。
PO(OC2H5)3,PO(OCH3)3,H3PO4,P2O5、ホウ素化合物とし
ては、B(OCH3)3,B(OC2H5)3,B(OC4H9)3,B(C4H9)3,H3BO3,
B2O3,NH4BF4 を挙げることができる。添加量はＳｉＯ2
に対してリンとして０．０１〜１０重量％、望ましくは
０．１〜５重量％、ホウ素の場合は０．０１〜１０重量
％、望ましくは０．５〜５重量％である。リンとホウ素
は単独で添加しても、両方を同時に添加しても良く、同
時添加ではアルカリバリアー能が更に増進し、望まし
い。
【００１６】安価なＳＬＧ基板を用いる場合、これらの
下地膜を形成することで通電耐湿試験を行っても電極付
近の導電膜が酸化されたり、還元されたりすることが無
くなり、リニアリティ値も環境試験前後で変化すること
も無く、ペン入力タッチパネル用の導電膜付ガラスとし
て使用可能となる。
下地膜を形成することで通電耐湿試験を行っても電極付
近の導電膜が酸化されたり、還元されたりすることが無
くなり、リニアリティ値も環境試験前後で変化すること
も無く、ペン入力タッチパネル用の導電膜付ガラスとし
て使用可能となる。
【００１７】ＳｉＯ2 膜の膜厚は６０ｎｍ以上あれば基
板からのアルカリ分の拡散を抑制できるが、透過率は厚
くするにつれて低下する傾向を示すので透過率が低下し
ない厚さに抑えるべきであり、この観点から上限は１５
０ｎｍとなる。例えば、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜、下地
膜として８０ｎｍのＳｉＯ2 膜のガラスの５５０ｎｍ波
長での透過率は約９０％であるが、１２０ｎｍのＳｉＯ
2 膜の場合は８９％、１５０ｎｍの膜厚では８８％と低
下するので、透過率の観点からは１２０ｎｍ以下の膜厚
が望ましい。したがって、通電耐湿試験でのリニアリテ
ィ値増大抑制と高透過率化の２つを同時に満足する下地
膜の膜厚としては６０〜１５０ｎｍ、望ましくは８０〜
１２０ｎｍである。
板からのアルカリ分の拡散を抑制できるが、透過率は厚
くするにつれて低下する傾向を示すので透過率が低下し
ない厚さに抑えるべきであり、この観点から上限は１５
０ｎｍとなる。例えば、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜、下地
膜として８０ｎｍのＳｉＯ2 膜のガラスの５５０ｎｍ波
長での透過率は約９０％であるが、１２０ｎｍのＳｉＯ
2 膜の場合は８９％、１５０ｎｍの膜厚では８８％と低
下するので、透過率の観点からは１２０ｎｍ以下の膜厚
が望ましい。したがって、通電耐湿試験でのリニアリテ
ィ値増大抑制と高透過率化の２つを同時に満足する下地
膜の膜厚としては６０〜１５０ｎｍ、望ましくは８０〜
１２０ｎｍである。
【００１８】透明導電膜を成膜する方法としては、一般
に知られている方法を採用できる。即ち、スパッター
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、化学
気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法、スプレー法、
ディップ法等で所定の材料を所定の厚さで成膜すること
で達成される。
に知られている方法を採用できる。即ち、スパッター
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、化学
気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法、スプレー法、
ディップ法等で所定の材料を所定の厚さで成膜すること
で達成される。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
【００２０】実施例１ 厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソーダライムガラスを超音波
霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置
にセットし４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4
のＣ2 Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音
波により２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、６
分間成膜した。得られた膜はｎ＝１．４２、膜厚９０ｎ
ｍのＳｉＯ2 膜であった。引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3
ＯＨ溶液（濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 を
Ｉｎに対して１０原子％添加した溶液を超音波により
２．５ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、２分間成膜
した。その後成膜装置より取り出し、空気中で冷却し
た。得られた膜はｎ＝１．９５、膜厚２２ｎｍのＩＴＯ
結晶膜であった。この膜のシート抵抗を９点測定したと
ころ、平均５５０Ω／□、比抵抗１．２×１０-3Ωcmで
あった。シート抵抗の均一性は±４５Ω／□以内であっ
た。透過率は５５０ｎｍで９０．８％を示した。この試
料の向かい合う辺に導電性の銀ペーストを５ｍｍ幅で塗
布し電極を作成した。この２本の電極に直流５Ｖを印加
してリニアリティを５列（１５ｍｍ間隔）、１０点／列
（８ｍｍ間隔）で測定したところ−０．３〜０．２％の
値であった。この試料の７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨの条
件下で２４０時間放置した後のリニアリティを測定した
ところ−０．２〜０．３％の値であり、ほとんど変化し
ていなかった。
霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置
にセットし４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4
のＣ2 Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音
波により２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、６
分間成膜した。得られた膜はｎ＝１．４２、膜厚９０ｎ
ｍのＳｉＯ2 膜であった。引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3
ＯＨ溶液（濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 を
Ｉｎに対して１０原子％添加した溶液を超音波により
２．５ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、２分間成膜
した。その後成膜装置より取り出し、空気中で冷却し
た。得られた膜はｎ＝１．９５、膜厚２２ｎｍのＩＴＯ
結晶膜であった。この膜のシート抵抗を９点測定したと
ころ、平均５５０Ω／□、比抵抗１．２×１０-3Ωcmで
あった。シート抵抗の均一性は±４５Ω／□以内であっ
た。透過率は５５０ｎｍで９０．８％を示した。この試
料の向かい合う辺に導電性の銀ペーストを５ｍｍ幅で塗
布し電極を作成した。この２本の電極に直流５Ｖを印加
してリニアリティを５列（１５ｍｍ間隔）、１０点／列
（８ｍｍ間隔）で測定したところ−０．３〜０．２％の
値であった。この試料の７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨの条
件下で２４０時間放置した後のリニアリティを測定した
ところ−０．２〜０．３％の値であり、ほとんど変化し
ていなかった。
【００２１】実施例２ 市販のＳｉＯ2 膜形成薬剤（日本曹達（株）製、アトロ
ンＮＳｉ−５００）にＰ2 Ｏ5 をＳｉＯ2 に対し３重量
％、Ｈ3 ＢＯ3 を５重量％添加した液を調整した。実施
例１と同じサイズのＳＬＧ基板をこの液にディップして
２０ｃｍ／ｍｉｎの速度で引き上げ、１５０℃で１５分
乾燥後、５００℃で３０分焼成してＰ，ＢドープしたＳ
ｉＯ2 膜を得た。ＳｉＯ2 膜はｎ＝１．４２、膜厚は１
０５ｎｍであった。この上に実施例１と同様のＩＴＯ成
膜を行った。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比抵抗、均一
性は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過
率は５５０ｎｍで９０．２％であった。この試料のリニ
アリティを実施例１と同様の方法で測定したところ、−
０．２〜０．５％の値であった。この試料を７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨの条件下で２４０時間放置した後、試験
前と同じ条件でリニアリティを測定したところ−０．１
〜０．６％の値であり、ほとんど変化していなかった。
ンＮＳｉ−５００）にＰ2 Ｏ5 をＳｉＯ2 に対し３重量
％、Ｈ3 ＢＯ3 を５重量％添加した液を調整した。実施
例１と同じサイズのＳＬＧ基板をこの液にディップして
２０ｃｍ／ｍｉｎの速度で引き上げ、１５０℃で１５分
乾燥後、５００℃で３０分焼成してＰ，ＢドープしたＳ
ｉＯ2 膜を得た。ＳｉＯ2 膜はｎ＝１．４２、膜厚は１
０５ｎｍであった。この上に実施例１と同様のＩＴＯ成
膜を行った。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比抵抗、均一
性は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過
率は５５０ｎｍで９０．２％であった。この試料のリニ
アリティを実施例１と同様の方法で測定したところ、−
０．２〜０．５％の値であった。この試料を７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨの条件下で２４０時間放置した後、試験
前と同じ条件でリニアリティを測定したところ−０．１
〜０．６％の値であり、ほとんど変化していなかった。
【００２２】実施例３ 実施例１と同じソーダライムガラス基板をスパッター装
置にセットした。ターゲットとしてＳｉＯ2 を用い、Ｒ
Ｆ出力２００Ｗ、基板温度２５０℃、Ａｒガスを導入し
て９分間成膜を行った。得られた膜はｎ＝１．４２、膜
厚＝８０ｎｍであった。この膜の上にスパッター法で、
ＩＴＯ（Ｓｎ＝０．５ｗｔ％ ｖｓ Ｉｎ）をターゲッ
トとして、ＲＦ出力２００Ｗ、基板温度３００℃、Ａ
ｒ：Ｏ2 ＝９８：２の条件で４分間成膜を行った。得ら
れた膜のシート抵抗は６５０Ω／□、膜厚は２０ｎｍ、
透過率は９１．０％の良好な膜であった。この膜のリニ
アリティ値は０．２〜０．６％であり、７Ｖ，４０℃，
９５％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニアリテ
ィ値は、０．２〜０．８％であり、ほとんど変化してい
なかった。
置にセットした。ターゲットとしてＳｉＯ2 を用い、Ｒ
Ｆ出力２００Ｗ、基板温度２５０℃、Ａｒガスを導入し
て９分間成膜を行った。得られた膜はｎ＝１．４２、膜
厚＝８０ｎｍであった。この膜の上にスパッター法で、
ＩＴＯ（Ｓｎ＝０．５ｗｔ％ ｖｓ Ｉｎ）をターゲッ
トとして、ＲＦ出力２００Ｗ、基板温度３００℃、Ａ
ｒ：Ｏ2 ＝９８：２の条件で４分間成膜を行った。得ら
れた膜のシート抵抗は６５０Ω／□、膜厚は２０ｎｍ、
透過率は９１．０％の良好な膜であった。この膜のリニ
アリティ値は０．２〜０．６％であり、７Ｖ，４０℃，
９５％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニアリテ
ィ値は、０．２〜０．８％であり、ほとんど変化してい
なかった。
【００２３】比較例１ 実施例１に示したパイロゾル成膜装置を用いて、ＳｉＯ
2 の成膜時間を２分にした以外は実施例１と同じ条件で
成膜を行った。ＳｉＯ2 はｎ＝１．４２、膜厚は２５ｎ
ｍであった。得られた膜のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は５５０ｎｍで９１．０％であった。この試料のリニア
リティ値は−０．２〜０．２％であったが、７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニア
リティ値は、０．８〜２．１％に増大した。
2 の成膜時間を２分にした以外は実施例１と同じ条件で
成膜を行った。ＳｉＯ2 はｎ＝１．４２、膜厚は２５ｎ
ｍであった。得られた膜のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は５５０ｎｍで９１．０％であった。この試料のリニア
リティ値は−０．２〜０．２％であったが、７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニア
リティ値は、０．８〜２．１％に増大した。
【００２４】比較例２ 実施例２において引き上げ速度を５ｃｍ／ｍｉｎでディ
ップ成膜した以外は実施例２と同様の条件で成膜を行っ
た。得られたＳｉＯ2 はｎ＝１．４２、膜厚は４０ｎｍ
であった。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例２の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は５５０ｎｍで９０．８％であった。この試料のリニア
リティ値は−０．４〜０．２％であったが、７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニア
リティ値は、１．５〜２．８％に増大した。
ップ成膜した以外は実施例２と同様の条件で成膜を行っ
た。得られたＳｉＯ2 はｎ＝１．４２、膜厚は４０ｎｍ
であった。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例２の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は５５０ｎｍで９０．８％であった。この試料のリニア
リティ値は−０．４〜０．２％であったが、７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニア
リティ値は、１．５〜２．８％に増大した。
【００２５】
【発明の効果】透明ガラス基板上に二酸化珪素膜を６０
〜１５０ｎｍ形成し、その上に屈折率１．７〜２．２の
透明導電膜を１０〜３０ｎｍ形成することにより、所期
の目的とする通電耐湿試験でリニアリティ値が増大しな
い安定性に優れた透明導電膜付ガラスを作製することが
出来る。
〜１５０ｎｍ形成し、その上に屈折率１．７〜２．２の
透明導電膜を１０〜３０ｎｍ形成することにより、所期
の目的とする通電耐湿試験でリニアリティ値が増大しな
い安定性に優れた透明導電膜付ガラスを作製することが
出来る。
Claims (5)
- 【請求項１】透明ガラス基板上に二酸化珪素膜が６０〜
１５０ｎｍの膜厚で形成され、その上に屈折率１．７〜
２．２の透明導電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成され
た透明導電膜付ガラス。 - 【請求項２】二酸化珪素の膜中にリンを二酸化珪素に対
して０．０１〜１０重量％及び、または、ホウ素を二酸
化珪素に対して０．０１〜１０重量％含有する請求項１
記載の高抵抗透明導電膜付ガラス。 - 【請求項３】透明導電膜のシート抵抗値が、２００〜３
０００Ω／□、リニアリティ値が±２％以内である請求
項１及び請求項２記載の高抵抗透明導電膜付ガラス。 - 【請求項４】請求項１、２及び３記載の透明導電膜付ガ
ラスを使用したタッチパネル。 - 【請求項５】透明ガラス基板上に二酸化珪素の透明膜を
６０〜１５０ｎｍの膜厚で形成し、その上に屈折率１．
７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍの膜厚で形成
することを特徴とする透明導電膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26617494A JPH08109043A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 高抵抗透明導電膜付ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26617494A JPH08109043A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 高抵抗透明導電膜付ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08109043A true JPH08109043A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17427296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26617494A Pending JPH08109043A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 高抵抗透明導電膜付ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08109043A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2364068A (en) * | 1998-12-21 | 2002-01-16 | Cardinal Ig Co | Glass with water-sheeting coating of silica |
| WO2002029830A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrat transparent a revetement anti-reflet conducteur multicouches, |
| JP2002133956A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 |
| WO2008047810A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Antibacterial substratum and process for producing the same |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| WO2013061634A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | ガラス基材への成膜方法 |
| CN106116171A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-11-16 | 漳州旗滨玻璃有限公司 | 一种淡蓝色低反射阳光控制镀膜玻璃制备工艺 |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| JP2020532486A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ピルキントン グループ リミテッド | コーティングされたガラス物品、その作製方法、およびそれにより作製された光電池 |
-
1994
- 1994-10-05 JP JP26617494A patent/JPH08109043A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2364068B (en) * | 1998-12-21 | 2003-01-29 | Cardinal Ig Co | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| GB2364068A (en) * | 1998-12-21 | 2002-01-16 | Cardinal Ig Co | Glass with water-sheeting coating of silica |
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| US6727566B1 (en) | 2000-09-29 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent substrate with conductive multilayer anti reflection film, transparent touch panel using the transparent substrate with multilayer anti reflection film and electronic apparatus using the touch panel |
| JP4522566B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2010-08-11 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法 |
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| JP2013095944A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sharp Corp | ガラス基材への成膜方法 |
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| US11325859B2 (en) | 2016-11-17 | 2022-05-10 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
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| US11542194B2 (en) | 2017-08-31 | 2023-01-03 | Pilkington Group Limited | Coated glass article, method of making the same, and photovoltaic cell made therewith |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040531 |